JPH0244633A - フラッシュ高速原子線源 - Google Patents
フラッシュ高速原子線源Info
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- JPH0244633A JPH0244633A JP19373188A JP19373188A JPH0244633A JP H0244633 A JPH0244633 A JP H0244633A JP 19373188 A JP19373188 A JP 19373188A JP 19373188 A JP19373188 A JP 19373188A JP H0244633 A JPH0244633 A JP H0244633A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 36
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 abstract description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 20
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体、金属、絶縁物から構成され4Ls
[用材料に電子素子パターンをスパッタエツチングで作
製する場合や、絶縁物の組成分析を行う場合等に使用さ
れるビームとして好適である収束性が高くかつ高出力な
高速原子線をパルス的に発生させるフラッシュ高速原子
線源に関するものである。
[用材料に電子素子パターンをスパッタエツチングで作
製する場合や、絶縁物の組成分析を行う場合等に使用さ
れるビームとして好適である収束性が高くかつ高出力な
高速原子線をパルス的に発生させるフラッシュ高速原子
線源に関するものである。
[従来の技術]
常温の大気中で熱運動している原子は、概ね0.05e
V(電子ボルト)前後の運動エネルギーを有している。
V(電子ボルト)前後の運動エネルギーを有している。
これに比べて遥かに大きな運動エネルギーで飛翔する原
子1分子を総称して「高速原子」と呼び、それが一方向
にビーム状に流れる場合に「高速原子線」と言う。
子1分子を総称して「高速原子」と呼び、それが一方向
にビーム状に流れる場合に「高速原子線」と言う。
半導体、金属、絶縁物から構成されるLSI用材料に、
電子素子パターンをスパッタエツチングで作製する場合
や、絶縁物の組成分析を行う時に、これまではイオンビ
ームを用いていたが、イオンの電荷が絶縁物表面に帯電
して、加工や分析の妨害となっていた。しかし、イオン
ビームの替わりに、電荷を有しない高速原子線を用いれ
ば、帯電に起因するトラブルが回避され、加工精度や分
析の信頼性の向上が期待される。そこで従来より、この
ような用途に好適なビームとして収束性が高くかつ高出
力な高速原子線源が求められていた。
電子素子パターンをスパッタエツチングで作製する場合
や、絶縁物の組成分析を行う時に、これまではイオンビ
ームを用いていたが、イオンの電荷が絶縁物表面に帯電
して、加工や分析の妨害となっていた。しかし、イオン
ビームの替わりに、電荷を有しない高速原子線を用いれ
ば、帯電に起因するトラブルが回避され、加工精度や分
析の信頼性の向上が期待される。そこで従来より、この
ような用途に好適なビームとして収束性が高くかつ高出
力な高速原子線源が求められていた。
従来発表されている、気体原子の高速原子線を発生ずる
高速原子線源のうち、運動エネルギーが0.5〜10k
eVのアルゴン原子を放射する高速原子線源の一例を第
4図に示す。図中、1は円筒形の陰極、2はドーナッツ
状の陽極、3は0゜5〜l0keVの直流高圧電源、4
はガスノズル、5はアルゴンガス、6はプラズマ、7は
高速原子線の放出孔、8は高速原子線、9は放電安定抵
抗である。
高速原子線源のうち、運動エネルギーが0.5〜10k
eVのアルゴン原子を放射する高速原子線源の一例を第
4図に示す。図中、1は円筒形の陰極、2はドーナッツ
状の陽極、3は0゜5〜l0keVの直流高圧電源、4
はガスノズル、5はアルゴンガス、6はプラズマ、7は
高速原子線の放出孔、8は高速原子線、9は放電安定抵
抗である。
この従来例の動作は次のとうりである。直流高圧電源3
、放電安定抵抗9以外の構成要素を真空容器に入れ十分
に排気した後、ガスノズル4からアルゴンガス5を円筒
