JPH0259767A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、基板、下引き層及び感光層から構成される電
子写真感光体に関し、特に下引き層を改良した電子写真
感光体に関する。

［従来の技術］ 従来、電子写真方式を用いた複写機ＬＥＤプリンター　
レーザービームプリンターなどに用いられる電子写真感
光体において以下のような欠点かあげられる。

（１）暗減衰が大きく、帯電性が悪い。

（２）電荷の残留など光メモリー性を有す。

（３）！板と感光層の接着力が小さく、感光体取り扱い
時などに感光層が剥離、浮きが発生し、静電特性上の寿
命以前に、感光体の寿命となる。

（４）基板の化学的、物理的、機械的、不均一性のため
に画像上に白ポチ、黒ポチ、ピンホールなどの欠陥が生
じる。

上記欠点を改良するために基板上に下引き層を数千Ａ〜
５０μｍ設けることが知られている。

代表的ド引き層としては、樹脂層があげられ、例えば、
ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、スチレ
ン−アクリル酸ポリマーなど、又場合によっては硬化剤
などを加えた架橋された樹脂が用いられる。

しかしながら、これらの樹脂膜を下引き層とした場合、
所期の目的に対して充分な効果が得られていないのが実
情である。

すなわち、帯電性向上のために下引き層を厚くすれば、
露光部電位が落ちきらず、残留電位が大きくなり、結果
として静電コントラストが小さくなり、画像としてプア
ーなものになる。

更に下引き層又は電荷発生層内に光キャリアが残留し、
帯電性の低下及び残像が発生する。

逆に下引き層を薄くすれば、これらの不具合を低減させ
ることができるが、基板上に−様な樹脂膜が形成されず
、基板表面の不均一性が反映されて画像欠陥を生じる。

これに対して、下引き層中に導電制御剤としてカーボン
粉末、Ａ　Ｉ、Ａｕ、Ａｇなとの金属粉末又はＺ　ｎ　
ＯＳＺ　ｒ　Ｏ２、Ｔ　Ｉ　Ｏ２、Ｉ　ｎ　２０、．５
ｎＯｚなどの金属酸化物を含有させて、ある程度の下引
き層の膜厚のもとて抵抗を制御し、改良をはかる試みも
なされているが、分散不良等のため、本来目的としてい
た基板表面の不均一性を改良するどころか、かえって画
像上の点欠陥が増大する等の不具合を有している。

電化発生層は、通常、電荷発生機能を有する有機顔料を
選択された樹脂液又は溶媒中又は溶媒中に混入しボール
ミル、サンドミル等で分散し塗布液化し、下引き層上又
は基体上に塗布し、成膜して得られる。この湿式塗布法
は、量産性にすぐれた感光体の製造方法であるが、分散
液の安定性及び分散液作成上混入する不純物等、品質上
注意を要する事項が多数あり、その管理には多大な労力
が必要とされる。

この問題を回避する方法としては、真空蒸着法により耐
熱性を有する電荷発生材料を成膜する方法があげられる
。この方法による電荷発生材料の例として、例えば、キ
ナクリドン顔料、メタルフリー又は各種の金属フタロシ
アニン顔料、スクェアリウム顔料、ペリレン顔料及び縮
合多環系電荷発生材料などが挙げられる。特に好適なも
のとして、Ｃｕ−フタロシアニン、Ｐｂフタロシアニン
、■−フタロシアニンが挙げられる。

通常、膜厚としては、０．１〜３．０μ、好適には、０
．１〜０．５μである。この膜厚においては基板表面の
影響を大きく受け、金属基板を用いた場合、その材質、
表面粗さ、清浄の程度等注意深く管理されなければなら
ない。

この方法においても下引き層を用いることができるが、
感光層との接若性等から樹脂層が好ましい。しかし、そ
の樹脂材料の選択に当たっては高真空下、感光層の成膜
中に樹脂層から吸着ガス、水分、溶媒、未反応上ツマ−
など放出のないものか、無視し得るほど少ないものを選
択しなければならない。又、感光層の成膜上、基板加熱
が必要な場合は、更に耐熱性を有する樹脂材料を用いる
必要がある。

