JPH025403A - 露光装置用のダミーウエハ - Google Patents
露光装置用のダミーウエハInfo
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- JPH025403A JPH025403A JP63155459A JP15545988A JPH025403A JP H025403 A JPH025403 A JP H025403A JP 63155459 A JP63155459 A JP 63155459A JP 15545988 A JP15545988 A JP 15545988A JP H025403 A JPH025403 A JP H025403A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野ン
本発明はIC,LSI等の半導体素子製造に際して用い
られる露光装置用のダミーウェハに関し、特にレチクル
やマスク(以下「レチクル」という。)等の第1物体而
上に形成された電子回路等のパターンを直接若しくは投
影レンズ等の光学手段を介してウェハ面等の第2物体面
上に露光転写する際に第2物体面上のパターン領域の照
明ムラを検出する為の露光装置用のダミーウェハに関す
るものである。
られる露光装置用のダミーウェハに関し、特にレチクル
やマスク(以下「レチクル」という。)等の第1物体而
上に形成された電子回路等のパターンを直接若しくは投
影レンズ等の光学手段を介してウェハ面等の第2物体面
上に露光転写する際に第2物体面上のパターン領域の照
明ムラを検出する為の露光装置用のダミーウェハに関す
るものである。
(従来の技術)
従来よりIC,LSI等の半導体素子製造用の露光装置
には照明用光源として、例えば超高圧水銀灯のような連
続発振する光源か用いられている。このとき被照射面上
の照度ムラの測定は投影レンズの像面位置に略合致した
どンホール板とその後方に配置した受光素子とから成る
受光器を被照射面内で像面方向に移動させ、各々の位置
における光量を検出して行っている。
には照明用光源として、例えば超高圧水銀灯のような連
続発振する光源か用いられている。このとき被照射面上
の照度ムラの測定は投影レンズの像面位置に略合致した
どンホール板とその後方に配置した受光素子とから成る
受光器を被照射面内で像面方向に移動させ、各々の位置
における光量を検出して行っている。
露光装置における投影パターンの微細化を図るうえで有
力な一手段として露光波長の短波長化がある。比較的短
波長(248r++++前後、)の光を発振する光源と
して、例えばエキシマレーザかある。エキシマレーザは
10〜20 n5ecのパルス発振をし、又可干渉性が
高いという特徴を有している。
力な一手段として露光波長の短波長化がある。比較的短
波長(248r++++前後、)の光を発振する光源と
して、例えばエキシマレーザかある。エキシマレーザは
10〜20 n5ecのパルス発振をし、又可干渉性が
高いという特徴を有している。
この為、エキシマレーザを露光装置に用いた場合には被
照射面上に光の可干渉性によるスペックルが発生し、照
度ムラとなってくる。この為揺動方式を用い多パルス発
振を行ないスペックルの平均化を図る必要がある。
照射面上に光の可干渉性によるスペックルが発生し、照
度ムラとなってくる。この為揺動方式を用い多パルス発
振を行ないスペックルの平均化を図る必要がある。
又、被照射面上の照度ムラを測定する場合には次のよう
な問題点があった。
な問題点があった。
(イ)短波長である為に受光素子の感度が低く感度不足
となってくる。
となってくる。
(ロ)パルス発振に対する応答性が低い。
(ハ)各測定点において毎回露光する為にエキシマレー
ザの寿命が短くなってくる。又露光毎の光量のバラツキ
に伴い積度が低下してくる。
ザの寿命が短くなってくる。又露光毎の光量のバラツキ
に伴い積度が低下してくる。
この他、従来の照度ムラの測定器はXYステージ上、ウ
ェハを支持するウェハチャックの近傍に固定配置されて
いる。
ェハを支持するウェハチャックの近傍に固定配置されて
いる。
この為投影レンズの像面が気圧の影響を受けて上下に移
動すると測定器はこれに追従することができず、像面と
どンホールとの不一致は、例えば対称デイスト−ジョン
の発生により測定誤差の原因となってくる等の問題点が
あった。
動すると測定器はこれに追従することができず、像面と
どンホールとの不一致は、例えば対称デイスト−ジョン
の発生により測定誤差の原因となってくる等の問題点が
