JPH0251494A - 磁気光学素子用材料 - Google Patents
磁気光学素子用材料Info
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- JPH0251494A JPH0251494A JP19979888A JP19979888A JPH0251494A JP H0251494 A JPH0251494 A JP H0251494A JP 19979888 A JP19979888 A JP 19979888A JP 19979888 A JP19979888 A JP 19979888A JP H0251494 A JPH0251494 A JP H0251494A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、アアラデー効果を利用した光アイソレータ、
光サーキュレータ等に用いられる磁気光学材料に関する
ものである。
光サーキュレータ等に用いられる磁気光学材料に関する
ものである。
（従来の技術）
半導体レーザを光源に用いる光通信や光計測において、
光源に反射光が戻るのを防ぐために光アイソレータが必
要であり、光アイソレータにはファラデー効果を有する
磁性ガーネットが用いられている。ファラデー回転子材
料に要求されるものには、■）ファラデー回転係数が大
きい、２）ファラデー回転角の温度変化が小さい、３）
使用波長領域において吸収がない、４）飽和に要する磁
界が小さいなどがあり、これらを総合的に満たす材料が
望まれる。
光源に反射光が戻るのを防ぐために光アイソレータが必
要であり、光アイソレータにはファラデー効果を有する
磁性ガーネットが用いられている。ファラデー回転子材
料に要求されるものには、■）ファラデー回転係数が大
きい、２）ファラデー回転角の温度変化が小さい、３）
使用波長領域において吸収がない、４）飽和に要する磁
界が小さいなどがあり、これらを総合的に満たす材料が
望まれる。
従来、ファラデー回転子には、イツトリウム・鉄・ガー
ネットＹＪｅ５Ｏ１２ （Ｙ Ｉ Ｇ）が用いられてき
た。しかし、ＹＩＧはファラデー回転係数が小さいため
４５度のファラデー回転角を得るのに必要な厚さが２〜
３鶴と厚くなってしまう。近年、ＹＩＧに代わる材料と
してＢｉ置換希土類鉄ガーネットが提案、されている。
ネットＹＪｅ５Ｏ１２ （Ｙ Ｉ Ｇ）が用いられてき
た。しかし、ＹＩＧはファラデー回転係数が小さいため
４５度のファラデー回転角を得るのに必要な厚さが２〜
３鶴と厚くなってしまう。近年、ＹＩＧに代わる材料と
してＢｉ置換希土類鉄ガーネットが提案、されている。
これは、磁性ガーネットの希土類元素をＢｉで置換する
と、Ｂｉ置換量に比例してファラデー回転係数が著しく
増加するものである。さらに、希土類元素を選択するこ
とにより、ファラデー回転角の温度変化が小さく、飽和
に要する磁界の小さい材料ＹｂｘＴｂｙＢｉ＊−ｘ−ｙ
Ｆｅ５Ｏ１２が提案されている（特願昭６１−１３１８
９６）。
と、Ｂｉ置換量に比例してファラデー回転係数が著しく
増加するものである。さらに、希土類元素を選択するこ
とにより、ファラデー回転角の温度変化が小さく、飽和
に要する磁界の小さい材料ＹｂｘＴｂｙＢｉ＊−ｘ−ｙ
Ｆｅ５Ｏ１２が提案されている（特願昭６１−１３１８
９６）。
（発明が解決しようとする課題）
一般に、波長０．４〜１．０μｍにおける磁性ガーネッ
トの吸収は主に、酸素四面***置の２４ｄサイトと酸素
八面***置の１６２サイトとを占めるＦｅ”イオンの結
晶場遷移によるものである。この他に、フラックスやる
つぼ材から混入したｐｂ”ｐｂ”、 ｐｔ’°イオンの
電価補償によって生じるＦｅ２゜ｐ ｅ４ ＋のブロー
ドな吸収が存在丈るため、上記吸収のすそのが波長１．
３μｍ、１．５５μｍにかかり、これらの波長における
挿入損失が大きくなっていた。
トの吸収は主に、酸素四面***置の２４ｄサイトと酸素
八面***置の１６２サイトとを占めるＦｅ”イオンの結
晶場遷移によるものである。この他に、フラックスやる
つぼ材から混入したｐｂ”ｐｂ”、 ｐｔ’°イオンの
電価補償によって生じるＦｅ２゜ｐ ｅ４ ＋のブロー
ドな吸収が存在丈るため、上記吸収のすそのが波長１．
３μｍ、１．５５μｍにかかり、これらの波長における
挿入損失が大きくなっていた。
前記（ＹｂＴｂＢｉ） Ｊｅ５Ｏ１２において、このブ
