JPH0257292B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0257292B2 JPH0257292B2 JP8895584A JP8895584A JPH0257292B2 JP H0257292 B2 JPH0257292 B2 JP H0257292B2 JP 8895584 A JP8895584 A JP 8895584A JP 8895584 A JP8895584 A JP 8895584A JP H0257292 B2 JPH0257292 B2 JP H0257292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesion
- conductive paste
- substrate
- liquid crystal
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、端子部に導電ペーストを塗布し加熱
硬化して導電性樹脂膜を形成するようにした液晶
表示素子の製造方法に関する。
硬化して導電性樹脂膜を形成するようにした液晶
表示素子の製造方法に関する。
「従来技術およびその問題点」
液晶表示素子の端子部の形成に際しては、銀、
カーボン、ニツケル、銅等の単体もしくはそれら
の混合物からなる導電性微粉末にフエノール系、
エポキシ系などの樹脂を混練してなる導電ペース
トを塗布し、加熱硬化して導電性樹脂膜を形成す
るようにしている。この導電性樹脂膜は、例えば
ピン端子を取付ける場合にはその接触安定性を保
ち、銀や銅のペーストを用いた場合にはそのまま
端子部の半田付けを可能とし、カーボンやニツケ
ルのペーストを用いた場合には端子部の電触を防
止する役割りをなしている。
カーボン、ニツケル、銅等の単体もしくはそれら
の混合物からなる導電性微粉末にフエノール系、
エポキシ系などの樹脂を混練してなる導電ペース
トを塗布し、加熱硬化して導電性樹脂膜を形成す
るようにしている。この導電性樹脂膜は、例えば
ピン端子を取付ける場合にはその接触安定性を保
ち、銀や銅のペーストを用いた場合にはそのまま
端子部の半田付けを可能とし、カーボンやニツケ
ルのペーストを用いた場合には端子部の電触を防
止する役割りをなしている。
この導電性樹脂膜の形成方法としては、(a)基板
に透明電極を形成した後に行なう方法、(b)基板に
透明電極を形成し、さらに配向膜を形成するかも
しくはラビングを行なつた後に、シール材印刷お
よびトランスフアー形成と共に行なう方法、(c)基
板を貼り合わせてカツテイングした後に行なう方
法が採用できる。
に透明電極を形成した後に行なう方法、(b)基板に
透明電極を形成し、さらに配向膜を形成するかも
しくはラビングを行なつた後に、シール材印刷お
よびトランスフアー形成と共に行なう方法、(c)基
板を貼り合わせてカツテイングした後に行なう方
法が採用できる。
しかし、(a)の方法の場合、スクリーン印刷によ
り多数個取りができる反面、工程数が増え、比較
的厚膜(10μ以上)となつてしまい規定のセルギ
ヤツプ(例えば10μ)が出にくくなり、さらにラ
ビング時に導電性粒子の飛散が生じやすい問題点
があつた。
り多数個取りができる反面、工程数が増え、比較
的厚膜(10μ以上)となつてしまい規定のセルギ
ヤツプ(例えば10μ)が出にくくなり、さらにラ
ビング時に導電性粒子の飛散が生じやすい問題点
があつた。
また、(b)の方法の場合、トランスフアー(上下
基板の導通路)の形成と同時に行なうことができ
るので工程数を少なくし、かつ、セルギヤツプと
同一の膜厚とすることができるが、基板の貼り合
わせ時に導電ペーストが他方の基板に付着してし
まう問題点があつた。
基板の導通路)の形成と同時に行なうことができ
るので工程数を少なくし、かつ、セルギヤツプと
同一の膜厚とすることができるが、基板の貼り合
わせ時に導電ペーストが他方の基板に付着してし
まう問題点があつた。
(c)の方法の場合、オフセツト印刷等の特殊印刷
により薄膜化(1〜2μ)が可能で、基板の貼り
合わせ後に行なうため導電ペーストがセル内部に
影響しない利点がある反面、工程が増加し、単品
で行なわれるので効率が非常に悪い問題点があつ
た。
により薄膜化(1〜2μ)が可能で、基板の貼り
合わせ後に行なうため導電ペーストがセル内部に
影響しない利点がある反面、工程が増加し、単品
で行なわれるので効率が非常に悪い問題点があつ
た。
「発明の目的」
本発明の目的は、端子部に導電性樹脂膜を形成
するに際し、全体としての工程数を少なくし、規
定のセルギヤツプに収められる厚さとすることが
でき、かつ、他方の基板に導電ペーストが付着し