形陰極1の内部に注入する。
、放電安定抵抗9以外の構成要素を真空容器に入れ十分
に排気した後、ガスノズル4からアルゴンガス5を円筒
形陰極1の内部に注入する。
ここで直流高圧電源3によって、陽極2が正電位、陰極
lが負電位となるように、直流高電圧を印加する。これ
で陰[!1・陽極2間にグロー放電が起き、プラズマ6
が発生し、アルゴンイオンと電子が生成される。さらに
この放電において、円筒形陰極lの底面1aから放出す
る電子は、陽極2に向かって加速され、陽極2の中央の
孔を通過して、円筒形陰極lの反対側の底面tbに達し
、ここで速度を失って反転し、あらためて陽極2に向か
って加速され始める。このように電子は陽極2の中央の
孔を介して、円筒形陰極lの両方の底面1a。
lが負電位となるように、直流高電圧を印加する。これ
で陰[!1・陽極2間にグロー放電が起き、プラズマ6
が発生し、アルゴンイオンと電子が生成される。さらに
この放電において、円筒形陰極lの底面1aから放出す
る電子は、陽極2に向かって加速され、陽極2の中央の
孔を通過して、円筒形陰極lの反対側の底面tbに達し
、ここで速度を失って反転し、あらためて陽極2に向か
って加速され始める。このように電子は陽極2の中央の
孔を介して、円筒形陰極lの両方の底面1a。
1bの間を高周波振動し、その間にアルゴンガスに衝突
して、多数のアルゴンイオンを生成する。
して、多数のアルゴンイオンを生成する。
こうして発生したアルゴンイオンは、円筒形陰極lの底
面に向かって加速され、十分な運動エネルギーを得るに
到る。この運動エネルギーは、陽極2・陰極1間の放電
維持電圧が、例えば1kVのときは1keV程度の値と
なる。円筒形陰極lの底面近傍の空間で、アルゴンイオ
ンは残留しているアルゴンガスと接触して電荷を失い中
性のアルゴン原、子に戻る。また、円筒形陰極lの底面
近傍の空間は高周波振動をする電子の折り返し点であっ
て、低エネルギーの電子が多数存在する空間であり、こ
の空間に入射したアルゴンイオンは電子と再結合してア
ルゴン原子に戻る。前述のアルゴンイオンとアルゴンガ
スの接触は、アルゴンイオンの運動エネルギーが大幅に
変わってしまう程激しいものではないので、アルゴンイ
オンの運動エネルギーがそのまま中性のアルゴン原子に
受は継がれて、高速の原子線が誕生する。また、アルゴ
ンイオンと電子の衝突においても、電子の質量がアルゴ
ンイオンに比べて無視できる程に小さいために、アルゴ
ンイオンの運動エネルギーは殆ど損失せずにそのままア
ルゴン原子に受は継がれて、アルゴン原子は高速原子と
なる。したがって、この場合の高速原子の運動エネルギ
ーは、1keV程度となるのである。このようにして発
生した高速原子は、円筒形陰極lの一方の底面tbに穿
たれた放出孔7から高速原子線8となって放出される。
面に向かって加速され、十分な運動エネルギーを得るに
到る。この運動エネルギーは、陽極2・陰極1間の放電
維持電圧が、例えば1kVのときは1keV程度の値と
なる。円筒形陰極lの底面近傍の空間で、アルゴンイオ
ンは残留しているアルゴンガスと接触して電荷を失い中
性のアルゴン原、子に戻る。また、円筒形陰極lの底面
近傍の空間は高周波振動をする電子の折り返し点であっ
て、低エネルギーの電子が多数存在する空間であり、こ
の空間に入射したアルゴンイオンは電子と再結合してア
ルゴン原子に戻る。前述のアルゴンイオンとアルゴンガ
スの接触は、アルゴンイオンの運動エネルギーが大幅に
変わってしまう程激しいものではないので、アルゴンイ
オンの運動エネルギーがそのまま中性のアルゴン原子に
受は継がれて、高速の原子線が誕生する。また、アルゴ
ンイオンと電子の衝突においても、電子の質量がアルゴ
ンイオンに比べて無視できる程に小さいために、アルゴ
ンイオンの運動エネルギーは殆ど損失せずにそのままア
ルゴン原子に受は継がれて、アルゴン原子は高速原子と
なる。したがって、この場合の高速原子の運動エネルギ
ーは、1keV程度となるのである。このようにして発
生した高速原子は、円筒形陰極lの一方の底面tbに穿
たれた放出孔7から高速原子線8となって放出される。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来の技術における高速原子線源で
は、プラズマ6が円筒形陰極lの内部いっばいに広がっ
てしまうために、陽極2から放出孔7に向かうアルゴン
