JPH025431A - 高周波高出力用半導体装置 - Google Patents
高周波高出力用半導体装置Info
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- JPH025431A JPH025431A JP63156107A JP15610788A JPH025431A JP H025431 A JPH025431 A JP H025431A JP 63156107 A JP63156107 A JP 63156107A JP 15610788 A JP15610788 A JP 15610788A JP H025431 A JPH025431 A JP H025431A
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- JP
- Japan
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- pellet
- those
- resistors
- emitter electrode
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/7302—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices
- H01L29/7304—Bipolar junction transistors structurally associated with other devices the device being a resistive element, e.g. ballasting resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波高出力用半導体装置に関し、特に同一
ペレット内に同じ働きをする能動素子領域が複数存在す
る半導体装置に関する。
ペレット内に同じ働きをする能動素子領域が複数存在す
る半導体装置に関する。
従来、この種の高周波高出力用半導体装置は、第３図に
示すように、単一能動素子領域１゜ｌｚ、ｌｑ・・・内
で、各々の単位トランジスタのエミッタ電極３１１＋
３１２．３１３．・・・とエミッタ電極７１間の安定化
抵抗４１１．４１２．４１３．・・・の抵抗値が異って
いる構造であり、能動素子領域単位での熱バランスは考
慮されていなかった。従って、ペレット内の温度分布は
、第４図に示すように、中央部で高くなる。
示すように、単一能動素子領域１゜ｌｚ、ｌｑ・・・内
で、各々の単位トランジスタのエミッタ電極３１１＋
３１２．３１３．・・・とエミッタ電極７１間の安定化
抵抗４１１．４１２．４１３．・・・の抵抗値が異って
いる構造であり、能動素子領域単位での熱バランスは考
慮されていなかった。従って、ペレット内の温度分布は
、第４図に示すように、中央部で高くなる。
上述した従来の高周波高出力用半導体装置は、単一能動
素子領域内での熱バランスは改善されるが、各々の能動
素子領域の構造が同一であるため、各能動領域のペレッ
ト内に占める位置により、ペレットの中心部にある能動
素子領域の方が周辺部にある能動素子領域より温度上昇
が大きく、熱バランスがくずれ、出力電力の設計値より
、出力電力が低下するという欠点があった。
素子領域内での熱バランスは改善されるが、各々の能動
素子領域の構造が同一であるため、各能動領域のペレッ
ト内に占める位置により、ペレットの中心部にある能動
素子領域の方が周辺部にある能動素子領域より温度上昇
が大きく、熱バランスがくずれ、出力電力の設計値より
、出力電力が低下するという欠点があった。
本発明の高周波高出力半導体装置は、同一ペレット内に
複数の単位トランジスタを有する能動素子領域を複数個
有し、前記各能動素子領域の単位トランジスタのエミッ
タ電極とそれぞれ安定化抵抗を介して接続されたエミッ
タ電極を備えた高周波高出力用半導体装置において、前
記各能動素子領域あたりの安定化抵抗の合成値に関しペ
レット中央部にあるものよりペレット周辺部にあるもの
を小さく設定したというものである。
複数の単位トランジスタを有する能動素子領域を複数個
有し、前記各能動素子領域の単位トランジスタのエミッ
タ電極とそれぞれ安定化抵抗を介して接続されたエミッ
タ電極を備えた高周波高出力用半導体装置において、前
記各能動素子領域あたりの安定化抵抗の合成値に関しペ
レット中央部にあるものよりペレット周辺部にあるもの
を小さく設定したというものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示すペレットの平面図
である。便宜上、各単一能動素子領域に配置するエミッ
タ電極を３本、能動素子領域の数３を有するくし形バイ
ポーラトランジスタについて説明するが、エミッタ電極
の本数や、能動素子領域の数がこれ以上であっても同様
に説明できる。
である。便宜上、各単一能動素子領域に配置するエミッ
タ電極を３本、能動素子領域の数３を有するくし形バイ
ポーラトランジスタについて説明するが、エミッタ電極
