JPH0265234A - Manufacture of semiconductor substrate - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板、特にＳ ＯＩ （５ｉｌｉｃｏ
ｎ ｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ ）基板の製法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor substrates, particularly SOI (5 ilico
The present invention relates to a method for manufacturing a substrate.
本発明は、半導体基板の所定領域に酸化膜を形成したＳ
ＯＩ基板の製法において、半導体基板に対し、酸素をチ
ャネリング方向から低ドーズ量でイオン注入する工程と
上記半導体基板に対しアニールする工程とを繰返して上
記半導体基板の所定領域に酸化膜を形成することにより
、半導体基板の表面の結晶性を維持できると共に、酸素
プロファイルの広がりを防止することができ、所定領域
に所望の酸化膜を形成することができるようにしたもの
である。The present invention provides an S
In a method for manufacturing an OI substrate, an oxide film is formed in a predetermined region of the semiconductor substrate by repeating a step of ion-implanting oxygen into the semiconductor substrate at a low dose from a channeling direction and a step of annealing the semiconductor substrate. This makes it possible to maintain the crystallinity of the surface of the semiconductor substrate, prevent the oxygen profile from spreading, and form a desired oxide film in a predetermined region.
一般に、半導体基板、特にＳＯＩ基板を形成する方法と
しては、酸素のイオン注入を使用して酸化膜を半導体基
板の所定領域（表面より所定深さ位置）に形成し、その
後表面に酸化膜を有する別の半導体基板と貼シ合わせた
のち、イオン注入した側の半導体基板を研削、研磨する
という方法がある。Generally, as a method for forming a semiconductor substrate, especially an SOI substrate, an oxide film is formed in a predetermined region (a predetermined depth position from the surface) of a semiconductor substrate using oxygen ion implantation, and then an oxide film is formed on the surface. There is a method of bonding the semiconductor substrate to another semiconductor substrate, and then grinding and polishing the ion-implanted semiconductor substrate.
そこで、従来のＳＯＩ基板の製法を第４図に基づいて説
明すると、まず、同図Ａに示すように、シリコン半導体
基板ａυの所定領域（表面から約１０００Ｘ付近）ａ汐
に酸素（０＋）をイオン注入（ドーズ量４ Ｘ １０１
７／ｃｍ” 、注入エネｋ キー ７０ＫｅＶ ）する
。Therefore, the conventional SOI substrate manufacturing method will be explained based on FIG. 4. First, as shown in FIG. Ion implantation (dose amount 4 x 101
7/cm”, injection energy k key 70KeV).
次に、同図Ｂに示すように、上記シリコン半導体基板α
υをアニール処理して所定領域（１２１をＳｉＯｘ酸化
膜から成るストッパー層（１３を形成する。Next, as shown in FIG. B, the silicon semiconductor substrate α
By annealing υ, a stopper layer (13) consisting of a SiOx oxide film is formed in a predetermined region (121).
次に、同図Ｃに示すように、別のシリコン半導体基板０
４）の表面に熱酸化を施しであるいはＣＶＤ法により５
ｉ０２酸化膜α鴎を形成あるいは成長させる。Next, as shown in FIG.
5) by thermally oxidizing the surface of 4) or by CVD method.
Form or grow an i02 oxide film α.
その後、同図りに示すように、シリコン半導体基板ａυ
の表面と別のシリコン半導体基板θａの５ｉ０２酸化膜
θつ側とを貼シ合わせたのち、シリコン半導体基板αυ
の端面から研削を行い、ストッパー層（１３）付近から
はＫＯＨ溶液を用いてエツチングによる研磨を行う。After that, as shown in the same figure, the silicon semiconductor substrate aυ
After bonding the surface of another silicon semiconductor substrate θa with the 5i02 oxide film θ side, the silicon semiconductor substrate αυ
Grinding is performed from the end face of the stopper layer (13), and polishing is performed by etching using a KOH solution from the vicinity of the stopper layer (13).
そして、同図Ｅに示すように、上記研磨作業をストッパ
ー層（１３の表面まで研磨した時点で止める。Then, as shown in Figure E, the polishing operation is stopped when the surface of the stopper layer (13) is polished.
