JPH0256892A - エレクトロルミネセンスパネル - Google Patents
エレクトロルミネセンスパネルInfo
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- JPH0256892A JPH0256892A JP63207828A JP20782888A JPH0256892A JP H0256892 A JPH0256892 A JP H0256892A JP 63207828 A JP63207828 A JP 63207828A JP 20782888 A JP20782888 A JP 20782888A JP H0256892 A JPH0256892 A JP H0256892A
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- optical interference
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロルミネセンスパネル（以後ＥＬパ
ネルと略称する）に関し、特に表示品質が向上したＥＬ
デイスプレィパネルに関する。
ネルと略称する）に関し、特に表示品質が向上したＥＬ
デイスプレィパネルに関する。
近年コンピューターの普及に伴い、デイスプレィデバイ
スの需要が高まっており特に現在量も広く使われている
ＣＲＴの厚味が大きすぎると云う欠点を改善しようと云
う動きが盛んである。平面デイスプレィ装置として現在
実用化の域に達しているものには、代表的なものを挙げ
るとＬＣＤ（液晶デイスプレィ）、ＰＤ（プラズマデイ
スプレィ）、ＥＬＤ（エレクトロルミネセントディスプ
レイ）、螢光表示管の４種類があり、ＥＬＤは中でも輝
度の高さ、応答性の良さ、コントラストの良さ及び視野
角の広さに於いて群を抜いている。
スの需要が高まっており特に現在量も広く使われている
ＣＲＴの厚味が大きすぎると云う欠点を改善しようと云
う動きが盛んである。平面デイスプレィ装置として現在
実用化の域に達しているものには、代表的なものを挙げ
るとＬＣＤ（液晶デイスプレィ）、ＰＤ（プラズマデイ
スプレィ）、ＥＬＤ（エレクトロルミネセントディスプ
レイ）、螢光表示管の４種類があり、ＥＬＤは中でも輝
度の高さ、応答性の良さ、コントラストの良さ及び視野
角の広さに於いて群を抜いている。
このようなＥＬＤとして、ガラス基板上に透明電極（例
えばＩＴＯ）、発光層（例えばＺｎＳ ： Ｍｎ）、電
流制限層（例えばＭｎ０ｚ） 、背面電極（例えばＡｎ
を順次積層した構造（例えば ＧＢ２１７６３４０Ａ、
ＧＢ２１７６３４１Ａ）が知られている。
えばＩＴＯ）、発光層（例えばＺｎＳ ： Ｍｎ）、電
流制限層（例えばＭｎ０ｚ） 、背面電極（例えばＡｎ
を順次積層した構造（例えば ＧＢ２１７６３４０Ａ、
ＧＢ２１７６３４１Ａ）が知られている。
しかしながら、上記従来のＥＬデイスプレィパネルにお
いては、ＥＬ素子を構成する各層の界面からの反射光量
及びＥＬパネル前面からの反射光量が大きいため、コン
トラストが悪く、又、眼性疲労の原因となっていた。
いては、ＥＬ素子を構成する各層の界面からの反射光量
及びＥＬパネル前面からの反射光量が大きいため、コン
トラストが悪く、又、眼性疲労の原因となっていた。
本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
ものであって、透明絶縁基板上に、透明電極、発光層、
電流制限層および背面電極を設けたエレクトロルミネセ
ンスパネルにおいて、該透明絶縁基板と発光層との間に
、光学干渉によって、透明絶縁基板側から入射した外部
光に対して透明絶縁基板と発光層との間に存在する界面
からの合計の反射光量が減少する様な屈折率および膜厚
を有する少なくともＩＮの光学干渉膜を設けている。
ものであって、透明絶縁基板上に、透明電極、発光層、
電流制限層および背面電極を設けたエレクトロルミネセ
ンスパネルにおいて、該透明絶縁基板と発光層との間に