前述したように、樹脂分散型の下引き層を用いることも
できるが、分散不良、あるいはたとえ分散性が良好であ
っても本来表面が平滑性に欠けるために、本質的に分散
型下引き層は蒸着法による電荷発生層の成膜に不向きで
ある。

又、特開昭６１−９４０５７においては有機金属化合物
の下引き層を開示しているが、有機金属化合物のみでは
、前記諸問題を解決するには充分とはいえない。

すなわち、下引き層と接する電荷発生層の種類及び処方
等により有機金属化合物、無機化合物又は有機化合物あ
るいは有機高分子化合物が適宜選択され添加されなけれ
ばならない。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明の第１の目的は、基板、下引き層、電荷発生層、
電荷移動層を順次積層した層構成を有する感光体におい
て、暗減衰が少なく帯電特性に優れた、コントラストの
高い感光体を提供することである。

本発明の第２の目的は同構成の感光体において、残留電
荷の少ない又は電荷の蓄積の少ない感光体を提供するこ
とである。

本発明の第３の目的は、同構成の感光体において、ピン
ホール、白ポチ、黒ポチ等の画像欠陥が発生しにくい感
光体を提供することである。

本発明の第４の目的は同構成の感光体において基板表面
の影響を受けにくい電子写真感光体を提供することであ
る。

本発明の第５の目的は、同構成の感光体において、基板
と感光層の接着性にすぐれた電子写真感光体を提供する
ことである。

本発明の第６の目的は、同構成の感光体において、環境
依存性が少なく、耐久性にすぐれた感光体を提供するこ
とである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、導電性基体上に下引き層、感光層を順次積層
した電子写真感光体において、下引き層が有機チタン化
合物とシランカップリング剤及びポリビニルブチラール
樹脂を乾燥硬化させた物質からなることを特徴とする電
子写真感光体から構成される。

有機チタン化合物は通常一般式（１）、（ＩＩ）、（Ｉ
ＩＩ）で表わされる化合物群から少なくとも１種選択さ
れる。

ＯＲ Ｒ４０−Ｔ　　ｉ　　−０Ｒ２ ＯＲ。

（Ｉ） （一般式（１）、（ＩＩ）においてＯＲ，〜４はアルコ
キシ基、カルボアルコキシ基、フェノキシ基、スルフオ
キシ基、フォスフオキシ基を表わし、ｎは０または１以
上の整数を表わす）Ｔ　１（Ｌ）　　Ｘ４−　　　　　
　　（ＩＩＩ）（一般式（ＩＩＩ）においてＬはキレー
ト基、Ｘはエステル基、ｎは１〜４の整数） 一般式（１）で表わされる化合物としては、例えば、テ
トラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタ
ネート、テトラ−ｎ−プロピルオルソチタネート、テト
ライソプロピルチタネート、テトラブチルオルソチタネ
ート、テトライソブチルオルソチタネート、テトラクレ
ジルチタネート、テトラステアリルチタネート、テトラ
−２エチルへキシルチタネート、イソプロピルトリイソ
ステアリルチタネート、イソプロピルトリドデシルベン
ゼンスルフォニルチタネート、イソプロピル−トリス（
ジオクチルピロフォスフェート）チタネート等を挙げる
ことができる。

一般式（ｎ）で表わされる化合物としては、例えば、テ
トラブチルポリチタネート、テトラクレジルポリチタネ
ート、テトラアセチルアセトネートポリチタネート等を
挙げることができる。一般式（ＩＩＩ）で表わされる化
合物としては、例えば、ジイソプロポキシチタニウム−
ビス−オクタンジオール、ジイソプロポキシチタニウム
−ビス−ヘキサンジオール、ジイソプロポキシチタニウ
ム−ビス（アセチルアセトネート）、チタニウムテトラ
ラクテート、チタニウムテトララクテートエチルエステ
ル、テトラトリエタノールアミンチタニウムキレート等
を挙げることができる。