あった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は被照射面上の光量分布を受光素子で直接測定し
て電気信号に変換する代わりに第1波長帯域の露光光の
照射により第2波長帯域の光に対して光学的特性(例え
ば透過率)が変化する感光材料、例えばホトクロミック
材料を基板面上に設けたダミーウェハを用い、該ダミー
ウェハ面上に照度分布を記憶し、該感光材料面上に形成
された照度分布を照明光の波長とは異った波長の光を用
いて測定することにより、被照射面上の照度ムラを迅速
にしかも高精度に測定することのできる、特に半導体製
造装置に好適な露光装置用のダミーウェハの提供を目的
とする。
て電気信号に変換する代わりに第1波長帯域の露光光の
照射により第2波長帯域の光に対して光学的特性(例え
ば透過率)が変化する感光材料、例えばホトクロミック
材料を基板面上に設けたダミーウェハを用い、該ダミー
ウェハ面上に照度分布を記憶し、該感光材料面上に形成
された照度分布を照明光の波長とは異った波長の光を用
いて測定することにより、被照射面上の照度ムラを迅速
にしかも高精度に測定することのできる、特に半導体製
造装置に好適な露光装置用のダミーウェハの提供を目的
とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る露光装置用のダミーウェハは、第1物体と
第2物体を対向させて位置合わせをし、該第1物体面上
のパターンを第2物体面上に第1波長帯域の光を用いて
露光転写する露光装置用のダミーウェハであって、その
基板面上に該第1波長帯域の光の照射により、第2波長
帯域の光に対して光学的性質が変化する書き込み及び消
去が可能な可逆性の感光材料を有していることである。
第2物体を対向させて位置合わせをし、該第1物体面上
のパターンを第2物体面上に第1波長帯域の光を用いて
露光転写する露光装置用のダミーウェハであって、その
基板面上に該第1波長帯域の光の照射により、第2波長
帯域の光に対して光学的性質が変化する書き込み及び消
去が可能な可逆性の感光材料を有していることである。
(実施例)
第1図は本発明に係る露光装置用のダミーウェハを露光
装置に適用したときの一実施例の概略図、第2図は第1
図のウェハステージ及びウェハ搬送系を含む一部分の平
面図である。
装置に適用したときの一実施例の概略図、第2図は第1
図のウェハステージ及びウェハ搬送系を含む一部分の平
面図である。
本実施例は所謂オフアクシスアライメント型の露光装置
を例にとり示している。
を例にとり示している。
第1図において照明系4からの光束はプラテン6により
保持されている第1物体としてのレチクル2を照射する
。そしてレチクル2面上に形成されている電子回路等の
パターンを投影レンズ1によって第2物体としてのウェ
ハ3面゛上に投影転写する。
保持されている第1物体としてのレチクル2を照射する
。そしてレチクル2面上に形成されている電子回路等の
パターンを投影レンズ1によって第2物体としてのウェ
ハ3面゛上に投影転写する。
レチクル2とウェハ3は各々不図示の搬送手段により交
換可能となっている。レチクル2の下部周辺にはレチク
ル2を装置の座標系に対して正しく配置するためのレチ
クル基準マーク5がレチクル2と僅かの間隙を有して配
置されている。レチクル2を挟んで対向する位置にはレ
チクル2をレチクル基準マーク5に対して位置合わせす
る為のレチクル顕微鏡7が設けられている。尚、レチク
ル顕微鏡7とレチクル基準マーク5は、例えばレチクル
中心を対称に2ケ所設けられている。
換可能となっている。レチクル2の下部周辺にはレチク
ル2を装置の座標系に対して正しく配置するためのレチ
クル基準マーク5がレチクル2と僅かの間隙を有して配
置されている。レチクル2を挟んで対向する位置にはレ
チクル2をレチクル基準マーク5に対して位置合わせす
る為のレチクル顕微鏡7が設けられている。尚、レチク
ル顕微鏡7とレチクル基準マーク5は、例えばレチクル
中心を対称に2ケ所設けられている。
レチクルアライメントはレチクル顕微鏡7によりレチク
ル2面上に設けたレチクルセットマークとレチクル基準
マーク5との相対位置誤差を読み取り、XYθ方向に移
動可能なレチクルステージ8によりレチクル2、及びプ
ラテン6を相対位置誤差が零に近つく方向に駆動させる
ことにより行う。そしてこのときの相対位置誤差が所定
の許容範囲になったら終了する。
ル2面上に設けたレチクルセットマークとレチクル基準
マーク5との相対位置誤差を読み取り、XYθ方向に移
動可能なレチクルステージ8によりレチクル2、及びプ
