JPH0246536A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JPH0246536A JPH0246536A JP63196557A JP19655788A JPH0246536A JP H0246536 A JPH0246536 A JP H0246536A JP 63196557 A JP63196557 A JP 63196557A JP 19655788 A JP19655788 A JP 19655788A JP H0246536 A JPH0246536 A JP H0246536A
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光を用いて光ディスクや光磁気ディス
ク等の光記憶媒体に記憶される情報の記録や読み出し等
を行うだめの光情報処理用の光ピ媒体に記憶される情報
の記録や読み出しをレーザ光を用いて行う光ピックアッ
プは、光源としての半導体レーザ、該半導体レーザ、該
半導体レーザから出射する光を光記憶媒体上に収束する
ための光学レンズ、光記憶媒体で反射するレーザ光を受
光素子に導くだめのビームスプリッタ、反射光に非点収
差等を与え、光記憶媒体上に収束された光の焦点ずれを
検出可能にして、受光素子に結像させるだめのシリンド
リカルレンズ及び反射光を受光して、焦点ずれトラッキ
ングずれ、及び前記光記憶媒体に記憶された情報を検出
するための受光素子を含んで構成されている。
ク等の光記憶媒体に記憶される情報の記録や読み出し等
を行うだめの光情報処理用の光ピ媒体に記憶される情報
の記録や読み出しをレーザ光を用いて行う光ピックアッ
プは、光源としての半導体レーザ、該半導体レーザ、該
半導体レーザから出射する光を光記憶媒体上に収束する
ための光学レンズ、光記憶媒体で反射するレーザ光を受
光素子に導くだめのビームスプリッタ、反射光に非点収
差等を与え、光記憶媒体上に収束された光の焦点ずれを
検出可能にして、受光素子に結像させるだめのシリンド
リカルレンズ及び反射光を受光して、焦点ずれトラッキ
ングずれ、及び前記光記憶媒体に記憶された情報を検出
するための受光素子を含んで構成されている。
通常の光ピックアップは、この様に光記憶媒体で反射す
るレーザ光を受光素子に導くだめのビームスプリッタや
反射光に非点収差等を与え、光記憶媒体上に収束された
光の焦点ずれを検出可能にして該受光素子に結像させる
ためのシリンドリカルレンズ等が必要とされるので、光
学部品点数が増え光軸合わせが困難となり製造価格が高
価なものとなシ、また光ピックアップを小型化する上で
大キな問題となっていた。
るレーザ光を受光素子に導くだめのビームスプリッタや
反射光に非点収差等を与え、光記憶媒体上に収束された
光の焦点ずれを検出可能にして該受光素子に結像させる
ためのシリンドリカルレンズ等が必要とされるので、光
学部品点数が増え光軸合わせが困難となり製造価格が高
価なものとなシ、また光ピックアップを小型化する上で
大キな問題となっていた。
そこで、小型化を実現するために、通常の光ビ５ベーノ
ツクアップにおけるビームスプリッタとシリンドリカル
レンズの両方の機能を同時に実現可能なホログラム素子
で置き換えられた光ピックアップが発表された。〔参考
文献、木材ら、第２２回微小光学研究金輪文、ｖｏｌ
１４．２２８ （’８６ ） ］このホログラム型の光
ピックアップの概略を第６図に示す。半導体レーザ６１
よシ放射された光は、ホログラムレンズ６２を通過し結
像レンズ６３により光ディスク６４の表面に集光される
。光ディスク６４の表面で記録情報に応じた強度で反射
して広がる光は、再度結像レンズ６３によシ収束され、
一部は半導体レーザ６１に戻るが、一部は二つの領域（
Ｒ１，Ｒ２）に分割されたホログラム素子６２によシ二
方向に分割され、四分割の受光素子６５に結像され、所
謂ナイフェツジ法によシ焦点ずれが検出され、またトラ
ッキングずれ及び前記光記憶媒体に記憶された情報の信
号が検出される。
レンズの両方の機能を同時に実現可能なホログラム素子
で置き換えられた光ピックアップが発表された。〔参考
文献、木材ら、第２２回微小光学研究金輪文、ｖｏｌ
１４．２２８ （’８６ ） ］このホログラム型の光
ピックアップの概略を第６図に示す。半導体レーザ６１
よシ放射された光は、ホログラムレンズ６２を通過し結
像レンズ６３により光ディスク６４の表面に集光される
。光ディスク６４の表面で記録情報に応じた強度で反射
して広がる光は、再度結像レンズ６３によシ収束され、
一部は半導体レーザ６１に戻るが、一部は二つの領域（