、光学干渉によって、透明絶縁基板側から入射した外部
光に対して透明絶縁基板と発光層との間に存在する界面
からの合計の反射光量が減少する様な屈折率および膜厚
を有する少なくともＩＮの光学干渉膜を設けている。
該光学干渉層は、透明絶縁基板と透明導電膜の間、透明
導電膜と発光層の間又はその両方等の位置に設けること
ができる。内でも透明絶縁基板と透明導電膜との間に設
けることが、ＥＬ素子駆動の電気的な弊害防止条件がな
く自由にその材料、膜層を選択できるので好ましい。
導電膜と発光層の間又はその両方等の位置に設けること
ができる。内でも透明絶縁基板と透明導電膜との間に設
けることが、ＥＬ素子駆動の電気的な弊害防止条件がな
く自由にその材料、膜層を選択できるので好ましい。
該光学干渉層は単層であっても複層であってもかまわな
い。しかしながら複層にすると製造コストが増加するこ
とになるので単層とすることが好ましい。
い。しかしながら複層にすると製造コストが増加するこ
とになるので単層とすることが好ましい。
該光学干渉層としては、ＡｌｚＯｌ、Ｔｉ１２．５ｉｆ
ｔ、ＭｇＦｚ （Ｐｒ ６ｏ１１ ＋ Ｔｉ（ｈ）、Ｚ
ｒ０ｚ等の透明材料が使用される。
ｔ、ＭｇＦｚ （Ｐｒ ６ｏ１１ ＋ Ｔｉ（ｈ）、Ｚ
ｒ０ｚ等の透明材料が使用される。
基板ガラス面から見た裏面反射率Ｒｒｅｖｍは、例えば
、■透明絶縁基板と透明導電膜との間に一層の光学干渉
膜を設ける場合、設ける光学干渉膜の屈折率ｎおよび厚
さｄ、透明絶縁基板の屈折率ｎ５Ｕｌ＋％透明導電膜の
屈折率ｎｌ？。、厚さｄｌＴｏ、および消衰係数ＲＩ？
。、発光層の屈折率１２Ｎ３を用いて、■発光層と透明
導電膜との間、および透明導電膜と透明絶縁基板との間
の両方に各々１石の光学干渉膜を設ける場合、発光層と
透明導電膜との間の光学干渉膜１の屈折率ｎ１および膜
厚ｄ１、および透明導電膜と透明絶縁基板との間の光学
干渉膜２の屈折率ｎ２および膜厚ｄ２および前述の特性
を用いて、 光学干渉膜の屈折率ｎおよび厚さｄは、上記裏面反射率
Ｒｒｅｖｍが減少する様に設定される。
、■透明絶縁基板と透明導電膜との間に一層の光学干渉
膜を設ける場合、設ける光学干渉膜の屈折率ｎおよび厚
さｄ、透明絶縁基板の屈折率ｎ５Ｕｌ＋％透明導電膜の
屈折率ｎｌ？。、厚さｄｌＴｏ、および消衰係数ＲＩ？
。、発光層の屈折率１２Ｎ３を用いて、■発光層と透明
導電膜との間、および透明導電膜と透明絶縁基板との間
の両方に各々１石の光学干渉膜を設ける場合、発光層と
透明導電膜との間の光学干渉膜１の屈折率ｎ１および膜
厚ｄ１、および透明導電膜と透明絶縁基板との間の光学
干渉膜２の屈折率ｎ２および膜厚ｄ２および前述の特性
を用いて、 光学干渉膜の屈折率ｎおよび厚さｄは、上記裏面反射率
Ｒｒｅｖｍが減少する様に設定される。
透明絶縁基板と透明導電膜との間に光学干渉膜を設ける
場合には、前記、光学干渉層の等価屈折率としては、透
明絶縁性基板の屈折率と透明電極の屈折率との中間の値
である必要がある。仮に、透明電極の屈折率よりも大き
な値の場合は、透明絶縁性基板と光学干渉層との界面か
らの反射光量が透明絶縁性基板と透明電極との界面から
の反射光量よりも大きくなり、本発明の目的に不適な結
果となる。
場合には、前記、光学干渉層の等価屈折率としては、透
明絶縁性基板の屈折率と透明電極の屈折率との中間の値
である必要がある。仮に、透明電極の屈折率よりも大き
な値の場合は、透明絶縁性基板と光学干渉層との界面か
らの反射光量が透明絶縁性基板と透明電極との界面から
の反射光量よりも大きくなり、本発明の目的に不適な結
果となる。
本発明のＥＬ素子の透明絶縁基板の発光層に対する反対
側表面に通常のレンズに使用される様な反射防止層を設
けることは、本発明の効果と相乗効果によってより良好
な表示品質を実現できるので好ましい。
側表面に通常のレンズに使用される様な反射防止層を設
けることは、本発明の効果と相乗効果によってより良好
な表示品質を実現できるので好ましい。
パネル前面に成膜される反射防止層としては、例えば、
低屈折材料（例えばＭｇｈ）１層からなるもの、高屈折
