JPH0257356B2 - - Google Patents
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- JPH0257356B2 JPH0257356B2 JP60104131A JP10413185A JPH0257356B2 JP H0257356 B2 JPH0257356 B2 JP H0257356B2 JP 60104131 A JP60104131 A JP 60104131A JP 10413185 A JP10413185 A JP 10413185A JP H0257356 B2 JPH0257356 B2 JP H0257356B2
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Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明はグラス・フアイバで強化されたプラス
チツク・シート中に貫通孔を形成する方法及びこ
の方法を応用して片面もしくは両面に導板パター
ン、及び導体パターンを電気的に結合する貫通接
続体を有するプラスチツク・シートを製造する方
法に関する。
チツク・シート中に貫通孔を形成する方法及びこ
の方法を応用して片面もしくは両面に導板パター
ン、及び導体パターンを電気的に結合する貫通接
続体を有するプラスチツク・シートを製造する方
法に関する。
Ｂ 開示の概要
予定の開孔パターン４に従い、グラス・フアイ
バのメツシユ２にほとんど影響を与えないで、グ
ラス・フアイバ強化プラスチツク・シート１がド
ライ・エツチングされる。
バのメツシユ２にほとんど影響を与えないで、グ
ラス・フアイバ強化プラスチツク・シート１がド
ライ・エツチングされる。
この方法は例えば片面もしくは両面に導体パタ
ーン、及び該導板パターンを電気的に接続する貫
通接続体を有するプラスチツク・シートを製造す
る事、導体パターンを有するいくつかのプラスチ
ツク・シートをもし望まれるならば未処理の銅シ
ートで交互にパツケージし、この様にして得られ
たパツケージを積層して得られる多層板積層体を
製造するのに使用できる。両面に導体パターンが
与えられたこの様な板もしくはプラスチツク・シ
ートは例えば半導体チツプを帯びる多層セラミツ
ク・モジユールのためのコネクタ板として使用さ
れる。
ーン、及び該導板パターンを電気的に接続する貫
通接続体を有するプラスチツク・シートを製造す
る事、導体パターンを有するいくつかのプラスチ
ツク・シートをもし望まれるならば未処理の銅シ
ートで交互にパツケージし、この様にして得られ
たパツケージを積層して得られる多層板積層体を
製造するのに使用できる。両面に導体パターンが
与えられたこの様な板もしくはプラスチツク・シ
ートは例えば半導体チツプを帯びる多層セラミツ
ク・モジユールのためのコネクタ板として使用さ
れる。
多層板を製造するのに適した方法は、例えば所
謂ピン平行方法がある。この方法はIBMジヤー
ナル・オブ・リサーチ・アンド・デベロツプメン
ト、第26巻、第３号（1982年５月刊）第306頁以
降のJ.R.バブ（Bub）等の論文「高密度板の製造
方法」に説明されている。この方法ではプラスチ
ツク・シートの両面に銅層が付着される。その
後、銅層及びプラスチツク・シートの貫通孔を開
けたい位置に機械的手段もしくはレーザ・ビーム
によつて開孔が穿孔される。開孔が清浄にされ、
PdCl2及びSnCl2から製造された溶液によつて無
電気めつきに備えて活性化される。その後２つの
銅層は所望の導体パターンのネガを表わすホトレ
ジスト・マスクによつて覆われ、最後に銅が開孔
及び銅層の裸の領域上に付着される。次にホトレ
ジスト・マスク及び薄い銅層の裸の領域が除去さ
れる。この様にして得られたプラスチツク・シー
トから、交互に未処理のプラスチツク・シートを
使用して積層する事によつて、パツケージが形成
される。最後にパツケージ中に貫通孔が穿孔さ
れ、活性化（上述の手段を参照）の後に、無電気
めつきによつて壁が銅めつきされる。約0.15mmの
厚さで約70×60cmの面積のシートに直接約0.25mm
の開孔を形成する場合、特に開孔のサンド・ブラ
ストによる清浄化中にはプラスチツク・シートが
高熱及び／もしくは機械的応力を受ける。開孔は
極めて小さな間隔で形成されるので、ドリリング
もしくはレーザ・ビーム処理中には厳密な公差が
もたらされなくてはならず、この事は上述の工具
によつて達成する事は困難である。これとは別
に、ドリリングもしくはレーザ・ビーム照射段階
は時間がかかり、装置の観点から高価につく。さ
らに、プラスチツク・シートの機械的な安定性は
開孔の形成中に大いに失われる。それはこの段階