Ｒ１，Ｒ２）に分割されたホログラム素子６２によシ二
方向に分割され、四分割の受光素子６５に結像され、所
謂ナイフェツジ法によシ焦点ずれが検出され、またトラ
ッキングずれ及び前記光記憶媒体に記憶された情報の信
号が検出される。
寸だ、ホログラム素子と受光素子をガラス基板上に集積
化するという提案もなされている。〔参６ヘー。
化するという提案もなされている。〔参６ヘー。
考文献、砂川ら、昭和６１年度電子通信学会光・電波部
門全国大会〕この光ピックアップの概略を第６図に示す
。半導体レーザ（ＬＤ）７１から放射された光は、コリ
メーションレンズ７２、対物レンズ７３を通過して、光
ディスク７４に絞られる。光ディスクからの反射光が、
前記の二つのレンズの間に設置された基板７０上の光導
波路７５に、集光グレーティングカプラ７６．７７によ
って導かれ、２組すなわち受光素子７８ 、７９ 。
門全国大会〕この光ピックアップの概略を第６図に示す
。半導体レーザ（ＬＤ）７１から放射された光は、コリ
メーションレンズ７２、対物レンズ７３を通過して、光
ディスク７４に絞られる。光ディスクからの反射光が、
前記の二つのレンズの間に設置された基板７０上の光導
波路７５に、集光グレーティングカプラ７６．７７によ
って導かれ、２組すなわち受光素子７８ 、７９ 。
８０．８１に導かれる。フォーカス誤差はフーコー法に
て検出される。
て検出される。
発明が解決しようとする課題
ところが前記のホログラム型光ピックアップにおいては
、ホログラム素子と半導体レーザの距離を一定以上（数
ｍ）とらなければ受光素子を設置できず、光ピックアッ
プの小型化には大きな効果が発揮できず、また、ホログ
ラムと受光素子の位置関係の調整が非常に困難であった
。まだ光導波路型の光ピックアップでは、小型化の可能
性はあるものの、光導波路上に受光素子を形成する必要
７ベーノ があり、コスト高になると共に、受光素子として高感度
、高速で動作する素子を形成する事は困難である。例え
ばアモルファスシリコンを用いて。
、ホログラム素子と半導体レーザの距離を一定以上（数
ｍ）とらなければ受光素子を設置できず、光ピックアッ
プの小型化には大きな効果が発揮できず、また、ホログ
ラムと受光素子の位置関係の調整が非常に困難であった
。まだ光導波路型の光ピックアップでは、小型化の可能
性はあるものの、光導波路上に受光素子を形成する必要
７ベーノ があり、コスト高になると共に、受光素子として高感度
、高速で動作する素子を形成する事は困難である。例え
ばアモルファスシリコンを用いて。
ガラス等の基板の上に受光素子を形成する事は比較的容
易であるが、応答速度が数百ｋｂｉｔ ／ ｓ と遅
く、光ディスクに記憶された情報を、実用として要求さ
れる数１０ Ｍｂｉｔ ／ ｓの速度で読み出す事は困
難である。
易であるが、応答速度が数百ｋｂｉｔ ／ ｓ と遅
く、光ディスクに記憶された情報を、実用として要求さ
れる数１０ Ｍｂｉｔ ／ ｓの速度で読み出す事は困
難である。
本発明はこの様な課題を克服し、小型軽量で高性能な光
ピックアップを提供するものである。
ピックアップを提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は光を放射する半導体レーザ、前記レーザから出
射する光を光記°億媒体上に収束するための光学レンズ
、前記光記憶媒体によって反射される光の光路中に配置
されて前記反射光が結合されるグレーティングカプラの
形成された光導波路。
射する光を光記°億媒体上に収束するための光学レンズ
、前記光記憶媒体によって反射される光の光路中に配置
されて前記反射光が結合されるグレーティングカプラの
形成された光導波路。
この光導波路を伝搬する光を外部に放出する光結合器、
及び放出された光を検出するための光導波路と別体の受
光素子を含んで構成される光ピックアップである。まだ
レーザからの出射光の発散角を拡大する発散性のレンズ
手段を用いてもよい。
及び放出された光を検出するための光導波路と別体の受
光素子を含んで構成される光ピックアップである。まだ
レーザからの出射光の発散角を拡大する発散性のレンズ
手段を用いてもよい。
作用
本発明は光ディスクからの反射光が、複数の回折格子に
より光導波路に導かれ、光導路中を複数方向に一定距離
以上伝搬した後、光導波路外部に放射されて光導波路と
別体の複数の受光素子に入射させる事により、光ピック
アップの小型軽量化が実現され、高速、高感度の受光素
子を用いることができ、高性能な光ピックアップが得ら
れる。
より光導波路に導かれ、光導路中を複数方向に一定距離
以上伝搬した後、光導波路外部に放射されて光導波路と
