JPH0247978B2 - Shinkinemachitsukuekishokagobutsu - Google Patents
ShinkinemachitsukuekishokagobutsuInfo
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- JPH0247978B2 JPH0247978B2 JP13183782A JP13183782A JPH0247978B2 JP H0247978 B2 JPH0247978 B2 JP H0247978B2 JP 13183782 A JP13183782 A JP 13183782A JP 13183782 A JP13183782 A JP 13183782A JP H0247978 B2 JPH0247978 B2 JP H0247978B2
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は電気光学的表示材料として有用なシク
ロヘキサンカルボン酸誘導体の新規ネマチツク液
晶化合物に関する。本発明によつて提供される新
規ネマチツク液晶化合物は 一般式 〔式中、Ｒ及びR′はそれぞれ炭素原子数１〜７
の直鎖状アルキル基を表わし、２つのシクロヘキ
サン環はそれぞれトランス（エカトリアル−エカ
トリアル）配置である。〕 で表わされる化合物である。 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
（Ｍ・Schadt）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS18 127〜128（1971）〕によつて提案
された電界効果型セル（フイールド・エフエク
ト・モード・セル）又はジー・エイチ・ハイルマ
イヤー（Ｇ・Ｈ Heilmeier）等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E.E.561162〜
1171（1968）〕によつて提案された動的光散型セル
（ダイナミツク・スキヤツタリング・モード・セ
ル）又はジー・エイチ・ハイルマイヤー（Ｇ・Ｈ
Heilmeier）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS13，91（1968）〕あるいはデイー・エ
ル・ホワイト（DL White）等〔JOURNAL OF
APPLIED PHYSICS45，4718（1974）〕によつて
提案されたゲスト・ホスト型セルなどがある。 これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料に
は種々の特性が要求されるが、室温を含む広い温
度範囲でネマチツク相を有することは各種表示セ
ルに共通して要求されている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な材料の多く
は、通常、室温付近にネマチツク相を有する化合
物と室温より高い温度領域にネマチツク相を有す
る化合物から成る数種又はそれ以上の成分を混合
することによつて調製される。現在実用的に使用
される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
−30℃〜＋65℃の全温度範囲に亙つてネマチツク
相を有することが要求されている。かかる要求を
満すために、室温より高い温度領域にネマチツク
相を有する化合物として、４，4′−置換ターフエ
ニル、４，4′−置換ビフエニルシクロヘキサン、
４，4′−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フエニル
エステルの如き、約100℃の結晶相−ネマチツク
相転移温度（Ｃ−Ｎ点）を有すると共に約200℃
のネマチツク相−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ
点）を有する化合物が使用される場合が多い。 近年、液晶表示セルが屋外等多目的に使用され
るにつれてネマチツク温度範囲の高温領域が＋65
℃よりさらに高いものが必要とされてきている。
このためには従来の化合物よりさらに高いネマチ
ツク相−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）を有
する化合物が要求されている。本発明に係る式
（）の化合物はこの要求に応えるものであり、
既知の液晶混合物に少量混合することによつてネ
マチツク相−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）
を大幅に引き上げることができる。更に、式
（）の化合物は、本出願人が特開昭54−83694号
公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチツク液
晶材料として報告した４，4′−置換シクロヘキシ
ルカルボン酸フエニルエステルと極めて良好な相
溶性を有するから、これらの化合物と混合するこ
とによつて更に優れた混合液晶を得ることができ
る。 本発明に係る式（）の化合物は次の製造方法
に従つて製造することができる。 式（）の化合物にエーテル、ベンゼン、トル
エンの如き不活性有機溶媒中で、ピリジンの如き
塩基性化合物を触媒として式（）の化合物を反
応させ本発明に係る式（）の化合物を製造す
る。 斯くして製造された式（）の化合物の転移温
度を第１表に掲げる。
ロヘキサンカルボン酸誘導体の新規ネマチツク液
晶化合物に関する。本発明によつて提供される新
規ネマチツク液晶化合物は 一般式 〔式中、Ｒ及びR′はそれぞれ炭素原子数１〜７
の直鎖状アルキル基を表わし、２つのシクロヘキ
サン環はそれぞれトランス（エカトリアル−エカ
トリアル）配置である。〕 で表わされる化合物である。 液晶表示セルの代表的なものにエム・シヤツト
（Ｍ・Schadt）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS18 127〜128（1971）〕によつて提案
された電界効果型セル（フイールド・エフエク
ト・モード・セル）又はジー・エイチ・ハイルマ
イヤー（Ｇ・Ｈ Heilmeier）等
〔PROCEEDING OF THE I.E.E.E.561162〜
1171（1968）〕によつて提案された動的光散型セル
（ダイナミツク・スキヤツタリング・モード・セ
ル）又はジー・エイチ・ハイルマイヤー（Ｇ・Ｈ
Heilmeier）等〔APPLIED PHYSICS
LETTERS13，91（1968）〕あるいはデイー・エ
ル・ホワイト（DL White）等〔JOURNAL OF
APPLIED PHYSICS45，4718（1974）〕によつて
提案されたゲスト・ホスト型セルなどがある。 これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料に
は種々の特性が要求されるが、室温を含む広い温
度範囲でネマチツク相を有することは各種表示セ
ルに共通して要求されている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な材料の多く
は、通常、室温付近にネマチツク相を有する化合
物と室温より高い温度領域にネマチツク相を有す
る化合物から成る数種又はそれ以上の成分を混合
することによつて調製される。現在実用的に使用
