JPH0254192A - Detecting device of neutron ray - Google Patents
Detecting device of neutron rayInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ 検出装置の改良に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] Related to improvements in detection devices.
（従来の技術）
近年、核融合の分野、例えばプラズマ実験設備には、各
種の計測装置が備えられている。その一つとして、プラ
ズマ発生装置から放射される中性子線を測定する中性子
線検出装置が備えられている。そして、この種の中性子
線検出装置としては従来から、（ａ）比例計数管を用い
るもの、（ｂ）ａ縮つラン等の核物質を電離箱やＳＳＤ
にコーティングし、中性子によるフィッションを検出す
るもの、（Ｃ）リチウムＬｉをＳＳＤ等にコーティング
し、リチウムＬｉの（ｎ、 α）反応により生じるα
線を測定するもの等が使用されている。(Prior Art) In recent years, the field of nuclear fusion, for example, plasma experiment equipment, has been equipped with various measuring devices. One of them is a neutron beam detection device that measures neutron beams emitted from a plasma generator. Conventionally, this type of neutron beam detection device has been used (a) to use a proportional counter, and (b) to detect nuclear material such as a shrinking run in an ionization chamber or SSD.
(C) Lithium Li is coated on SSD, etc., and α generated by the (n, α) reaction of lithium Li is detected.
A device that measures lines, etc. is used.
しかしながら、上述した各々の中性子線検出装置には、
次のような聞届がある。However, each of the above-mentioned neutron beam detection devices has
There is a hearing as follows.
（ａ）比例計数管を用いる中性子線検出装置応答性と感
度が他の装置に比べて悪く、応答性と感度が必要とされ
る測定には使用することができない。(a) Neutron beam detection device using a proportional counter The response and sensitivity of this device are poor compared to other devices, and it cannot be used for measurements that require responsiveness and sensitivity.
（ｂ）濃縮ウラン等をコーティングする中性子線検出装
置
核物質を使用するために、その皐扱いが問題となる。例
えば、メーカーの工場に持込むことが容易にできないこ
と、また場所を移す時には届は出。(b) Neutron beam detection equipment that coats enriched uranium etc. Since nuclear materials are used, handling of the material becomes a problem. For example, it is not easy to bring the product to the manufacturer's factory, and a notification is required when moving the product to another location.
許可が必要となること等が挙げられる。For example, permission is required.
（Ｃ）リチウムＬｉをＳＳＤ等にコーティングする中性
子線検出装置
これは、リチウムＬｉの（ｎ′、α）反応を利用するも
ので、
という反応式でα線が発生する。この種の検出装置の問
題は、もともとＳＳＤがα線とγ線の両方を検出するた
め、中性子線のみの計測にならず、中性子線とγ線の両
方を計測してしまうことである。そこで、かかる問題を
回避するために、ＳＳＤの出力を波高弁別することや、
α線しか計測しない検出器（例えば、ＺｎＳ検出器）等
にリチウ゛ムＬｉをコーティングすることも考えられる
。(C) Neutron beam detection device that coats SSD, etc. with lithium Li This uses the (n', α) reaction of lithium Li, and α rays are generated according to the following reaction formula. The problem with this type of detection device is that since SSDs originally detect both α-rays and γ-rays, they do not measure only neutrons, but both neutrons and γ-rays. Therefore, in order to avoid such problems, it is necessary to discriminate the wave height of the SSD output,
It is also conceivable to coat a detector that measures only α-rays (for example, a ZnS detector) with lithium Li.
しかしながら、前者ではγ線のスペクトルと中性子線の
スペクトルとが重なる部分があるため、完全な波高弁別
を行なうことができず、また後者では十分な応答性と感
度が得られないことから、何んら問題の解決占はならな
い。However, with the former, there are parts where the γ-ray spectrum and the neutron spectrum overlap, so it is not possible to perform complete pulse height discrimination, and with the latter, sufficient responsiveness and sensitivity cannot be obtained. There is no divination to solve the problem.