で開孔中のグラス・フアイバ・メツシユが除去さ
れるからである。最後に、上述の方法によつて形
成された導電性接続体は最適なものでない。それ
は銅の被覆が薄く、一貫して連続していないから
である。ポリマ材料の選択的なプラズマ・エツチ
ングに関するものとしてグラス・フアイバで強化
された板にドライ・エツチングを適用する方法は
知られていない。それはポリマ材料をエツチング
するのに、グラス・フアイバが遮げになる事が予
測されるからである。
謂ピン平行方法がある。この方法はIBMジヤー
ナル・オブ・リサーチ・アンド・デベロツプメン
ト、第26巻、第３号（1982年５月刊）第306頁以
降のJ.R.バブ（Bub）等の論文「高密度板の製造
方法」に説明されている。この方法ではプラスチ
ツク・シートの両面に銅層が付着される。その
後、銅層及びプラスチツク・シートの貫通孔を開
けたい位置に機械的手段もしくはレーザ・ビーム
によつて開孔が穿孔される。開孔が清浄にされ、
PdCl2及びSnCl2から製造された溶液によつて無
電気めつきに備えて活性化される。その後２つの
銅層は所望の導体パターンのネガを表わすホトレ
ジスト・マスクによつて覆われ、最後に銅が開孔
及び銅層の裸の領域上に付着される。次にホトレ
ジスト・マスク及び薄い銅層の裸の領域が除去さ
れる。この様にして得られたプラスチツク・シー
トから、交互に未処理のプラスチツク・シートを
使用して積層する事によつて、パツケージが形成
される。最後にパツケージ中に貫通孔が穿孔さ
れ、活性化（上述の手段を参照）の後に、無電気
めつきによつて壁が銅めつきされる。約0.15mmの
厚さで約70×60cmの面積のシートに直接約0.25mm
の開孔を形成する場合、特に開孔のサンド・ブラ
ストによる清浄化中にはプラスチツク・シートが
高熱及び／もしくは機械的応力を受ける。開孔は
極めて小さな間隔で形成されるので、ドリリング
もしくはレーザ・ビーム処理中には厳密な公差が
もたらされなくてはならず、この事は上述の工具
によつて達成する事は困難である。これとは別
に、ドリリングもしくはレーザ・ビーム照射段階
は時間がかかり、装置の観点から高価につく。さ
らに、プラスチツク・シートの機械的な安定性は
開孔の形成中に大いに失われる。それはこの段階
で開孔中のグラス・フアイバ・メツシユが除去さ
れるからである。最後に、上述の方法によつて形
成された導電性接続体は最適なものでない。それ
は銅の被覆が薄く、一貫して連続していないから
である。ポリマ材料の選択的なプラズマ・エツチ
ングに関するものとしてグラス・フアイバで強化
された板にドライ・エツチングを適用する方法は
知られていない。それはポリマ材料をエツチング
するのに、グラス・フアイバが遮げになる事が予
測されるからである。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
本発明の目的はグラス・フアイバ強化プラスチ
ツク・シート中に開孔を急速に、過激でなく、安
価に、厳密な公差で形成する方法を与える事にあ
る。この方法は片面もしくは両面に導体パターン
及び導体パターンを結合する貫通接続体を有する
プラスチツク・シートの製造に応用される。
ツク・シート中に開孔を急速に、過激でなく、安
価に、厳密な公差で形成する方法を与える事にあ
る。この方法は片面もしくは両面に導体パターン
及び導体パターンを結合する貫通接続体を有する
プラスチツク・シートの製造に応用される。
Ｅ 問題点を解決するための手段
本発明に従い、特に多層板を製造する方法が与
えられる。この板（ボード）はいくつかのグラ
ス・フアイバで強化したプラスチツクの積層板
で、一枚おきのシートの片面及び両面に導体パタ
ーンが付着されたものである。この導体パターン
はプラスチツク・シートの貫通孔の壁上の銅層に
よつて電気的に相互接続される。
えられる。この板（ボード）はいくつかのグラ
ス・フアイバで強化したプラスチツクの積層板
で、一枚おきのシートの片面及び両面に導体パタ
ーンが付着されたものである。この導体パターン
はプラスチツク・シートの貫通孔の壁上の銅層に
よつて電気的に相互接続される。
グラス・フアイバ・メツシユは特にドライ・エ
ツチング中は浸食されないが、開孔の領域中のプ
ラスチツク材料はきれいに除去されるのでその後
の開孔のクリーニングは必要でない。一般に知ら
れた方法と異なり、本発明に従う方法はプラスチ
ツク・シート中に形成する開孔のすべて（約70×
60cmのシート中に約4000の開孔を有する）を同時
にエツチングする。いく種類かのプラスチツク・
シートを同時にエツチングするドライ・エツチン
グ装置はすでに市販されている。これ等のドラ
イ・エツチング装置はドリリングもしくはレー
ザ・ビーム照射に使用されるものよりも安く、又