の本数や、能動素子領域の数がこれ以上であっても同様
に説明できる。
能動素子領域１ ａｌ＋ １ ａ２＋ １ ｍｌは
同一の構造とし、それぞれの単一能動素子領域１ ｍｌ
＋ １ ａ２＋１３３内の単位トランジスタのエミッタ
電極３，１１〜３ａ＋ｉ＋・・・には、それぞれの単位
トランジスタ（各エミッタ領域に着目していう）の動作
の均一化を行うため、第１の安定化抵抗４，１１４ ｍ
１２．４ ｍ１３ 、・・・を接続しである。４１１４
ｍ１３．４ ａ□＋ ＋ ４ａ２ｑ 、 ４ａ３ｔ
、 ４１１３３は全て同一に設計されている。４．１□
、４ｆ、□２，４゜２も同一であり、４＊１１＋・・・
より抵抗値は大きくしである。このとき、能動素子領域
１ａ１と能動素子領域１．３は、ペレット８ａの外周部
にあり、能動素子領域１．２は中心部にあるため、発熱
体の中央部であること、ポンディングパッドであるエミ
ッタ電極７．１までの距離が近いため、他のものに比較
するとエミッタ電極波７６□の分だけ抵抗値が小さいな
どの理由から、他の能動素子領域より、温度が上昇しや
すく、熱バランスがくずれやすくなるので、接続型ｆｉ
５−ｓ、 ５−３及びエミッタ電極波７１２との間には
、それぞれ第２の安定化抵抗６１１１＋ ６８１を挿入
し、温度の上がりやすい能動素子領域１．２には、接続
電極５．２とエミッタ電極７．１との間に第２の安定化
抵抗６−２（６−１，６−ｓより抵抗値が大きい）を挿
入し、他の能動素子領域１ ｍｌ＋ １ ｍｓより抵抗
値を大きくし、各能動領域が均一に働いてペレット内温
度分布が均一化されることを図っている。なお、第２の
安定化抵抗は、第１の安定化抵抗より寸法が大きくなっ
ているので、加工精度がよい。
同一の構造とし、それぞれの単一能動素子領域１ ｍｌ
＋ １ ａ２＋１３３内の単位トランジスタのエミッタ
電極３，１１〜３ａ＋ｉ＋・・・には、それぞれの単位
トランジスタ（各エミッタ領域に着目していう）の動作
の均一化を行うため、第１の安定化抵抗４，１１４ ｍ
１２．４ ｍ１３ 、・・・を接続しである。４１１４
ｍ１３．４ ａ□＋ ＋ ４ａ２ｑ 、 ４ａ３ｔ
、 ４１１３３は全て同一に設計されている。４．１□
、４ｆ、□２，４゜２も同一であり、４＊１１＋・・・
より抵抗値は大きくしである。このとき、能動素子領域
１ａ１と能動素子領域１．３は、ペレット８ａの外周部
にあり、能動素子領域１．２は中心部にあるため、発熱
体の中央部であること、ポンディングパッドであるエミ
ッタ電極７．１までの距離が近いため、他のものに比較
するとエミッタ電極波７６□の分だけ抵抗値が小さいな
どの理由から、他の能動素子領域より、温度が上昇しや
すく、熱バランスがくずれやすくなるので、接続型ｆｉ
５−ｓ、 ５−３及びエミッタ電極波７１２との間には
、それぞれ第２の安定化抵抗６１１１＋ ６８１を挿入
し、温度の上がりやすい能動素子領域１．２には、接続
電極５．２とエミッタ電極７．１との間に第２の安定化
抵抗６−２（６−１，６−ｓより抵抗値が大きい）を挿
入し、他の能動素子領域１ ｍｌ＋ １ ｍｓより抵抗
値を大きくし、各能動領域が均一に働いてペレット内温
度分布が均一化されることを図っている。なお、第２の
安定化抵抗は、第１の安定化抵抗より寸法が大きくなっ
ているので、加工精度がよい。
安定化抵抗のペレット全体の合成値が０，１〜１．５Ω
である一般的な高周波高出力用トランジスタの場合、各
単位能動素子領域に接続するバラスト抵抗（第１．第２
の安定化抵抗）を、ペレット中央部に接続する抵抗合成
値が周辺部のそれに比べ１０〜２０％大きくなるように
選ぶと、各単位能動素子領域に同一のバラスト抵抗のみ
を設けた場合に生じる能動素子領域間の温度差１０〜２
０℃がなくなり、利得及び出力が０．２〜１ｄＢ改善さ
れる。
である一般的な高周波高出力用トランジスタの場合、各
単位能動素子領域に接続するバラスト抵抗（第１．第２
の安定化抵抗）を、ペレット中央部に接続する抵抗合成
値が周辺部のそれに比べ１０〜２０％大きくなるように
選ぶと、各単位能動素子領域に同一のバラスト抵抗のみ
を設けた場合に生じる能動素子領域間の温度差１０〜２
０℃がなくなり、利得及び出力が０．２〜１ｄＢ改善さ
れる。
第２図は本発明の第２の実施例を示すペレットの平面図
である。
である。
この場合、各単位能動素子領域ごとに安定化抵抗を挿入
する点においては、従来と何ら変わることのない構造で
あるが、各単位能動素子領域に入れた安定化抵抗の並列
合成値を変化させる。すなわち、ペレットの外周部に近
い単位能動素子領域１ｂ＋、１ｂｓに接続する第１の安
定化抵抗４ｂ１１〜４ｂｌｑ 、４ｂ３＋〜４ｂ３３の
並列抵抗合成値は、発熱体の中央部にある単位能動素子
領域１ｂ２に接続するものの並列抵抗合成値よりも小さ
くしである。この実施例の場合、安定化抵抗の占有面積
が小さくなるので、ペレットの面積利用率が向上すると
いう利点がある。
する点においては、従来と何ら変わることのない構造で
あるが、各単位能動素子領域に入れた安定化抵抗の並列
合成値を変化させる。すなわち、ペレットの外周部に近
い単位能動素子領域１ｂ＋、１ｂｓに接続する第１の安