（発明が解決しようとする課題）
以上のように、従来の中性子線検出装置では、核物質を
使用するため取扱いが困難であるとか、中性子線のみを
計測することができないとか、応答性が悪く感度が低い
という問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, conventional neutron beam detection devices have problems such as difficulty in handling because they use nuclear materials, inability to measure only neutron beams, and poor responsiveness. There was a problem with low sensitivity.
本発明の目的は、核物質を使用することなく。The aim of the invention is to do so without using nuclear materials.
かつ中性子線のみを計測することが可能な応答性が良く
しかも感度の高い中性子線検出装置を提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide a neutron beam detection device that can measure only neutron beams and has good responsiveness and high sensitivity.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために本発明では、表面にフッ化
リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）がコーティングされ、中性子線
と７線とを検出する半導体検出器と、半導体検出器から
の出力を可変設定されるゲインで増幅する増幅器と、増
幅器からの出力を入力とし、第１のディスクリレベルを
超えるもののみ通過させる第１のディスクリ回路と、増
幅器からの出力を入力とし、第１のディスクリレベルと
大きさの異なる第２のディスクリレベルを超えるものの
み通過させる第２のディスクリ回路と、一定の条件下で
増幅器のゲインを可変設定すると共に、それぞれの設定
ゲインの下で得られる第１および第２の各ディスクリ回
路からの出力に基づいて所定の演算を行ない中性子線の
みの量を算出する演算処理手段とを備えて構成している
。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor whose surface is coated with lithium fluoride (L i F) and which detects neutron beams and 7-rays. a detector, an amplifier that amplifies the output from the semiconductor detector with a gain that is variably set, and a first discret circuit that receives the output from the amplifier and passes only those exceeding the first discret level; A second discret circuit that receives the output from the amplifier as an input and passes only those that exceed a second discret level that is different in magnitude from the first discret level, and the gain of the amplifier is variably set under certain conditions. and calculation processing means for calculating the amount of only the neutron beam by performing predetermined calculations based on the outputs from the first and second discret circuits obtained under the respective set gains. ing.
（作用）
従って、本発明の中性子線検出装置においては、中性子
線とγ線とが半導体検出器で検出され、その出力が増幅
器である大きさのゲインで増幅されて第１および第２の
各ディスクリ回路に入力される。そして、大きさの異な
った第１および第２のディスクリレベルを超えるものの
みが、それぞれのディスクリ回路から出力されて演算処
理手段に入力される。演算処理手段では、一定の条件下
で増幅器のゲインを可変設定し、それぞれの設定ゲイン
下での各ディスクリ回路からの出力に基づいて所定の演
算を行ない、中性子線のみの量か算出して出力される。(Function) Therefore, in the neutron beam detection device of the present invention, neutron beams and gamma rays are detected by the semiconductor detector, and the output thereof is amplified by a gain of a certain magnitude by the amplifier, and the neutron beam and the γ ray are detected by the semiconductor detector. Input to the discret circuit. Then, only those exceeding the first and second discretization levels, which have different magnitudes, are output from the respective discretization circuits and input to the arithmetic processing means. The arithmetic processing means variably sets the gain of the amplifier under certain conditions, performs a predetermined calculation based on the output from each discretization circuit under each set gain, and calculates the amount of only the neutron beam. Output.
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は、本発明による中性子線検出装置の構成例を示
すブロック図である。中性子線検出装置は第１図に示す
ように、フッ化リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）シート１がコー
ティングされた半導体検出器２と、増幅器３と、第１の
ディスクリ回路４と、第２のディスクリ回路５と、計数
率演算処理部６とから構成している。FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of a neutron beam detection device according to the present invention. As shown in FIG. 1, the neutron beam detection device includes a semiconductor detector 2 coated with a lithium fluoride (L i F) sheet 1, an amplifier 3, a first discret circuit 4, and a second disc. It is composed of a recircuit 5 and a counting rate calculation processing section 6.