別体の複数の受光素子に入射させる事により、光ピック
アップの小型軽量化が実現され、高速、高感度の受光素
子を用いることができ、高性能な光ピックアップが得ら
れる。
実施例
本発明の光ピックアップの詳細を実施例を用いて説明す
る。第１図に本発明のピックアップの概略を示し、矢印
は光の伝搬状況を示す。半導体レーザ１から放射した光
は透明基板２を透過して発散し、集光レンズ３によって
光デイスク４０表面に集光される。光ディスク４からの
反射光は再び集光レンズ３を透過して半導体レーザ１に
戻ろうとするが、一部は入力グレーティングカプラ５に
よって光導波路６に導かれ、出力グレーティングカプラ
７に向って伝搬し、グレーティングカプラ９へ一ノ アで放射され、別体の受光素子８に達して信号が検出さ
れる。
る。第１図に本発明のピックアップの概略を示し、矢印
は光の伝搬状況を示す。半導体レーザ１から放射した光
は透明基板２を透過して発散し、集光レンズ３によって
光デイスク４０表面に集光される。光ディスク４からの
反射光は再び集光レンズ３を透過して半導体レーザ１に
戻ろうとするが、一部は入力グレーティングカプラ５に
よって光導波路６に導かれ、出力グレーティングカプラ
７に向って伝搬し、グレーティングカプラ９へ一ノ アで放射され、別体の受光素子８に達して信号が検出さ
れる。
第２図に本発明の光導波路の形成された基板の表面の概
略を示す。透明基板の表面に４分割のグレーティングカ
プラ５（ｓａ、５ｂ 、５０．５ｄ）が形成されている
。このグレーティングカプラは導波光と発散光が結合す
る発散性のグレーティングカプラであって、逆に、グレ
ーティングカプラに収束性の光が入射すると、導波光に
変換される。
略を示す。透明基板の表面に４分割のグレーティングカ
プラ５（ｓａ、５ｂ 、５０．５ｄ）が形成されている
。このグレーティングカプラは導波光と発散光が結合す
る発散性のグレーティングカプラであって、逆に、グレ
ーティングカプラに収束性の光が入射すると、導波光に
変換される。
そしてカプラｓａ、ｓｂ、ｓｃ、５ｄに入射した収束性
の光は、はぼ平行な光となって導波路中を。
の光は、はぼ平行な光となって導波路中を。
矢印９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ方向に伝搬し、平行な形状
の出力グレーティングカプラγ（γａ。
の出力グレーティングカプラγ（γａ。
７ｂ、７Ｃ，７ｄ）に達して空間中に放射され。
別体の４つの受光素子５（ｓａ、ｓｂ、ｓｃ。
８ｄ）で検出される。
ところで発散性のグレーティングカプラは設定の焦点位
置と実際光の収束点が異なると結合効率が劣化するとい
う特徴を有している。そこで、カプラ５ａ、５ｄの設定
焦点距離をｆ。＋Δｆと設定１０７、−７ し、カプラｓｃ、５ｂの設定焦点距離をｆ。−Δｆにし
ておく。ここでｆ。は半導体レーザが光デイスク表面で
最少に絞られた時の焦点距離である。
置と実際光の収束点が異なると結合効率が劣化するとい
う特徴を有している。そこで、カプラ５ａ、５ｄの設定
焦点距離をｆ。＋Δｆと設定１０７、−７ し、カプラｓｃ、５ｂの設定焦点距離をｆ。−Δｆにし
ておく。ここでｆ。は半導体レーザが光デイスク表面で
最少に絞られた時の焦点距離である。
すると、光ディスクが、収束レンズに近づいた時には収
束距離が長くなり、グレーティングカプラ５ａと６ｄの
結合効率がグレーティングカプラ５ｂと５０の結合効率
よりも良くなる。従って、受光素子ｓａ、ｓｄの出力が
素子８ｂ、８０の出力よシも大きくなる。故に素子Ｂａ
、ｓｂ、８ｃ。
束距離が長くなり、グレーティングカプラ５ａと６ｄの
結合効率がグレーティングカプラ５ｂと５０の結合効率
よりも良くなる。従って、受光素子ｓａ、ｓｄの出力が
素子８ｂ、８０の出力よシも大きくなる。故に素子Ｂａ
、ｓｂ、８ｃ。
８ｄの出力を人、Ｂ 、Ｃ，Ｄとすると、（Ａ＋Ｄ）＞
（Ｂ＋Ｃ）となる。壕だ逆に、光ディスクが収束レンズ
から遠ざかると、（Ａ＋Ｄ）＜（Ｂ−１）となシフオー
カス信号が得られる。また、光ディスクのトラック方向
が第２図の導波光の伝搬方向と垂直ならば、（人士Ｇ）
−（Ｂ十Ｄ）によってトラッキング信号が得られる。ま
た光ディスクに記憶された信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）で
得られる。
（Ｂ＋Ｃ）となる。壕だ逆に、光ディスクが収束レンズ
から遠ざかると、（Ａ＋Ｄ）＜（Ｂ−１）となシフオー
カス信号が得られる。また、光ディスクのトラック方向
が第２図の導波光の伝搬方向と垂直ならば、（人士Ｇ）