さらに、同図Ｆに示すように、フッ酸溶液を用いて上記
ストン・ξ−層０りをエツチング除去することにより、
従来におけるＳＯＩ基板θｅができあがる。Furthermore, as shown in FIG.
A conventional SOI substrate θe is completed.
上記従来のＳＯＩ基板の製法においては、シリコン半導
体基板（１１３に対して酸素（Ｏ＋）をイオン注入する
際、例えばシリコン半導体基板ａυの面方向（１００）
に対するチャネリング方向からイオン注入を行うが、実
際には所要のドーズ量（４Ｘ１０１７／ｃｍ２）に達す
る前即ち、１×１０１６／Ｃｒｎ２の時点でシリコン半
導体基板（１υの表面（ＩＩＡ）が非晶質化してしまう
ことが確認されている。ここで、第５図で示すイオン注
入前及び従来の方法でイオン注入した場合におけるシリ
コン半導体基板の表面の紫外線反射スペクトル特性を見
ると、イオン注入後のもの（曲線■）はイオン注入前の
もの（曲線Ｉ）と比してピーク値がほとんど存在しない
状態と々つており、非晶質化していることがわかる。In the conventional SOI substrate manufacturing method described above, when ion-implanting oxygen (O+) into the silicon semiconductor substrate (113), for example, in the plane direction (100) of the silicon semiconductor substrate aυ,
Ion implantation is performed from the channeling direction of the silicon semiconductor substrate (1υ), but in reality, the surface (IIA) of the silicon semiconductor substrate (1υ) becomes amorphous before the required dose (4 x 1017/cm2) is reached, that is, at the time of 1 x 1016/Crn2. It has been confirmed that the ultraviolet reflection spectrum characteristics of the surface of a silicon semiconductor substrate before ion implantation and when ions are implanted by the conventional method shown in Fig. 5 show that after ion implantation ( It can be seen that curve (2) has almost no peak value compared to the curve before ion implantation (curve I), indicating that it has become amorphous.
従って、この状態で所要のドース１（４Ｘ１０１７／Ｃ
ｒｎ２）までイオン注入を続けると、第６図に示すよう
にシリコン半導体基板０υの表面（１１Ａ）の非晶質化
のため、酸素の濃度ビークＲｐが徐々に表面側へ移動し
、結果的に酸素プロファイルが広がり所定領域（１２）
に所望の酸化膜０３）を形成することができないという
おそれがあると共に、基板００表面のシリコン層（１６
）の厚さが設計通りにならないという不都合があった。Therefore, in this state, the required dose 1 (4X1017/C
When ion implantation continues until rn2), as shown in Figure 6, the surface (11A) of the silicon semiconductor substrate 0υ becomes amorphous, so the oxygen concentration peak Rp gradually moves toward the surface, and as a result, Oxygen profile spreads to a certain area (12)
There is a possibility that the desired oxide film 03) cannot be formed on the substrate 00, and the silicon layer (16) on the surface of the substrate 00 may not be formed.
) was not as thick as designed.
本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところはシリコン基板表面の結晶性を維持させ
たまま所定領域に所望の酸化膜が形成できるようにして
目的のＳＯＩ基板を製造することができる半導体基板の
製法を提供するものである。The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to form a desired oxide film in a predetermined region while maintaining the crystallinity of the silicon substrate surface, thereby forming a desired SOI substrate. The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor substrate that can manufacture a semiconductor substrate.
本発明の半導体基板の製法は、半導体基板例えばシリコ
ン半導体基板（１）の所定領域（表面（ＩＡ）より所定
深さ位置）（２）に対し、酸素（０＋）をチャネリング
方向から低ドーズ量でイオン注入したのち、全体をアニ
ール処理してシリコン半導体基板表面（ＩＡ）の結晶性
を回復させるという工程を繰返して上記所定領域（２）
に所要量の酸素を注入し、所望の酸化膜（３）を形成す
るよう拠したことである。尚、その後は別のシリコン半
導体基板（４）を貼り合わせたのち、上記シリコン半導
体基板（１）の端面からストッパ層となる酸化膜（３）
まで研削・研磨して後、酸化膜（３）を除去して所望の
ＳＯＩ基板（６）を形成する。The method for manufacturing a semiconductor substrate of the present invention is to apply oxygen (0+) in a low dose from the channeling direction to a predetermined region (a predetermined depth position from the surface (IA)) (2) of a semiconductor substrate, for example, a silicon semiconductor substrate (1). After ion implantation, the process of annealing the entire silicon semiconductor substrate to restore the crystallinity of the silicon semiconductor substrate surface (IA) is repeated to form the predetermined region (2).