イオンを収束することが困難であり、従って高速原子線
8の収束性は劣り、また、放電電流も最大IA程度であ
って、高出力ビームの放出には適さなかった。
は、プラズマ6が円筒形陰極lの内部いっばいに広がっ
てしまうために、陽極2から放出孔7に向かうアルゴン
イオンを収束することが困難であり、従って高速原子線
8の収束性は劣り、また、放電電流も最大IA程度であ
って、高出力ビームの放出には適さなかった。
本発明は、上記問題点を解決するために創案されたもの
で、微小領域の加工や分析に用いるのに好適な収束性が
高くかつ高出力な高速原子線源を発生することのできる
フラッシュ高速原子線源を提供することを目的とする。
で、微小領域の加工や分析に用いるのに好適な収束性が
高くかつ高出力な高速原子線源を発生することのできる
フラッシュ高速原子線源を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するための本発明のフラッシュ高速原
子線源の一つの構成は、 真空中において陽極とこれに対向して配置した高速原子
線の通過する開口部を有する筒形の陰極と、この筒形の
陰極の内部にガスを注入するガスノズルと、直流高電圧
電源から充電されるコンデンサと、このコンデンサと直
列に上記陽極と陰極の間に接続されオンにすることによ
り上記ガスに放電を生じさせるスイッチ手段とを備え、
上記放電により上記高速原子線を得ることを特徴とする
。
子線源の一つの構成は、 真空中において陽極とこれに対向して配置した高速原子
線の通過する開口部を有する筒形の陰極と、この筒形の
陰極の内部にガスを注入するガスノズルと、直流高電圧
電源から充電されるコンデンサと、このコンデンサと直
列に上記陽極と陰極の間に接続されオンにすることによ
り上記ガスに放電を生じさせるスイッチ手段とを備え、
上記放電により上記高速原子線を得ることを特徴とする
。
また、他の構成としては、
真空中において陽極とこれに対向して配置した高速原子
線の通過する開口部を有する筒形の陰極と、高速で開閉
するパルプを有し上記筒形の陰極の内部にガスをパルス
的に注入するガスノズルと、上記陽極と陰極の間に接続
され直流高圧電源から充電されるとともに上記ガスに放
電を生じさせるコンデンサとを備え、上記放電により上
記高速原子線を得ることを特徴とする。
線の通過する開口部を有する筒形の陰極と、高速で開閉
するパルプを有し上記筒形の陰極の内部にガスをパルス
的に注入するガスノズルと、上記陽極と陰極の間に接続
され直流高圧電源から充電されるとともに上記ガスに放
電を生じさせるコンデンサとを備え、上記放電により上
記高速原子線を得ることを特徴とする。
[作用]
本発明は、陰極に注入したガスにスイッチ手段によりま
たはパルス的に注入した上記のガスにより、コンデンサ
に充電した直流高電圧で放電を生じさせ、そのコンデン
サの作用によって極めて大きな放電電流を流して大量の
イオンを発生させる。
たはパルス的に注入した上記のガスにより、コンデンサ
に充電した直流高電圧で放電を生じさせ、そのコンデン
サの作用によって極めて大きな放電電流を流して大量の
イオンを発生させる。
このイオンは、陰極に向けて加速され、ガスと接触して
電荷を失に中性の高速原子線となるが、上記イオンの大
量発生が高速原子線を高出力化する。
電荷を失に中性の高速原子線となるが、上記イオンの大
量発生が高速原子線を高出力化する。
また、放N電流は極めて大きいためにピンチ効果て細く
しぼられる結果、陰極に向かうイオンが強く収束され、
従って高速原子線も高い収束性を持つようになる。
しぼられる結果、陰極に向かうイオンが強く収束され、
従って高速原子線も高い収束性を持つようになる。
[実施例コ
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例を示す斜視的な構成図で
ある。図中、11は針状の陽極、12は円筒形の端面に
高速原子の通過する開口部を設は陽極11にその開口部
を対向させて配置した陰極、13は高耐圧の例えば1μ
F程度のコンデンサ、14は例えば出力が30kV程度
でありコンデンサ13を充電するだめの直流高電圧電源
、15は充電電流を限流するための高抵抗、16は円筒
形の陰極12の内部にガスを注入するガスノズル、17
はコンデンサ13と直列に接続されて陽極11と陰極1
2の間に接続されるスイッチ、18は陽極11と陰極1
2およびガスノズル16等を収容し図示省略の真空ポン