−（Ｂ十Ｄ）によってトラッキング信号が得られる。ま
た光ディスクに記憶された信号は（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）で
得られる。
第１図のピックアップによれば、入力用および出力用グ
レーティングカプラ５，７を用い、受光素子８として単
結晶Ｓ１よシなるものを使用する１１ ／＼−７ ことができ、応答速度は数１０Ｍｂｉｔ／ｓ〜数１００
Ｍｂｉｔ／ｓが得られ、充分実用に供するものとするこ
とができる。
レーティングカプラ５，７を用い、受光素子８として単
結晶Ｓ１よシなるものを使用する１１ ／＼−７ ことができ、応答速度は数１０Ｍｂｉｔ／ｓ〜数１００
Ｍｂｉｔ／ｓが得られ、充分実用に供するものとするこ
とができる。
また、第１図では、グレーティングカプラ５により導波
路６を伝搬させるため、受光素子８をレーザ１から離し
ても、レーザ１と透明基板２を数μｍ程度に接近させる
ことができ、ピックアップの小型化を達成することがで
きる。
路６を伝搬させるため、受光素子８をレーザ１から離し
ても、レーザ１と透明基板２を数μｍ程度に接近させる
ことができ、ピックアップの小型化を達成することがで
きる。
なお、レーザ１は、ＤＦＢ （分布帰還型）レーザが望
ましい。通常の半導体レーザは、電流、温度等で波長が
変動し、光導波路に導かれる光の量が大きく変動する。
ましい。通常の半導体レーザは、電流、温度等で波長が
変動し、光導波路に導かれる光の量が大きく変動する。
したがって、波長変動が少ないＤＦＢレーザが好適であ
る。
る。
本発明の第２の実施例を第３図に示す。
半導体レーザ１から放射した光は凹レンズ１゜によシ更
に発散性の強いビームとして透明基板２に透過し、集光
レンズ３によって光ディスク４の表面に集光される。光
ディスクからの反射光は再び集光レンズ３を通して半導
体レーザ１に戻ろうとするが、一部は入力グレーティン
グカプラ５によって光導波路６に導かれ、出力グレーテ
ィングカプラ７に向って伝搬し、放射され、凹レンズ１
ｏを通して受光素子８に達する。
に発散性の強いビームとして透明基板２に透過し、集光
レンズ３によって光ディスク４の表面に集光される。光
ディスクからの反射光は再び集光レンズ３を通して半導
体レーザ１に戻ろうとするが、一部は入力グレーティン
グカプラ５によって光導波路６に導かれ、出力グレーテ
ィングカプラ７に向って伝搬し、放射され、凹レンズ１
ｏを通して受光素子８に達する。
信号検出の原理は、第１図の実施例と全く同じであるが
、第１図に比較して、凹レンズ１ｏを用いる事により、
半導体レーザ１と集光レンズ３の距離をたとえば６ｒｒ
ａ以下に短縮する事ができる。
、第１図に比較して、凹レンズ１ｏを用いる事により、
半導体レーザ１と集光レンズ３の距離をたとえば６ｒｒ
ａ以下に短縮する事ができる。
第１図ではＩ Ｃｍ程度必要である。またこの様に半導
体レーザ１と収束（集光）レンズ３の距離が短く出来る
事が第３図の光ピックアップの特徴であり、従来のホロ
グラム型の光ピックアップでは実現が困難であった。
体レーザ１と収束（集光）レンズ３の距離が短く出来る
事が第３図の光ピックアップの特徴であり、従来のホロ
グラム型の光ピックアップでは実現が困難であった。
本発明の光ピックアップに用いる事の可能な半導体レー
ザ装置の他の実施例を第４図に示す。第４図ておいて、
第３図と同一機能部分には同一番号を付し、集光レンズ
３、光ディスク４は図では省略している。このレーザ装
置は、半導体レーザ１、受光素子８、光導波路６．凹レ
ンズ及びグレーティングカプラ５，７が同一のマウント
に警戒されている。４１はキャップ、４２はＳｉのサブ
１３ Ｋ ’。
ザ装置の他の実施例を第４図に示す。第４図ておいて、
第３図と同一機能部分には同一番号を付し、集光レンズ
３、光ディスク４は図では省略している。このレーザ装
置は、半導体レーザ１、受光素子８、光導波路６．凹レ
ンズ及びグレーティングカプラ５，７が同一のマウント
に警戒されている。４１はキャップ、４２はＳｉのサブ
１３ Ｋ ’。
マウントでレーザ１がマウントされ、複数に分割された
受光素子８はマウント９に設置されている。
受光素子８はマウント９に設置されている。
凹レンズ１０．光導波路６とグレーティングカプラ５，
７は透明基板２に設置され、透明基板２が上面キャップ
の役割をも果たし、これと側面キャップ４１とで内部が
封止され、内部には不活性ガスが封入されている。
７は透明基板２に設置され、透明基板２が上面キャップ
の役割をも果たし、これと側面キャップ４１とで内部が
封止され、内部には不活性ガスが封入されている。