The required amount of oxygen was injected to form the desired oxide film (3). After that, after bonding another silicon semiconductor substrate (4), an oxide film (3) which will become a stopper layer is formed from the end surface of the silicon semiconductor substrate (1).
After grinding and polishing, the oxide film (3) is removed to form a desired SOI substrate (6).
まだその他、酸素のドーー！：量を多くすることにより
上記酸化膜（３）を絶縁膜とし、別のシリコン半導体基
板（１）を貼り合わせることなしに、そのままＳＯＩ基
板としてもよい。Still others, Oxygen Do! : By increasing the amount, the oxide film (3) may be used as an insulating film, and the SOI substrate may be used as it is without bonding another silicon semiconductor substrate (1).
上述のように本発明の製法によれば、一つ一つのイオン
注入の量が少ないだめ、シリコン半導体基板表面（ＩＡ
）の非晶質化はそれほど進行しないと共に、それぞれの
イオン注入の後にアニール処理を行ってシリコン半導体
基板表面（ＩＡ）の結晶回復を図っているため、シリコ
ン半導体基板表面（ｌＡ）の結晶性は維持される。As described above, according to the manufacturing method of the present invention, since the amount of each ion implantation is small, the silicon semiconductor substrate surface (IA
) does not progress to become amorphous very much, and since annealing treatment is performed after each ion implantation to recover the crystallinity of the silicon semiconductor substrate surface (IA), the crystallinity of the silicon semiconductor substrate surface (IA) is maintained.
従って、イオン注入時における酸素の濃度ピークの表面
方向への広がりがなくなり、所要量の酸素を確実に所定
領域（２）に注入することができるので、所定領域（２
）に所望する酸化膜（３）を形成することができると共
に、基板（１）表面のシリコン層（７）の厚さを設計通
りに形成することができる。Therefore, the spread of the oxygen concentration peak toward the surface during ion implantation is eliminated, and the required amount of oxygen can be reliably implanted into the predetermined region (2).
), and the thickness of the silicon layer (7) on the surface of the substrate (1) can be formed as designed.
以下、第１図〜第３図を参照しながら本発明の詳細な説
明する。Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to FIGS. 1 to 3.
第１図は、本実施例に係る半導体基板の製法、特にＳＯ
Ｉ基板の製法を示す工程図である。以下順を追ってその
工程を説明する。FIG. 1 shows the manufacturing method of the semiconductor substrate according to this embodiment, especially the SO
FIG. 3 is a process diagram showing a method for manufacturing an I-board. The steps will be explained step by step below.
まず、同図Ａに示す°ようにシリコン半導体基板（１）
の所定領域（例えば、表面から１００ＯＸ付近）（２）
に酸素（０＋）をイオン注入する。尚、１回の注入量は
５×１０１５／Ｃｒｎ２であり、注入エネルギは７０Ｋ
ｅＶである。また注入方向は、表面の結晶面方向例えば
（１００）面へのチャネリング方向とする。First, as shown in Figure A, a silicon semiconductor substrate (1) is
Predetermined area (for example, around 100OX from the surface) (2)
Oxygen (0+) is ion-implanted. The amount of one implantation is 5×1015/Crn2, and the implantation energy is 70K.
It is eV. The injection direction is the channeling direction toward the surface crystal plane, for example, the (100) plane.
次建、同図Ｂに示すように、シリコン半導体基板（１）
全体を赤外線ランプアニールを行う（例えば１１５０Ｃ
，１分）。このアニール処理により、表面（ＩＡ）のイ
オン注入によって非晶質化した部分が結晶回復する。Next, as shown in Figure B, a silicon semiconductor substrate (1)
Perform infrared lamp annealing on the whole (e.g. 1150C)
, 1 minute). By this annealing treatment, the portion of the surface (IA) that has become amorphous due to ion implantation is restored to crystallization.
