JPH0260204A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH0260204A JPH0260204A JP21100288A JP21100288A JPH0260204A JP H0260204 A JPH0260204 A JP H0260204A JP 21100288 A JP21100288 A JP 21100288A JP 21100288 A JP21100288 A JP 21100288A JP H0260204 A JPH0260204 A JP H0260204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- wavelength
- strip line
- film
- micro strip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、使用面積の少ない小型マイクロ波集積回路に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
従来のマイクロ波集積回路においては、アルミナなどの
誘電体基板の下面に接地電極を、その上面にマイクロス
トリップラインを形成し、高周波信号短絡用には1/4
波長先端開放マイクロストリップラインを、トランジス
タの直流バイアス給電端子には1/4波長チョーク回路
マイクロストリップラインを、また入出力インピーダン
スの整台用には先端開放あるいは短絡スタブを用いてい
る。
誘電体基板の下面に接地電極を、その上面にマイクロス
トリップラインを形成し、高周波信号短絡用には1/4
波長先端開放マイクロストリップラインを、トランジス
タの直流バイアス給電端子には1/4波長チョーク回路
マイクロストリップラインを、また入出力インピーダン
スの整台用には先端開放あるいは短絡スタブを用いてい
る。
発明が解決しようとする課題
従来の増幅用マイクロ波集積回路の例を第6図に示す。
図において、■は下側に電極を有する入力側アルミナ基
板、2は下側に電極を有する出力側アルミナ基板、3は
砒化ガリウム(GaAs)電界効果トランジスタ(FE
T)、4は入力側マイクロストリップライン、5は入力
結合用チップコンデンサ、6はゲート側マイクロストリ
ップライン、7は入力整合用先端開放スタブ(マイクロ
ストリップラインと同じことであるが、これに関しては
スタブと記述する)、8はゲートバイアス給電用1/4
波長チヨーク回路マイクロストリップライン、9は出力
側マイクロストリップライン、10は出力結合用チップ
コンデンサ、11はドレイン側マイクロストリップライ
ン、12は出力整合用スタブ、13はドレイン給電用1
/4波長チヨーク回路マイクロストリップライン、14
′は給電点において高周波信号を短絡するための1/4
波長先端開放マイクロストリップラインであり、入力端
子と入力側マイクロストリップライン、出力端子と出力
側マイクロストリップライン、入力側マイクロストリッ
プラインと入力結合用チップコンデンサ、出力側マイク
ロストリップラインと出力結合用チップコンデンサ、ゲ
ートバイアス給電部およびドレインバイアス給電部と各
給電端子、およびGaAsFETゲート電極、ドレイン
側マイクロストリップラインとGaAsFETドレイン
電極、GaAsFETソース電極とアース(パッケージ
)は、それぞれワイヤーにより接続されている。また入
出力結合用チップコンデンサも、チップの上下にそれぞ
れ電極が形成されているので、マイクロストリップライ
ンの上に導電性接着剤等で下電極を接着固定することに
より電気的接続がなされている。またアルミナ基板もや
はりパッケージの上に導電性接着剤等で下電極を接着固
定することにより下電極が接地されている。
板、2は下側に電極を有する出力側アルミナ基板、3は
砒化ガリウム(GaAs)電界効果トランジスタ(FE
T)、4は入力側マイクロストリップライン、5は入力
結合用チップコンデンサ、6はゲート側マイクロストリ
ップライン、7は入力整合用先端開放スタブ(マイクロ
ストリップラインと同じことであるが、これに関しては
スタブと記述する)、8はゲートバイアス給電用1/4
波長チヨーク回路マイクロストリップライン、9は出力
側マイクロストリップライン、10は出力結合用チップ
コンデンサ、11はドレイン側マイクロストリップライ
ン、12は出力整合用スタブ、13はドレイン給電用1
/4波長チヨーク回路マイクロストリップライン、14
′は給電点において高周波信号を短絡するための1/4