本実施例の半導体レーザ装置を用いる事によシ、光ピッ
クアップの小型化が実現される。
クアップの小型化が実現される。
本実施例では凹レンズ１０が設置されているが。
凹レンズ１０を設置しなくてもよく、この場合は第一の
実施例の光ピックアップと同様となる。
実施例の光ピックアップと同様となる。
第４図によれば、受光素子８とレーザ１が同一マウント
に一体化されて封止されておシ、素子８とレーザ１の位
置合せが容易であり、組立も行いやすく、信頼性も高い
構造を実現できる。
に一体化されて封止されておシ、素子８とレーザ１の位
置合せが容易であり、組立も行いやすく、信頼性も高い
構造を実現できる。
寸た本発明の実施例では、グレーティングカプラが、単
に透明な基板上に形成されているが、透明な基板もしく
はグレーティングを形成する媒体として、ニオブ酸リチ
ウムや液晶等の屈折率異方１４へ 。
に透明な基板上に形成されているが、透明な基板もしく
はグレーティングを形成する媒体として、ニオブ酸リチ
ウムや液晶等の屈折率異方１４へ 。
性を有する光学媒体を利用し、ＶＬ波長板等と組み合わ
せる事によシ光の利用効率を高める事ができる。
せる事によシ光の利用効率を高める事ができる。
発明の効果
以上に示した如く、本発明は従来の光ピックアップの問
題点を克服し、小型軽量かつ高性能な光ピックアップを
提供するものであり、光情報処理装置にとって大きな価
値を有するものである。
題点を克服し、小型軽量かつ高性能な光ピックアップを
提供するものであり、光情報処理装置にとって大きな価
値を有するものである。
第１図は本発明の一実施例の光ピックアップの概略図、
第２図は同実施例に用いた光導波路の設置された基板の
平面図、第３図は本発明の他の実施例の光ピックアップ
の概略図、第４図は本発明に用いる半導体レーザ装置の
一例の概略図、第５図、第６図は従来の光集積化ピック
アップ、従来のホログラム型光ピックアップの概略図で
ある。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・透明基板、３
・・・・・集束レンズ、４・川・・光ディスク、５・・
川・入力グレーティング、６・・・・・・光導波路、７
・・・・・・出力グレーティング、８，８・・・・・・
受光素子。 区 鷲ｒ 憾 区 Ｕ） 城 ａ）Ｏ− トｉ ８ミ
第２図は同実施例に用いた光導波路の設置された基板の
平面図、第３図は本発明の他の実施例の光ピックアップ
の概略図、第４図は本発明に用いる半導体レーザ装置の
一例の概略図、第５図、第６図は従来の光集積化ピック
アップ、従来のホログラム型光ピックアップの概略図で
ある。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・透明基板、３
・・・・・集束レンズ、４・川・・光ディスク、５・・
川・入力グレーティング、６・・・・・・光導波路、７
・・・・・・出力グレーティング、８，８・・・・・・
受光素子。 区 鷲ｒ 憾 区 Ｕ） 城 ａ）Ｏ− トｉ ８ミ
Claims (9)
- （１）光を放射する半導体レーザ、前記レーザから出射
する光を光記憶媒体上に収束するための光学レンズ、前
記光記憶媒体によって反射される光の光路中に配置され
て前記反射光が結合されるグレーティングカプラの形成
された光導波路、この光導波路を伝搬する光を外部に放
出する光結合器、前記放出された光を検出するための受
光素子を含んで構成される光ピックアップ装置。 - （２）光を放射する半導体レーザ、前記レーザから出射
する光の発散角を拡大するための発散性の光学レンズ、
前記発散光を光記憶媒体上に収束するための光学レンズ
、前記光記憶媒体によって反射される光の光路中に配置
されて前記反射光が結合されるグレーティングカプラの
形成された光導波路、この光導波路を伝搬する光を外部
に放出する光結合器、前記放出された光を検出するため
の受光素子を含んで構成される事を特徴とする光ピック
アップ装置。 - （３）グレーティングカプラが複数の発散性グレーティ
ングカプラである事を特徴とする特許請求の範囲第１項
又は第２項記載の光ピックアップ装置。 - （４）受光素子が前記複数のグレーティングカプラに対
応して複数個設置されている事を特徴とする特許請求の
範囲第３項記載の光ピックアップ装置。 - （５）発散性グレーティングカプラの焦点距離が、二種
類以上存在する事を特徴とする特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の光ピックアップ装置。 - （６）光導波路を伝搬する光を外部に放出する光結合器