材料／中間屈折材料／低屈折材料（例えばＰｒ６０＋＋
＋ Ｔｉ１ｔ／＾１２２０３／ Ｍｇｈ） ３層か
ら成るもの、高屈折材料／低屈折材料／高屈折材料／低
屈折材料（ＰｒｒＯ＋ Ｉ”Ｔｉ０ｚ／ Ｍｇｈ／ Ｐ
ｒ６［＋ ｔ ＋Ｔｉ１ｔ／Ｍｇｈ） ４層から成るも
の、あるいは５層以上の全て透明誘電体薄膜によって形
成されたものであったり、薄い吸収膜を利用して、透過
率を調整させる機能を、付加した多層反射防止層であっ
ても良い。
低屈折材料（例えばＭｇｈ）１層からなるもの、高屈折
材料／中間屈折材料／低屈折材料（例えばＰｒ６０＋＋
＋ Ｔｉ１ｔ／＾１２２０３／ Ｍｇｈ） ３層か
ら成るもの、高屈折材料／低屈折材料／高屈折材料／低
屈折材料（ＰｒｒＯ＋ Ｉ”Ｔｉ０ｚ／ Ｍｇｈ／ Ｐ
ｒ６［＋ ｔ ＋Ｔｉ１ｔ／Ｍｇｈ） ４層から成るも
の、あるいは５層以上の全て透明誘電体薄膜によって形
成されたものであったり、薄い吸収膜を利用して、透過
率を調整させる機能を、付加した多層反射防止層であっ
ても良い。
本発明によれば、透明絶縁膜と発光層との間に光学干渉
膜を設けているために、透明絶縁性基板、光学干渉膜、
透明電極、発光層のそれぞれの界面からの外部からの光
の反射光がお互いに光学的に干渉し合い、ＥＬ素子の素
子部からの光の反射が低減される。そのためコントラス
トが良くなり、眼性疲労が軽減できる。
膜を設けているために、透明絶縁性基板、光学干渉膜、
透明電極、発光層のそれぞれの界面からの外部からの光
の反射光がお互いに光学的に干渉し合い、ＥＬ素子の素
子部からの光の反射が低減される。そのためコントラス
トが良くなり、眼性疲労が軽減できる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について、説明する。
〈実施例１〉
ガラス基板１上に、真空蒸着法により酸化アルミ（Ａ
１ ｚｏｏ）を膜厚が８３ｎｍとなるように成膜した。
１ ｚｏｏ）を膜厚が８３ｎｍとなるように成膜した。
この時のＡ ｌ ｔａｘ膜６の屈折率はエリプソメトリ
−法により測定した結果１．６７であった。次に、透明
電極２としてインジウム・すず酸化物（ＩＴＯ）を反応
性スパッタ法を用いて、５００ｎｍの厚さに成膜した。
−法により測定した結果１．６７であった。次に、透明
電極２としてインジウム・すず酸化物（ＩＴＯ）を反応
性スパッタ法を用いて、５００ｎｍの厚さに成膜した。
更に、これらのＡ （ｌ ｚＯユ膜６及びＩＴＯ膜２が
成膜された面とは反対の面に高屈折材料（ＰｒｂＯ１＋
＋Ｔｉ０ｚ膜、屈折率ｎｇ ＝２．１０）と低屈折材
料（ＭｇＦｚ、屈折率ｎＬ＝１．３８）の交互４Ｎ膜か
ら成る反射防止層７を真空蒸着法により成膜した。
成膜された面とは反対の面に高屈折材料（ＰｒｂＯ１＋
＋Ｔｉ０ｚ膜、屈折率ｎｇ ＝２．１０）と低屈折材
料（ＭｇＦｚ、屈折率ｎＬ＝１．３８）の交互４Ｎ膜か
ら成る反射防止層７を真空蒸着法により成膜した。
続いて、先に成膜されたＩＴＯ膜２をホトリソグラフィ
ー法により所定の形状にパターニングした後に、発光層
としてＭｎが０．３重量％ドープされたＺｎＳ膜３を約
１μｍの厚みに真空蒸着法により成膜した。
ー法により所定の形状にパターニングした後に、発光層
としてＭｎが０．３重量％ドープされたＺｎＳ膜３を約
１μｍの厚みに真空蒸着法により成膜した。
次に、Ｍｎ０ｚ粉末をバインダー樹脂とシンナーとの混
合液に分散させた塗料を、スプレー法により塗装、乾燥
させ膜厚が１５μｍの電流制限層４を形成した。
合液に分散させた塗料を、スプレー法により塗装、乾燥
させ膜厚が１５μｍの電流制限層４を形成した。
次に、背面電極５として、＾２を真空蒸着法で約０．５
μｍの厚みに形成した後、ダイヤモンド針ヲ用いて、Ｉ
ＴＯのパターンとは垂直にスクライブすることにより所
定の背面電極パターンを形成した。以上の様にして作製
したＥＬデイスプレィパネル（第１図）の表示面側から
分光光度計により反射率を測定した結果、従来のパネル
に比較して大幅に低減することができた。酸化アルミ膜
６および反射防止層７を持たない従来のＥＬパネルの分