又、これ以外のチタン化合物としては、チタニウムテト
ラアンモニウムラクテート、チタニウムテトラアセチル
アセトネートアンモニウムラクテート、テトライソプロ
ピル−ビス−（ジオクチルフォスフェート）チタネート
、テトラオクチル−ビス（ジトリデシルフォスフェート
）チタネート、テトラ（２，２−ジアリールオキシメチ
ル−１−ブチル）ビス（ブトリブシルフォスフェート）
チタネート、ビス（ジオクチルピロフォスフェート）オ
キシアセテートチタネート、トリス（ジオクチルピロフ
ォスフェート）エチレンチタネート等も挙げられる。

また、シランカップリング剤としては、一般式　　（Ｒ
１）　　ｍ　　　Ｓ　　ｌ　　　　（ＯＲ６）　　４−
０　（ＩＶ）（Ｒ５、Ｒ６はメチル基、エチル基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基などのアルキル基、フェニル基、
ビニル基、γ−メタアクリロキシプロピル基、γ−グリ
シドキシプロピル基、γ−メルカプトプロピル基及びγ
−アミノプロピル基、γ（２−アミノエチルアミノプロ
ピル基などのアミノ基を表わし、ｍは１〜４を表わす）
で表わされる化合物が使用される。

例えば、γ−メタアリロキシプロピルトリメト先ジシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メ
トキシエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロビルト
リメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミ
ノブロビルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシ
ラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルモノメト
キシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル
ジェトキシシラン、モノフェニルトリメトキシシランな
どである。

本発明に使用するポリビニルアセクール樹脂としては、
一般に以下に示す繰返し１を位を含むもので、 ＣＨ，ＣＨ３ Ｒの種類によって特性の異なった多種類の樹脂となる。

例えば、以下のような樹脂も選択可能である。

Ｈ３ 等 本発明においては、以下のポリビニルブチラール樹脂（
Ｖｌ）が好適なものの１つとしてあげられる。

通常ｌが５０〜８０モル％、ｍが１０％以下、ｎか３０
〜５０モル％のものが好ましい。

ド引き層は、上記（Ｉ）、（ｎ）、（ＩＩＩ）の少なく
とも１種と（ＩＶ）及びポリビニルアセクール樹脂（Ｖ
）に溶媒を加えて塗布液とし、湿式塗布し、乾燥硬化さ
せて、導電性支持体上に形成する。下引き層の機能は、
電気的には基板と電荷発生層の界面に電荷阻止層を設け
、帯電性を維持しかつ光キャリアーの基板への到達を容
易ならしむること、更に両者の接着力を向上させ並びに
種々の不均一性に起因する画像上の不具合を低減せしむ
ることにある。本発明の下引き層を０．０５〜１０μｍ
、好ましくは０゜２〜５μｍ形成することによりこれら
の目的を十分に達し得る。

すなわち、感光層に帯電を与え、像露光した場合、暗減
衰が小さいので、露光部（ＶＬ　）、非露光部（Ｖｏ　
）の差であるコントラスト（Ｖｏ　　ＶＬ）が大きいた
め、極めてシャープな高濃度の画像が得られる。又、光
キャリアーが容易に下引き層を通過し、基板に到達する
ので、電荷の残留による画像上の不具合が著しく低減さ
れる。更に、非分散型の下引き層であり、又ある程度の
膜厚を有しているため、基板表面の不均一性に影響され
ることにより、画像の乱れない解像力の優れた画像にな
る。又、更に電荷発生材料を蒸着により成膜した場合に
おいては、この下引き層により効果的に接着力の向上が
みられ、機械的耐久性も向上する。

又、７８０ｎｍ又はこの近傍のレーザー光を光源に用い
るＬＥＤプリンターレーザービームプリンター等におい
て、例えば、感光層に負極性の帯電を与えた後、長波長
光で像露光を与え、露光部電位（Ｖ＋、）、非露光部電
位（Ｖｏ　）の差（ＶＤ　　ＶＬ）に対して、現像時適
当な正のバイヤス電位を印加し、低電位のＶＬに負極性
の現像剤を付着せしめる現像プロセスにおいては、本発
明による下引き層により暗減衰が小さいため、実質的に
静電コントラストが大きくとれるので、高コントラスト
の画像が得られる。