ここで、フッ化リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）シート１は、リ
チウムＬｉだけではコーティングできないため、フッ化
リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）としてシート状に加工したもの
である。半導体検出器２は、フッ化リチウム（Ｌ ｉ
Ｆ）シート１との組合わせで中性子線とγ線とを検出（
カウント）するもので、そのカウント値をパルス出力し
て送出するものである。Here, the lithium fluoride (L i F) sheet 1 cannot be coated with lithium Li alone, so it is processed into a sheet as lithium fluoride (L i F). The semiconductor detector 2 is made of lithium fluoride (Li
F) Detects neutron beams and gamma rays in combination with sheet 1 (
It counts) and sends out the count value as a pulse output.
また、増幅器３は、半導体検出器２からの出力パルスを
所定の大きさのゲインで増幅するもので、後述する計数
率演算処理部６からの信号により、そのゲインの大きさ
を可変設定できるようになっている。一方、第１のディ
スクリ回路４は、増幅器３からの出力パルスを入力とし
、この出力パルスの波高が第１のディスクリレベルＤ１
を超えるもののみ通過させるものである。また、第２の
ディスクリ回路５は、同じく増幅器３からの出力パルス
を入力とし、この出力パルスの波高が第２のディスクリ
レベルＤ２を超えるもののみ通過させるものである。こ
の場合、第１のディスクリレベルＤ１と第２のディスク
リレベルＤ２は大きさの異なる値に設定してあり、本実
施例では第１のディスクリレベルＤ１よりも第２のディ
スクリレベルＤ２を大きい値（ＤＩ＜Ｄ２）に設定して
いる。The amplifier 3 amplifies the output pulse from the semiconductor detector 2 with a predetermined gain, and the gain can be variably set by a signal from the count rate calculation processing section 6, which will be described later. It has become. On the other hand, the first discretization circuit 4 inputs the output pulse from the amplifier 3, and the wave height of this output pulse reaches the first discretization level D1.
Only those exceeding 100% are allowed to pass through. Further, the second discretization circuit 5 similarly receives the output pulses from the amplifier 3 as input, and allows only those output pulses whose wave height exceeds the second discretization level D2 to pass through. In this case, the first discretization level D1 and the second discretization level D2 are set to different values, and in this embodiment, the second discretization level D2 is higher than the first discretization level D1. is set to a large value (DI<D2).
さらに、計数率演算処理部６は、一定の条件下で増幅器
３のゲインをＫとに゛に可変設定するための信号を増幅
器３へ与えると共に、それぞれの設定ゲインに、に−の
下で得られる第１および第２の各ディスクリ回路４，５
からの出力パルスをカウントし、これらのカウント値に
基づいて後述するアルゴリズムで演算を行ない、中性子
線のみのカウント数を算出するものである。Furthermore, the count rate arithmetic processing unit 6 provides a signal for variably setting the gain of the amplifier 3 to K and 2 under certain conditions, and also provides a signal to the amplifier 3 to variably set the gain of the amplifier 3 to K and . each of the first and second discreet circuits 4, 5
The number of counts for only neutron beams is calculated by counting the output pulses from the neutron beam and performing calculations using an algorithm described later based on these count values.
次に一１以上の如く構成した中性子線検出装置の作用に
ついて説明する。Next, the operation of the neutron beam detection device constructed as described above will be explained.
第１図において、フッ化リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）シート
１および半導体検出器２で中性子線とγ線が検出（カウ
ント）され、そのカウント値はパルス出力として増幅器
３に送出され、所定の大きさのゲインで増幅される。Ｓ
ＳＤはエネルギーに比例したパルスを発生するため、増
幅器３の出力がら、検出した放射線のエネルギースペク
トルが得られる。ここで、いま増幅器３のゲインをＫと
した場合のエネルギースペクトルは、第２図の実線で示
すような形になり、第２図中のＡがγ線のスペクトルで
、Ｂが中性子線のスペクトルである。In FIG. 1, neutron beams and gamma rays are detected (counted) by a lithium fluoride (L i F) sheet 1 and a semiconductor detector 2, and the count value is sent to an amplifier 3 as a pulse output, and is is amplified with a gain of S
Since the SD generates a pulse proportional to energy, the energy spectrum of the detected radiation can be obtained from the output of the amplifier 3. Now, if the gain of amplifier 3 is K, the energy spectrum will be as shown by the solid line in Figure 2, where A is the spectrum of γ-rays and B is the spectrum of neutrons. It is.