がグレーティングカプラである事を特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の光ピックアップ装置。 - （７）回折格子が屈折率異方性を有する光学媒体で形成
されている事を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の光ピックアップ装置。 - （８）半導体レーザと複数の受光素子が同一マウントに
配置され、かつ前記レーザが前記グレーティングカプラ
と光結合器と光導波路の形成された透明な基板で封じら
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の光ピックアップ装置。 - （９）光導波路の形成された透明な基板と、半導体レー
ザの間に凹レンズが介在している事を特徴とする特許請
求の範囲第８項記載の光ピックアップ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196557A JPH0246536A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
| US07/487,964 US5161148A (en) | 1988-08-05 | 1989-08-01 | Optical pick-up using wavelength guide with grating coupler therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196557A JPH0246536A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246536A true JPH0246536A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16359715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196557A Pending JPH0246536A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246536A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03274513A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光結合装置 |
| US5161148A (en) * | 1988-08-05 | 1992-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up using wavelength guide with grating coupler therein |
| US5701289A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-23 | Nec Corporation | Optical head with hologram couplers for reading and writing data |
| US5757755A (en) * | 1995-08-24 | 1998-05-26 | Nec Corporation | Data reading/writing optical head with holographic coupler |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6111947A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Canon Inc | 光ヘツド装置 |
| JPS6171430A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-12 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置 |
| JPS6299927A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196557A patent/JPH0246536A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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