JPH0258771A - 磁気ディスク制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気ディスク制御装置の改良に関し、特に磁気
ディスク記録面の欠陥を記録している磁気ディスク装置
の制御に関する。

（従来の技術） 一般に、磁気ディスク装置においては、円形の基板の表
面に磁性材料による薄膜面を塗布、メツキ、ある因はス
パッタによって形成し六複数枚の磁気ディスク（以下、
これを媒体という。）を回転させながら媒体の中心方向
に沿って往復運動の可能な磁気ヘッドによってデータの
書込みま念は読出しを行なうよう知構成されている。

したがって、磁気ディスク装置は大容量で、しかもアク
セスタイム（書込みや読出しのための選択動作時間）の
短す記憶装置として比較的安価に得られる。このため、
磁気ディスク装置は各種の情報処理装置に広く用いられ
ており、媒体の磁性膜面の形成技術や磁気ヘッドの製作
技術の進歩により、その記録密度も益々高密度化の傾向
を強めている。

このような磁気ディスク装ｆ！ｌＫ使用される媒体の記
録面における欠陥を皆無にすることは、その磁性膜面の
形成過程からみて必ずしも経済的ではないので、ある一
定数以下の欠陥の存在を許容して使用しているのが一般
である。

したがって、磁気ディスク装置は工場からの出荷時に１
その装置に組込まれている媒体の欠陥を検査し、その欠
陥に関する情報（欠陥情報）を当該媒体上に特定の記録
形式によって記録しておく方式が公知である。磁気ディ
スク装置を使用するときは、磁気ディスク装置は上の欠
陥に関する情報を読出して欠陥のある場所を知り、その
欠陥部分を回避して情報の書込みを行なう。このような
記録作業を通常、エラーテストフォーマツティング上首
い、ＥＴＦ々略称する。

（発明が解決しようとする課題） 上述した従来の磁気ディスク装置は、磁気ディスク装置
に接続された情報処理装置の運用中に何らかの誤操作が
あった場合、あるいは各種プログラム開発に使用してい
て、そのプログラムにバグがあった場合、あるいは磁気
ディスク装置自体に故障が発生した場合には、上記欠陥
に関する情報の記録が破壊される可能性がある。

さらに、ユーザが工場出荷時に磁気ディスク装置に記録
されてｂる記録形式（以下、これをフォーマットという
。）とは異なったフォーマットに置数めて使用しようと
するときには、既に記録されてｂる欠陥情報は自動的に
消滅してしまう。このため、従来の磁気ディスク装置で
は上記フォーマットを置数めるに際しては、工場へ戻入
し、再度、ＥＴＦを行なって欠陥情報を回復させなけれ
ばならないという欠陥がある。

本発明の目的は、本体とは別に、あらかじめ磁気−５’
イスク装置の媒体のすべてのトラックの欠陥関連情報が
格納されたバッテリーバックアップ付きＲＡＭカードを
備えておき、上記磁気ディスク装置の欠陥関連情報が破
壊されたときは上位装置から再フォーマット動作命令を
受けて上記ＲＡＭカードに格納しである欠陥ｊ対遍情報
を用いて前記磁気ディスク装置を再フォーマットするこ
とにより上記欠点を除去し、欠陥情報を再度、ＥＴＦす
る必要がないように構成した磁気ディスク制御装置を提
供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明による磁気ディスク制御装置は、インターフェー
ス制御回路と、ＲＯＭと、制御用ＣＰＵと、ＲＡＭと、
Ｒ／Ｗ制御回路と、ＥＣＣ回路と、ＤＭＡコントローラ
と、バッテリバックアップ付きＲＡＭカードとを具備し
て構成したものである。