ないようにした液晶表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
するに際し、全体としての工程数を少なくし、規
定のセルギヤツプに収められる厚さとすることが
でき、かつ、他方の基板に導電ペーストが付着し
ないようにした液晶表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
「発明の構成」
本発明は、端子部に導電ペーストを塗布し加熱
硬化して導電性樹脂膜を形成するに際し、基板の
貼り合わせ前に前記導電性ペーストを塗布すると
共に、一方の基板の端子部と対応して他方の基板
に接着性もしくは密着性の悪い薄膜を形成するよ
うにした液晶表示素子の製造方法である。
硬化して導電性樹脂膜を形成するに際し、基板の
貼り合わせ前に前記導電性ペーストを塗布すると
共に、一方の基板の端子部と対応して他方の基板
に接着性もしくは密着性の悪い薄膜を形成するよ
うにした液晶表示素子の製造方法である。
したがつて、シール材およびトランスフアーの
形成の際に導電性樹脂膜を形成できるので工程数
を少なくすることができ、基板の貼り合わせ前に
導電ペーストを塗布するので規定のセルギヤツプ
に収めることができ、一方の基板の端子部と対応
して他方の基板に接着性もしくは密着性の悪い薄
膜を形成するので導電ペーストが他方の基板に付
着することを防止できる。
形成の際に導電性樹脂膜を形成できるので工程数
を少なくすることができ、基板の貼り合わせ前に
導電ペーストを塗布するので規定のセルギヤツプ
に収めることができ、一方の基板の端子部と対応
して他方の基板に接着性もしくは密着性の悪い薄
膜を形成するので導電ペーストが他方の基板に付
着することを防止できる。
本発明の好ましい態様によれば、導電ペースト
として銀ペーストを使用する。これによれば、銀
ペーストをスクリーン印刷して、トランスフアー
と端子部の導電性樹脂膜とを同時に形成すること
ができる。
として銀ペーストを使用する。これによれば、銀
ペーストをスクリーン印刷して、トランスフアー
と端子部の導電性樹脂膜とを同時に形成すること
ができる。
本発明のさらに好ましい態様によれば、接着性
もしくは密着性の悪い薄膜としてポリイミド膜を
用いる。これによれば、配向膜としてもポリイミ
ド膜を用い、配向膜の形成と同時に接着性もしく
は密着性の悪い薄膜を形成することができる。
もしくは密着性の悪い薄膜としてポリイミド膜を
用いる。これによれば、配向膜としてもポリイミ
ド膜を用い、配向膜の形成と同時に接着性もしく
は密着性の悪い薄膜を形成することができる。
「発明の実施例」
第1図に示すように、ガラス板、プラスチツク
フイルム等からなる1対の基板11,12の所定
箇所に透明電極13を形成する。透明電極13
は、例えば酸化インジウムや酸化スズを蒸着して
所定パターンにエツチングしたり、あるいはイン
ジウムやスズを含むペーストをスクリーン印刷し
て焼成することにより形成することができる。
フイルム等からなる1対の基板11,12の所定
箇所に透明電極13を形成する。透明電極13
は、例えば酸化インジウムや酸化スズを蒸着して
所定パターンにエツチングしたり、あるいはイン
ジウムやスズを含むペーストをスクリーン印刷し
て焼成することにより形成することができる。
透明電極13上の所定箇所に配向膜14をスク
リーン印刷する。それと共に、基板11,12の
互いに反対側の端子部と対応する部分に接着性も
しくは密着性の悪い薄膜15を同じくスクリーン
印刷により形成する。接着性もしくは密着性の悪
い薄膜15としてはポリイミド膜やフツ素系樹脂
膜を用いることができるが、ポリイミド膜を用い
ることにより配向膜14と接着性もしくは密着性
の悪い薄膜15とを同時にスクリーン印刷するこ
とができる。
リーン印刷する。それと共に、基板11,12の
互いに反対側の端子部と対応する部分に接着性も
しくは密着性の悪い薄膜15を同じくスクリーン
印刷により形成する。接着性もしくは密着性の悪
い薄膜15としてはポリイミド膜やフツ素系樹脂
膜を用いることができるが、ポリイミド膜を用い
ることにより配向膜14と接着性もしくは密着性
の悪い薄膜15とを同時にスクリーン印刷するこ
とができる。
第2図に示すように、それぞれの基板11,1
2の所定箇所にシール材16、トランスフアー1
7、導電ペースト18をスクリーン印刷する。こ
の場合、導電ペースト18としては、前述したよ
うに銀、カーボン、ニツケル、銅等の単体もしく
はそれらの混合物からなる導電性微粉末にフエノ
ール系、エポキシ系などの樹脂を混練したものが
使用できるが、銀ペーストを使用すれば、トラン
スフアー17と導電ペースト18とを同時にスク
リーン印刷することができる。