また、第１のディスクリレベルＤ１および第２のディス
クリレベルＤ２は、第２図に示す如く設定している。よ
って、第１のディスクリ回路４を通過する増幅器３から
の出力パルスは、第２図の第１のディスクリレベルＤ１
のラインよりも右側にあるパルスとなり、第２のディス
クリ回路５を通過する増幅器３からの出力パルスは、第
２図の第２のディスクリレベルＤ２のラインよりも右側
にあるパルスとなる。いま、第２図に示すようにａ、ｂ
、ｄをそれぞれ定義する。すなわち、ａはγ線の測定パ
ルスで、第１のディスクリレベルＤ１よりも大きい（右
側にある）パルスのカウント数とする。また、ｂは中性
子線の測定パルスで、第２のディスクリレベルＤ２より
も小さい（左側にある）パルスのカウント数とする。さ
らに、Ｃは中性子線の測定パルスで、第２のディスクリ
レベルＤ２よりも大きい（右側にある）パルスのカウン
ト数とする。Further, the first discretization level D1 and the second discretization level D2 are set as shown in FIG. Therefore, the output pulse from the amplifier 3 passing through the first discretization circuit 4 is at the first discretization level D1 in FIG.
The output pulse from the amplifier 3 passing through the second discretization circuit 5 becomes a pulse to the right of the line of the second discretization level D2 in FIG. Now, as shown in Figure 2, a, b
, d are defined respectively. That is, a is a gamma ray measurement pulse, and is the count number of pulses that are larger (on the right side) than the first discretization level D1. Further, b is a measurement pulse of the neutron beam, and is the count number of pulses smaller than the second discretization level D2 (located on the left side). Furthermore, C is the measurement pulse of the neutron beam, and is the count number of pulses larger than the second discretization level D2 (on the right side).
次に、増幅器３のゲインをに−と少し大きくとした場合
のエネルギースペクトルは、第２図の破線で示すような
形になる。これは、実線で亀がれたエネルギースペクト
ルを、そのまま右ヘシフトした形と考えてよい。そして
、この場合における上述したａ、ｂ、ｄと同じ定義のカ
ウント数をａ ＋ｂ−＋ ｄ−とする。Next, when the gain of the amplifier 3 is increased slightly to -, the energy spectrum becomes as shown by the broken line in FIG. This can be thought of as the energy spectrum curved by the solid line shifted to the right. In this case, the count number having the same definition as a, b, and d described above is assumed to be a+b-+d-.
今、計数率演算処理部６による増幅器３のゲインの調整
を、
１ （ａ＋ｂ） ／ｄ −（ａ −＋ｂ ”） ／ｄ
−１くσ （σは十分少さい定数）
となるように行なう。ここで、（ａ＋ｂ）や（ａ ＋
ｂ”）は、第１のディスクリ回路４の出力から第２のデ
ィスクリ回路５の出力を減算することで得られる。また
、ｄやｄ゛は第２のディスクリ回路５の出力そのもので
ある。さらに、その他側定値から演算し得る値として（
ａ−−ａ）。Now, the gain of the amplifier 3 is adjusted by the count rate calculation processing unit 6 as follows: 1 (a+b) /d −(a −+b ”) /d
-1 x σ (σ is a sufficiently small constant). Here, (a + b) or (a +
b") can be obtained by subtracting the output of the second discreet circuit 5 from the output of the first discret circuit 4. Also, d and d' are the outputs of the second discret circuit 5 themselves. In addition, as a value that can be calculated from other constant values, (
a--a).
（ｂ−ｂ”）がある。（ａ−−ａ）は、ゲインを変えて
もエネルギースペクトルは左右にシフトするだけで総数
は変わらないので、総カウント数から第１のディスクリ
回路４の出力を減算することて求まる。また、（ｂ−ｂ
”）は、同じく（ｄ”−ｄ）で求まる。(b-b''). (a--a) is the output of the first discret circuit 4 from the total count number because even if the gain is changed, the energy spectrum only shifts left and right and the total number remains the same. It can be found by subtracting (bb
”) is similarly found by (d”-d).