波長先端開放マイクロストリップラインであり、入力端
子と入力側マイクロストリップライン、出力端子と出力
側マイクロストリップライン、入力側マイクロストリッ
プラインと入力結合用チップコンデンサ、出力側マイク
ロストリップラインと出力結合用チップコンデンサ、ゲ
ートバイアス給電部およびドレインバイアス給電部と各
給電端子、およびGaAsFETゲート電極、ドレイン
側マイクロストリップラインとGaAsFETドレイン
電極、GaAsFETソース電極とアース(パッケージ
)は、それぞれワイヤーにより接続されている。また入
出力結合用チップコンデンサも、チップの上下にそれぞ
れ電極が形成されているので、マイクロストリップライ
ンの上に導電性接着剤等で下電極を接着固定することに
より電気的接続がなされている。またアルミナ基板もや
はりパッケージの上に導電性接着剤等で下電極を接着固
定することにより下電極が接地されている。
このように従来例では、高周波信号の短絡用に1/4波
長先端開放マイクロストリップライン、バイアス部に1
/4波長チョーク回路マイクロストリップライン、入出
力整合用に先端開放マイクロストリップラインが用いら
れている。250μmのアルミナ基板を用い、14GH
zで使用する場合、1/4波長は約2胴となる。また特
性インピーダンスが50Ωとなるマイクロストリップラ
インの幅は約250μmである。マイクロ波集積回路の
使用面積を小さくして、小型化を図り、材料費を低減し
ようとすると、この1/4波長の長さ、すなわち2mm
が制約条件となり、このため回路使用面積の削減がはな
はだ困難となっている。とくにGaAsのモノリシック
マイクロ波集積回路を作る場合、面積が大きいことは、
価格面、製造歩留り面で著しく不利である。
長先端開放マイクロストリップライン、バイアス部に1
/4波長チョーク回路マイクロストリップライン、入出
力整合用に先端開放マイクロストリップラインが用いら
れている。250μmのアルミナ基板を用い、14GH
zで使用する場合、1/4波長は約2胴となる。また特
性インピーダンスが50Ωとなるマイクロストリップラ
インの幅は約250μmである。マイクロ波集積回路の
使用面積を小さくして、小型化を図り、材料費を低減し
ようとすると、この1/4波長の長さ、すなわち2mm
が制約条件となり、このため回路使用面積の削減がはな
はだ困難となっている。とくにGaAsのモノリシック
マイクロ波集積回路を作る場合、面積が大きいことは、
価格面、製造歩留り面で著しく不利である。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明の高周波信号短絡用
1/4波長先端開放マイクロストリップライン、バイア
ス用1/4波長チヨーク回路マイクロストリップライン
、入出力整合用スタブには、その少なくとも一部の上部
または下部に、基板よりも誘電率が大きく、厚みの薄い
膜を有し、その上部または下部に前記各マイクロストリ
ップラインまたはスタブに対向して接地電極を設けるこ
とによって、前記各マイクロストリップラインの波長短
縮率を小さくし、これにより必要とするマイクロストリ
ップラインまたはスタブの長さを短縮するものである。
1/4波長先端開放マイクロストリップライン、バイア
ス用1/4波長チヨーク回路マイクロストリップライン
、入出力整合用スタブには、その少なくとも一部の上部
または下部に、基板よりも誘電率が大きく、厚みの薄い
膜を有し、その上部または下部に前記各マイクロストリ
ップラインまたはスタブに対向して接地電極を設けるこ
とによって、前記各マイクロストリップラインの波長短
縮率を小さくし、これにより必要とするマイクロストリ
ップラインまたはスタブの長さを短縮するものである。
作用
上記のように構成することにより、小型で、使用面積の
小さいマイクロ波集積回路が得られる。
小さいマイクロ波集積回路が得られる。
実施例
以下本発明の一実施例のマイクロ波集積回路について、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
(実施例1)
本実施例のマイクロ波集積回路の構造の一例を第1図に
示す。図において、1は下側に電極を有する入力側アル
ミナ基板、2は下側に電極を有する出力側アルミナ基板
、3は砒化ガリウム(GaAs)電界効果トランジスタ
(FET)、4は入力側マイクロストリップライン、5
は入力結合用チップコンデンサ、6はゲート側マイクロ
ストリップライン、7は入力整合用先端開放スタブ、8
はゲートバイアス給電用1/4波長チヨーク回路マイク