高いスループツトを与えるが、本発明に従う方法
は一般に知られた方法よりもはるかに経済的であ
る。さらに、極めて小さな公差でエツチングを行
う事ができ、直径が0.25mmよりも小さな開孔が高
い表面密度で形成できる。本発明に従う方法は一
般に知られた方法と比較してエツチング中もしく
はエツチング後に機械的応力をプラスチツク・シ
ートに与えず、開孔を形成した後のクリーニング
段階が必要ないので、ほとんど歪なく極めて薄い
プラスチツク・シートをエツチングする事が可能
である。他の利点としは、開孔の形成中にグラ
ス・フアイバのメツシユが影響を受けないので、
開孔が形成された時点でプラスチツク・シートの
機械的安定性はほとんど劣化していない事があげ
られる。
ツチング中は浸食されないが、開孔の領域中のプ
ラスチツク材料はきれいに除去されるのでその後
の開孔のクリーニングは必要でない。一般に知ら
れた方法と異なり、本発明に従う方法はプラスチ
ツク・シート中に形成する開孔のすべて（約70×
60cmのシート中に約4000の開孔を有する）を同時
にエツチングする。いく種類かのプラスチツク・
シートを同時にエツチングするドライ・エツチン
グ装置はすでに市販されている。これ等のドラ
イ・エツチング装置はドリリングもしくはレー
ザ・ビーム照射に使用されるものよりも安く、又
高いスループツトを与えるが、本発明に従う方法
は一般に知られた方法よりもはるかに経済的であ
る。さらに、極めて小さな公差でエツチングを行
う事ができ、直径が0.25mmよりも小さな開孔が高
い表面密度で形成できる。本発明に従う方法は一
般に知られた方法と比較してエツチング中もしく
はエツチング後に機械的応力をプラスチツク・シ
ートに与えず、開孔を形成した後のクリーニング
段階が必要ないので、ほとんど歪なく極めて薄い
プラスチツク・シートをエツチングする事が可能
である。他の利点としは、開孔の形成中にグラ
ス・フアイバのメツシユが影響を受けないので、
開孔が形成された時点でプラスチツク・シートの
機械的安定性はほとんど劣化していない事があげ
られる。
開孔はCF4及びO2を含む雰囲気中でプラズマ・
エツチングする事が好ましい。この目的のため
に、エツチングは約３乃至約6kWのHF電力、約
0.1乃至1mバールの圧力、５標準リツトル／分
（SLPM）の気体流を使用して行われる。CF4の
割合は約25乃至約45体積％で、O2の割合は約75
乃至約55体積％である。本発明の方法は効率、精
度及び再現性において優れているので、片面もし
くは両面に導体パターンを有し、さらに貫通接続
体を有するプラスチツク・シートの製造に特に適
している。本発明の方法は特に開孔中のグラス・
フアイバ・メツシユを除去しない点で優れてい
る。パラジウム及び塩化錫を有する溶液で処理さ
れる時に、グラス・フアイバ・メツシユも又活性
化されるので、銅めつきによつて銅は開孔の壁だ
けでなくグラス・フアイバ・メツシユ上にも付着
され、略全開孔が銅で充填される。この結果、従
来よりも機械安定性が増大し、貫通接続体の導電
度が効良される。又開孔のある領域の表面はプラ
スチツク・シートの表面と略同じ平面上にあるの
で、これ等のいくつかのプラスチツク・シートを
互いの上に平坦に、傷つけないで置いて積層する
時に都合がよい。
エツチングする事が好ましい。この目的のため
に、エツチングは約３乃至約6kWのHF電力、約
0.1乃至1mバールの圧力、５標準リツトル／分
（SLPM）の気体流を使用して行われる。CF4の
割合は約25乃至約45体積％で、O2の割合は約75
乃至約55体積％である。本発明の方法は効率、精
度及び再現性において優れているので、片面もし
くは両面に導体パターンを有し、さらに貫通接続
体を有するプラスチツク・シートの製造に特に適
している。本発明の方法は特に開孔中のグラス・
フアイバ・メツシユを除去しない点で優れてい
る。パラジウム及び塩化錫を有する溶液で処理さ
れる時に、グラス・フアイバ・メツシユも又活性
化されるので、銅めつきによつて銅は開孔の壁だ
けでなくグラス・フアイバ・メツシユ上にも付着
され、略全開孔が銅で充填される。この結果、従
来よりも機械安定性が増大し、貫通接続体の導電
度が効良される。又開孔のある領域の表面はプラ
スチツク・シートの表面と略同じ平面上にあるの
で、これ等のいくつかのプラスチツク・シートを
互いの上に平坦に、傷つけないで置いて積層する
時に都合がよい。
Ｆ 実施例
本発明に従う方法を以下第２図及び第１Ａ図
（完成図）を参照して詳細に説明する。上述の様
に、プラスチツク・シートの両側上には導体パタ
ーンが形成されていて、本発明の方法はこの様な
プラスチツクのシートから出発する。本発明は片
面に導体パターンを有するか、全くもたないシー