いま、
１ （ａ十ｂ） Ｉｄ −（ａ ”＋ｂ ”） ／ｄ
−くσζ０
と考えると、次のような式が成立つ。Now, 1 (a + b) Id - (a ``+b '') /d
- σζ0, the following formula holds true.
ここで、ｘ、ｘ、ｕ、ｖは上述の如く測定値から計算で
きる値である。また、ｄ、ｄ″はａｌｌ定値である。Here, x, x, u, and v are values that can be calculated from the measured values as described above. Further, d and d'' are all constant values.
従って、計数率演算処理部６では増幅器３のゲインの大
きさをに、に−と可変設定し、それぞれの設定ゲインに
、に−の下で得られる第１．第２の各ディスクリ回路４
．５からの出力パルスをカウントし、さらにこれらのカ
ウント値に基づいて上述した５つの式を連立方程式とし
て解くことにより、ａ、ｂ、ａ”、ｂ−が得られる。そ
して、（ｂ 十ｄ）または（ｂ−十（１”）を演算する
ことにより、中性子線のみのカウント数が算出されるこ
とになる。Therefore, the count rate arithmetic processing unit 6 variably sets the gain of the amplifier 3 to - and -, and the first . Each second discreet circuit 4
．． By counting the output pulses from 5 and solving the above five equations as simultaneous equations based on these count values, a, b, a'', b- are obtained. Then, (b 10d) Or, by calculating (b-10(1'')), the count number of only neutron beams is calculated.
次に、計数率演算処理部６におけるアルゴリズムについ
て、より具体的に述べる。Next, the algorithm in the count rate calculation processing section 6 will be described in more detail.
（ａ）γ線、中性子線が長時間同じ状態で照射されてい
る場合。(a) When γ-rays and neutron beams are irradiated in the same state for a long time.
第３図は、この場合におけるアルゴリズムを示す１９１
７図である。第３図において、６１゜６２は第１．第２
のカウンタ分周回路、６３は判定部、６４はゲイン設定
信号出力部を示すものである。Figure 3 shows the algorithm in this case.
Figure 7. In FIG. 3, 61°62 is the 1st. Second
63 is a determination section, and 64 is a gain setting signal output section.
すなわち、増幅器３のゲインはある一定の初期値を持っ
ており、この初期値でのカウント数を求める。次に、増
幅器３のゲインを大きくして（ａ−＋ｂ−）／ｂ−を求
める。そして、この値（ａ ＋ｂ−）／ｂ−と、初期
値を使用した時の値（ａ＋ｂ）／ｂとの差を求め、これ
が一定値以下となるか否かを判定し、一定値以下でなけ
ればさらに少しゲインを大きくし、再度初期値との差を
求めて一定値以下となるか否かを判定する。以上を繰返
して、
（ａ＋ｂ） ／ｄ −（ａ −＋ｂ ”） ／ｄ ”く
σ （一定値）
となるまで実行し、この式が成立した時点での（ａ
＋ｂ−）、ｕ、ｖ、ｄ−を用いて前述の連立方程式を解
くことにより、中性子線のみのカウント数が求まる。そ
して、中性子線のみのカウント数が求まった後に自動リ
セットし、元の初期値にゲインを戻しておく。That is, the gain of the amplifier 3 has a certain initial value, and the count number at this initial value is determined. Next, the gain of the amplifier 3 is increased to find (a-+b-)/b-. Then, find the difference between this value (a + b-)/b- and the value (a + b)/b when using the initial value, judge whether this is below a certain value, and check if it is below a certain value. If not, the gain is increased a little further, and the difference from the initial value is determined again to determine whether the value is below a certain value. Repeat the above steps until (a + b) / d - (a - + b '') / d '' σ (constant value), and when this formula is established, (a
By solving the above-mentioned simultaneous equations using +b-), u, v, and d-, the count number of only neutron beams can be found. Then, after the count number of only the neutron beam is determined, it is automatically reset and the gain is returned to the original initial value.
（ｂ）γ線、中性子線がダイナミックに変化する場合。(b) When gamma rays and neutron beams change dynamically.