ロストリップライン、9は出力側マイクロストリップラ
イン、10は出力結合用チップコンデンサ、11はドレ
イン側マイクロストリップライン、12は出力整合用先
端開放スタブ、13はドレイン給電用1/4波長チヨー
ク回路マイクロストリップライン、14は給電点におい
て高周波信号を短絡するための1/4波長先端開放マイ
クロストリップラインである。入力端子と入力側マイク
ロストリップライン、出力端子と出力側マイクロストリ
ップライン、入力側マイクロストリップラインと入力結
合用チップコンデンサ、出力側マイクロストリップライ
ンと出力結合用チップコンデンサ、ゲートバイアス給電
部およびドレインバイアス給電部と主給電端子、および
GaAsFETゲート電極、ドレイン側マイクロストリ
ップラインとGaAsFETドレイン電極、GaAsF
ETソース電極とアース(パッケージ)は、それぞれワ
イヤーにより接続されている。また入出力結合用チップ
コンデンサも、チップの上下にそれぞれ電極が形成され
ているので、マイクロストリップラインの上に導電性接
着剤等で下電極を接着固定することにより電気的接続が
なされている。またアルミナ基板もやはりパッケージの
上に導電性接着剤等で下電極を接着固定することにより
下電極が接地されている。15は1/4波長先端開放マ
イクロストリモ された1μm厚みの酸化チタン膜、16はその上に、前
記1/4波長先端開放マイクロストリップラインに対向
して設けられた接地電極である。この図では接地部につ
いて描いてないが、実際には基板端まで接地電極をのば
し、そこで金リボンなどで接地している。第2図は、前
記1/4波長先端開放マイクロストリップライン部を、
横からみた図である。図において、■はアルミナ基板、
14は1/4波長先端開放マイクロストリップライン、
15は酸化チタン膜、16はその上に設けられた、接地
電極である。
示す。図において、1は下側に電極を有する入力側アル
ミナ基板、2は下側に電極を有する出力側アルミナ基板
、3は砒化ガリウム(GaAs)電界効果トランジスタ
(FET)、4は入力側マイクロストリップライン、5
は入力結合用チップコンデンサ、6はゲート側マイクロ
ストリップライン、7は入力整合用先端開放スタブ、8
はゲートバイアス給電用1/4波長チヨーク回路マイク
ロストリップライン、9は出力側マイクロストリップラ
イン、10は出力結合用チップコンデンサ、11はドレ
イン側マイクロストリップライン、12は出力整合用先
端開放スタブ、13はドレイン給電用1/4波長チヨー
ク回路マイクロストリップライン、14は給電点におい
て高周波信号を短絡するための1/4波長先端開放マイ
クロストリップラインである。入力端子と入力側マイク
ロストリップライン、出力端子と出力側マイクロストリ
ップライン、入力側マイクロストリップラインと入力結
合用チップコンデンサ、出力側マイクロストリップライ
ンと出力結合用チップコンデンサ、ゲートバイアス給電
部およびドレインバイアス給電部と主給電端子、および
GaAsFETゲート電極、ドレイン側マイクロストリ
ップラインとGaAsFETドレイン電極、GaAsF
ETソース電極とアース(パッケージ)は、それぞれワ
イヤーにより接続されている。また入出力結合用チップ
コンデンサも、チップの上下にそれぞれ電極が形成され
ているので、マイクロストリップラインの上に導電性接
着剤等で下電極を接着固定することにより電気的接続が
なされている。またアルミナ基板もやはりパッケージの
上に導電性接着剤等で下電極を接着固定することにより
下電極が接地されている。15は1/4波長先端開放マ
イクロストリモ された1μm厚みの酸化チタン膜、16はその上に、前
記1/4波長先端開放マイクロストリップラインに対向
して設けられた接地電極である。この図では接地部につ
いて描いてないが、実際には基板端まで接地電極をのば
し、そこで金リボンなどで接地している。第2図は、前
記1/4波長先端開放マイクロストリップライン部を、
横からみた図である。図において、■はアルミナ基板、
14は1/4波長先端開放マイクロストリップライン、
15は酸化チタン膜、16はその上に設けられた、接地
電極である。
本実施例の構造における1/4波長先端開放マイクロス
トリップラインは、上下を接地電極で挾まれたいわゆる
トリプレート線路構造となっている。しかし酸化チタン
膜の膜圧が1μmであり、アルミナ基板の厚み250μ
mに対して、圧倒的に薄いことから、実質的には、酸化
チタンを誘電体とするマイクロストリップライン構造と
なっている。酸化チタン膜の誘電率は約100、アルミ