−数的には、この波長域に対応する電荷発生材料は、熱
励起キャリアーの発生が大きいので、基板から注入する
キャリアーに対して、より一層のブロッキング性を有す
る下引き層が必要となるが、本発明の材料になる下引き
層では充分満足のいく結果が得られる。下引き層の形成
方法としては、チタン化合物、シリコン化合物及びポリ
ビニルブチラール樹脂を溶解する溶媒で溶解し、成膜法
に応じて希釈率を決め、この溶液をディッピングコート
、ワイヤーコート、ブレードコート、ナイフコート、ロ
ールコート、スクリーンコート等により塗布乾燥する。

本発明の感光層としては、電荷発生材料、電荷移動材料
を分離した積層型感光体を本発明の下引き層上に順次設
けて作成されるが、電荷発生材料、電荷移動材料及び結
着材料を同時に含む単層型の感光層を下引き層上に設け
てもよい。

又、積層の順を逆に設けた逆層型及び最上層として表面
保護層を設けた感光体でもよい。

本発明に用いる電荷発生材料は、ａ−３ｅ。

ａ−３ｉｓ　ＣｄＳ、５ｅ−Ｔｅ、５ｅ−Ａｓ等の無機
電荷発生材料であってもよい。

本発明に用いる電荷発生材料は、主に有機顔料であるが
、通常、顔料を粒子化して用いる。

電荷発生材料としては、例えばフタロシアニン顔料、ア
ントアントロン顔料、ジベンズピレン顔料、ピラシトロ
ン顔料、トリスアゾ顔料、ジスアゾ顔料、アゾ顔料、イ
ンジゴ顔料、キナクリトン顔料、アズレニウム塩化合物
、ビリリウム系染料、チアピリリウム系染料、シアニン
色素、キサンチン色素、キノンイミン系色素、トリフェ
ニルメタン系色素、スチリル系色素、セレン、セレンテ
ルル、硫化カドミウム、アモルファスシリコン、銅イン
ジウムセレン等の粒子が挙げられる。

７８０ｎｍ又はこの近傍の長波長光に対応した電荷発生
材料としては、フタロシアニン系顔料、アゾ顔料、ジス
アゾ顔料、トリスアゾ顔料、キノシアニン、アズレニウ
ム塩化合物、ビリリウム系染料、チアピリリウム系染料
、シアニン色素、キサンチン系色素、キノンイミン系色
素、トリフェニルメタン系色素、スチリル系色素、ベン
ジジン系色素、アモルファスシリコン、セレンテルル、
銅インジウムセレン、銅インジウムテルル等が挙げられ
る。

電荷発生層としては、電荷発生材料を蒸着法等により、
膜厚０．０１μｍ〜５０μｍに形成する。あるいは、電
荷発生材料と樹脂溶液又は溶媒とともに粒径０．０１μ
ｍ〜５μｍに分散し、ディッピングコート、スプレーコ
ート、スピンコード、ビードコート、マイヤーバーコー
ド、ブレードコート、ローラーコート、カーテンコート
等の方法で塗布乾燥し、０．０１μｍ〜５０μｍの範囲
の膜厚とする。

結着剤としては、ポリアクリレート、メタクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ポリアミド、フェノキシ樹脂、ポリケ
トン、ポリアセタール、ポリスチレン、酢酸ビニル、フ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
ビニルケトン、ポリＮ−ビニルカルバゾール、ポリビニ
。

ルアクリルアミド、アルキッド樹脂、ポリカーボネート
、ポリウレタン、セルロース樹脂、ポリビニルアルコー
ル、アルデヒド変性ポリビニルアルコール、又はこれら
の共重合体、例えばスチレン−ブタジェンコポリマー、
スチレン−アクリロニトリルコポリマーなど、縮合系樹
脂やビニル重合体など絶縁性でかつ接着性のある樹脂は
全て使用できる。