定化抵抗４ｂ１１〜４ｂｌｑ 、４ｂ３＋〜４ｂ３３の
並列抵抗合成値は、発熱体の中央部にある単位能動素子
領域１ｂ２に接続するものの並列抵抗合成値よりも小さ
くしである。この実施例の場合、安定化抵抗の占有面積
が小さくなるので、ペレットの面積利用率が向上すると
いう利点がある。
以上説明したように本発明は、能動素子領域単位にエミ
ッタ電極と単位トランジスタのエミッタ電極との間に挿
入する安定化抵抗の抵抗値をペレット中央部に配置され
るものを周辺部のそれより大きくすることにより、各能
動素子領域の温度上昇が均一となり、熱バランスがくず
れず高利得の高周波高出力用半導体素子が得られるとい
う効果がある。
ッタ電極と単位トランジスタのエミッタ電極との間に挿
入する安定化抵抗の抵抗値をペレット中央部に配置され
るものを周辺部のそれより大きくすることにより、各能
動素子領域の温度上昇が均一となり、熱バランスがくず
れず高利得の高周波高出力用半導体素子が得られるとい
う効果がある。
′７ｂ２・・・エミッタ電極波。
Claims (1)
- 同一ペレット内に複数の単位トランジスタを有する能動
素子領域を複数個有し、前記各能動素子領域の単位トラ
ンジスタのエミッタ電極とそれぞれ安定化抵抗を介して
接続されたエミッタ電極を備えた高周波高出力用半導体
装置において、前記各能動素子領域あたりの安定化抵抗
の合成値に関しペレット中央部にあるものよりペレット
周辺部にあるものを小さく設定したことを特徴とする高
周波高出力用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156107A JPH025431A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 高周波高出力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156107A JPH025431A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 高周波高出力用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025431A true JPH025431A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15620464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156107A Pending JPH025431A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 高周波高出力用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5092846A (en) * | 1989-11-07 | 1992-03-03 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Introducer for medical tube |
| US7235860B2 (en) | 2001-07-27 | 2007-06-26 | Nec Electronics Corporation | Bipolar transistor including divided emitter structure |
| JP2018056320A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び増幅器 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63156107A patent/JPH025431A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5092846A (en) * | 1989-11-07 | 1992-03-03 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Introducer for medical tube |
| US7235860B2 (en) | 2001-07-27 | 2007-06-26 | Nec Electronics Corporation | Bipolar transistor including divided emitter structure |
| US7239007B2 (en) | 2001-07-27 | 2007-07-03 | Nec Electronics Corporation | Bipolar transistor with divided base and emitter regions |
| JP2018056320A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置及び増幅器 |
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