第４図は、この場合におけるアルゴリズムを示すブロッ
ク図である。第４図において、６１゜６２は第１．第２
のカウンタ分周回路、６５゜６６は第１．第２のレート
演算処理部、６７は演算部、６８は減算器、６９はゲイ
ン調整アルゴリズム、Ｒはリセットスイッチを示すもの
である。FIG. 4 is a block diagram showing the algorithm in this case. In FIG. 4, 61°62 is the 1st. Second
The counter frequency divider circuit, 65°66, is the first. In the second rate calculation processing section, 67 is a calculation section, 68 is a subtracter, 69 is a gain adjustment algorithm, and R is a reset switch.
すなわち、増幅器３のゲインはある一定の初期値を持っ
ており、この初期値からゲインをダイナミックに変化さ
せる。この変化させるアルゴリズムとして、第１のディ
スクリ４からの出力をレート演算処理したデータと、第
２のディスクリ５からの出力をレート演算処理したデー
タとにより、（ａ十ｂ）／ｄ−（ａ ＋ｂ−）／ｄ”
＜σとなるようにゲインを調整する。このゲイン調整は
、（ａ十ｂ）／ｄが常に一定値となるようにフィードバ
ック制御することであり、このためのアルゴリズムを計
数率演算処理部６に持たせておく。That is, the gain of the amplifier 3 has a certain initial value, and the gain is dynamically changed from this initial value. As an algorithm for this change, (a + b) / d - ( a + b-)/d”
Adjust the gain so that <σ. This gain adjustment is performed by feedback control so that (a + b)/d is always a constant value, and the counting rate calculation processing section 6 is provided with an algorithm for this purpose.
また、計数率演算処理部６にはリセットスイッチＲ等を
設けてあり、必要に応じて元のゲインに戻せるようにし
ている。Further, the count rate calculation processing section 6 is provided with a reset switch R, etc., so that the original gain can be returned as necessary.
上述したように、本実施例の中性子線検出装置は、表面
にフッ化リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）シート１がコーティン
グされ、中性子線とγ線とを検出する半導体検出器２と
、半導体検出器２からの出力を可変設定されるゲインで
増幅する増幅器３と、増幅器３からの出力を入力とし、
第１のディスクリレベルＤ１を超えるもののみ通過させ
る第１のディスクリ回路４と、増幅器３からの出力を入
力とし、第１のディスクリレベルＤ１と大きさの異なる
第２のディスクリレベルＤ２を超えるもののみ通過させ
る第２のディスクリ回路５と、一定の条件下で増幅器３
のゲインを可変設定すると共に、それぞれの設定ゲイン
の下で得られる第１および第２の各ディスクリ回路４．
５からの出力に基づいて所定のアルゴリズムで演算を行
ない、中性子線のみのカウント数を算出する計数率演算
処理部６とから構成したものである。As described above, the neutron beam detection device of this embodiment includes a semiconductor detector 2 whose surface is coated with a lithium fluoride (L i F) sheet 1 and which detects neutron beams and gamma rays; an amplifier 3 that amplifies the output from the amplifier with a gain that is variably set; and the output from the amplifier 3 as input;
A first discretization circuit 4 that passes only those exceeding the first discretization level D1, and a second discretization level D2 whose magnitude is different from the first discretization level D1, which receives the output from the amplifier 3 as input. a second discreet circuit 5 that passes only those exceeding
The gain of each of the first and second discret circuits 4. is variably set and obtained under each set gain.
and a count rate calculation processing section 6 which performs calculations based on the output from 5 using a predetermined algorithm and calculates the count number of only neutron beams.
従って、次のような種々の効果が得られるものである。Therefore, the following various effects can be obtained.
（ａ）中性子線のみのカウント数を、単一の検出装置の
みで計Ｍ１することが可能である。(a) It is possible to count only M1 neutron beams using only a single detection device.
（ｂ）各物質を使用していないので、取扱いが極めて容
易である。(b) Since no substances are used, handling is extremely easy.
（ｃ）ＳＳＤを使用しているので、応答性が良く、なお
かつ高い感度を得ることが可能である。(c) Since SSD is used, it is possible to obtain good response and high sensitivity.
