JPH04142010A - 磁気光学磁性ガーネット結晶 - Google Patents
磁気光学磁性ガーネット結晶Info
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- JPH04142010A JPH04142010A JP26469190A JP26469190A JPH04142010A JP H04142010 A JPH04142010 A JP H04142010A JP 26469190 A JP26469190 A JP 26469190A JP 26469190 A JP26469190 A JP 26469190A JP H04142010 A JPH04142010 A JP H04142010A
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- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JCJMVSDVPRRNSU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(diaminomethylidenehydrazinylidene)ethylideneamino]guanidine Chemical compound NC(N)=NN=CC=NN=C(N)N JCJMVSDVPRRNSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ファラデー効果を利用した光アイソレータ、
光サーキュレータ、光スィッチなどの磁気光学素子に用
いられるビスマス(Bi)置換磁性ガーネット結晶に関
するものである。
光サーキュレータ、光スィッチなどの磁気光学素子に用
いられるビスマス(Bi)置換磁性ガーネット結晶に関
するものである。
[従来の技術]
半導体レーザ(LD)を光源とする光伝送回路において
、コネクタやスイッチなどの光学部品、受光素子等から
の反射戻り光がLDに入ると、レーザ発振が不安定とな
り伝送品質が劣化することが知られている。この対策と
してLDへの反射戻り光を遮断する光アイソレータが提
案され、現在実用化が進んでいる。
、コネクタやスイッチなどの光学部品、受光素子等から
の反射戻り光がLDに入ると、レーザ発振が不安定とな
り伝送品質が劣化することが知られている。この対策と
してLDへの反射戻り光を遮断する光アイソレータが提
案され、現在実用化が進んでいる。
光アイソレータは、磁気光学効果のうちで透過光の直線
偏光面回転現象であるファラデー効果のもつ非相反性を
うまく利用したものである。
偏光面回転現象であるファラデー効果のもつ非相反性を
うまく利用したものである。
ファラデー効果を示し、波長1.3〜1.55μmの近
赤外領域で用いられるファラデー回転子材料は、磁気光
学ガーネット結晶である。その中で、光アイソレータの
ファラデー回転子としてイツトリウム・鉄・ガーネット
(YIG)結晶が最初に使用された。
赤外領域で用いられるファラデー回転子材料は、磁気光
学ガーネット結晶である。その中で、光アイソレータの
ファラデー回転子としてイツトリウム・鉄・ガーネット
(YIG)結晶が最初に使用された。
近年、光アイソレータの小型化、ならびに低価格化が急
速に進展し、これに伴い素子の小型化、および製作コス
トの低減化が切望されている。
速に進展し、これに伴い素子の小型化、および製作コス
トの低減化が切望されている。
光アイソレータの小型化のためには、主要部品であるフ
ァラデー回転子の小型化が必須の条件であところで、フ
ァラデー回転子として用いる場合は、入射偏光面を45
度回転させるだけの長さが必要であるが、この長さはフ
ァラデー回転係数の大・小に比例する。したがって、フ
ァラデー回転子をより小型化するためには、ファラデー
回転係数の大きな材料を選択する必要がある。
ァラデー回転子の小型化が必須の条件であところで、フ
ァラデー回転子として用いる場合は、入射偏光面を45
度回転させるだけの長さが必要であるが、この長さはフ
ァラデー回転係数の大・小に比例する。したがって、フ
ァラデー回転子をより小型化するためには、ファラデー
回転係数の大きな材料を選択する必要がある。
ファラデー回転係数の大きな材料として、Biを固溶し
たガーネットが一般に知られている。
たガーネットが一般に知られている。
本材料は、CVD法、スパッタ法、フラックス法および
液相エピタキシャル(LPE)法等によって製造可能で
ある。しかし、CVD法およびスパッタ法は主に結晶性
に問題があり、まだ実用化が難しい。
液相エピタキシャル(LPE)法等によって製造可能で
ある。しかし、CVD法およびスパッタ法は主に結晶性