光反射率を第３図に、本発明によるＥＬパネルの分光反
射率を第４図に示す。
μｍの厚みに形成した後、ダイヤモンド針ヲ用いて、Ｉ
ＴＯのパターンとは垂直にスクライブすることにより所
定の背面電極パターンを形成した。以上の様にして作製
したＥＬデイスプレィパネル（第１図）の表示面側から
分光光度計により反射率を測定した結果、従来のパネル
に比較して大幅に低減することができた。酸化アルミ膜
６および反射防止層７を持たない従来のＥＬパネルの分
光反射率を第３図に、本発明によるＥＬパネルの分光反
射率を第４図に示す。
〈実施例２〉
ガラス基板上ｌに真空蒸着法により酸化アルミ（＾ｌ
ｚｏ：＋）を膜厚が７７ｒ＋ｍとなるように成膜した。
ｚｏ：＋）を膜厚が７７ｒ＋ｍとなるように成膜した。
この時のへ１２０３膜６の屈折率はエリプソメトリ−法
により測定した結果１．６７であった。次に透明電極２
としてＩＴＯを反応性スパッタ法を用いて４５０ｎｍの
厚さに成膜した。更に、これらのＡＮ、Ｑ、膜６及びＩ
ＴＯ膜２が成膜された面とは反対の面に実施例１で示し
た反射防止Ｎ７を真空蒸着法により成膜し、続いて先に
成膜されたＩＴＯ膜２をホトリソグラフィー法により所
定の形状にパターニングした後、ＩＴＯ膜２上２上Ｐｒ
、０． 、 ＋ Ｔｉ１ｔ）膜８を膜厚が３９ｎｏ＋と
なるように成膜した。
により測定した結果１．６７であった。次に透明電極２
としてＩＴＯを反応性スパッタ法を用いて４５０ｎｍの
厚さに成膜した。更に、これらのＡＮ、Ｑ、膜６及びＩ
ＴＯ膜２が成膜された面とは反対の面に実施例１で示し
た反射防止Ｎ７を真空蒸着法により成膜し、続いて先に
成膜されたＩＴＯ膜２をホトリソグラフィー法により所
定の形状にパターニングした後、ＩＴＯ膜２上２上Ｐｒ
、０． 、 ＋ Ｔｉ１ｔ）膜８を膜厚が３９ｎｏ＋と
なるように成膜した。
この時の（ＰｒｈＯ＋ｔ ＋Ｔｉ０ｚ）膜の屈折率は２
．１２であった。更に発光層としてＭｎが０．３重量％
ドープされたＺｎＳ膜３を約１μｍの厚みに真空蒸着法
により成膜した。次にＭｎＯ□粉末をバインダー樹脂と
シンナーの混合液に分散させた塗料をスプレー法により
塗装、乾燥させ、膜厚が１５μｍの電流制限層４を形成
した。次に背面電極５として、Ａｌを真空蒸着法で約０
．５μｍの厚味に形成した後、ダイヤモンド針を用いて
ＩＴＯのパターンとは垂直にスクライブすることにより
所定の背面電極パターンを形成した。
．１２であった。更に発光層としてＭｎが０．３重量％
ドープされたＺｎＳ膜３を約１μｍの厚みに真空蒸着法
により成膜した。次にＭｎＯ□粉末をバインダー樹脂と
シンナーの混合液に分散させた塗料をスプレー法により
塗装、乾燥させ、膜厚が１５μｍの電流制限層４を形成
した。次に背面電極５として、Ａｌを真空蒸着法で約０
．５μｍの厚味に形成した後、ダイヤモンド針を用いて
ＩＴＯのパターンとは垂直にスクライブすることにより
所定の背面電極パターンを形成した。
以上の様にして作製したＥＬデイスプレィパネル（第２
図）の表示面側から分光光度計により反射率を測定した
結果、大幅な反射率の低減を達成することができた。本
実施例のＥＬパネルの分光反射率を第５図に示す。
図）の表示面側から分光光度計により反射率を測定した
結果、大幅な反射率の低減を達成することができた。本
実施例のＥＬパネルの分光反射率を第５図に示す。
上記実施例においては、透明電極、発光層、電流制限層
および背面電極からなる基本的な混成型ＥＬ素子の構造
を用いているが、本発明は上記実施例に限らず発光層と
電流制限層との間に黒色層を設けた構造（例えばＧＢ２
１７６３４１Ａ等）等上記基本構造の変形に対しても実
施でき、同等な効果が得られる。
および背面電極からなる基本的な混成型ＥＬ素子の構造
を用いているが、本発明は上記実施例に限らず発光層と
電流制限層との間に黒色層を設けた構造（例えばＧＢ２
１７６３４１Ａ等）等上記基本構造の変形に対しても実
施でき、同等な効果が得られる。
本発明によれば、従来のＥＬデイスプレィパネルに比べ