（ｄ）ゲイン１週整、演算処理等は全てソフト処理でき
るので、装置構成をシンプル化することが可能である。(d) Since the gain adjustment, arithmetic processing, etc. can all be performed by software, it is possible to simplify the device configuration.
以上説明したように本発明によれば、核物質を使用する
ことなく、かつ中性子線のみを計測することが可能な応
答性が良くしかも感度の高い中性子線検出装置が提供で
きる。As explained above, according to the present invention, it is possible to provide a neutron beam detection device that can measure only neutron beams without using nuclear material, has good responsiveness, and is highly sensitive.
第１図は本発明による中性子線検出装置の一実施例を示
すブロック図、第２図は同実施例における作用を説明す
るだめのエネルギースペクトル図、第３図および第４図
は同実施例におけるアルゴリズムをそれぞれ具体的に示
すブロック図である。
１・・・フッ化リチウム（Ｌ ｉ Ｆ）シート、２・・
・半導体検出器、３・・・増幅器、４・・・第１のディ
スクリ回路、５・・・第２のディスクリ回路、６・・・
計数率演算処理部。
出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
第１図Fig. 1 is a block diagram showing an embodiment of the neutron beam detection device according to the present invention, Fig. 2 is an energy spectrum diagram for explaining the operation of the embodiment, and Figs. FIG. 3 is a block diagram specifically showing each algorithm. 1... Lithium fluoride (L i F) sheet, 2...
- Semiconductor detector, 3... Amplifier, 4... First discret circuit, 5... Second discret circuit, 6...
Counting rate calculation processing unit. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1
Claims (1)
中性子線とγ線とを検出する半導体検出器と、 前記半導体検出器からの出力を可変設定されるゲインで
増幅する増幅器と、 前記増幅器からの出力を入力とし、第１のディスクリレ
ベルを超えるもののみ通過させる第１のディスクリ回路
と、 前記増幅器からの出力を入力とし、前記第１のディスク
リレベルと大きさの異なる第２のディスクリレベルを超
えるもののみ通過させる第２のディスクリ回路と、 一定の条件下で前記増幅器のゲインを可変設定すると共
に、それぞれの設定ゲインの下で得られる前記第１およ
び第２の各ディスクリ回路からの出力に基づいて所定の
演算を行ない中性子線のみの量を算出する演算処理手段
と、 を備えて成ることを特徴とする中性子線検出装置。[Claims] The surface is coated with lithium fluoride (LiF),
a semiconductor detector that detects neutron beams and gamma rays; an amplifier that amplifies the output from the semiconductor detector with a gain that is variably set; a first discretization circuit that only allows things to pass; and a second discretization circuit that receives the output from the amplifier as an input and allows only things that exceed a second discretization level, which is different in magnitude from the first discretization level, to pass through. variably setting the gain of the amplifier under certain conditions, and performing a predetermined calculation based on the outputs from the first and second discret circuits obtained under each set gain to generate neutrons. A neutron beam detection device comprising: arithmetic processing means for calculating the amount of only the rays;
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20433988A JPH0254192A (en) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | Detecting device of neutron ray |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20433988A JPH0254192A (en) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | Detecting device of neutron ray |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254192A true JPH0254192A (en) | 1990-02-23 |
Family
ID=16488865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20433988A Pending JPH0254192A (en) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | Detecting device of neutron ray |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254192A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150105604A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | National Tsing Hua University | Filter and neutron beam source including the same |
| JP2019531482A (en) * | 2016-10-21 | 2019-10-31 | ペルキネルマー ヘルス サイエンシーズ， インコーポレイテッド | System and method for radiation detection using improved event type discrimination |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP20433988A patent/JPH0254192A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150105604A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | National Tsing Hua University | Filter and neutron beam source including the same |
| US9789340B2 (en) * | 2013-10-15 | 2017-10-17 | Industrial Technology Research Institute | Filter and neutron beam source including the same |
| JP2019531482A (en) * | 2016-10-21 | 2019-10-31 | ペルキネルマー ヘルス サイエンシーズ， インコーポレイテッド | System and method for radiation detection using improved event type discrimination |
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