プ等で排気される真空容器、19はスイッチ17の操作
によりガスに生ずる放電で発生する高速原子線である。
ある。図中、11は針状の陽極、12は円筒形の端面に
高速原子の通過する開口部を設は陽極11にその開口部
を対向させて配置した陰極、13は高耐圧の例えば1μ
F程度のコンデンサ、14は例えば出力が30kV程度
でありコンデンサ13を充電するだめの直流高電圧電源
、15は充電電流を限流するための高抵抗、16は円筒
形の陰極12の内部にガスを注入するガスノズル、17
はコンデンサ13と直列に接続されて陽極11と陰極1
2の間に接続されるスイッチ、18は陽極11と陰極1
2およびガスノズル16等を収容し図示省略の真空ポン
プ等で排気される真空容器、19はスイッチ17の操作
によりガスに生ずる放電で発生する高速原子線である。
以上のように構成した第1の実施例の作用を述べる。ま
ず、真空容器18を充分に排気し、ガスノズル16から
、例えば酸素ガスを円筒形の陰極12の内部に注入する
。またコンデンサ13は容量が例えばlμFであり、高
抵抗15を介して直流高電圧電源14によって例えば3
0kVの高電圧に充電されている。円筒形の陰極12の
内部に注入された酸素ガスは拡散して陽極11・陰極1
2間に充満する。この状態でスイッチ17をON(オン
)にすると、陽極11と陰極12の間に放電が生じ、プ
ラズマが発生する。スイッチ17、陰極12、陽極11
およびこれらを繋ぐ結線を含めたインダクタンスは、数
〜数10μHであるから、コンデンサ13に充電されて
いる電気!(30kVXlμF=0.03G)は数μs
ecで放電し尽くす。よってプラズマの接続時間もこの
程度であり、放電発生時の最大放電電流は数10〜数1
00kAに達し、プラズマに注入されるエネルギーは、
瞬間的にではあるが、数100MWに達する。従って、
プラズマの密度は極めて高く、温度ら高温となり、大量
の酸素イオンが発生する。
ず、真空容器18を充分に排気し、ガスノズル16から
、例えば酸素ガスを円筒形の陰極12の内部に注入する
。またコンデンサ13は容量が例えばlμFであり、高
抵抗15を介して直流高電圧電源14によって例えば3
0kVの高電圧に充電されている。円筒形の陰極12の
内部に注入された酸素ガスは拡散して陽極11・陰極1
2間に充満する。この状態でスイッチ17をON(オン
)にすると、陽極11と陰極12の間に放電が生じ、プ
ラズマが発生する。スイッチ17、陰極12、陽極11
およびこれらを繋ぐ結線を含めたインダクタンスは、数
〜数10μHであるから、コンデンサ13に充電されて
いる電気!(30kVXlμF=0.03G)は数μs
ecで放電し尽くす。よってプラズマの接続時間もこの
程度であり、放電発生時の最大放電電流は数10〜数1
00kAに達し、プラズマに注入されるエネルギーは、
瞬間的にではあるが、数100MWに達する。従って、
プラズマの密度は極めて高く、温度ら高温となり、大量
の酸素イオンが発生する。
放電電流が極めて大であるので、ピンチ効果によって′
電流は非常に細くしぼられ、そのため発生するイオンビ
ームも強く収束される。酸素イオンは陰極12に向かっ
て加速されて、陰極12゛の円筒の内部に入射し、酸素
ガスと接続して電荷を失い中性の酸素原子にもどる。酸
素ガスはガスノズル16から円筒形の陰極12に注入さ
れるから、その円筒の内部は他よりガス圧が高く、酸素
イオンと酸素ガスの接触の効率が高い。酸素イオンと酸
素ガスの接触は、酸素イオンの運動エネルギーが大幅に
変わってしまう程厳しいものではないので、酸素イオン
の運動エネルギーがそのまま中性の酸素原子に受は継が
れて、収束性の高い酸素高速原子線19が誕生し、円筒
形の陰極12の開口部から外に放出される。コンデンサ
13に充電されている電気量が放電し尽くすと、プラズ
マは消失し、高速原子線の放出も止む。ここで再びコン
デンサ13が充電され、次のスイッチ17のONによっ
て、またプラズマが発生し、高速原子線19が再び放出
される。このようにして収束性が高く、かつ大量の酸素
イオンが発生することから高出力の高速原子線がパルス
的に繰り返し得られる。なお、ガスノズル16から注入
するガスが例えばアルゴンの時には、アルゴン高速原子
線が発生することになる。
電流は非常に細くしぼられ、そのため発生するイオンビ
ームも強く収束される。酸素イオンは陰極12に向かっ
て加速されて、陰極12゛の円筒の内部に入射し、酸素