ロードな吸収が顕著に現れ、波長１．３μｍ、１．５５
μｍにおける挿入損失がそれぞれ０．６ ｄＢ、 ０．
４ｄＢと太き（なっている。そのため、この材料では低
損失（１ｄＢ以下）の光アイソレータを作製することが
困難であった。
ロードな吸収が顕著に現れ、波長１．３μｍ、１．５５
μｍにおける挿入損失がそれぞれ０．６ ｄＢ、 ０．
４ｄＢと太き（なっている。そのため、この材料では低
損失（１ｄＢ以下）の光アイソレータを作製することが
困難であった。
本発明の目的は、（ＹｂＴｂＢｉ） ３ＦｅｓＯ＋ ｚ
の希土類の組成比を変えることによって吸収を減らし、
光アイソレータや光サーキュレータの使用波長領域であ
る０、８〜１．６μｍにおける挿入損失を低減した高性
能なファラデー回転子材料を提供するにある。
の希土類の組成比を変えることによって吸収を減らし、
光アイソレータや光サーキュレータの使用波長領域であ
る０、８〜１．６μｍにおける挿入損失を低減した高性
能なファラデー回転子材料を提供するにある。
（課題を解決するための手段）
（ＹｂＴｂＢ ｉ） ：＋Ｆｅ５０ ＋ ｚにおいて、
ＴｂイオンはＴｂ”の他にＴｂ”でも安定に存在しうろ
ことから、Ｔｂ”イオンによって誘起されるＦｅ”イオ
ンのブロードな吸収がさらに加わるため、挿入損失が大
きくなっていることを実験的に見いだし、本発明をなす
に至った。上記問題点を解決するために、本発明の磁気
光学素子は、（ＹｂＴｂＢｉ） ３ＦｅｓＯ＋ ｚのＴ
ｂの量を減らして材料自身の吸収係数を減少させること
と、Ｂｉを多量に置換しファラデー回転係数を増加させ
て所望の角度を得るのに必要な厚さを減少させることに
より、挿入損失の低減を図ることに特徴がある。すなわ
ち、本発明の磁気光学素子用材料は、前記高格子定数Ｇ
ＧＧ基板上に式：ＹｂつＴｂｙＢｉｚ□＝。
ＴｂイオンはＴｂ”の他にＴｂ”でも安定に存在しうろ
ことから、Ｔｂ”イオンによって誘起されるＦｅ”イオ
ンのブロードな吸収がさらに加わるため、挿入損失が大
きくなっていることを実験的に見いだし、本発明をなす
に至った。上記問題点を解決するために、本発明の磁気
光学素子は、（ＹｂＴｂＢｉ） ３ＦｅｓＯ＋ ｚのＴ
ｂの量を減らして材料自身の吸収係数を減少させること
と、Ｂｉを多量に置換しファラデー回転係数を増加させ
て所望の角度を得るのに必要な厚さを減少させることに
より、挿入損失の低減を図ることに特徴がある。すなわ
ち、本発明の磁気光学素子用材料は、前記高格子定数Ｇ
ＧＧ基板上に式：ＹｂつＴｂｙＢｉｚ□＝。
Ｆｅ５（Ｌ２で表される旧置換希土類鉄ガーネットをエ
ピタキシャル成長させたものであり、上記式においてＸ
とｙは、ｘ＋ｙ≦２．２．ｘ＞ｙおよびｙ−一２．３ｘ
＋２１Ｋ（２１，６２−ａ ）（ただし、ａは上記基板
の格子定数である。）なる条件をいずれも満足するよう
に選定されている。
ピタキシャル成長させたものであり、上記式においてＸ
とｙは、ｘ＋ｙ≦２．２．ｘ＞ｙおよびｙ−一２．３ｘ
＋２１Ｋ（２１，６２−ａ ）（ただし、ａは上記基板
の格子定数である。）なる条件をいずれも満足するよう
に選定されている。
ＹｂｘＴｂ、Ｂｉｔ−ｘ−ｙＦｅ５Ｏ１２において、Ｘ
とｙはファラデー回転係数と吸収係数の目標値および基
板材料との格子定数マツチングにより決まる値である。
とｙはファラデー回転係数と吸収係数の目標値および基
板材料との格子定数マツチングにより決まる値である。
まず、上記組成系において、ファラデー回転係数は旧置
換量に比例しファラデー回転係数の目標値を−１０００
ｄｅｇ／ ｃ＋ｎ以上（波長１．３１４ｍ）とするには
、１分子当りのＢ＋の含有率を０．８／ｆ、ｕ、以上と
する必要がある。この実験結果に基づき、３−ｘ−ｙ≧
０．８であること、すなわちｘ＋ｙ≦２．２が導かれる
。次に、吸収係数はＴｂＯ量に比例し、吸収による損失
を小さくするためには、Ｙｂ／Ｔｂのモル比を１より大
きくする必要がある。すなわち、Ｘとｙはｘ＞ｙなる関
係を満たす必要がある。さらに、基板と上記組成の膜と
は格子定数がマツチングしている必要がある。このマツ
チング条件は、Ｙｂ３Ｆｅ５０１２． ＴｂＪｅ、０＋
ｚ、 ＢｉＪｅｓＯ＋２の格子定数とＸとｙおよび基板
の格子定数から理論的に求められる。すなわち、Ｙｂ３
Ｆｅ５０ｔｚ、 ＴｂＪｅ５Ｏ１２の格子定数は１２．
２９１人、 １２．４７７人であり、Ｂ１３Ｆｅ５０＋