ラテン6を相対位置誤差が零に近つく方向に駆動させる
ことにより行う。そしてこのときの相対位置誤差が所定
の許容範囲になったら終了する。
投影レンズ1の近傍にウェハアライメント顕微鏡10が
配置されている。ウェハ3はウェハ保持台11に真空吸
着されて保持さ、れており、該ウェハ保持台11は回転
方向及び上下方向に移動可能なθZステージ12に保持
され、OZステージ12はXY力方向移動可能となるよ
うに構成されている。尚、ここでO方向はZ#1回りの
回転H向を示している。
配置されている。ウェハ3はウェハ保持台11に真空吸
着されて保持さ、れており、該ウェハ保持台11は回転
方向及び上下方向に移動可能なθZステージ12に保持
され、OZステージ12はXY力方向移動可能となるよ
うに構成されている。尚、ここでO方向はZ#1回りの
回転H向を示している。
XYステージ13の端部には7丈・向の(η置座標検出
の為の光学−″ニラー 14Yと、該光?ミラー14Y
に光束を入射させる為のレーザー干渉測長器(以下「干
渉計」という。)15Yか配置されている。同様にX方
向の位置座標検出の為の不図示の光学ミラー+ 4 X
、Lj不図示の1−4計15Xか配置されている。そ
し、て、これら2つぴ〕干渉計15X、、15Yを利用
し。てXYステージ13の位置そしてウェハ3ζ”)X
Y(1′7置座標を+A; 7j、取−Jている。
の為の光学−″ニラー 14Yと、該光?ミラー14Y
に光束を入射させる為のレーザー干渉測長器(以下「干
渉計」という。)15Yか配置されている。同様にX方
向の位置座標検出の為の不図示の光学ミラー+ 4 X
、Lj不図示の1−4計15Xか配置されている。そ
し、て、これら2つぴ〕干渉計15X、、15Yを利用
し。てXYステージ13の位置そしてウェハ3ζ”)X
Y(1′7置座標を+A; 7j、取−Jている。
以上のレチクル7・→イメント、ウェハ7ライメント、
そしてステージの位置情報等C)データ処理はルーチン
的に杓−)′1′−いる。又、S・−ケ〕・シャルな動
作等はコント−ワラ100内の制御装置20において行
っている。ジ(ブの作成、装置へのコマンド、バラメ・
−ター笠の設定は、ゴ〕・トーロラ100内のデイスプ
レィ2】、キーボード22に上り人力して行っている。
そしてステージの位置情報等C)データ処理はルーチン
的に杓−)′1′−いる。又、S・−ケ〕・シャルな動
作等はコント−ワラ100内の制御装置20において行
っている。ジ(ブの作成、装置へのコマンド、バラメ・
−ター笠の設定は、ゴ〕・トーロラ100内のデイスプ
レィ2】、キーボード22に上り人力して行っている。
第2図において30は投影レンズ1の光軸であり以下便
宜上、XYステージ13の原点0と一致させて説明する
。
宜上、XYステージ13の原点0と一致させて説明する
。
YIlt、X軸は光学ミラーt 4 X、、 14
Yノ::ラー面31X、31Yの方向で代表されている
。
Yノ::ラー面31X、31Yの方向で代表されている
。
ウェハ顕微鏡工0の光軸32(P、φ、)は本実施例に
おいては便宜上Y軸)(X=O,Y=−R,)の位置に
配置している。
おいては便宜上Y軸)(X=O,Y=−R,)の位置に
配置している。
19 :i三しンズ1の光軸30とウェハ顕微鏡100
九輔32との距Hxは、所謂Lt= ”Pi V (L
ise I inc>である。XYステージ13のスト
ロークはX)J[t・についてはウェハの最大口径り、
Y方向につい゛(は(D+!2.)か若し・くはそれに
近い値に設定されており、これによりウェハ顕微鏡10
によりつ「ハ3の表面全域の親寮及びウェハ3全域の露
光を行っている。
九輔32との距Hxは、所謂Lt= ”Pi V (L
ise I inc>である。XYステージ13のスト
ロークはX)J[t・についてはウェハの最大口径り、
Y方向につい゛(は(D+!2.)か若し・くはそれに
近い値に設定されており、これによりウェハ顕微鏡10
によりつ「ハ3の表面全域の親寮及びウェハ3全域の露
光を行っている。
投影レンズ1の投影可能領域はウェハ3全域てFl 3
5で示す領域であるが、 −R24にはレイクル2は矩
形状である:り、、有効領域は矩七項域36となってく
る。この領域36か1回の露光でウニA3面上にレチク
ル2[頁1Fのパターンが投影転写される領域である。
5で示す領域であるが、 −R24にはレイクル2は矩
形状である:り、、有効領域は矩七項域36となってく
る。この領域36か1回の露光でウニA3面上にレチク
ル2[頁1Fのパターンが投影転写される領域である。