可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性を良くするために
シリコンオイルなどを加えてもよい。

電荷発生材料と結着剤の割合は重量比で１／１００〜５
００／１００好ましくは３／７〜７／３である。

電荷移動物質には、正孔移動物質と電荷移動物質がある
。正孔移動物質としては、例えば以ドの化合物が例示で
きる。

９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−メチル
−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−
３−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾ
ン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド１，１−
ジフェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノスチレン−
β−アルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、
４−メトキシナフタレン−１−アルデヒド１−ベンジル
−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデ
ヒド１−メチル−１＝フエニルヒドラゾン、２．４−ジ
メトキシベンズアルデヒド１−ベンジル−１−フェニル
ヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド１，
１−ジフェニルヒドラゾン、トリス（４−ジエチルアミ
ノフェニル）メタン、１．１−ビス（４−ジベンジルア
ミノフェニル）プロパン、９−（４−ジエチルアミノス
チリル）アントラセン、９−（４−ジエチルアミノベン
ジリデン）フルオレン、３−　（９−フルオレニリデン
）−９−エチルカルバゾール、１．２−ビス（４−ジエ
チルアミノスチリル）ベンゼン、３−スチリル−９−エ
チルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９
−エチルカルバゾール、４−ジベンジルアミノスチルベ
ン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェ
ニルアミノスチリル）ナフタレン、４′−ジフェニルア
ミノ−α−フェニルスチルベン、１−フェニル−３−（
４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（４−
ジメチルアミノスチリル）−５（４−ジメチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、２，５−ビス（４−ジエチルアミ
ノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、トリー
ｐ−トリルアミン、トリフェニルアミンなどの低分子化
合物がある。又、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロ
ゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ピレンホルムアルデヒド
樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂などの
高分子化合物も使用できる。

電子移動物質としては、例えば、クロルアニル、ブロム
アニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノンジ
メタン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、
２，４．５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２
，４，５゜７−テトラニトロキサントン、２，４．８−
トリニドロチオキサントン、２，６．８−トリニトロ−
４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４−オン、
１，３．７−トリニトロー５゜５−ジオキサイドなどが
ある。

これらの電荷移動物質は単独又は２　ＰＩ以上混合して
用いられる。

結着剤の例としては、ポリアクリレート、ポリスルホン
、ポリアミド、アクリル樹脂、アクリロニトリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、アルキッ
ド樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタンあるいはこれ
らの共重合体を挙げることができる。

電荷移動層として、電荷移動剤と結着樹脂の割合は、重
量比で５／１００〜５００／１００である。

電荷移動層を電荷移動剤もしくは結着剤とともに溶剤に
溶解し、塗工によって層を形成する際には、浸漬塗布、
スプレーコート、スピンナーコート、ビードコート、マ
イヤーバーコード、ブレードコート、ローラーコート、
カーテンコート等のコーティング方法を用いて行うこと
ができる。

このような電荷発生層もしくは電荷発生層と電荷移動層
もしくは電荷移動層と電荷発生層を順に積層してなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。

導電層を有する基体としては、基体自体が導電性を持つ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金、白金などを用いるこ
とができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、
酸化インジウム、酸化インジウム−酸化スズ等を真空蒸
着法によって被膜形成された層を有するプラスチック（
例えばポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂
、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、ポリフ
ッ化エチレン等）、導電性粒子（例えばカーボンブラッ
ク、銀粒子、酸化錫系粒子、酸化錫コート酸化チタン系
粒子など）を適当なバインダーとともにプラスチック上
に被覆した基体、導電性粒子をプラスチックや紙に含浸
した基体や導電性ポリマーを有するプラスチック等を用
いることができる。

［実施例］ 以下に本発明の実施例を示し、本発明をさらに詳細に説
明する。

実施例　１ チタニウムテトラブトキシド３重回部、γ−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン１重量部及びポリビニ
ルブチラール樹脂（清水化学社製、エスレックＢＬ−１
）２重量部をブタノール８０重量部に溶解し、下引き層
塗布液とした。表面洗浄処理したＡｌ板上にこの塗布液
をディッピングコートし、１２０℃、３０分乾燥硬化さ
せ、１．０μの下引き層を設けた。