に問題があり、まだ実用化が難しい。
フラックス法は、ガーネット成分の酸化イツトリウムお
よび酸化鉄と共に、フラックス成分の酸化鉛や酸化はう
素を融解し、融液を液相温度以上に保持して均一にした
後、融液を徐冷することによりガーネット結晶を自然核
発生により成長させる。本法では、ガーネット成分の偏
析のため濃度バラツキが生じ易い、フラックスの固化に
伴い結晶にクラックが入り易い、等の欠点が見られたが
、改良されたフラックス法により改善された。
よび酸化鉄と共に、フラックス成分の酸化鉛や酸化はう
素を融解し、融液を液相温度以上に保持して均一にした
後、融液を徐冷することによりガーネット結晶を自然核
発生により成長させる。本法では、ガーネット成分の偏
析のため濃度バラツキが生じ易い、フラックスの固化に
伴い結晶にクラックが入り易い、等の欠点が見られたが
、改良されたフラックス法により改善された。
しかし、自然核を成長させるため結晶育成に長時間を要
する、素子化には精密加工を要する、等量産性に乏しい
。
する、素子化には精密加工を要する、等量産性に乏しい
。
このような状況から、磁気バフ゛ル素子用ガーネット薄
膜の育成法として開発されたLPE法が注目され、本法
を用いてBi置換磁性ガーネット厚膜の開発が種々検討
されている。
膜の育成法として開発されたLPE法が注目され、本法
を用いてBi置換磁性ガーネット厚膜の開発が種々検討
されている。
さて、Th1n 5olid Films、114(1
984)69に示されているように、ファラデー回転係
数はBi置換量に比例して増加する。しかし、ガーネッ
ト結晶に対するBiの固溶度が極めて小さいことから、
置換が非常に難しいことも知られている。
984)69に示されているように、ファラデー回転係
数はBi置換量に比例して増加する。しかし、ガーネッ
ト結晶に対するBiの固溶度が極めて小さいことから、
置換が非常に難しいことも知られている。
一方、材料科学誌Vo123.No3(1987)15
1に述べられているように、YIGの希土類サイトをB
i、Gd元素等で置換したGd2.IB io、9F
e4.6AI0.lGa0.3012(GBIG)は、
ファラデー回転係数の温度係数が太きい。例えば、YI
Gの温度係数は0.04deg/’C程度であるが、上
記材はO,lodeg/”CでありYIGの約2倍以上
である。
1に述べられているように、YIGの希土類サイトをB
i、Gd元素等で置換したGd2.IB io、9F
e4.6AI0.lGa0.3012(GBIG)は、
ファラデー回転係数の温度係数が太きい。例えば、YI
Gの温度係数は0.04deg/’C程度であるが、上
記材はO,lodeg/”CでありYIGの約2倍以上
である。
この材料を光アイソレータのファラデー回転子に用いた
場合、光アイソレータのアイソレーション(Es)が劣
化する。Esは、下式で表される。
場合、光アイソレータのアイソレーション(Es)が劣
化する。Esは、下式で表される。
Es=−10−log−sin2(Δθ)ここでΔθ
(d e g)は、θの45度からのずれである。半導
体レーザの発振波長の変化を考慮しない場合、0〜50
℃の温度範囲においてYIGは36dBのEsが得られ
るが、上記材は29dBまで低下する。光アイソレータ
のEsは30dB以上が望まれるが、二のEsを確保す
るためには、0,07deg/℃以下の温度係数が必要
となる。
(d e g)は、θの45度からのずれである。半導
体レーザの発振波長の変化を考慮しない場合、0〜50
℃の温度範囲においてYIGは36dBのEsが得られ
るが、上記材は29dBまで低下する。光アイソレータ
のEsは30dB以上が望まれるが、二のEsを確保す
るためには、0,07deg/℃以下の温度係数が必要
となる。
既述のように、光アイソレータの小型化のためにはファ
ラデー回転子の小型化は必要不可欠である。これを実現
するためには、Biを多量に置換しファラデー回転係数
を飛踊的に増大せしめることが肝要であるが、反面上記
のようにファラデー回転係数の温度係数が大きくなる欠
点を併せもつ。
ラデー回転子の小型化は必要不可欠である。これを実現
するためには、Biを多量に置換しファラデー回転係数
を飛踊的に増大せしめることが肝要であるが、反面上記
のようにファラデー回転係数の温度係数が大きくなる欠
点を併せもつ。
この相反する2つの命題を解決するべく種々検討がなさ
れている。
れている。
[発明が解決しようとする問題点コ
Biを多量に置換するためには、B1の固溶度を大きく
する必要がある。これを実現するためには、 (イ)R
1,適成分系の探索、(ロ)LPE条件の最適化、等が
提案されている。(イ)は先に述べた(GdBi)3(