XYステージ13はぞ−こに塔載したウニA 3の中心
か投影レンズ1の光軸30と合致するように描かれてい
るが、XYステージ13はこ′の位置に対し、X方向に
土D/2 、 Y方向に+D/2−(D/2+4)の範
囲内で移動可能である。
か投影レンズ1の光軸30と合致するように描かれてい
るが、XYステージ13はこ′の位置に対し、X方向に
土D/2 、 Y方向に+D/2−(D/2+4)の範
囲内で移動可能である。
本実施例においては露光済のウェハ2を回収し、未露光
のウェハをウェハチャ・ツタ上に載置する為にXYステ
ージ13を2点in線で小すようにQ点、x =−D/
2、Y =−(El/2 + n) (7)位置に移動
させることになる。
のウェハをウェハチャ・ツタ上に載置する為にXYステ
ージ13を2点in線で小すようにQ点、x =−D/
2、Y =−(El/2 + n) (7)位置に移動
させることになる。
一方、通常のウェハ連続処理ル・−チンの為に未露光ウ
ェハを収納したウェハカセット23から供給ヘルド24
等の搬送手段で、ウェハをプリアライメントステージ2
5.1:に移送し、プリアライメントステージ25にお
いてウェハの外形を基準に略位置決めした後、供給ハン
ト26によりウェハ受渡し位置Q点にあるウェハ保持台
11に載せられる。
ェハを収納したウェハカセット23から供給ヘルド24
等の搬送手段で、ウェハをプリアライメントステージ2
5.1:に移送し、プリアライメントステージ25にお
いてウェハの外形を基準に略位置決めした後、供給ハン
ト26によりウェハ受渡し位置Q点にあるウェハ保持台
11に載せられる。
一方、XYステージ13Fにあり既に露光処理されたウ
ェハは回収ハント27番こより回収ベル1〜28に載せ
られ、回収側のウニへカセット29に収納される。被照
射面l−の照度ムラの測定用とlノて使用する本発明の
露光装置用のダミーウェハ40(以下「ダミーウェハ4
0」という。)は待機ステージ41に保管されている、
ダミーウェハ40はその基板上に、例えばフィトクロミ
ック材料等の可逆性の材料を有するようにして構成され
ている。
ェハは回収ハント27番こより回収ベル1〜28に載せ
られ、回収側のウニへカセット29に収納される。被照
射面l−の照度ムラの測定用とlノて使用する本発明の
露光装置用のダミーウェハ40(以下「ダミーウェハ4
0」という。)は待機ステージ41に保管されている、
ダミーウェハ40はその基板上に、例えばフィトクロミ
ック材料等の可逆性の材料を有するようにして構成され
ている。
露光工程の最期あるいは任意の時間に被照射面上の照度
ムラを測定する場合には制御装置20の指令により、レ
チクル2を光路中より退避させると共に露光済のウェハ
をウェハ保持台11から撤去した後、供給ハンド26に
よりダミーウェハ40をウェハ保持台11に移送する。
ムラを測定する場合には制御装置20の指令により、レ
チクル2を光路中より退避させると共に露光済のウェハ
をウェハ保持台11から撤去した後、供給ハンド26に
よりダミーウェハ40をウェハ保持台11に移送する。
ダミーウェハ40は、この場合製造用のウェハと略凹−
形状、同−中法の円形薄板であるのか望ましい。
形状、同−中法の円形薄板であるのか望ましい。
その後ダミーウェハ40の表面が投影レンズ1の像面位
置に一致するようにXYステージ13を用いて調整する
。そして照明系4により投影レンズ1を介して露光光で
ある第1波長帯域の光によりダミーウェハ40を一括露
光してダミーウェハ面上に照度ムラに関する情報を記録
し、xYZステージ13により露光済のダミーウェハ4
0を受は渡し位置Qに移動させ供給兼回収用の供給ベル
ト26によりXYステージ13より不図示の透過率測定
器に移動させている。
置に一致するようにXYステージ13を用いて調整する
。そして照明系4により投影レンズ1を介して露光光で
ある第1波長帯域の光によりダミーウェハ40を一括露
光してダミーウェハ面上に照度ムラに関する情報を記録
し、xYZステージ13により露光済のダミーウェハ4
0を受は渡し位置Qに移動させ供給兼回収用の供給ベル
ト26によりXYステージ13より不図示の透過率測定
器に移動させている。
第3図(A) 、 (B) 、 (G)は順に本実施例
におぼろダミーウェハ40の平面図、断面図、拡大断面
図である。同図において42は基板、43は吸収層、4
4はホトクロミック層である。基板42は厚さか1mm
前後で、材料としては石英の様な熱膨張係数が小さく、
更に加工性の良い材料が好ましい。
におぼろダミーウェハ40の平面図、断面図、拡大断面