2の所定箇所にシール材16、トランスフアー1
7、導電ペースト18をスクリーン印刷する。こ
の場合、導電ペースト18としては、前述したよ
うに銀、カーボン、ニツケル、銅等の単体もしく
はそれらの混合物からなる導電性微粉末にフエノ
ール系、エポキシ系などの樹脂を混練したものが
使用できるが、銀ペーストを使用すれば、トラン
スフアー17と導電ペースト18とを同時にスク
リーン印刷することができる。
第3図に示すように、基板11,12を貼り合
わせる。このとき、導電ペースト18は他方の基
板の接着性もしくは密着性の悪い薄膜15に接触
し、他方の基板に付着することが防止される。ま
た、トランスフアー17は他方の基板の透明電極
13に接着する。この状態で加熱し、シール材1
6、トランスフアー17および導電ペースト18
の樹脂を硬化させる。
わせる。このとき、導電ペースト18は他方の基
板の接着性もしくは密着性の悪い薄膜15に接触
し、他方の基板に付着することが防止される。ま
た、トランスフアー17は他方の基板の透明電極
13に接着する。この状態で加熱し、シール材1
6、トランスフアー17および導電ペースト18
の樹脂を硬化させる。
基板11,12を第3図中一点鎖線で示す部分
でカツテイングし、第4図に示すような個々のセ
ルに分離する。このとき、導電ペースト18は接
着性もしくは密着性の悪い薄膜15に接触してい
るので他方の基板から容易に剥がれる。残つた接
着性もしくは密着性の悪い薄膜15は、弱アルカ
リに浸漬し、超音波洗浄して取除くことができ
る。
でカツテイングし、第4図に示すような個々のセ
ルに分離する。このとき、導電ペースト18は接
着性もしくは密着性の悪い薄膜15に接触してい
るので他方の基板から容易に剥がれる。残つた接
着性もしくは密着性の悪い薄膜15は、弱アルカ
リに浸漬し、超音波洗浄して取除くことができ
る。
最後にセル内に液晶19を注入し、必要に応じ
て偏光板20を貼り付けることによつて、液晶表
示素子21を形成することができる。
て偏光板20を貼り付けることによつて、液晶表
示素子21を形成することができる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、端子部
に導電性樹脂膜を形成する液晶表示素子の製造方
法において、工程数を少なくすることができ、導
電性樹脂膜の厚さを規定のセルギヤツプ内に収め
ることができ、導電ペーストが他方の基板に付着
することを防止できる。
に導電性樹脂膜を形成する液晶表示素子の製造方
法において、工程数を少なくすることができ、導
電性樹脂膜の厚さを規定のセルギヤツプ内に収め
ることができ、導電ペーストが他方の基板に付着
することを防止できる。
図はいずれも本発明の実施例の工程を示す断面
図であり、第1図は基板に透明電極、配向膜、接
着性もしくは密着性の悪い薄膜を形成した状態を
示す図、第2図はシール材、トランスフアー、導
電ペーストを塗布した状態を示す図、第3図は基
板を貼り合わせた状態を示す図、第4図は基板を
カツテイングし液晶を注入した状態を示す図であ
る。 図中、11,12は基板、15は接着性もしく
は密着性の悪い薄膜、18は導電ペースト18、
21は液晶表示素子である。
図であり、第1図は基板に透明電極、配向膜、接
着性もしくは密着性の悪い薄膜を形成した状態を
示す図、第2図はシール材、トランスフアー、導
電ペーストを塗布した状態を示す図、第3図は基
板を貼り合わせた状態を示す図、第4図は基板を
カツテイングし液晶を注入した状態を示す図であ
る。 図中、11,12は基板、15は接着性もしく
は密着性の悪い薄膜、18は導電ペースト18、
21は液晶表示素子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 端子部に導電ペーストを塗布し加熱硬化して
導電性樹脂膜を形成するようにした液晶表示素子
の製造方法において、基板の貼り合わせ前に前記
導電ペーストを塗布すると共に、一方の基板の端
子部と対応して他方の基板に接着性もしくは密着
性の悪い薄膜を形成することを特徴とする液晶表
示素子の製造方法。 2 特許請求の範囲第1項において、前記導電ペ
ーストは銀ペーストである液晶表示素子の製造方
法。 3 特許請求の範囲第1項または第2項におい
て、前記接着性もしくは密着性の悪い薄膜はポリ
イミド膜である液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8895584A JPS60232531A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8895584A JPS60232531A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60232531A JPS60232531A (ja) | 1985-11-19 |