FeAIGa)5012が代表格であるが、ファラデー
回転係数の温度特性が劣化する欠点をもつ。 (ロ)は
主に過冷却度(ΔT:飽和温度−腹成長温度)の増大、
および膜成長温度(TG)の低温化である。しかし、Δ
Tの増大に伴い自然核が生成され易くなる。この自然核
はフラックス法では種結晶となるが、LPE法において
は膜欠陥の一因となる好ましくない生成物である。また
、ΔTの増大ならびにTGの低温化に伴い、融液中のフ
ラックス成分であるpb、ルツボおよび基板固定治具材
料のPt、が各々膜中に混入し易くなる。
する必要がある。これを実現するためには、 (イ)R
1,適成分系の探索、(ロ)LPE条件の最適化、等が
提案されている。(イ)は先に述べた(GdBi)3(
FeAIGa)5012が代表格であるが、ファラデー
回転係数の温度特性が劣化する欠点をもつ。 (ロ)は
主に過冷却度(ΔT:飽和温度−腹成長温度)の増大、
および膜成長温度(TG)の低温化である。しかし、Δ
Tの増大に伴い自然核が生成され易くなる。この自然核
はフラックス法では種結晶となるが、LPE法において
は膜欠陥の一因となる好ましくない生成物である。また
、ΔTの増大ならびにTGの低温化に伴い、融液中のフ
ラックス成分であるpb、ルツボおよび基板固定治具材
料のPt、が各々膜中に混入し易くなる。
PbおよびPtが膜中に混入した場合、日本応用磁気学
会誌、10,2.(1986)161から知れるように
光吸収が増大する。またPtは、J、Magn、Soc
、Jpn、11.SI (1987)347から知れ
るように膜欠陥の一因となり、欠陥部は、日本応用磁気
学会誌、10.2(1986)147に述べられている
ように、光学特性が劣化することが知られている。した
がって、ΔTは30℃以下程度、TGは730℃以上程
度が好ましい。
会誌、10,2.(1986)161から知れるように
光吸収が増大する。またPtは、J、Magn、Soc
、Jpn、11.SI (1987)347から知れ
るように膜欠陥の一因となり、欠陥部は、日本応用磁気
学会誌、10.2(1986)147に述べられている
ように、光学特性が劣化することが知られている。した
がって、ΔTは30℃以下程度、TGは730℃以上程
度が好ましい。
ところで、膜と基板の格子定数が不整合の場合、膜割れ
、または基板割れの原因となることが知られているが、
イオン半径が大きいBiイオンを置換すると膜の格子定
数は大きくなる。したがって、膜の格子定数に整合させ
るためには、より大きな格子定数の基板を選択する必要
があるが、工業的に使用可能なガーネット基板の種類は
限定されている。そこで、希土類サイト、あるいはFe
サイトを種々の元素で置換し、かつその置換量を厳密に
調整して、膜の格子定数を基板に合致させることが一般
的であるが、既述のように置換による弊害が問題点とな
っていた。
、または基板割れの原因となることが知られているが、
イオン半径が大きいBiイオンを置換すると膜の格子定
数は大きくなる。したがって、膜の格子定数に整合させ
るためには、より大きな格子定数の基板を選択する必要
があるが、工業的に使用可能なガーネット基板の種類は
限定されている。そこで、希土類サイト、あるいはFe
サイトを種々の元素で置換し、かつその置換量を厳密に
調整して、膜の格子定数を基板に合致させることが一般
的であるが、既述のように置換による弊害が問題点とな
っていた。
本発明は、Bi置換に伴う種々の問題点を解消し総合的
に優れた磁気光学ガーネット結晶を提供するものである
。
に優れた磁気光学ガーネット結晶を提供するものである
。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、上記問題点を解決するためにL u s−(
X+Y+Z+Q) yxTbyE uzB i QF
e s○1゜(式中、X、 Y、およびZは0.1〜1
.0、Qは0.5〜2.0)で表せる組成を有すること
を特徴とする磁気光学磁性ガーネット結晶を提供するも
のである。
X+Y+Z+Q) yxTbyE uzB i QF
e s○1゜(式中、X、 Y、およびZは0.1〜1
.0、Qは0.5〜2.0)で表せる組成を有すること
を特徴とする磁気光学磁性ガーネット結晶を提供するも
のである。
本発明の目的は、 (イ)Bi多量置換、 (ロ)ファ
ラデー回転係数の温度特性の向上、(ハ)自然核欠陥の
低減等を総合的に達成することである。
ラデー回転係数の温度特性の向上、(ハ)自然核欠陥の
低減等を総合的に達成することである。
以下に本発明の基本的考え方を示す。既述のように多量
Bi置換を可能とするホスト希土類元素としてGdが知
られているが、ファラデー回転係数の温度特性を劣化さ
せる欠点があった。そこで本発明者らは、種々検討を重