される上記の如き混合液晶の多くは、少なくとも
−30℃〜＋65℃の全温度範囲に亙つてネマチツク
相を有することが要求されている。かかる要求を
満すために、室温より高い温度領域にネマチツク
相を有する化合物として、４，4′−置換ターフエ
ニル、４，4′−置換ビフエニルシクロヘキサン、
４，4′−置換ベンゾイルオキシ安息香酸フエニル
エステルの如き、約100℃の結晶相−ネマチツク
相転移温度（Ｃ−Ｎ点）を有すると共に約200℃
のネマチツク相−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ
点）を有する化合物が使用される場合が多い。 近年、液晶表示セルが屋外等多目的に使用され
るにつれてネマチツク温度範囲の高温領域が＋65
℃よりさらに高いものが必要とされてきている。
このためには従来の化合物よりさらに高いネマチ
ツク相−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）を有
する化合物が要求されている。本発明に係る式
（）の化合物はこの要求に応えるものであり、
既知の液晶混合物に少量混合することによつてネ
マチツク相−等方性液体相転移温度（Ｎ−Ｉ点）
を大幅に引き上げることができる。更に、式
（）の化合物は、本出願人が特開昭54−83694号
公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチツク液
晶材料として報告した４，4′−置換シクロヘキシ
ルカルボン酸フエニルエステルと極めて良好な相
溶性を有するから、これらの化合物と混合するこ
とによつて更に優れた混合液晶を得ることができ
る。 本発明に係る式（）の化合物は次の製造方法
に従つて製造することができる。 式（）の化合物にエーテル、ベンゼン、トル
エンの如き不活性有機溶媒中で、ピリジンの如き
塩基性化合物を触媒として式（）の化合物を反
応させ本発明に係る式（）の化合物を製造す
る。 斯くして製造された式（）の化合物の転移温
度を第１表に掲げる。
【表】
５ n−C５H１１− n−C３H７− 18
9(Ｃ→Ｓ) 215(Ｓ〓Ｎ) 311(Ｎ〓Ｉ)
9(Ｃ→Ｓ) 215(Ｓ〓Ｎ) 311(Ｎ〓Ｉ)
【表】
６ n−C７H１５− C２H５− 182
(Ｃ→Ｓ) 241(Ｓ〓Ｎ) 289(Ｎ〓Ｉ)
(Ｃ→Ｓ) 241(Ｓ〓Ｎ) 289(Ｎ〓Ｉ)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 〔式中、Ｒ及びR′はそれぞれ炭素原子数１〜７
の直鎖状アルキル基を表わし、２つのシクロヘキ
サン環はそれぞれトランス（エカトリアル−エカ
トリアル）配置である。〕 で表わされる化合物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13183782A JPH0247978B2 (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | Shinkinemachitsukuekishokagobutsu |
| US06/507,916 US4472592A (en) | 1982-07-09 | 1983-06-27 | Nematic liquid crystalline compounds |
| GB08317757A GB2124218B (en) | 1982-07-09 | 1983-06-30 | Nematic liquid crystalline ester compounds |
| DE3324774A DE3324774C2 (de) | 1982-07-09 | 1983-07-08 | Cyclohexancarbonsäure-biphenylester und Benzoyloxybenzoesäurephenylester und deren Verwendung |
| CH3806/83A CH653982A5 (de) | 1982-07-09 | 1983-07-11 | Nematische fluessigkristallverbindungen. |
| GB08520479A GB2163429B (en) | 1982-07-09 | 1985-08-15 | Nematic liquid crystalline esters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13183782A JPH0247978B2 (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | Shinkinemachitsukuekishokagobutsu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921649A JPS5921649A (ja) | 1984-02-03 |
| JPH0247978B2 true JPH0247978B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=15067254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13183782A Expired - Lifetime JPH0247978B2 (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-28 | Shinkinemachitsukuekishokagobutsu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247978B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60184051A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-19 | Hitachi Ltd | 液晶化合物、液晶組成物並びに液晶表示素子 |
| US4655701A (en) * | 1986-02-19 | 1987-04-07 | Fuji Paudal Kabushiki Kaisha | Granulating apparatus |
| JPH0591794A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-09 | Hitachi Ltd | 電動機の定速制御方式 |
| JPH0551436U (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-09 | 三井三池化工機株式会社 | 攪拌羽根の構造 |
| US5577675A (en) * | 1995-01-25 | 1996-11-26 | Mitsui Mining Co., Ltd. | Agitating pulverizer |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP13183782A patent/JPH0247978B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5921649A (ja) | 1984-02-03 |
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