ｚの理論的格子定数は１２．６２０人であるので、基板
の格子定数を３人とすれば格子定数のマツチングを表す
式は、 １２．２９１ ｘ ＋１２．４７７ｙ ＋１２．６２０
（３−ｘ −ｙ）−３ａとなる。この式から、ｙ ＝
−２，３ｘ ＋ ２１ｘ（１２，６２−ａ）が導かれる
。ａは１２゜４７〜１２．５３人の範囲である。したが
って、基板の格子定数が決まればＸとｙは一義的に決ま
る。
換量に比例しファラデー回転係数の目標値を−１０００
ｄｅｇ／ ｃ＋ｎ以上（波長１．３１４ｍ）とするには
、１分子当りのＢ＋の含有率を０．８／ｆ、ｕ、以上と
する必要がある。この実験結果に基づき、３−ｘ−ｙ≧
０．８であること、すなわちｘ＋ｙ≦２．２が導かれる
。次に、吸収係数はＴｂＯ量に比例し、吸収による損失
を小さくするためには、Ｙｂ／Ｔｂのモル比を１より大
きくする必要がある。すなわち、Ｘとｙはｘ＞ｙなる関
係を満たす必要がある。さらに、基板と上記組成の膜と
は格子定数がマツチングしている必要がある。このマツ
チング条件は、Ｙｂ３Ｆｅ５０１２． ＴｂＪｅ、０＋
ｚ、 ＢｉＪｅｓＯ＋２の格子定数とＸとｙおよび基板
の格子定数から理論的に求められる。すなわち、Ｙｂ３
Ｆｅ５０ｔｚ、 ＴｂＪｅ５Ｏ１２の格子定数は１２．
２９１人、 １２．４７７人であり、Ｂ１３Ｆｅ５０＋
ｚの理論的格子定数は１２．６２０人であるので、基板
の格子定数を３人とすれば格子定数のマツチングを表す
式は、 １２．２９１ ｘ ＋１２．４７７ｙ ＋１２．６２０
（３−ｘ −ｙ）−３ａとなる。この式から、ｙ ＝
−２，３ｘ ＋ ２１ｘ（１２，６２−ａ）が導かれる
。ａは１２゜４７〜１２．５３人の範囲である。したが
って、基板の格子定数が決まればＸとｙは一義的に決ま
る。
上記のように、ｙｂとＴｂの量すなわちＸとｙは、）＜
＋ｙ≦２．２．ｘ＞ｙおよびｙ＝−２，３ｘ＋２１ｙ（
１２，６２−ａ ）の三式を満たす必要がある。
＋ｙ≦２．２．ｘ＞ｙおよびｙ＝−２，３ｘ＋２１ｙ（
１２，６２−ａ ）の三式を満たす必要がある。
（実施例）
基板として格子窓９１２．４９８人の（ＧｄＣａ） ３
（ＧａＨｇＺｒ） ｓ０＋２を用い、液相エピタキシ
ャル法によ／）Ｙｂ＋、。
（ＧａＨｇＺｒ） ｓ０＋２を用い、液相エピタキシ
ャル法によ／）Ｙｂ＋、。
７ｂｏ、 ７Ｂｉ１．３ＦｅｓＯ＋ ｚなる化学式を有
する磁性ガーネット単結晶膜を育成した。この液相エピ
タキシャル方法は、融液粗成ＹｂｚＯｚ ２．８４ ｇ
、Ｔｂｚ０３２．７０ｇ、 ＦｅｚＯｚ ４６．０６
ｇ、 Ｐｂ０１７４．１０ｇ、 ＢｉｚＯ：＋ ３６３
．４５ｇ、 ８２０３１０．８６ｇとし、これらを白金
るつぼ中で９２０℃で融解したのち、８１０℃に温度を
下げて過冷却状態とし、この融液に上記基板を１１００
ｒｐで回転しながら接触させて行った。成長速度は０．
３５μｍ／分で、膜厚３２０μｍに成長させた。このガ
ーネット膜のファラデー回転係数と挿入損失を、波長１
．３μｍ、１．５５μｍにおいて室温で測定したところ
第１表に示すような結果が得られた。この組成の磁性ガ
ーネット膜において、挿入損失は、波長１．３μｍ、１
．５５μｍにおいてそれぞれ０．３ｄＢ、 ０．２ｄ
Ｂと従来の半分となり、大きく改善された。
する磁性ガーネット単結晶膜を育成した。この液相エピ
タキシャル方法は、融液粗成ＹｂｚＯｚ ２．８４ ｇ
、Ｔｂｚ０３２．７０ｇ、 ＦｅｚＯｚ ４６．０６
ｇ、 Ｐｂ０１７４．１０ｇ、 ＢｉｚＯ：＋ ３６３
．４５ｇ、 ８２０３１０．８６ｇとし、これらを白金
るつぼ中で９２０℃で融解したのち、８１０℃に温度を
下げて過冷却状態とし、この融液に上記基板を１１００
ｒｐで回転しながら接触させて行った。成長速度は０．
３５μｍ／分で、膜厚３２０μｍに成長させた。このガ
ーネット膜のファラデー回転係数と挿入損失を、波長１
．３μｍ、１．５５μｍにおいて室温で測定したところ
第１表に示すような結果が得られた。この組成の磁性ガ
ーネット膜において、挿入損失は、波長１．３μｍ、１
．５５μｍにおいてそれぞれ０．３ｄＢ、 ０．２ｄ
Ｂと従来の半分となり、大きく改善された。
（発明の効果）
本発明により、波長１．３μｍ、１．５５μｍにおいて
挿入損失がそれぞれ０．３ｄＢ、 ０．２ｄＢと従来
の半分になり特性が大きく向上した。このような材料を
用いることにより、高性能な光アイソレータや光サーキ
ュレータを作製することができる。