JPH0257292B2 true JPH0257292B2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=13957274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8895584A Granted JPS60232531A (ja) | 1984-05-02 | 1984-05-02 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60232531A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267522A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Jeco Co Ltd | 電子装置 |
-
1984
- 1984-05-02 JP JP8895584A patent/JPS60232531A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60232531A (ja) | 1985-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6956635B2 (en) | Liquid crystal device and manufacturing method therefor | |
TW457287B (en) | Connecting structural body, liquid crystal device, electronic apparatus, anisotropic conductive adhesive and the manufacturing method of the same | |
KR100305406B1 (ko) | 액정표시장치및그제조방법 | |
JPS62218937A (ja) | 液晶表示パネル | |
JPH0257292B2 (ja) | ||
JPH03110518A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH05100238A (ja) | 液晶パネルの実装構造 | |
JPH04194910A (ja) | 液晶表示パネル | |
JPS60166925A (ja) | 液晶表示体の製造方法 | |
JPS6046586A (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
JP2780215B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH06342139A (ja) | 液晶表示体の製造方法 | |
JPS57119325A (en) | Connecting method of liquid crystal display panel | |
JPH05249483A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH0277019A (ja) | 電気光学装置及び導電接続方法 | |
JPH10123557A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JPS6055834B2 (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
JPS63123015A (ja) | 曲面液晶セルの製造方法 | |
JPH07244291A (ja) | 異方性導電膜、それを用いた液晶表示装置および電子印字装置 | |
WO2006011695A1 (en) | Method for making electrode terminal of panel using polymer and liquid crystal compound | |
JPH03110519A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPH11218775A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JPS59101623A (ja) | 表示装置 | |
JPH0220085B2 (ja) | ||
JPH06118428A (ja) | 電気光学装置及びその製造法 |