ナ基板の誘電率は約10である。マイクロストリップラ
インの波長短縮率は、基板の実効誘電率の平方根に反比
例する。実効誘電率は、近似的に基板の誘電率に比例す
るので、アルミナ基板に比べ約10倍の誘電率を有する
酸化チタン膜を用いた場合、波長短縮率は約1/3、す
なわちこの部分の1/4波長に対応するマイクロストリ
ップラインの長さは、アルミナ基板上の長さの約1/3
となる。線路の特性インピーダンスは誘電率と、基板厚
みの関数であるが、厚みが1μmと薄いので、アルミナ
基板上のように250μmと広くしなくても、数μmで
50Ω以下の低インピーダンスが得られる。
トリップラインは、上下を接地電極で挾まれたいわゆる
トリプレート線路構造となっている。しかし酸化チタン
膜の膜圧が1μmであり、アルミナ基板の厚み250μ
mに対して、圧倒的に薄いことから、実質的には、酸化
チタンを誘電体とするマイクロストリップライン構造と
なっている。酸化チタン膜の誘電率は約100、アルミ
ナ基板の誘電率は約10である。マイクロストリップラ
インの波長短縮率は、基板の実効誘電率の平方根に反比
例する。実効誘電率は、近似的に基板の誘電率に比例す
るので、アルミナ基板に比べ約10倍の誘電率を有する
酸化チタン膜を用いた場合、波長短縮率は約1/3、す
なわちこの部分の1/4波長に対応するマイクロストリ
ップラインの長さは、アルミナ基板上の長さの約1/3
となる。線路の特性インピーダンスは誘電率と、基板厚
みの関数であるが、厚みが1μmと薄いので、アルミナ
基板上のように250μmと広くしなくても、数μmで
50Ω以下の低インピーダンスが得られる。
この部分には大きい電流は流れないことから、数μmに
まで細くしても問題がない。上部接地電極は、少なくと
も対向するマイクロストリップラインの幅と同等以上あ
ればよく、3倍程度あれば十分である。
まで細くしても問題がない。上部接地電極は、少なくと
も対向するマイクロストリップラインの幅と同等以上あ
ればよく、3倍程度あれば十分である。
(実施例2)
本実施例のマイクロ波集積回路の構造の他の例を第3図
に示す。図において、1から7および9から12までは
実施例1と同様である。また14′は従来例の第6図と
同様である。本実施例では、バイアス用1/4波長チヨ
ーク回路マイクロストリップライン8’、13’部分に
、酸化チタン膜15とその上の接地電極16を設けた構
造となっている。
に示す。図において、1から7および9から12までは
実施例1と同様である。また14′は従来例の第6図と
同様である。本実施例では、バイアス用1/4波長チヨ
ーク回路マイクロストリップライン8’、13’部分に
、酸化チタン膜15とその上の接地電極16を設けた構
造となっている。
アルミナ基板、酸化チタン膜の膜厚は実施例1と同様で
ある。したがってこの部分が、実施例1と同様に、実質
的に酸化チタンを基板とするマイクロストリップライン
構造となっており、アルミナ基板上で1/4波長に対応
する長さが、約1/3と短縮できる。
ある。したがってこの部分が、実施例1と同様に、実質
的に酸化チタンを基板とするマイクロストリップライン
構造となっており、アルミナ基板上で1/4波長に対応
する長さが、約1/3と短縮できる。
(実施例3)
本実施例のマイクロ波集積回路の構造の他の例を第4図
に示す。図において、1から12までは実施例1と同様
である。そして8′および13′の1/4波長チョーク
回路マイクロストリップラインおよび、14の1/4波
長先端開放マイクロストリップラインの上に、1μmの
酸化チタン膜15とその上の接地電極、16を設けたも
のである。したがって本実施例は、実施例1と実施例2
の組合せ例であり、それぞれの実施例の説明において述
べたように、この場合には1/4波長チョーク回路マイ
クロストリップラインおよび1/4波長先端開放マイク
ロストリップラインの長さが、アルミナ基板上に比べl
/3となり、より小型化および基板面積の削減が図れる
。
に示す。図において、1から12までは実施例1と同様
である。そして8′および13′の1/4波長チョーク
回路マイクロストリップラインおよび、14の1/4波
長先端開放マイクロストリップラインの上に、1μmの
酸化チタン膜15とその上の接地電極、16を設けたも
のである。したがって本実施例は、実施例1と実施例2
の組合せ例であり、それぞれの実施例の説明において述
べたように、この場合には1/4波長チョーク回路マイ
クロストリップラインおよび1/4波長先端開放マイク
ロストリップラインの長さが、アルミナ基板上に比べl