ガスと接続して電荷を失い中性の酸素原子にもどる。酸
素ガスはガスノズル16から円筒形の陰極12に注入さ
れるから、その円筒の内部は他よりガス圧が高く、酸素
イオンと酸素ガスの接触の効率が高い。酸素イオンと酸
素ガスの接触は、酸素イオンの運動エネルギーが大幅に
変わってしまう程厳しいものではないので、酸素イオン
の運動エネルギーがそのまま中性の酸素原子に受は継が
れて、収束性の高い酸素高速原子線19が誕生し、円筒
形の陰極12の開口部から外に放出される。コンデンサ
13に充電されている電気量が放電し尽くすと、プラズ
マは消失し、高速原子線の放出も止む。ここで再びコン
デンサ13が充電され、次のスイッチ17のONによっ
て、またプラズマが発生し、高速原子線19が再び放出
される。このようにして収束性が高く、かつ大量の酸素
イオンが発生することから高出力の高速原子線がパルス
的に繰り返し得られる。なお、ガスノズル16から注入
するガスが例えばアルゴンの時には、アルゴン高速原子
線が発生することになる。
第2図は本発明の第2の実施例を示す斜視的な構成図で
ある・。本実施例は、第1の実施例において、ガスノズ
ル16のガス供給側に高速で開閉するバルブ21を設け
、さらにスイッチ17に代えて図示省略の制御機構によ
りバルブ21の開閉に同期してオン/オフするスイッチ
22を設けたものである。その他の構成は、第1図に示
す第1の実施例と同様であり、第2図中11−16.1
8゜19で示される要素は、第1図において対応する同
一番号の要素と同一の動作9機能を有する。
ある・。本実施例は、第1の実施例において、ガスノズ
ル16のガス供給側に高速で開閉するバルブ21を設け
、さらにスイッチ17に代えて図示省略の制御機構によ
りバルブ21の開閉に同期してオン/オフするスイッチ
22を設けたものである。その他の構成は、第1図に示
す第1の実施例と同様であり、第2図中11−16.1
8゜19で示される要素は、第1図において対応する同
一番号の要素と同一の動作9機能を有する。
以上の構成の第2の実施例の作用は以下の通りである。
まず、バルブ21を短時間開けて、直ちに閉じる。これ
で円筒形の陰極12にガスが注入され、拡散して陽極1
1・陰極12間に充満する。
で円筒形の陰極12にガスが注入され、拡散して陽極1
1・陰極12間に充満する。
バルブ21の「開」に同期してスイッチ22を閉じ(オ
ン)、バルブ21の「閉」に同期してスイッチ22を開
く(オフ)。これで放電が発生し、以下第1の実施例と
同一のプロセスによって、収束性が高くかつ高出力の高
速原子線がパルス的に放出される。この第2の実施例に
よると、注入されたガスは、コンデンサ13が放電しつ
くして高速原子線19の放出が停止すると直ちに、図示
省略の真空ポンプによって排出されるから、真空容器1
8の内部を常に高真空に保っておくことができると言う
メリットがある。即ち使用上、この高速原子線を利用す
る対象等の環境を良好に保つことができるなどの利点が
ある。
ン)、バルブ21の「閉」に同期してスイッチ22を開
く(オフ)。これで放電が発生し、以下第1の実施例と
同一のプロセスによって、収束性が高くかつ高出力の高
速原子線がパルス的に放出される。この第2の実施例に
よると、注入されたガスは、コンデンサ13が放電しつ
くして高速原子線19の放出が停止すると直ちに、図示
省略の真空ポンプによって排出されるから、真空容器1
8の内部を常に高真空に保っておくことができると言う
メリットがある。即ち使用上、この高速原子線を利用す
る対象等の環境を良好に保つことができるなどの利点が
ある。
第3図は本発明の第3の実施例を示す斜視的な構成図で
ある。本実施例は、第2の実施例からスイッチ22を取
り除き、コンデンサ13を陰極11と陽極12の間に接
続したものである。その他の構成は第2図に示す第2の
実施例と同様であり、第3図中11−16.18,19
.21で示される要素は、第2図において対応する同一
番号の要素と同等の動作9機能を有する。
ある。本実施例は、第2の実施例からスイッチ22を取
り除き、コンデンサ13を陰極11と陽極12の間に接
続したものである。その他の構成は第2図に示す第2の
実施例と同様であり、第3図中11−16.18,19
.21で示される要素は、第2図において対応する同一
番号の要素と同等の動作9機能を有する。
この実施例においては、バルブ21の開閉によって、円