上記工程をシリコン半導体基板（１）の所定領域（２）
Ｋ酸素を所要量（例えば４ Ｘ １０”７ｃｍ２ ）注
入するまで繰返す。The above process is performed on a predetermined area (2) of a silicon semiconductor substrate (1).
Repeat until the required amount of K oxygen (eg, 4 x 10"7 cm2) is injected.
次に、同図Ｃに示すように、上記工程を繰返すことによ
って所定領域（２）に高濃度の酸素含有の層いわゆる後
の研磨に対するＳｉＯｘ酸化膜から成るストッパー層（
３）が形成される。もちろん５ｉ０２酸化膜にてストン
・ξ−層（３）を形成してもよい。Next, as shown in Figure C, by repeating the above steps, a high concentration oxygen-containing layer is formed in the predetermined region (2), so-called a stopper layer made of SiOx oxide film for later polishing (
3) is formed. Of course, the stone ξ-layer (3) may be formed of a 5i02 oxide film.
次に、同図りに示すように別のシリコン半導体基板（４
）の表面に熱酸化を施しであるいはＣＶＤ法を使用して
５ｉ０２酸化膜（５）を形成する。その後、同図Ｅに示
すように、シリコン半導体基板（１）の表面と別のシリ
コン半導体基板（４）の５ｉ０２酸化膜（５）側とを貼
り合わせたのち、シリコン半導体基板（１）の端面から
研削を行う。ストン・ξ−層（３）の付近まで研削した
後は、ＫＯＨ溶液にてエツチング効果を利用して研磨を
行う。Next, as shown in the same figure, another silicon semiconductor substrate (4
) A 5i02 oxide film (5) is formed on the surface of the substrate by thermal oxidation or by using the CVD method. Thereafter, as shown in Figure E, after bonding the surface of the silicon semiconductor substrate (1) and the 5i02 oxide film (5) side of another silicon semiconductor substrate (4), Grinding is done from. After grinding to the vicinity of the stone/ξ-layer (3), polishing is performed using a KOH solution using an etching effect.
そして、同図Ｆに示すように、上記エツチングはストッ
パー層（３）の表面で止まる。Then, as shown in Figure F, the etching stops at the surface of the stopper layer (3).
次に、同図ｑに示すように、フッ酸溶液を用いてストツ
ノξ−層（３）をエツチング除去することにより目的の
ＳＯ■基板（６）を得る。Next, as shown in Figure q, the desired SO2 substrate (6) is obtained by etching away the stock layer (3) using a hydrofluoric acid solution.
次に、第１図Ａ及びＢで示す酸素の低ドーズ量によるイ
オン注入後、ランプアニールによってシリコン半導体基
板（１）の表面（ＩＡ）が結晶回復する状態を第２図及
び第３図に基づいて説明する。Next, after ion implantation with a low dose of oxygen shown in FIGS. 1A and B, the state in which the surface (IA) of the silicon semiconductor substrate (1) undergoes crystal recovery by lamp annealing is shown in FIGS. 2 and 3. I will explain.
第２図は、イオン注入前の場合（曲線Ｉ）と面方向（１
００）に対するチャネリング方向から低ドーズ量（５Ｘ
１０１５／副２）イオン注入した場合（曲線■）及びチ
ャネリング方向ではない即ち面方向（１００）の垂線に
対し７°の方向から低ドーズ量（５×１Ｏ１５／ｃｎ１
２）イオン注入した場合（曲線■）におけるシリコン半
導体基板表面の紫外線反射ス被りトルの特性を示した図
である。即ち、曲線（ＩＶ）で示すチャネリング方向に
よらないでイオン注入した場合は、５×１０１５／ｃｒ
ｎ２という低ドーズ量でも基、板表面が完全に非晶質化
してしまい、アニールを施しても結晶回復の見込みがな
いことを示している。また、曲線（ＩＭ）で示すチャネ
リング方向からイオン注入した場合は、低ドーズ量（５
Ｘ１０１５／α２）のイオン注入であることと相俟って
基板表面の非晶質化がそれほど進行せず、アニールによ
って結晶回復が見込めることを示している。Figure 2 shows the case before ion implantation (curve I) and the in-plane direction (curve I).