/3となり、より小型化および基板面積の削減が図れる
。
(実施例4)
本実施例のマイクロ波集積回路の構造の他の例を第5図
に示す。図において、1から6までと8から11まで、
又13.14’は実施例1と同じである。
に示す。図において、1から6までと8から11まで、
又13.14’は実施例1と同じである。
そして7′は入力整合用先端開放スタブ、12′は出力
整合用先端開放スタブで、この上に1amの酸化チタン
膜15とその上の接地電極、16を設けたものである。
整合用先端開放スタブで、この上に1amの酸化チタン
膜15とその上の接地電極、16を設けたものである。
したがってこの場合には、入力整合用および出力整合用
先端開放スタブの両者の長さが、アルミナ基板上に比べ
1/3となり、小型化および基板面積の削減が図れる。
先端開放スタブの両者の長さが、アルミナ基板上に比べ
1/3となり、小型化および基板面積の削減が図れる。
(実施例5)
上記実施例1〜4においては、いずれも短縮したい部分
の上部に高誘電率の膜を形成し、その上に接地電極を形
成した例を示したが、高誘電率膜および接地電極を、短
縮したい部分の下側に形成してもほぼ同様の効果が得ら
れる。第6図は第2図と対比して、その実施例を示した
ものである。
の上部に高誘電率の膜を形成し、その上に接地電極を形
成した例を示したが、高誘電率膜および接地電極を、短
縮したい部分の下側に形成してもほぼ同様の効果が得ら
れる。第6図は第2図と対比して、その実施例を示した
ものである。
図において、1はアルミナ基板、14は短縮したい部分
、例えば1/4波長先端開放マイクロストリップライン
、15は高誘電率膜、16は接地電極である。この場合
はトリプレート構造ではなく通常のマイクロストリップ
ライン構造となるが、前記実施例もほぼ近イ以的には同
様の構造と考えてよいものであり、その効果はほぼ同じ
である。ここでは1/4波長先端開放マイクロストリッ
プラインについて述べたが、1/4波長チョーク回路マ
イクロストリップラインおよびインピーダンス整合用ス
タブにおいても同様の構成をとることができる。
、例えば1/4波長先端開放マイクロストリップライン
、15は高誘電率膜、16は接地電極である。この場合
はトリプレート構造ではなく通常のマイクロストリップ
ライン構造となるが、前記実施例もほぼ近イ以的には同
様の構造と考えてよいものであり、その効果はほぼ同じ
である。ここでは1/4波長先端開放マイクロストリッ
プラインについて述べたが、1/4波長チョーク回路マ
イクロストリップラインおよびインピーダンス整合用ス
タブにおいても同様の構成をとることができる。
発明の効果
本発明は、以上説明したような構成から成るので、以下
に記載されるような効果を示す。
に記載されるような効果を示す。
高周波信号短絡用1/4波長先端開放マイクロストリッ
プライン、バイアス用1/4波長チiff −り回路マ
イクロストリップライン、入出力整合用各種スタブには
、その少なくとも一部の上部または下部に、基板よりも
誘電率が大きく、厚みの薄い膜を有し、その上部または
下部に前記各マイクロストリップラインおよびスタブに
対向して接地電極を設けることによって、前記各マイク
ロストリップラインおよびスタブの波長短縮率を小さく
し、これにより、1/4波長に相当する長さを短縮し、
基板使用面積の削減および小型化が図れる。
プライン、バイアス用1/4波長チiff −り回路マ
イクロストリップライン、入出力整合用各種スタブには
、その少なくとも一部の上部または下部に、基板よりも
誘電率が大きく、厚みの薄い膜を有し、その上部または
下部に前記各マイクロストリップラインおよびスタブに
対向して接地電極を設けることによって、前記各マイク
ロストリップラインおよびスタブの波長短縮率を小さく
し、これにより、1/4波長に相当する長さを短縮し、
基板使用面積の削減および小型化が図れる。
本実施例においては、アルミナ基板の厚みは250μm
を用い、マイクロストリップラインの線幅として、やは
り250μmを用いたが、使用周波数に応じて適当な値
を用いることができる。
を用い、マイクロストリップラインの線幅として、やは
り250μmを用いたが、使用周波数に応じて適当な値
を用いることができる。
また本実施例では基板としてアルミナ基板を用いたがこ
れに限定されるものではない。電極材料も本実施例では
CrおよびAuを用いたがこれに限定されるものではな
い。
れに限定されるものではない。電極材料も本実施例では
CrおよびAuを用いたがこれに限定されるものではな
い。