トにも適用できるが、後者の場合は適切な応用を
見出すのが困難である。
（完成図）を参照して詳細に説明する。上述の様
に、プラスチツク・シートの両側上には導体パタ
ーンが形成されていて、本発明の方法はこの様な
プラスチツクのシートから出発する。本発明は片
面に導体パターンを有するか、全くもたないシー
トにも適用できるが、後者の場合は適切な応用を
見出すのが困難である。
プラスチツク・シート１はエポキシ樹脂の様な
ポリマより成り、例えば70×60cm程も大きく、厚
さが0.1乃至0.2mmでグラス・フアイバ・メツシユ
２で強化されているものとする。使用されるエポ
キシ樹脂は例えばアラルデイツド（Araldid）
9302の商品名でシビイ・ゲイジイ（Ciby−
Geigy）社から販売されているものである。グラ
ス・フアイバ・メツシユはアルカリの少ないガラ
スである。プラステイツク・シート１の片側もし
くは両側には、マスク材料、例えば銅の如き薄膜
３が付着されている。この目的のために5μm及び
70μｍの厚さの銅箔より成る剥離可能な箔がプラ
スチツク・シートに積層され、厚い銅箔が剥離さ
れる。この時表面の粗い、薄い方の銅箔がプラス
チツク・シートの２つの表面に積層される。その
後、プラスチツク・シートの所望の貫通孔のパタ
ーンに対応する開孔パターン４が一方だけのもし
くは両方のマスク層３中にホトリソグラフイによ
つて形成される。例えばこの方法は例えばホトレ
ジスト箔をマスク層３の両側に付着し、その後片
面もしくは両面を照射して箔を現像し、所望の導
体パターンに適した像を得る事より成る。使用さ
れるホトレジスト箔はリストン（Riston）の商
品名の下にデユポン（DuPont）社によつて販売
されている箔である。リストンが使用される場合
には、１，１，１−トリクロルエタンが現像段階
で使用される。次にマスク層３の裸の領域が除去
される。マスク層３が銅より形成されている場合
は、この銅はアンモニア性のCuCl2もしくはペル
オクソジ硫酸ナトリウムのような硫酸溶液によつ
て食刻し去られる。この段階の構造体の断面図は
第２図に示されている。この図では開孔パターン
４は両面に形成されている。プラスチツク・シー
トの寸法が70×60cmで、開孔の直径が0.25mmの場
合には、開孔パターンは4000個の開孔を含む。そ
の後の段階でマスク層３によつて覆われてない領
域の開孔５が第１Ａ図に示されているように一方
の側だけからもしくは両面からドライ・エツチン
グされる。ドライ・エツチングの場合には、プラ
ズマ・エツチングを使用する事が好ましい。この
過程はCF4及びO2を含む雰囲気を反応性気体とし
て使用する。
ポリマより成り、例えば70×60cm程も大きく、厚
さが0.1乃至0.2mmでグラス・フアイバ・メツシユ
２で強化されているものとする。使用されるエポ
キシ樹脂は例えばアラルデイツド（Araldid）
9302の商品名でシビイ・ゲイジイ（Ciby−
Geigy）社から販売されているものである。グラ
ス・フアイバ・メツシユはアルカリの少ないガラ
スである。プラステイツク・シート１の片側もし
くは両側には、マスク材料、例えば銅の如き薄膜
３が付着されている。この目的のために5μm及び
70μｍの厚さの銅箔より成る剥離可能な箔がプラ
スチツク・シートに積層され、厚い銅箔が剥離さ
れる。この時表面の粗い、薄い方の銅箔がプラス
チツク・シートの２つの表面に積層される。その
後、プラスチツク・シートの所望の貫通孔のパタ
ーンに対応する開孔パターン４が一方だけのもし
くは両方のマスク層３中にホトリソグラフイによ
つて形成される。例えばこの方法は例えばホトレ
ジスト箔をマスク層３の両側に付着し、その後片
面もしくは両面を照射して箔を現像し、所望の導
体パターンに適した像を得る事より成る。使用さ
れるホトレジスト箔はリストン（Riston）の商
品名の下にデユポン（DuPont）社によつて販売
されている箔である。リストンが使用される場合
には、１，１，１−トリクロルエタンが現像段階
で使用される。次にマスク層３の裸の領域が除去
される。マスク層３が銅より形成されている場合
は、この銅はアンモニア性のCuCl2もしくはペル
オクソジ硫酸ナトリウムのような硫酸溶液によつ
て食刻し去られる。この段階の構造体の断面図は
第２図に示されている。この図では開孔パターン
４は両面に形成されている。プラスチツク・シー
トの寸法が70×60cmで、開孔の直径が0.25mmの場
合には、開孔パターンは4000個の開孔を含む。そ
の後の段階でマスク層３によつて覆われてない領
域の開孔５が第１Ａ図に示されているように一方
の側だけからもしくは両面からドライ・エツチン
グされる。ドライ・エツチングの場合には、プラ