ねた結果、磁気光学特性に悪影響を及ぼさず多量にBi
を置換可能な元素としてYの添加が有効であることを見
い出した。
Bi置換を可能とするホスト希土類元素としてGdが知
られているが、ファラデー回転係数の温度特性を劣化さ
せる欠点があった。そこで本発明者らは、種々検討を重
ねた結果、磁気光学特性に悪影響を及ぼさず多量にBi
を置換可能な元素としてYの添加が有効であることを見
い出した。
その数値は、O,1未満では効果を示さず、1゜0より
も大きくなると希土類サイトに置換すべき他の元素の置
換量が低減されることから好ましくない。望ましくは、
0.2〜0. 9とすべきである。
も大きくなると希土類サイトに置換すべき他の元素の置
換量が低減されることから好ましくない。望ましくは、
0.2〜0. 9とすべきである。
B1置換によるファラデー回転係数の温度特性の劣化は
、ファラデー回転係数の符号の変化が主原因といわれて
いる。すなわち、B1置換によりファラデー回転係数は
飛躇的に増大するが、同時にその符号は負となり温度上
昇に伴ってその値が小さくなるためである。そこで、フ
ァラデー回転係数の温度特性を向上させるために、ファ
ラデー回転係数の符号が正の結晶と負の結晶を固溶体と
する、2板を貼合わせる、または2層に成長させる、等
の方法が提案された。しかし、固溶体性以外の方法では
、入射光の挿入損失が大きくなる欠点がみられ実用性に
乏しいことが指摘されている。
、ファラデー回転係数の符号の変化が主原因といわれて
いる。すなわち、B1置換によりファラデー回転係数は
飛躇的に増大するが、同時にその符号は負となり温度上
昇に伴ってその値が小さくなるためである。そこで、フ
ァラデー回転係数の温度特性を向上させるために、ファ
ラデー回転係数の符号が正の結晶と負の結晶を固溶体と
する、2板を貼合わせる、または2層に成長させる、等
の方法が提案された。しかし、固溶体性以外の方法では
、入射光の挿入損失が大きくなる欠点がみられ実用性に
乏しいことが指摘されている。
本発明においては、固溶体法に着目し種々の元素で検討
を進めた結果、ファラデー回転係数が正の符号を有する
TbとEuが有望であることを見い出した。その数値は
、O,1未満では改善効果が見られず、1.Oよりも大
きくなるとBi置換量が減少するため好ましくない。望
ましくは、0、 2〜0.8の範囲である。なお、Tb
とEuの比は、はぼl:1が好ましく、この比が大きく
異なると融液が不安定となる。Biは、0.5未満では
充分なファラデー回転係数が得られず必要膜厚が大きく
なることから好ましくない。一方、2.0よりも大きく
なるとΔTが30℃以上になるため、自然核の析出が激
しくなり膜欠陥が増大することから好ましくない。望ま
しくは、0.8〜1.6とすべをである。
を進めた結果、ファラデー回転係数が正の符号を有する
TbとEuが有望であることを見い出した。その数値は
、O,1未満では改善効果が見られず、1.Oよりも大
きくなるとBi置換量が減少するため好ましくない。望
ましくは、0、 2〜0.8の範囲である。なお、Tb
とEuの比は、はぼl:1が好ましく、この比が大きく
異なると融液が不安定となる。Biは、0.5未満では
充分なファラデー回転係数が得られず必要膜厚が大きく
なることから好ましくない。一方、2.0よりも大きく
なるとΔTが30℃以上になるため、自然核の析出が激
しくなり膜欠陥が増大することから好ましくない。望ま
しくは、0.8〜1.6とすべをである。
ところで、工業的に使用可能なLPE用ガーネット基板
の種類は数が少なく、通常G d3G a5012 (
GGG)およびCa−Mg−Zr置換GGG基板が市場
の大半を占め、Sm3Ga5O12およびNd3Ga5
012基板はごく一部でしか使用されていない。したが
って、膜の成分組成を制御して基板の格子定数に合致さ
せることが一般的である。
の種類は数が少なく、通常G d3G a5012 (
GGG)およびCa−Mg−Zr置換GGG基板が市場
の大半を占め、Sm3Ga5O12およびNd3Ga5
012基板はごく一部でしか使用されていない。したが
って、膜の成分組成を制御して基板の格子定数に合致さ
せることが一般的である。
既述のようにBi置換量の増大に伴い膜の格子定数は大
きくなることから、B1を置換する母材の格子定数を小
さくすることがすなわちBiを多量に置換するための土
壌といえる。
きくなることから、B1を置換する母材の格子定数を小
さくすることがすなわちBiを多量に置換するための土
壌といえる。
Th1n 5olid Films、114(1984
)33に述べられているように、Lu3Fe5012の
格子定数は希土類鉄ガーネットの中で最も小さい。そこ