波長短縮率を小さくしたいマイクロストリップラインま
たはスタブの上に形成する誘電体は、基板上に各種の成
膜技術を用いて形成されるが、いずれにしても数10μ
m以上の厚い膜を形成することは困難である。したがっ
て波長短縮率を小さくするためには、基板よりも誘電率
の高いものを用いる必要がある。また厳密にはトリプレ
ート構造の伝送線になるのを、実質的に前記誘電体膜を
挾むマイクロストリップライン構造とするためには、高
誘電体膜の膜厚が基板厚みよりも薄くなくてはならない
。
たはスタブの上に形成する誘電体は、基板上に各種の成
膜技術を用いて形成されるが、いずれにしても数10μ
m以上の厚い膜を形成することは困難である。したがっ
て波長短縮率を小さくするためには、基板よりも誘電率
の高いものを用いる必要がある。また厳密にはトリプレ
ート構造の伝送線になるのを、実質的に前記誘電体膜を
挾むマイクロストリップライン構造とするためには、高
誘電体膜の膜厚が基板厚みよりも薄くなくてはならない
。
本実施例では入出力整合用スタブとして、先端開放スタ
ブの例を示したが、これに限られる必要はなく、先端短
絡スタブであっても良いことは明らかである。
ブの例を示したが、これに限られる必要はなく、先端短
絡スタブであっても良いことは明らかである。
高誘電率基板を用いれば、回路の小型化を図れることは
明らかであるが、そうするとインピーダンスを従来と同
じ50Ω程度にしようとした場合、基板厚みが極めて薄
くなるため、取り扱いが困難になり、またわずかの寸法
の違いで、インピーダンスが大きく変化するようになる
ため、インピーダンスの整合調整が極めて困難になる。
明らかであるが、そうするとインピーダンスを従来と同
じ50Ω程度にしようとした場合、基板厚みが極めて薄
くなるため、取り扱いが困難になり、またわずかの寸法
の違いで、インピーダンスが大きく変化するようになる
ため、インピーダンスの整合調整が極めて困難になる。
その点本発明の構造であれば、基板厚みおよび伝送線路
部分の寸法は従来どおりでよく、したがって取り扱いに
問題がなく、またインピーダンス整合調整も容易にでき
る。
部分の寸法は従来どおりでよく、したがって取り扱いに
問題がなく、またインピーダンス整合調整も容易にでき
る。
第1図〜第6図は本発明のマイクロ波集積回路の各種実
施例の構造図、第7図は従来のマイクロ波集積回路の構
造図である。 1・・・・・・入力側アルミナ基板、2・・・・・・出
力側アルミナ基板、3・・・・・・GaAsFET、’
4・・・・・・入力側マイクロストリップライン、5・
・・・・・入力結合用チップコンデンサ、6・・・・・
・ゲート側マイクロストリップライン、7・・・・・・
入力整合用先端開放スタブ、8・・・・・・ゲートバイ
アス給電用1/4波長マイクロストリップライン、9・
・・・・・出力側マイクロストリップライン、10・・
・・・・出力結合用チップコンデンサ、11・・・・・
・ドレイン側マイクロストリップライン、12・・・・
・・出力整合用先端開放スタブ、13・・・・・・ドレ
イン給電用1/4波長マイクロストリップライン、14
・・・・・弓/4波長先端開放スタブ、15・・・・・
・誘電体膜、16・・・・・・接地電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名I ・− 4・−・ 5−・− −一− 入’2] IP+アルミナ暮坂 出方11アルミナ暮板 GaAsFET 人力f1マイクロストリ・ツブライソ 入乃結台用÷ツブコン手ソす ケート劉マイクロストリ・ノブライン 入力整合用完厖聞放スタブ ケートバイアス給電量ヴ4倹長 マイクロストリップライン ー 出力側マイクロストリヅブライソ 出力結台用チップフソテンナ ドレイソ制マイクロストリップライン 出力1台用先m關放スタラ ドレインバイアス給電用174彼長 マイクロストリ1リブライン 1/4R長先tlAl’!放ストリップライン特電体冑 第2図 第 図 r2 が 図 第 図 第6図
施例の構造図、第7図は従来のマイクロ波集積回路の構
造図である。 1・・・・・・入力側アルミナ基板、2・・・・・・出
力側アルミナ基板、3・・・・・・GaAsFET、’
4・・・・・・入力側マイクロストリップライン、5・
・・・・・入力結合用チップコンデンサ、6・・・・・
・ゲート側マイクロストリップライン、7・・・・・・
入力整合用先端開放スタブ、8・・・・・・ゲートバイ
アス給電用1/4波長マイクロストリップライン、9・
・・・・・出力側マイクロストリップライン、10・・
・・・・出力結合用チップコンデンサ、11・・・・・