をテトラヒドロフラン９８重量部をボールミル中で粉砕
混合して得た分散液を、下引き層を設けたＡｌ板上にド
クターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して厚さ約１
．０μの電荷発生層を形成した。

次に下記構造式の電荷移動材料１重量部とポリカーボネ
ート（（株）ティジン製パンライトに−１３００）１重
量部、塩化メチレン８重量部に溶解した。これを前記電
荷発生層上にドクターブレードで塗布し、１２０℃、３
０分乾燥し１８μｍの電荷移動層を形成し、積層型感光
体を得た。

この感光体について、静電複写紙試験装置（■川口電気
製作所製、５Ｐ−４２８型）を用いて、−６ＫＶのコロ
ナ放電を２０秒間行って負に帯電させ、その時の表面電
位をＶｍ、２０秒間暗所に放置し、その時の表面電位Ｖ
ｏ　（Ｖ）をａｌｌ定し、次いでタングステンランプに
よってその表面が照度４．５１ｘφＳｅＣになるように
して光を照射し、その表面電位が１　／　２　Ｖ　。

になるまでの時間（ｓ　ｅ　ｃ）を求め、露光ｆｆ１Ｅ
１／２　（ｌｘ−ｓｅｃ）を算出しり。ソノ結果Ｖｍ＝
−９８０Ｖ、Ｅｌ／２−０．５１１ｘ”ｓｅｃ、暗減衰
率Ｖｏ／Ｖｍ＝０．７９であった。

比較例　１ 実施例１において、下引き層を下記樹脂分散型塗布膜と
した以外同じ処方にて感光体を作成した。

すなわち、導電性酸化チタン（三菱金属製Ｗ−１０）２
重量部ポリアミド（東し製ＣＭ−８０００）１重量部を
エタノールとブタノールの混合溶媒５０重量部と混合し
、ボールミル分散した塗布液を洗浄処理済みのＡｌ板上
にブレードコートして、１２０℃３０分乾燥し、４．０
μの下引き層を設け、これ以外は実施例と同じ処方にて
感光体を作成した。

評価結果は、Ｖ　ｍ　＝　−８９０Ｖ　、　Ｅ　１　／
　２−０、　６１１　ｘ−ｓ　ｅ　ｃ、　Ｖｏ／Ｖｍ−
０，４９であった。

実施例　２ テトライソプロピルチタネート４重量部、ポリヒドロキ
シチタンステアレート（松本交商オルガチックスＴＰＨ
３）１重量部、メチルトリエトキシシラン１重量部及び
ポリビニルブチラール樹脂（実施例１と同じ）４重量部
をエタノール、ｎ−ブタノール、トルエンの混合溶媒（
１：１：３）１００重量部に溶解し、洗浄処理済みのＡ
ｌ板上にディッピングコートし、１２０℃、１時間乾燥
し、３．０μの下引き層を形成した。

下記構造式のジスアゾ顔料５重量部 シクロへキサノン９５重量部の混合液をボールミルにて
４８時間破砕分散し、更に、シクロヘキサンを加え、顔
料と溶媒の重量比が　２／９８となるまで希釈し、更に
２４時間ボールミル分散し、塗布液を得た。この液にメ
チルエチルケトンを加え、顔料と溶媒の重量比が　１／
９９になるまで希釈した。

次いで、下引き層を設けたＡｌ板上にドクターブレード
を用いて塗布し、自然乾燥し、厚さ約０．８μの電荷移
動層を形成した。

一方、電荷移動層として、下記構造式の電荷移動材料１
重量部、ポリカーボネート（実施例１と同じ）１重量部
を塩化メチレン８重量部に溶解し、ドクターブレードで
塗布し、１２０℃、３０分乾燥して、２０μの電荷移動
層を形成し、積層型感光体を得た。