インターフェース制御回路は、上位装置との間でデータ
および制御信号を授受するためのものである。

ＲＯＭは動作手順を格納するためのものであり、制御用
ＣＰＵはＲＯＭに格納されている動作手順に従って磁気
ディスク制御装置を制御する。

ＲＡＭは、上位装置よりインターフェース制御回路を介
して送受されるデータや読出しデータを格納するための
ものである。

Ｒ／Ｗ制呻回路はＲＡＭの格納データを磁気ディスク装
置に書込み、またはデータを磁気ディスク装置から読出
してＲＡＭへ格納するためのものである。

ＥＣＣ回路は、読出しデータのエラーを検出して訂正す
るためのものであり、ＤＭＡコントローラはＥＣＣ回路
からの読出しデータをＲＡＭに格納するとき、磁気ディ
スク装置の読出し速度に合わせてＲＡＭの番地を指定す
るためのものである。

バッテリバックアップ付きＲＡＭカードは、予め磁気デ
ィスク装置の媒体のすべてのトラックの欠陥関連情報を
格納しておき、磁気ディスク装置の欠陥関連情報の破壊
時には上位装置からの再フォーマット動作命令により欠
陥関連情報を磁気デイスク装置に再フォーマットするた
めのものである。

（実施例） 次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は、本発明による磁気ディスク制御装置の一実施
例を示すブロック図である。第１図において、２は制御
用ＣＰＵ、３はＤＭＡコントローラ、４はＲ／Ｗ制御回
路、５はＦＣＣ回路、６はＲＯＭ、　　フはＲＡＭ、８
はＲＡＭカード、９はインターフェース制御回路、１０
はディスク制御装胃、１１は磁気ディスク装置、１２は
上位装置である。

本実施例は、磁気ディスク装置１１と上位装置（ＨＯ８
Ｔ）１２とに接続される磁気ディスク制御装置１０であ
り、あらかじめ磁気ディスク装置１１の媒体の最初のト
ラックから最後のトラックまでの、すべてのトラックの
欠陥関連情報が格納され九バッテリーバックアップ付き
ＲＡＭカード（以下、ＲＡＭカードと称する。）８を備
えてｈる。本磁気ティスク制御装置１ｏにおいて、磁気
ディスク装置１１の媒体上の欠陥関連情報が破壊され六
ときＫは、上位装置１２から再フォーマット動作命令を
受け、ＲＡＭカード８に格納されている欠陥１列連情報
を用すて磁気ディスク装置１１の媒体を再フォーマット
するものである。

磁気ディスク制御装置１０のインターフェース制御回路
９は、上位装置１２との間でデータ、および制＠信号の
授受を行ない、以下に述べる磁気ディスク制御装置１０
内の各回路との間でこれらの信号の伝達を行なう。

制御用ＣＰＵ２はＲＯＭＢに格納されている動作手順に
従って、磁気ディスク制御装置１０の動作を制御する回
路である。データバスライン２１によって、インターフ
ェース制御回路９と、ＲＯＭ６と、ＲＡＭ７と、取外し
可能なＲＡＭカード８と、Ｒ／Ｗ制御回路と、ＥＣＣ回
路５とが相互に接続されている。また、アドレスバスラ
イン２２によってＲＯＭ６と、ＲＡＭ７と、ＲＡＭカー
ド８とが接続されている。

インターフェース制御回路９を介して上位装置１２との
間で送受されるデータは、ＲＡＭ７に格納されている。

Ｒ／Ｗ制御回路４は、ＲＡＭフの格納データを磁気ディ
スク装置１１へ書込む動作、またはＲＡＭフのデータを
磁気ディスク装置１１へ読出す動作の制御を行なう。

磁気ディスク装置１１から読出され走データに誤りがあ
る場合、ＥＣＣ回路５は上記誤りを検出して、誤りを訂
正するための情報を生成し、誤り訂正情報に従って訂正
されたデータはＲＡＭフに格納される。ＲＡＭフはイン
ターフェース回路９を介して上位袋［１２から送られて
くるデータや制御信号、またはＥＣＣ回路Ｅ！に、ｔ？
いて生成され六訂正情報によって修正されたデータを一
時的に格納する。ＲＡＭカード８は、磁気ディスク装置
１１の欠陥情報をあらかじめ格納しておく記憶回路であ
り、再フォーマット命令によってその内容は読出される
。