ズマ・エツチングを使用する事が好ましい。この
過程はCF4及びO2を含む雰囲気を反応性気体とし
て使用する。
プラズマ・エツチングの場合、エツチングされ
る工作物を真空室内の陰極−陽極電極対間に置
き、陰極が高周波源に接続され、陽極が接地さ
れ、工作物に可変電位にある装置が一般に使用さ
れる。次に反応性気体が真空室内に導入される。
プラズマ・エツチングのエツチング効果は主とし
て化学的なものである。両極間の反応性気体中に
発生されるプラズマの中には反応性イオンが存在
しこれがプラスチツク・シートの材料と反応して
揮発性反応性生成物を形成してシート材料を除去
する。イオンの化学効果と比較して運動エネルギ
による除去はほとんどとるに足らない。プラズ
マ・エツチングの場合には電極が互に平行な、タ
イプ番号7411としてブランソン（Branson）社か
ら販売されている装置が使用できる。この装置は
10個のセルを含み、セルの各々は一つの陰極−陽
極対によつて囲まれ、その中で70×60cmの一つの
プラスチツク・シートが一時に処理されるように
なつている。この事はこの寸法の10個のプラスチ
ツク・シートが同時にエツチングできる事を意味
する。エツチング中に、プラスチツク・シートは
電極間にあるアルミニウムの台に支持されてい
る。台そしてとりもなおさずプラスチツク・シー
トは高周波電圧源及び接地電位から電気的に絶縁
されている。ポンプを使用してエツチング気体は
最高流量900m3／時間でセル中を流される。
る工作物を真空室内の陰極−陽極電極対間に置
き、陰極が高周波源に接続され、陽極が接地さ
れ、工作物に可変電位にある装置が一般に使用さ
れる。次に反応性気体が真空室内に導入される。
プラズマ・エツチングのエツチング効果は主とし
て化学的なものである。両極間の反応性気体中に
発生されるプラズマの中には反応性イオンが存在
しこれがプラスチツク・シートの材料と反応して
揮発性反応性生成物を形成してシート材料を除去
する。イオンの化学効果と比較して運動エネルギ
による除去はほとんどとるに足らない。プラズ
マ・エツチングの場合には電極が互に平行な、タ
イプ番号7411としてブランソン（Branson）社か
ら販売されている装置が使用できる。この装置は
10個のセルを含み、セルの各々は一つの陰極−陽
極対によつて囲まれ、その中で70×60cmの一つの
プラスチツク・シートが一時に処理されるように
なつている。この事はこの寸法の10個のプラスチ
ツク・シートが同時にエツチングできる事を意味
する。エツチング中に、プラスチツク・シートは
電極間にあるアルミニウムの台に支持されてい
る。台そしてとりもなおさずプラスチツク・シー
トは高周波電圧源及び接地電位から電気的に絶縁
されている。ポンプを使用してエツチング気体は
最高流量900m3／時間でセル中を流される。
プラスチツク・シート中に貫通孔をエツチング
する場合には約３乃至約6kW（13.56MHz）の高周
波、約0.1乃至1mバールの圧力、３乃至７標準
／分の全気体流量が使用された。気体中のCF4
の割合は約25乃至約45体積％、O2の割合は約75
乃至55体積％である。この方法を使用する場合に
は、グラス・フアイバ・メツシユはほとんど浸食
されず、一方エポキシ樹脂の方は残留物もしくは
付着物を残さないで除去された。第１Ａ図の断面
図はドライ・エツチングの後の構造体を示す。エ
ツチングによつて貫通孔５が形成され、その中に
ガラス・フアイバ・メツシユ２は依然その全体が
存在する。
する場合には約３乃至約6kW（13.56MHz）の高周
波、約0.1乃至1mバールの圧力、３乃至７標準
／分の全気体流量が使用された。気体中のCF4
の割合は約25乃至約45体積％、O2の割合は約75
乃至55体積％である。この方法を使用する場合に
は、グラス・フアイバ・メツシユはほとんど浸食
されず、一方エポキシ樹脂の方は残留物もしくは
付着物を残さないで除去された。第１Ａ図の断面
図はドライ・エツチングの後の構造体を示す。エ
ツチングによつて貫通孔５が形成され、その中に
ガラス・フアイバ・メツシユ２は依然その全体が
存在する。
第１Ｂ図の断面図は一般に知られている貫通孔
を形成する方法、即ちドリリングもしくはレー
ザ・ビーム照射が適用された場合に第２図の構造
体がどのようになるかを示している。この構造体
と第１Ａ図に示された構造体の主な差異は第１Ｂ
図に示された開孔にはグラス・フアイバ・メツシ
ユ２が残されていない点にある。
を形成する方法、即ちドリリングもしくはレー
ザ・ビーム照射が適用された場合に第２図の構造
体がどのようになるかを示している。この構造体
と第１Ａ図に示された構造体の主な差異は第１Ｂ
図に示された開孔にはグラス・フアイバ・メツシ
ユ２が残されていない点にある。