・ドレイン側マイクロストリップライン、12・・・・
・・出力整合用先端開放スタブ、13・・・・・・ドレ
イン給電用1/4波長マイクロストリップライン、14
・・・・・弓/4波長先端開放スタブ、15・・・・・
・誘電体膜、16・・・・・・接地電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名I ・− 4・−・ 5−・− −一− 入’2] IP+アルミナ暮坂 出方11アルミナ暮板 GaAsFET 人力f1マイクロストリ・ツブライソ 入乃結台用÷ツブコン手ソす ケート劉マイクロストリ・ノブライン 入力整合用完厖聞放スタブ ケートバイアス給電量ヴ4倹長 マイクロストリップライン ー 出力側マイクロストリヅブライソ 出力結台用チップフソテンナ ドレイソ制マイクロストリップライン 出力1台用先m關放スタラ ドレインバイアス給電用174彼長 マイクロストリ1リブライン 1/4R長先tlAl’!放ストリップライン特電体冑 第2図 第 図 r2 が 図 第 図 第6図
Claims (3)
- (1)少なくともマイクロストリップラインと1/4波
長先端開放マイクロストリップラインとを含むマイクロ
波集積回路において、1/4波長先端開放マイクロスト
リップラインの少なくとも一部の上部または下部に、基
板よりも誘電率が大きく、厚みの薄い膜を有し、その上
部または下部に前記1/4波長先端開放マイクロストリ
ップラインに対向して接地電極を設けたマイクロ波集積
回路。 - (2)少なくともマイクロストリップラインと1/4波
長チョーク回路マイクロストリップラインとを含むマイ
クロ波集積回路において、1/4波長チョーク回路マイ
クロストリップラインの少なくとも一部の上部または下
部に、基板よりも誘電率が大きく、厚みの薄い膜を有し
、その上部または下部に前記1/4波長チョーク回路マ
イクロストリップラインに対向して接地電極を設けたマ
イクロ波集積回路。 - (3)少なくともマイクロストリップラインとインピー
ダンス整合用スタブを含むマイクロ波集積回路において
、前記インピーダンス整合用スタブの少なくとも一部の
上部または下部に、基板よりも誘電率が大きく、厚みの
薄い膜を有し、その上部または下部に前記インピーダン
ス整合用スタブに対向して接地電極を設けたマイクロ波
集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21100288A JPH0260204A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21100288A JPH0260204A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0260204A true JPH0260204A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16598699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21100288A Pending JPH0260204A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0260204A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2807207A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-05 | Thomson Csf | Module electronique hyperfrequences et procede de test du module |
DE19534382B4 (de) * | 1994-09-16 | 2006-07-06 | Hitachi, Ltd. | Monolithisch integrierte Schaltung mit einem Mikrowellen-Leistungsverstärker mit einer Anpassungsschaltung unter Verwendung verteilter Leitungen |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6397001A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP21100288A