ＲＯＭＢは、本発明による制御方式の各動作手順を格納
しておくための回路である。制御用ＣＰＵ２からアドレ
スパスライン２２によって当該番地が指定されると、デ
ータはＲＯＭＢからデータパスライン２１を介して読出
される。なお、ＤＭＡコントローラ３はＥＣＣ回路５か
らの読出しデータをＲＡＭ７に格納するとき、磁気ディ
スク装置１１の４出し速度に合わせてＲＡＭ）の番地を
指定するための制御回路であり、制御用ＣＰＵ２に代っ
て動作する。また、ＤＭＡコントローラ３は、ＥＣＣ回
路５を通じてＲＡＭ７のデータを磁気ディスク装置１１
に書込む場合にも、制御用ＣＰＵ２に代って書込みを実
行するものである。

第２図は、磁気ディスク装置１１に記憶され念情報の記
録形式を示す説明図である。第２図において、第２図（
ａ）Ｋ示す記録形式は記録単位としてのレコードの長さ
が固定長の場合で、通常これを固定セクタ方式という。

第２図（ｂ）に示す記録形式はレコードの長さが可変長
の場合で、通常これを可変長セクタ方式という。

第２１ｉＫ（ａ）において、固定セクタ方式では前後の
インデクスバルスＩｎ間がＮ＠の一定長のセクタに分割
されている。各セクタは先頭部分釦ギＱ１ ヤツプＧｌ、またはＧ２を有するアドレス部（より部）
と、データ部とによって構成されている。

ＩＤ部は更に同期用パターン（ＳＰ）、フラグ（Ｆ）、
シリンダ番号（ＣＣ）、ヘッド番号（ＨＨ）、セクタ番
号（ＳＳ’）、およびチエツクバイト（ＣＢ）によって
構成されてｂる。

例えば、そのセクタが欠陥のないセクタ（グツドセクタ
）である場合には、フラグＦは％０Ｏ（１６進数）＃で
表示される。一方、そのセクタが欠陥のあるセクタ（パ
ッドセクタ）である場合には、フラグＦは％０１（１６
進数）ｒで表示され、そのセクタの欠陥の有無の情報を
与える。

第２図（ｂ’）において可変長セクタ方式では、最初の
インデクスパルスＩｎの直後のギャップＧ１に続いてホ
ームアドレス（ＨＡ）があり、以下、ギャップＧ！、ま
たはＧ３を挿んでレコード０〜ｎ（各レコードはカウン
ト部、およびデータ部から成る。）が連続してｈる。ホ
ームアドレス（ＨＡ）はスキップディスプレースメント
（ＳＤ）、物理アドレス（ＰＡ）、フラグ（Ｆ）、シリ
ンダ番号（ＣＣ）、ヘッド番号（ＨＨ）、およびデータ
修正バイト（ＤＣＢ）によって構成されている。

スキップディスプレースメント（ＳＤ’）は、レコード
０〜ｎの中に欠陥がある場合に、その欠陥のある位置を
インデクスパルスＩｎを基準として計数したバイト数で
表示しである。

次に、本実殉例における動作について第３図のフローチ
ャートを参照して説明する。

第８図において、ＲＡＭカード８にはあらかじめ媒体欠
陥情報が既に格納されている。すなわち、第２図（ａ）
の固定セクタ方式の場合にはＩＤ部のフラグ（Ｆ）、シ
リンダ番号（ＣＣ）、ヘッド番号（ＨＨ）、ならびにセ
クタ番号（ＳＳ）をＲＡＭカード８が格納されている。