て外部反射光を大幅に削減でき、１０００１ｕｘの光の
下で、コントラストを従来の３０：１から１００：１に
向上させることができた。又、光干渉層が、透明絶縁性
基板と透明電極との間又は透明電極と発光層の間に挿入
された構造となっているため、光干渉層が透明基板また
は透明電極から発光層へイオンが拡散するのを防ぐため
、ＥＬ素子の寿命の低下、輝度の低下等を防ぐことがで
きる。
て外部反射光を大幅に削減でき、１０００１ｕｘの光の
下で、コントラストを従来の３０：１から１００：１に
向上させることができた。又、光干渉層が、透明絶縁性
基板と透明電極との間又は透明電極と発光層の間に挿入
された構造となっているため、光干渉層が透明基板また
は透明電極から発光層へイオンが拡散するのを防ぐため
、ＥＬ素子の寿命の低下、輝度の低下等を防ぐことがで
きる。
この結果、従来よりも高コントラスト、長寿命なＥＬデ
イスプレィパネルを提供することが出来る。
イスプレィパネルを提供することが出来る。
第１図、第２図はそれぞれ実施例１．実施例２で示した
本発明による混成型ＥＬ素子の断面図であり、 第３図は、従来の混成型ＥＬデイスプレィパネルの分光
反射特性、 第４図は、実施例１の混成型ＥＬデイスプレィパネルの
分光反射特性、 第５図は、実施例２の混成型ＥＬデイスプレィパネルの
分光反射特性を各々示す図である。 第 図
本発明による混成型ＥＬ素子の断面図であり、 第３図は、従来の混成型ＥＬデイスプレィパネルの分光
反射特性、 第４図は、実施例１の混成型ＥＬデイスプレィパネルの
分光反射特性、 第５図は、実施例２の混成型ＥＬデイスプレィパネルの
分光反射特性を各々示す図である。 第 図
Claims (1)
- （１） 透明絶縁基板上に、透明電極、発光層、電流制
限層および背面電極を設けたエレクトロルミネセンスパ
ネルにおいて、該透明絶縁基板と発光層との間に、光学
干渉によって、透明絶縁基板側から入射した外部光に対
して透明絶縁基板と発光層との間に存在する界面からの
合計の反射光量が減少する様な屈折率および膜厚を有す
る少なくとも１層の光学干渉膜を設けたことを特徴とす
るエレクトロルミネセンスパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207828A JPH0256892A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | エレクトロルミネセンスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207828A JPH0256892A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | エレクトロルミネセンスパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256892A true JPH0256892A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16546190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207828A Pending JPH0256892A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | エレクトロルミネセンスパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256892A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02276191A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-11-13 | Natl Res Council Of Canada | 光学干渉式ｅｌ素子 |
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