00) from the channeling direction to the low dose amount (5X
1015/sub 2) In the case of ion implantation (curve ■), a low dose amount (5×1O15/cn1
2) A diagram showing the characteristics of ultraviolet reflection shear on the surface of a silicon semiconductor substrate in the case of ion implantation (curve ■). That is, when ions are implanted without depending on the channeling direction shown by curve (IV), 5×1015/cr
Even at a low dose of n2, the substrate and plate surfaces became completely amorphous, indicating that there is no hope of crystal recovery even after annealing. In addition, when ions are implanted from the channeling direction shown by the curve (IM), a low dose (5
Coupled with the ion implantation of X1015/α2), the amorphization of the substrate surface does not progress much, indicating that crystal recovery can be expected by annealing.
次に第３図はイオン注入前のシリコン半導体基板の表面
（曲線Ｉ）及びチャネリング方向から低ドーズ量（５Ｘ
１０” ５７ｃｍ２）でイオン注入したのちランプア
ニール（１ｔ５０ｃ 、 １分）を施した場合における
シリコン半導体基板表面（曲線■）の紫外線反射スＲク
トルの特性を示した図である。Next, Figure 3 shows the surface of the silicon semiconductor substrate before ion implantation (curve I) and the low dose (5X) from the channeling direction.
10'' 57 cm2) is a diagram showing the characteristics of the ultraviolet reflection spectrum of the silicon semiconductor substrate surface (curve ■) when lamp annealing (1t50c, 1 minute) is performed after ion implantation.
即ち、チャネリング方向から低ドーズ量でイオン注入し
てランプアニールすると基板の表面は、イオン注入前の
基板表面とほとんど変わらないほどに結晶性が回復して
いることを示している。That is, it is shown that when ions are implanted from the channeling direction at a low dose and lamp annealed, the crystallinity of the substrate surface is recovered to the extent that it is almost the same as the substrate surface before ion implantation.
上述の如く本実施例によれば、シリコン半導体基板（１
）に対し、酸素をチャネリング方向から低ドーズ量で所
定領域（２）にイオン注入し、その後ランプアニールに
て表面（ＩＡ）を結晶回復させるという工程を繰返して
所定領域（２）に所要量の酸素を注入するようにしたの
で、所要量が比較的多くてもシリコン半導体基板表面（
ｌＡ）の結晶性を維持させることができる。As described above, according to this embodiment, a silicon semiconductor substrate (1
), the process of ion-implanting oxygen from the channeling direction at a low dose into a predetermined region (2) and then crystallizing the surface (IA) by lamp annealing is repeated to inject the required amount into a predetermined region (2). Since oxygen is injected, even if the required amount is relatively large, the surface of the silicon semiconductor substrate (
The crystallinity of lA) can be maintained.
また、結晶回復した後にイオン注入するので、酸素の濃
度ビークＲｐは移動せず所定領域（２）に所要量の酸素
を確実に注入することができるため、所望する酸化膜（
３）を所定領域（２）に形成することができると共に、
基板（１）表面のシリコン層（力の厚さを設計通りに形
成することができる。In addition, since ions are implanted after crystal recovery, the oxygen concentration peak Rp does not move and the required amount of oxygen can be reliably implanted into the predetermined region (2).
3) can be formed in the predetermined area (2), and
The silicon layer on the surface of the substrate (1) can be formed with a thickness as designed.
また、ランプアニールによったのでアニール処理を短時
間で行うことができ、所要時間の短縮が可能となる。Further, since lamp annealing is used, the annealing process can be performed in a short time, making it possible to shorten the required time.
上記本実施例は、所定領域（２）に所要量（４×１ｏ１
７／ｃｒｎ２）の酸素をイオン注入して後に行われる研
磨に対するストッパーの役目を有するＳｉＯｘ酸化膜か
ら成るストッパー層（３）を形成したのち、別のシリコ
ン半導体基板（４）を貼り合わせてシリコン半導体基板
（１）を研磨することによりＳＯＩ基板（６）を形成す
るようにしたが酸素のイオン注入量を例えば、３×１０
１８／ｃｒｎ２と増やして所定領域（２）に絶縁層を形
成し、そのままＳＯＩ基板とすることもできる。In the above embodiment, the required amount (4×1o1
7/crn2) to form a stopper layer (3) made of an SiOx oxide film that serves as a stopper for later polishing, and then another silicon semiconductor substrate (4) is bonded to the silicon semiconductor substrate. The SOI substrate (6) was formed by polishing the substrate (1), but the amount of oxygen ions implanted was, for example, 3×10
18/crn2, an insulating layer can be formed in the predetermined region (2), and the SOI substrate can be used as it is.