また、第２図（ｂ）の可変長セクタ方式の場合には、Ｈ
Ａ部のスキップディスプレースメント（ＳＤ）、物理ア
ドレス（’ＰＡ’ｌ、フラグＣＦ’）、シリンダ番号（
ＣＣ）、ならびにヘッド番号（ＨＨ）が欠陥関連情報と
してＲＡＭカード８に格納されている。

この状態において、通常の処理動作が行なわれてｂると
き、上述したような何らかの原因によって磁気ディスク
装置１１の欠陥情報が破壊されて、磁気ディスク装置１
１の読出しが不能てなったときは、第３図のフローチャ
ートに示す手順によって再フォーマット動作が行なわれ
る。

すなわち、上位装置１２から再フォーマット動作を指示
する命令（−再フオーマット駆動′コマンドと称し、％
ＲＥＤ　’コマンドと略称する。）を受けると（参照符
号ｋ）、制御用ＣＰＵ２はＲＡＭカード８から欠陥関連
情報を読出す（参照符号ｌ）。読出された欠陥情報はＩ
Ｄ部、またはＨＡ部に書込みながら再フォーマットを行
なう（参照符号ｍ）。これによって、磁気ディスク装置
１１は再び読出しが可能となるので、通常の処理動作（
参照符号ｎ）を行なうことができる。本フローチャート
の一連の動作手須は、ＲＯＭ６に格納されているもので
ある。

（発明の効果） 以上説明したように本発明は、何らかの原因により媒体
の欠陥情報が破壊されて磁気ディスク装置の書込みや、
読出しが不可能になつ九場合にも装置から取外し可能な
ＲＡＭカードに格納しである欠陥関連情報を用いて再フ
ォーマット動作して復元することにより、障害復旧時間
が短縮されて使用効率の高Ａ磁気ディスク装置が得られ
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による磁気ディスク制御装置の一実施
例を示すブロック図である。 第２図（ａ）および第２図（ｂ’）は、それぞれ固定セ
クタ方式および可変長セクタ方式による磁気ディスク上
への記録形式を示す説明図である。 第８図は、再フォーマット動作の一例を示すフローチャ
ートである。 ２・・−制御用ＣＰＵ ３参・・ＤＭＡコントローラ ４・・・Ｒ／Ｗ制御回路 ５・・・ＥＣＣ回路 ６・、・ＲＯＭ フ・・＠ＲＡＭ ８１１　・ １０　・ １１　・ １２　・ 　−ｎ ＲＡＭカード インターフェース制御回路 ・磁気ディスク制御装置 ・磁気ディスク装置 ・上位装置 ・書処哩ステップ 特 許 化１１１１人 出 願 人

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 上位装置との間でデータおよび制御信号を授受するため
   のインターフェース制御回路と、動作手順を格納するた
   めのＲＯＭと、前記ＲＯＭに格納されている動作手順に
   従つて磁気ディスク制御装置を制御するための制御用Ｃ
   ＰＵと、前記上位装置より前記インターフェース制御回
   路を介して送受されるデータや読出しデータを格納する
   ためのＲＡＭと、前記ＲＡＭの格納データを前記磁気デ
   ィスク装置に書込み、またはデータを前記磁気ディスク
   装置から読出して前記ＲＡＭへ格納するためのＲ／Ｗ制
   御回路と、前記読出しデータのエラーを検出して訂正す
   るためのＥＣＣ回路と、前記ＥＣＣ回路からの前記読出
   しデータを前記ＲＡＭに格納するとき、前記磁気ディス
   ク装置の読出し速度に合わせて前記ＲＡＭの番地を指定
   するためのＤＭＡコントローラと、予め前記磁気ディス
   ク装置の媒体のすべてのトラックの欠陥関連情報を格納
   しておき、前記磁気ディスク装置の欠陥関連情報の破壊
   時には前記上位装置からの再フォーマット動作命令によ
   り前記欠陥関連情報を前記磁気ディスク装置に再フォー
   マットするためのバッテリバックアップ付きＲＡＭカー
   ドとを具備して構成したことを特徴とする磁気ディスク
   制御装置。