以下、本発明に従う方法をさらに２つの実施例
で説明する。両方の実施例共ブランソン装置中で
70×60cmの面積、0.15mmの厚さの５個のエポキシ
樹脂シート中に直径0.25mmの約4000個の開孔が形
成された。
で説明する。両方の実施例共ブランソン装置中で
70×60cmの面積、0.15mmの厚さの５個のエポキシ
樹脂シート中に直径0.25mmの約4000個の開孔が形
成された。
その条件は次の通りである。
高周波電力 4kW
周波数 13.56MHz
圧力 0.6mバール
全気体の流量 5SLPM
気体中のCF4の量 35体積％
気体中のO2の量 65体積％
両方の実施例で、5μmの厚さの銅箔がプラスチ
ツク・シートの両面に積層された。両実施例の違
いは、実施例１では銅箔の一方だけに所望の貫通
孔パターンに従つて開孔パターンが与えられ、他
方実施例２の場合には、使用されるシートの両方
の銅箔にこのような開孔パターンが与えられた点
にある。上述の条件の下で、エポキシ樹脂のエツ
チング速度は約2.5μm／分である。実施例１の場
合のエツチング速度は約65分であり、実施例２の
場合は32分であつた。グラス・フアイバ・メツシ
ユはこのエツチング過程によつてほとんど影響を
受けない事がわかつた。両実施例でエツチングさ
れたすべての開孔の寸法の公差は小さい。プラス
チツク・シートの唯一方の表面からエツチングが
行われる実施例１の場合でも、エポキシ樹脂は十
分エツチングされて、反対側の銅箔に達した。エ
ツチングされた開孔中には微粒子もしくは油脂性
の付着物は見出されなかつた。
ツク・シートの両面に積層された。両実施例の違
いは、実施例１では銅箔の一方だけに所望の貫通
孔パターンに従つて開孔パターンが与えられ、他
方実施例２の場合には、使用されるシートの両方
の銅箔にこのような開孔パターンが与えられた点
にある。上述の条件の下で、エポキシ樹脂のエツ
チング速度は約2.5μm／分である。実施例１の場
合のエツチング速度は約65分であり、実施例２の
場合は32分であつた。グラス・フアイバ・メツシ
ユはこのエツチング過程によつてほとんど影響を
受けない事がわかつた。両実施例でエツチングさ
れたすべての開孔の寸法の公差は小さい。プラス
チツク・シートの唯一方の表面からエツチングが
行われる実施例１の場合でも、エポキシ樹脂は十
分エツチングされて、反対側の銅箔に達した。エ
ツチングされた開孔中には微粒子もしくは油脂性
の付着物は見出されなかつた。
本発明に従う方法は一面もしくは両面に導体パ
ターンが形成され、導体パターンを電気的に接続
する貫通接続体を有するプラスチツク・シートの
製造と有利に組合す事ができる。このようにして
製造されたシートはそのままの形で、もしくは例
えばシートのいくつかで、必要ならば未処理のプ
ラスチツク・シートを介在させてパツケージを造
り、このようにして得られたパツケージを積層
し、集積回路を有する半導体チツプがはんだ付け
されるセラミツク・モジユールのための、電気的
導体としての貫通孔を形成した後に使用される。
このように本発明に従う方法を適用する事によつ
て得られる利点は、形成された開孔中に導電度が
良好な接続体が形成できる点にある。この利点は
本発明に従う方法だけで満足させられるだけでな
く、本発明によつて達成される結果が従来知られ
ている方法の結果よりも優れている点からも生ず
る。従来の方法では、形成された開孔は銅めつき
に備えて活性化する前に先ず清浄にしなければな
らないが、本発明に従えばこのようなクリーニン
グ段階が除去される。そしてパラジウム／塩化錫
溶液（コロイド状のゼロ価のパラジウムを含む仕
上げ溶液）による活性化中は、本発明に従う方法
は、開孔中にグラス・フアイバ材料が残されない
従来の方法と違つて、開孔の壁及びグラス・フア
イバのメツシユの両方が活性化される。この結果
その後の無電気めつき段階中に銅が開孔壁上及び
グラス・フアイバ・メツシユ上に付着され、上述
の如く、電気的接続が改良されるだけでなく、機
械的安定性が増大される。
ターンが形成され、導体パターンを電気的に接続
する貫通接続体を有するプラスチツク・シートの
製造と有利に組合す事ができる。このようにして
製造されたシートはそのままの形で、もしくは例
えばシートのいくつかで、必要ならば未処理のプ
ラスチツク・シートを介在させてパツケージを造
り、このようにして得られたパツケージを積層
し、集積回路を有する半導体チツプがはんだ付け
されるセラミツク・モジユールのための、電気的
導体としての貫通孔を形成した後に使用される。
このように本発明に従う方法を適用する事によつ
て得られる利点は、形成された開孔中に導電度が
良好な接続体が形成できる点にある。この利点は
本発明に従う方法だけで満足させられるだけでな