図である。同図において42は基板、43は吸収層、4
4はホトクロミック層である。基板42は厚さか1mm
前後で、材料としては石英の様な熱膨張係数が小さく、
更に加工性の良い材料が好ましい。
この他、L E (Low Expansion )硝
子のようにSiウェハと略凹−の熱膨張係数を持つ材料
や金属材料、又はSiウェハそのものであっても良い。
子のようにSiウェハと略凹−の熱膨張係数を持つ材料
や金属材料、又はSiウェハそのものであっても良い。
基板42面上には露光光の吸収層43が形成されている
。吸収層43は第1波長帯域の光としての露光光(例え
ば250nmの光)に対して吸収係数が大きく、第2波
長帯域の光としての測定光(例えば500〜600t+
mの光)に対して透過率の大きな材料より成っている。
。吸収層43は第1波長帯域の光としての露光光(例え
ば250nmの光)に対して吸収係数が大きく、第2波
長帯域の光としての測定光(例えば500〜600t+
mの光)に対して透過率の大きな材料より成っている。
これによりホトクロミック層間の膜厚干渉現象と膜ムラ
の作用で露光光の吸収が場所により異なる為に生ずる測
定誤差を防止している。吸収層43面上に設けたフォト
クロミック層44は例えばスど口どラン系、フルギド系
、ジヒドロどレン系、チオインジゴ系、アジリジン系、
ビピリジン系、多環芳香族系、テトラベンゾペンタセン
系等を塗布しゃすいPMMA等のベース材に溶かしてス
どンコート等の手段で1μm程度の厚さに塗布されてい
る。
の作用で露光光の吸収が場所により異なる為に生ずる測
定誤差を防止している。吸収層43面上に設けたフォト
クロミック層44は例えばスど口どラン系、フルギド系
、ジヒドロどレン系、チオインジゴ系、アジリジン系、
ビピリジン系、多環芳香族系、テトラベンゾペンタセン
系等を塗布しゃすいPMMA等のベース材に溶かしてス
どンコート等の手段で1μm程度の厚さに塗布されてい
る。
これらのフォトクロミック材料はいずれも第1波長帯域
の光を照射すると物質の構造式が変化し、第2波長帯域
の光に対して光学的性質、例えば透過率が変化するもの
である。又、別波長の光を照射したり、加熱したりする
ことにより元の状態に戻る可逆性を有している。例えば
スピロピラン系では紫外線を照射することにより無色か
ら紫色になり、570nm近傍の光を照射するか又は加
熱すると元の無色に戻る。
の光を照射すると物質の構造式が変化し、第2波長帯域
の光に対して光学的性質、例えば透過率が変化するもの
である。又、別波長の光を照射したり、加熱したりする
ことにより元の状態に戻る可逆性を有している。例えば
スピロピラン系では紫外線を照射することにより無色か
ら紫色になり、570nm近傍の光を照射するか又は加
熱すると元の無色に戻る。
第4図は本実施例に係るホトクロミック層44に波長2
48nmのエキシマレーザを照射したときの吸収スペク
トル変化を示す説明図である。初期状態(sp、大実線
)に対し、1パルス当たり2 mJ/cm2のエキシマ
レーザを重ね打ちするに従い570nmの波長を中心(
ピーク)にして吸光度が変化していく状態を示されてい
る。
48nmのエキシマレーザを照射したときの吸収スペク
トル変化を示す説明図である。初期状態(sp、大実線
)に対し、1パルス当たり2 mJ/cm2のエキシマ
レーザを重ね打ちするに従い570nmの波長を中心(
ピーク)にして吸光度が変化していく状態を示されてい
る。
第5図は第4図において570nmの波長に着目して照
射エネルギーに対する吸光度をプロットしたときの説明
図である。同図に示すように約20 rnJ/cm2か
ら200 mJ/cm2の間で吸光度が直線的に変化し
、k = 0.25%/mJ/cm2の変化率であるこ
とがわかる。
射エネルギーに対する吸光度をプロットしたときの説明
図である。同図に示すように約20 rnJ/cm2か
ら200 mJ/cm2の間で吸光度が直線的に変化し
、k = 0.25%/mJ/cm2の変化率であるこ
とがわかる。
本実施例はこの特性を利用することによりダミーウェハ
40をステージのチャック面上に保持し、投影レンズの
有効投影領域全域に100[IIJ/cm2程度の露光
を与えることにより、その照度ムラを吸光度の場所ムラ
という形でダミーウェハ面上に保存し、これをXYステ
ージ13のチャック上から取り去った後に露光装置内、
又は露光装置外に設けた吸光度測定器(透過率測定器)
により該照度ムラを測定している。
40をステージのチャック面上に保持し、投影レンズの
有効投影領域全域に100[IIJ/cm2程度の露光