筒形の陰極12の内部に、ガスがパルス的に注入され拡
散し、陽極11・陰極12間のガス圧が上昇すると、ガ
スの絶縁破壊により放電が生じて、コンデンサ13に貯
えられた電荷が一気に放電され、以下第2の実施例と同
一のプロセスで収束性が高くかつ高出力の高速原子線が
パルス的に放射される。本実施例においても第2の実施
例と同様に、コンデンサ13の放電終了により高速原子
線19の放出が停止すると直ちに、注入されたガスが図
示省略の真空ポンプによって排出されるから、真空容器
18の内部を常に高真空に保っておくことができる。さ
らに本実施例は、スイッチとその制御機構が不要なため
、装置が簡単化されろ利点を有している。
筒形の陰極12の内部に、ガスがパルス的に注入され拡
散し、陽極11・陰極12間のガス圧が上昇すると、ガ
スの絶縁破壊により放電が生じて、コンデンサ13に貯
えられた電荷が一気に放電され、以下第2の実施例と同
一のプロセスで収束性が高くかつ高出力の高速原子線が
パルス的に放射される。本実施例においても第2の実施
例と同様に、コンデンサ13の放電終了により高速原子
線19の放出が停止すると直ちに、注入されたガスが図
示省略の真空ポンプによって排出されるから、真空容器
18の内部を常に高真空に保っておくことができる。さ
らに本実施例は、スイッチとその制御機構が不要なため
、装置が簡単化されろ利点を有している。
なお、以上の実施例における陽極や陰極とその開口部等
の構成要素の形状は一例であって、上記実施例に限定さ
れるものではない。このように、本発明はその主旨に沿
って種々に応用され、種々の実施態様を取り得るもので
ある。
の構成要素の形状は一例であって、上記実施例に限定さ
れるものではない。このように、本発明はその主旨に沿
って種々に応用され、種々の実施態様を取り得るもので
ある。
[発明の効果]
高速原子線は、高速のイオンビームと同様に、スパッタ
蒸着による薄膜形成、スパッタエッチングによる微細パ
ターン加工、二次イオン質量分析による材料評価などの
加工・分析に利用することができる。特に、高速原子線
は非荷電性であるために、金属、半導体ばかりでなく、
イオンビーム法が不得意とするプラスチックス、セラミ
ックスなどの絶縁物を対象とする場合にも威力がある。
蒸着による薄膜形成、スパッタエッチングによる微細パ
ターン加工、二次イオン質量分析による材料評価などの
加工・分析に利用することができる。特に、高速原子線
は非荷電性であるために、金属、半導体ばかりでなく、
イオンビーム法が不得意とするプラスチックス、セラミ
ックスなどの絶縁物を対象とする場合にも威力がある。
本発明のフラッシュ高速原子線源によれば、これまでの
高速原子線源では実現が困難であった高い収束性を備え
た高出力の高速原子線を発生させることができ、上記し
た意味において、それらの微小領域の加工1分析に非常
に有益な効果を奏する。
高速原子線源では実現が困難であった高い収束性を備え
た高出力の高速原子線を発生させることができ、上記し
た意味において、それらの微小領域の加工1分析に非常
に有益な効果を奏する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す斜視的な構成図、
第2図は本発明の第2の実施例を示す斜視的な構成図、
第3図は本発明の第3の実施例を示す斜視的な構成図、
第4図は従来例を、示す斜視的な構成図である。 11・・・陽極、12・・・陰極、13;・・コンデン
サ、14・・・直流高電圧電源、16・・ガスノズル、
!7・・・スイッチ、 21・・バルブ、 真空容器、 22・・スイッチ。 ・・高速原子線、
第2図は本発明の第2の実施例を示す斜視的な構成図、
第3図は本発明の第3の実施例を示す斜視的な構成図、
第4図は従来例を、示す斜視的な構成図である。 11・・・陽極、12・・・陰極、13;・・コンデン
サ、14・・・直流高電圧電源、16・・ガスノズル、
!7・・・スイッチ、 21・・バルブ、 真空容器、 22・・スイッチ。 ・・高速原子線、
Claims (3)
- (1)真空中において陽極とこれに対向して配置した高
速原子線の通過する開口部を有する筒形の陰極と、 この筒形の陰極の内部にガスを注入するガスノズルと、 直流高電圧電源から充電されるコンデンサと、このコン
デンサと直列に上記陽極と陰極の間に接続されオンにす
ることにより上記ガスに放電を生じさせるスイッチ手段
とを備え、上記放電により上記高速原子線を得ることを