く、本発明によつて達成される結果が従来知られ
ている方法の結果よりも優れている点からも生ず
る。従来の方法では、形成された開孔は銅めつき
に備えて活性化する前に先ず清浄にしなければな
らないが、本発明に従えばこのようなクリーニン
グ段階が除去される。そしてパラジウム／塩化錫
溶液（コロイド状のゼロ価のパラジウムを含む仕
上げ溶液）による活性化中は、本発明に従う方法
は、開孔中にグラス・フアイバ材料が残されない
従来の方法と違つて、開孔の壁及びグラス・フア
イバのメツシユの両方が活性化される。この結果
その後の無電気めつき段階中に銅が開孔壁上及び
グラス・フアイバ・メツシユ上に付着され、上述
の如く、電気的接続が改良されるだけでなく、機
械的安定性が増大される。
本発明に従う本発明を使用する、両面に導体パ
ターンが形成され、導体パターンを結合する導電
性接続体を有するプラスチツク・シートを製造す
る全過程は好ましくは第２図、第１Ａ図、第３図
及び第４図によつて説明される方法で次のように
遂行される。
ターンが形成され、導体パターンを結合する導電
性接続体を有するプラスチツク・シートを製造す
る全過程は好ましくは第２図、第１Ａ図、第３図
及び第４図によつて説明される方法で次のように
遂行される。
(1) グラス・フアイバで強化されたエポキシ樹脂
より成る約70×60cmの面積及び0.15cmの厚さの
プラスチツク・シート１に厚い（70μm）及び
薄い（5μm）剥離可能な銅箔が両面に積層され
た。ここで比較的表面の粗い薄い方の銅箔の表
面がプラスチツクの表面と向き合うようにされ
た。この薄い銅箔はマスク層３としての働きを
する。
より成る約70×60cmの面積及び0.15cmの厚さの
プラスチツク・シート１に厚い（70μm）及び
薄い（5μm）剥離可能な銅箔が両面に積層され
た。ここで比較的表面の粗い薄い方の銅箔の表
面がプラスチツクの表面と向き合うようにされ
た。この薄い銅箔はマスク層３としての働きを
する。
(2) 厚い銅箔が両側から剥離された。
(3) 段階２に続き上述の如く本発明に従う方法が
遂行される。この事は先ず5μmの厚さの銅箔３
中に開孔パターンがホトリングラフイ技法を使
用して形成され（この結果の構造体は第２図の
断面図に示されている）、その後銅箔３をエツ
チング・マスクとして使用して貫通孔５がプラ
ズマ・エツチングされる事を意味している。結
果の構造体は第１Ａ図に示されている。
遂行される。この事は先ず5μmの厚さの銅箔３
中に開孔パターンがホトリングラフイ技法を使
用して形成され（この結果の構造体は第２図の
断面図に示されている）、その後銅箔３をエツ
チング・マスクとして使用して貫通孔５がプラ
ズマ・エツチングされる事を意味している。結
果の構造体は第１Ａ図に示されている。
(4) 次に希塩化水素酸溶液中にパラジウム及び塩
化錫を溶解して得られ、コロイド状のゼロ価の
パラジウムを含む溶液中で、貫通孔５の壁及び
裸のグラス・フアイバ・メツシユ２が銅型の無
電気めつきに備えて活性化された。結果の構造
体の断面図は第３図に示されている。図で番号
６は活性化層を示している。
化錫を溶解して得られ、コロイド状のゼロ価の
パラジウムを含む溶液中で、貫通孔５の壁及び
裸のグラス・フアイバ・メツシユ２が銅型の無
電気めつきに備えて活性化された。結果の構造
体の断面図は第３図に示されている。図で番号
６は活性化層を示している。
(5) 次に例えば商品名リストンを有するホトレジ
ストが銅箔３の一方の側に付着された。その後
所望の導体パターンに対応し、その中に開孔５
が露出している開孔パターンが像に従つて露光
され、１，１，１−トリクロルエタンで現像さ
れた。
ストが銅箔３の一方の側に付着された。その後
所望の導体パターンに対応し、その中に開孔５
が露出している開孔パターンが像に従つて露光
され、１，１，１−トリクロルエタンで現像さ
れた。
(6) 銅箔３の裸の領域及び貫通孔５中の活性化領
域は硫酸銅、EDTAジアンヒドライド、湿潤
剤、ホルムアルデヒド及び少量のシアン化ナト
リウムを含むアルカリ性溶液中に浸漬する事に
よつて銅が無電気めつきされる。結果の構造体
の断面図は第４図に示されている。図で番号７
はホトレジスト・マスクを、番号８は付着した
銅を示している。
域は硫酸銅、EDTAジアンヒドライド、湿潤
剤、ホルムアルデヒド及び少量のシアン化ナト
リウムを含むアルカリ性溶液中に浸漬する事に
よつて銅が無電気めつきされる。結果の構造体
の断面図は第４図に示されている。図で番号７
はホトレジスト・マスクを、番号８は付着した
銅を示している。
(7) 最後の段階で、ホトレジスト・マスク７が塩
化メチレンで除去され、両面に導体パターンが
形成され、導電体パターンを接続する貫通接続