挿入損失がそれぞれ０．３ｄＢ、 ０．２ｄＢと従来
の半分になり特性が大きく向上した。このような材料を
用いることにより、高性能な光アイソレータや光サーキ
ュレータを作製することができる。
Claims (1)
- （１）式：（ＧｄＣａ）＿３（ＧａＭｇＺｒ）＿５Ｏ＿
１＿２で表される組成を有するガーネット単結晶基板と
、該基板上にエピタキシャル成長させた、 式：Ｙｂ＿ｘＴｂ＿ｙＢｉ＿３＿−＿ｘ＿−＿ｙＦｅ＿
５Ｏ＿１＿２で表されかつｘとｙは、ｘ＋ｙ≦２．２、
ｘ＞ｙおよび ｙ＝−２．３ｘ＋２１×（１２．６２−ａ）（ａは上記
基板の格子定数で、１２．４７〜１２．５３Åの範囲の
値）なる条件を満足する磁性ガーネット単結晶膜とから
なる磁気光学素子用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19979888A JPH0251494A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 磁気光学素子用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19979888A JPH0251494A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 磁気光学素子用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251494A true JPH0251494A (ja) | 1990-02-21 |
| JPH0476351B2 JPH0476351B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=16413799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19979888A Granted JPH0251494A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 磁気光学素子用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251494A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230248A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
| US5434101A (en) * | 1992-03-02 | 1995-07-18 | Tdk Corporation | Process for producing thin film by epitaxial growth |
| JP2006117492A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP19979888A patent/JPH0251494A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230248A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
| US5434101A (en) * | 1992-03-02 | 1995-07-18 | Tdk Corporation | Process for producing thin film by epitaxial growth |
| US5662740A (en) * | 1992-03-02 | 1997-09-02 | Tdk Corporation | Process for producing thin film by epitaxial growth |
| JP2006117492A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | ビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476351B2 (ja) | 1992-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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