特徴とするフラッシュ高速原子線源。 - (2)請求項1記載のフラッシュ高速原子線源において
、 ガスノズルに設けられ高速で開閉してガスをパルス的に
注入するバルブと、 上記開閉に同期してスイッチ手段をオン/オフする機構
とを備えることを特徴とするフラッシュ高速原子線源。 - (3)真空中において陽極とこれに対向して配置した高
速原子線の通過する開口部を有する筒形の陰極と、 高速で開閉するバルブを有し上記筒形の陰極の内部にガ
スをパルス的に注入するガスノズルと、上記陽極と陰極
の間に接続され直流高圧電源から充電されるとともに上
記ガスに放電を生じさせるコンデンサとを備え、 上記放電により上記高速原子線を得ることを特徴とする
フラッシュ高速原子線源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19373188A JP2669660B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | フラッシュ高速原子線源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19373188A JP2669660B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | フラッシュ高速原子線源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0244633A true JPH0244633A (ja) | 1990-02-14 |
JP2669660B2 JP2669660B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=16312872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19373188A Expired - Lifetime JP2669660B2 (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | フラッシュ高速原子線源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2669660B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2409928A (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-13 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation and instabilities |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19373188A patent/JP2669660B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2409928A (en) * | 2004-01-09 | 2005-07-13 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation and instabilities |
GB2409928B (en) * | 2004-01-09 | 2007-03-21 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation |
GB2432039A (en) * | 2004-01-09 | 2007-05-09 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation and instabilities |
GB2432039B (en) * | 2004-01-09 | 2009-03-11 | Applied Materials Inc | Improvements relating to ion implantation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2669660B2 (ja) | 1997-10-29 |
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