patent/JPH0260204A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6397001A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19534382B4 (de) * | 1994-09-16 | 2006-07-06 | Hitachi, Ltd. | Monolithisch integrierte Schaltung mit einem Mikrowellen-Leistungsverstärker mit einer Anpassungsschaltung unter Verwendung verteilter Leitungen |
FR2807207A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-05 | Thomson Csf | Module electronique hyperfrequences et procede de test du module |
EP1146342A2 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-17 | Thomson Csf | Module électronique hyperfréquences et procédé de test du module |
EP1146342A3 (fr) * | 2000-03-31 | 2003-12-17 | Thomson Csf | Module électronique hyperfréquences et procédé de test du module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2513146B2 (ja) | 高効率増幅回路 | |
US4843440A (en) | Microwave field effect transistor | |
US5233313A (en) | High power field effect transistor amplifier | |
JPH0260204A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
JP3004882B2 (ja) | スパイラルインダクタ、マイクロ波増幅回路およびマイクロ波増幅装置 | |
JP2738701B2 (ja) | 高周波増幅回路 | |
JPH0821803B2 (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
US4384215A (en) | Capacitor element | |
JPH07321130A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0366205A (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
JPH0366203A (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
JPS6036124B2 (ja) | 並列帰還型マイクロ波発振器 | |
JPS5811746B2 (ja) | 超高周波トランジスタ増幅器 | |
JP2001044717A (ja) | マイクロ波用半導体装置 | |
JP2001257546A (ja) | 高周波電力増幅器 | |
JPH0366210A (ja) | 高周波トランジスタの整合回路 | |
JPH05136607A (ja) | 電力増幅用マイクロ波トランジスタ | |
JPH05259709A (ja) | 高比誘電率基板整合回路 | |
JP2000082788A (ja) | マイクロストリップ線路、スパイラルインダクタ、電子装置およびその製造方法 | |
JPH0621705A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63164704A (ja) | モノリシツクマイクロ波集積回路増幅器 | |
JPS59174006A (ja) | 電界効果トランジスタ増幅器 | |
JPS6241420B2 (ja) | ||
JPH05291309A (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
JPS58166815A (ja) | 高周波増幅器 |