を与えることにより、その照度ムラを吸光度の場所ムラ
という形でダミーウェハ面上に保存し、これをXYステ
ージ13のチャック上から取り去った後に露光装置内、
又は露光装置外に設けた吸光度測定器(透過率測定器)
により該照度ムラを測定している。
第6図は本実施例に係る透過率測定器の一実施例の概略
図である。同図において露光済のダミーウェハ40を保
持したチャック61をXYステージ13により所定位置
(x、 、 3/+ )に移動させ、第2波長帯域とし
ての波長SOO〜700 nm程度の光を発振する光源
62を点灯させる。ハーフミラ−66、レンズ67によ
り光源62からの光束の一部L1を受光素子63で受光
している。
図である。同図において露光済のダミーウェハ40を保
持したチャック61をXYステージ13により所定位置
(x、 、 3/+ )に移動させ、第2波長帯域とし
ての波長SOO〜700 nm程度の光を発振する光源
62を点灯させる。ハーフミラ−66、レンズ67によ
り光源62からの光束の一部L1を受光素子63で受光
している。
又、ハーフミラ−66を通過した光源62からの光束を
レンズ68a、68b、68cによりダミーウェハ40
に入射させている。そしてダミーウェハ40を通過した
光束L2を受光素子64で受光している。
レンズ68a、68b、68cによりダミーウェハ40
に入射させている。そしてダミーウェハ40を通過した
光束L2を受光素子64で受光している。
次いで点(x+ 、y+ )、光量Ll、L2の情報を
コントローラ65に送る。コントローラ65は点(x+
、y、)での透過率TをT = L2/Tlより求め記
憶する。同様な手法を繰り返して一括露光された全域の
測定を行い透過率分布を求めている。
コントローラ65に送る。コントローラ65は点(x+
、y、)での透過率TをT = L2/Tlより求め記
憶する。同様な手法を繰り返して一括露光された全域の
測定を行い透過率分布を求めている。
以上の方法で求めた被照射面上の照度分布が予め設定さ
れた所定の範囲より外れているときはコントローラ65
は例えば警告ランプや警告音等によりオペレーターに知
らせると共にウニ八面上への露光か出来ないように制御
し、又所定の範囲内のときは自動的に通常の露光動作を
開始するようにしている。
れた所定の範囲より外れているときはコントローラ65
は例えば警告ランプや警告音等によりオペレーターに知
らせると共にウニ八面上への露光か出来ないように制御
し、又所定の範囲内のときは自動的に通常の露光動作を
開始するようにしている。
一方、ダミーウェハは例えば加熱あるいは特定波長の照
射によりホトクロミック層を初期状態(sp)に戻す作
業を自動的に行っている。
射によりホトクロミック層を初期状態(sp)に戻す作
業を自動的に行っている。
尚、本発明は光源としてエキシマレーザの代わりに超高
圧水銀灯(g線)を用いても同様に適用することができ
る。又、プロキシミテイ方式による露光装置にも同様に
適用することができる。
圧水銀灯(g線)を用いても同様に適用することができ
る。又、プロキシミテイ方式による露光装置にも同様に
適用することができる。
(発明の効果)
以上のように第1波長帯域の照射により第2波長帯域の
光に対して光学的性質(透過率)の変化する感光材料を
設けたダミーウェハを用い、その面上に一括露光して照
度分布を形成し、該照度分布に関する情報を保存し、該
ダミーウェハをステージから取り外し、透過率分布を測
定する方式をとれば、例えばエキシマレーザのような短
波長でしかも極短パルスの光を用いたときの被照射面上
の照度ムラを迅速にしかも高精度に測定することができ
る。
光に対して光学的性質(透過率)の変化する感光材料を
設けたダミーウェハを用い、その面上に一括露光して照
度分布を形成し、該照度分布に関する情報を保存し、該
ダミーウェハをステージから取り外し、透過率分布を測
定する方式をとれば、例えばエキシマレーザのような短
波長でしかも極短パルスの光を用いたときの被照射面上
の照度ムラを迅速にしかも高精度に測定することができ
る。
第1図は本発明の露光装置用のダミーウェハを露光装置
に適用したときの一実施例の概略図、第2図は第1図の
ウェハステージ及びウェハ搬送系を含む一部分の説明図
、第3図(A) 、 (B) 、 (C)は順に本発明
に係るダミーウェハの一実施例の平面図、断面図、拡大
断面図、第4図、第5図は本発明で用いたホトクロミッ
ク材料の光学的性質の説明図、第6図は透過率測定器の
概略図である。 図中、1は投影レンズ、2はレチクル、3はウェハ、4
は照明系、5はレチクル基準マーク、6はプラテン、7