で本発明においては、Luを希土類サイトのバランスの
役目に位置づけ、Biの置換量に応じてLuの添加量を
決定した。したがって、その定義をLu3−(x+y
+ z 十Q)とした。
)33に述べられているように、Lu3Fe5012の
格子定数は希土類鉄ガーネットの中で最も小さい。そこ
で本発明においては、Luを希土類サイトのバランスの
役目に位置づけ、Biの置換量に応じてLuの添加量を
決定した。したがって、その定義をLu3−(x+y
+ z 十Q)とした。
[実施例]
以下に、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。なお
、基板と膜の格子定数のミスマツチは、X線デイフラク
トメータを用いて測定した。
、基板と膜の格子定数のミスマツチは、X線デイフラク
トメータを用いて測定した。
実施例
〈実施例1〉
第1表の実施例1に示した融液組成を用いて、Ca−M
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度76
3℃、ΔT21℃でLPE成長させたL uO,3E
uo、4T bo、3Y0.7B i 1.3F e5
012組成のガーネット膜は、使用波長1.55μmに
おいてファラデー回転係数1510deg/Cm、0〜
50℃の温度係数0.05deg/”Cを示した。また
、育成中の自然核の発生は皆無で、自然核の影響による
膜欠陥は全く見られなかった。
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度76
3℃、ΔT21℃でLPE成長させたL uO,3E
uo、4T bo、3Y0.7B i 1.3F e5
012組成のガーネット膜は、使用波長1.55μmに
おいてファラデー回転係数1510deg/Cm、0〜
50℃の温度係数0.05deg/”Cを示した。また
、育成中の自然核の発生は皆無で、自然核の影響による
膜欠陥は全く見られなかった。
GBIGのファラデー回転係数、および温度特性は、各
々11020de/cm、および0.10deg/’C
であり、本発明のガーネット膜は何れの特性においても
勝っている。
々11020de/cm、および0.10deg/’C
であり、本発明のガーネット膜は何れの特性においても
勝っている。
なお、ファラデー回転係数は入射偏光と出射偏光の角度
差を膜厚で除して求めた。温度特性は、0℃から50℃
間のファラデー回転角θのずれを上記温度差で除して求
めた。一方、融液中の自然核の存在有無は目視で確認し
、膜中の自然核の存在有無は光学顕微鏡を用いて確認し
た。
差を膜厚で除して求めた。温度特性は、0℃から50℃
間のファラデー回転角θのずれを上記温度差で除して求
めた。一方、融液中の自然核の存在有無は目視で確認し
、膜中の自然核の存在有無は光学顕微鏡を用いて確認し
た。
(以下、余白)
表1゜
単位;モル%
〈実施例2〉
第1表の実施例2に示した融液組成を用いて、Ca−M
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度78
8℃、ΔT12℃でLPE成長させたLuo、2Euo
、9Tbo、8Y0.2BiO,9Fe5012組成の
ガーネット膜は、使用波長1.55μmにおいてファラ
デー回転係数1040 d e g/cm。
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度78
8℃、ΔT12℃でLPE成長させたLuo、2Euo
、9Tbo、8Y0.2BiO,9Fe5012組成の
ガーネット膜は、使用波長1.55μmにおいてファラ
デー回転係数1040 d e g/cm。
0〜50℃の温度係数0.04deg/’Cを示した。
また、育成中の自然核の発生は皆無で、自然核の影響に
よる膜欠陥は全く見られなかった。
よる膜欠陥は全く見られなかった。
〈実施例3〉
第1表の実施例3に示した融液組成を用いて、Ca−M
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度74
3℃、ΔT28℃でLPE成長させたL uo、3E
uo、3T bO,3Y0.6B i 1.5F e5
012組成のガーネット膜は、使用波長1.55μmに
おいてファラデー回転係数1780deg/cm、0〜
50℃の温度係数0.07deg/℃を示した。また、
育成中の自然核の発生は皆無で、自然核の影響による膜
欠陥は全く見られなかった。
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度74
3℃、ΔT28℃でLPE成長させたL uo、3E
uo、3T bO,3Y0.6B i 1.5F e5
012組成のガーネット膜は、使用波長1.55μmに