体を有するプラスチツク・シートが完成した。
化メチレンで除去され、両面に導体パターンが
形成され、導電体パターンを接続する貫通接続
体を有するプラスチツク・シートが完成した。
もしいくつかのレベルの導電体パターンを有
する板を製造したい場合には、次の段階が続い
て行われる。
する板を製造したい場合には、次の段階が続い
て行われる。
(8) 段階１乃至７で製造されいくつかのシートが
同一寸法及び略同じ厚さの適切に整合された未
処理のプラスチツク・シートを使用して交互に
パツケージされた。次にパツケージを通して貫
通孔が開けられ、その後開孔の壁が活性化さ
れ、銅が無電気めつきされた。
同一寸法及び略同じ厚さの適切に整合された未
処理のプラスチツク・シートを使用して交互に
パツケージされた。次にパツケージを通して貫
通孔が開けられ、その後開孔の壁が活性化さ
れ、銅が無電気めつきされた。
このようにして製造された板は一般に５mmの
厚さを有し、両面に導体パターンが形成されて
いるプラスチツク・シートの数は15枚程度であ
る。これ等の板には導体平面の数に対応する多
層のセラミツク・モジユールが与えられ、この
モジユールの各々には実装密度の高い大規模集
積回路を有する多くの半導体チツプがはんだ付
けされる。
厚さを有し、両面に導体パターンが形成されて
いるプラスチツク・シートの数は15枚程度であ
る。これ等の板には導体平面の数に対応する多
層のセラミツク・モジユールが与えられ、この
モジユールの各々には実装密度の高い大規模集
積回路を有する多くの半導体チツプがはんだ付
けされる。
Ｇ 発明の効果
本発明に従い、グラス・フアイバで強化された
プラスチツク・シート中に開孔を急速に、過激で
なく、安価に、厳密な公差で形成する方法が与え
られる。
プラスチツク・シート中に開孔を急速に、過激で
なく、安価に、厳密な公差で形成する方法が与え
られる。
第１Ａ図は本発明に従う方法に従つて開孔が形
成された構造体の断面図である。第１Ｂ図は従来
の方法に従つて貫通孔が形成された後の構造体の
断面図である。第２図は本発明に従う方法の基礎
となる構造体の断面図である。第３図及び第４図
は本発明の方法に従つて、形成された構造体をさ
らに処理した時の２つの段階の結果を示した断面
図である。 １……プラスチツク・シート、２……グラスフ
アイバ・メツシユ、３……マスク層、４……開孔
パターン、５……開孔、６……活性化層、７……
ホトレジスト、８……付着銅。
成された構造体の断面図である。第１Ｂ図は従来
の方法に従つて貫通孔が形成された後の構造体の
断面図である。第２図は本発明に従う方法の基礎
となる構造体の断面図である。第３図及び第４図
は本発明の方法に従つて、形成された構造体をさ
らに処理した時の２つの段階の結果を示した断面
図である。 １……プラスチツク・シート、２……グラスフ
アイバ・メツシユ、３……マスク層、４……開孔
パターン、５……開孔、６……活性化層、７……
ホトレジスト、８……付着銅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CF4及びO2を含む反応性ガス雰囲気中でプラ
スチツクだけを侵食するがグラス・フアイバ・メ
ツシユは侵食しない様なプラズマエツチングによ
り貫通孔を形成する事を特徴とする、 グラス・フアイバ強化プラスチツク・シート中
に貫通孔のパターンを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| EP84108324A EP0168509B1 (de) | 1984-07-16 | 1984-07-16 | Herstellung von Verbindungslöchern in Kunstoffplatten und Anwendung des Verfahrens |
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Publications (2)
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|---|---|
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| JPH0257356B2 true JPH0257356B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
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Family Applications (1)
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