はレチクル顕微鏡、8はレチクルステージ、10はウェ
ハ顕微鏡、11はウェハ保持台、12はθZステージ、
13はxYステージ、40はダミーウェハ、23はウェ
ハカセット、24は供給ベルト、25はプリアライメン
トステージ、26は供給ハンド、27は回収ノ\ンド、
28は回収ベルト、29はウェハカセット、100はコ
ントローラである。
に適用したときの一実施例の概略図、第2図は第1図の
ウェハステージ及びウェハ搬送系を含む一部分の説明図
、第3図(A) 、 (B) 、 (C)は順に本発明
に係るダミーウェハの一実施例の平面図、断面図、拡大
断面図、第4図、第5図は本発明で用いたホトクロミッ
ク材料の光学的性質の説明図、第6図は透過率測定器の
概略図である。 図中、1は投影レンズ、2はレチクル、3はウェハ、4
は照明系、5はレチクル基準マーク、6はプラテン、7
はレチクル顕微鏡、8はレチクルステージ、10はウェ
ハ顕微鏡、11はウェハ保持台、12はθZステージ、
13はxYステージ、40はダミーウェハ、23はウェ
ハカセット、24は供給ベルト、25はプリアライメン
トステージ、26は供給ハンド、27は回収ノ\ンド、
28は回収ベルト、29はウェハカセット、100はコ
ントローラである。
Claims (2)
- (1)第1物体と第2物体を対向させて位置合わせをし
、該第1物体面上のパターンを第2物体面上に第1波長
帯域の光を用いて露光転写する露光装置用のダミーウェ
ハであって、その基板面上に該第1波長帯域の光の照射
により、第2波長帯域の光に対して光学的性質が変化す
る書き込み及び消去が可能な可逆性の感光材料を有して
いることを特徴とする露光装置用のダミーウェハ。 - (2)前記感光材料はフォトクロミック材料であること
を特徴とする請求項1記載の露光装置用のダミーウェハ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63155459A JPH025403A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 露光装置用のダミーウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63155459A JPH025403A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 露光装置用のダミーウエハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH025403A true JPH025403A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15606512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63155459A Pending JPH025403A (ja) | 1988-06-23 | 1988-06-23 | 露光装置用のダミーウエハ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH025403A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04180214A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Toray Ind Inc | 露光装置用ダミーウエハ |
JP2010533309A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-21 | ピクサー テクノロジー リミテッド | Duv透過マッピングのための方法と装置 |
-
1988
- 1988-06-23 JP JP63155459A patent/JPH025403A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04180214A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Toray Ind Inc | 露光装置用ダミーウエハ |
JP2010533309A (ja) * | 2007-07-12 | 2010-10-21 | ピクサー テクノロジー リミテッド | Duv透過マッピングのための方法と装置 |
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