本発明に係る半導体基板の製法は、半導体基板に対し、
酸素をチャネリング方向から低ドーズ量αυ
でイオン注入する工程と上記半導体基板に対しアニール
する工程とを繰返して半導体基板の所定領域に酸化膜を
形成するようにしたので、半導体基板表面の結晶性を維
持することができると共Ｋ。The method for manufacturing a semiconductor substrate according to the present invention includes:
The process of ion-implanting oxygen from the channeling direction at a low dose αυ and the process of annealing the semiconductor substrate were repeated to form an oxide film in a predetermined region of the semiconductor substrate, thereby improving the crystallinity of the surface of the semiconductor substrate. Co-K can be maintained.
酸素の半導体基板表面側への広炉゛９を防止することが
でき、所定領域に所望の酸化膜を形成することができ、
しかも半導体基板表面のシリコン層の厚さを設計通りに
形成することができる。It is possible to prevent oxygen from flowing into the surface of the semiconductor substrate from the open furnace 9, and it is possible to form a desired oxide film in a predetermined area.
Furthermore, the thickness of the silicon layer on the surface of the semiconductor substrate can be formed as designed.
第１図は本実施例に係る半導体基板の製法を示す工程図
、第２図は本実施例におけるイオン注入時の作用を示す
紫外線反射ス被りトル特性図、第３図は本実施例におけ
るアニール処理時の作用を示す紫外線反射ス被りトル特
性図、第４図は従来例を示す工程図、第５図は従来例に
おける作用を示す紫外線反射スペクトル特性図、第６図
は従来例における酸素濃度分布の変化を示す図である。
（１）はシリコン半導体基板、（２）は所定領域、（３
）はストツへ〇−層、（４）は別のシリコン半導体基板
、（５）は５ｉ０２酸化膜、（６）はＳＯＩ基板、（力
はシリコン層である。Fig. 1 is a process diagram showing the manufacturing method of a semiconductor substrate according to this example, Fig. 2 is an ultraviolet reflection fog characteristic diagram showing the effect during ion implantation in this example, and Fig. 3 is annealing in this example. Fig. 4 is a process diagram showing the conventional example; Fig. 5 is an ultraviolet reflection spectrum characteristic diagram showing the effect in the conventional example; Fig. 6 is the oxygen concentration in the conventional example. FIG. 3 is a diagram showing changes in distribution. (1) is a silicon semiconductor substrate, (2) is a predetermined region, (3 is
) is a stock layer, (4) is another silicon semiconductor substrate, (5) is a 5i02 oxide film, (6) is an SOI substrate, and (is a silicon layer.
Claims (1)
ズ量でイオン注入する工程と上記半導体基板に対しアニ
ールする工程とを繰返して上記半導体基板の所定領域に
酸化膜を形成する工程を有する半導体基板の製法。A method for manufacturing a semiconductor substrate, comprising a step of forming an oxide film in a predetermined region of the semiconductor substrate by repeating a step of ion-implanting oxygen into the semiconductor substrate at a low dose from the channeling direction and a step of annealing the semiconductor substrate. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21782288A JPH0265234A (en) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Manufacture of semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21782288A JPH0265234A (en) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Manufacture of semiconductor substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265234A true JPH0265234A (en) | 1990-03-05 |
Family
ID=16710290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21782288A Pending JPH0265234A (en) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | Manufacture of semiconductor substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265234A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257515B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-07-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic recording and reproducing apparatus detecting end of tape by counting motor signals per supply-reel revolution |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21782288A patent/JPH0265234A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6257515B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-07-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic recording and reproducing apparatus detecting end of tape by counting motor signals per supply-reel revolution |
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