おいてファラデー回転係数1780deg/cm、0〜
50℃の温度係数0.07deg/℃を示した。また、
育成中の自然核の発生は皆無で、自然核の影響による膜
欠陥は全く見られなかった。
〈実施例4〉
第1表の実施例4に示した融液組成を用いて、Ca−M
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度72
0℃、ΔT46℃でLPE成長させたL uO,3E
uO,IT bo、IYo、4B i2.IF e50
12組成のガーネット膜は、使用波長1.55μmにお
いてファラデー回転係数2460deg/cmを示した
。しかし、融液中に自然核が析出し、その自然核を核と
した膜欠陥が多数発生した。その結果、結晶性が劣化し
光学特性の測定が不可能であった。
g−Zr置換Gd3Ga5O12基板上に成長温度72
0℃、ΔT46℃でLPE成長させたL uO,3E
uO,IT bo、IYo、4B i2.IF e50
12組成のガーネット膜は、使用波長1.55μmにお
いてファラデー回転係数2460deg/cmを示した
。しかし、融液中に自然核が析出し、その自然核を核と
した膜欠陥が多数発生した。その結果、結晶性が劣化し
光学特性の測定が不可能であった。
[発明の効果コ
本発明組成のガーネット結晶は、大きなファラデー回転
係数が得られるためファラデー回転子の小型化が計れる
。また、ファラデー回転角の温度係数が小さいため光ア
イソレータのアイソレーションの劣化が少ない。更に、
自然核欠陥の低減により育成歩留りが大幅に向上する。
係数が得られるためファラデー回転子の小型化が計れる
。また、ファラデー回転角の温度係数が小さいため光ア
イソレータのアイソレーションの劣化が少ない。更に、
自然核欠陥の低減により育成歩留りが大幅に向上する。
以上のことから本発明の実用的価値は極めて大きい。
第1図は、膜中のBi量とY量の関係を示した図、第2
図は、自然核生成に及ぼす膜中のEu量とTb量の比の
影響を示した図、第3図は、膜中のEu十Tb量とファ
ラデー回転角の温度係数の関係を示した図である。 第1図 Y含有量 X 10”atoms/f、u 第2図 Tb含有量 X I O”atoITls/f、u
図は、自然核生成に及ぼす膜中のEu量とTb量の比の
影響を示した図、第3図は、膜中のEu十Tb量とファ
ラデー回転角の温度係数の関係を示した図である。 第1図 Y含有量 X 10”atoms/f、u 第2図 Tb含有量 X I O”atoITls/f、u
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式; Lu_3_−_(_X_+Y_+z_+_Q)Y_xT
b_YEu_zBi_QFe_5O_1_2(式中、X
,Y,およびZは0.1〜1.0、Qは0.5〜2.0
)で表せる組成を有することを特徴とする磁気光学磁性
ガーネット結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26469190A JPH04142010A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 磁気光学磁性ガーネット結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26469190A JPH04142010A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 磁気光学磁性ガーネット結晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04142010A true JPH04142010A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17406857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26469190A Pending JPH04142010A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 磁気光学磁性ガーネット結晶 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04142010A (ja) |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26469190A patent/JPH04142010A/ja active Pending
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