この感光体を実施例１と同様に静電特性を評価したとこ
ろ、Ｖｍｍ　−１３１０ＶＳＥ　１／２−０．６７１ｘ
−ｓｅｃであった。Ｖｏ／Ｖ−−０，９３ 比較例　２ 実施例２において、比較例１の下引き層を設けた以外、
他は゛同じ処方にて作成した感光体を用意し、同様の評
価をしたところ、　Ｖｍｍ−１０５０、Ｅ　１／２−０
．６４１　ｘ−ｓ　ｅ　ｃ。

Ｖｏ／Ｖｒｒ＋−０，８１であった。

実施例　３ チタンアセチルアセトネート（松本楽曲、オルガテック
スＴＣ１００、（Ｃ３Ｈ７０）　２Ｔ　Ｌ　　　（Ｃ５
Ｈ７０□）２）２重量部と、γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン１重量部及びポリビニルブチラール
樹脂（積木化学工業社製ＢＸ−Ｌ）２重量部をｎ−ブタ
ノール８０ｆｆｆｍ部に溶解し洗浄処理済のＡＩ板にデ
ィッピングコートし、１３０℃、１時間乾燥し、３．０
μの下引き層を形成した。　次に高純度α型銅フタロシ
アニン（東洋インキ製）を真空蒸着して、前記下引き層
を設けたＡ１板状に、０．３μの電荷発生層を設けた。

更に、下記構造式の電荷発生材料１重量部、ポリカーボ
ネート（実施例１）１重量部を塩化メチレン８重量部に
溶解した。この液を電荷発生層上にドクターブレードを
用いて塗布し、厚さ１９μｍの電荷移動層を形成した。

この感光体について静電特性を評価したところ、Ｖｍ−
−８９０Ｖ。

Ｅｌ／２＝１．０１１ｘ・ ｓ　ｅ　ｃ、Ｖｏ／Ｖｍ＝０．８５であった。

の結果を次の表に示す。

比較例　３ 実施例３において下引き層を設けず、他は同じ処方にて
感光体を用意し、同様の評価をしたところ、Ｖｍ−−７
１０Ｖ、Ｅｌ／２＝０．８１１ｘ−ｓｅｃであった。Ｖ
ｏ／Ｖ、−０，６４ 実施例　４ 実施例１〜３及び実施例１〜３の層構成を有する感光体
をＡＩ板から円筒状支持体にかえてドラム型感光体を作
成した。実施例１及び比較例１の感光体を波長７８０ｎ
ｍのレーザー光源を有する静電複写型プリンターに取り
付け、画像パターンを出力させた。又、実施例２．３、
比較例２．３の感光体をハロゲンランプを光源とする複
写機に取り付け、画像形成させた。こ又、このドラム状
感光体表面にナイフで１０ｍｍの長さの傷を１０本っけ
、テープによるひきはがし試験を行った。その結果比較
例３の感光層は容易に剥離したが実施例１．２．３の感
光層は全く剥離しなかった。

〔発明の効果］ 以上説明したように、本発明の下引き層を設けることに
より、感光体の静電特性が向上し、高濃度、高コントラ
ストの異常画像のない鮮明な画像が得られるとともに、
接着力のすぐれた感光体が得られる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に下引き層、感光層を順次積層した電子写
   真感光体において、下引き層が有機チタン化合物とシラ
   ンカップリング剤、及びポリビニルアセタール樹脂を塗
   布、乾燥、硬化させた物質からなることを特徴とする電
   子写真感光体。
2. （２）有機チタン化合物が下記一般式（ I ）、（II）
   及び（III）で表わされる化合物の群より選ばれる少な
   くとも１種である請求項（１）記載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （一般式（ I ）、（II）においてＯＲ＿１＿〜＿４は
   アルコキシ基、カルボアルコキシ基、フェノキシ基、ス
   ルフォキシ基、フォスフォキシ基を表わし、ｎは０又は
   １以上の整数） Ｔｉ（Ｌ）＿ｎＸ＿４＿−＿ｎ（III） （一般式（III）においてＬはキレート基、Ｘはエステ
   ル基、ｎは１〜４の整数）