JPH0239473A - トレンチ溝側壁にチャンネルを持つ半導体装置 - Google Patents
トレンチ溝側壁にチャンネルを持つ半導体装置Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はFETに関するものである。
(従来の技術)
通常のFETはシリコン基板の面内方向にチャネルをも
っている。不純物拡散によってソース領域とドレイン域
が形成されるが、これらはともに基板の面内に存在し、
周領域間のチャネル領域の基板表面上にゲート酸化膜を
介してゲート電極が形成されている。
っている。不純物拡散によってソース領域とドレイン域
が形成されるが、これらはともに基板の面内に存在し、
周領域間のチャネル領域の基板表面上にゲート酸化膜を
介してゲート電極が形成されている。
(発明が解決しようとする課題)
シリコン基板の表面の単位面積当たりに形成できるFE
Tの数は、グー1−長、ゲート幅、ソース領域及びドレ
イン領域の面積などによって決まる。
Tの数は、グー1−長、ゲート幅、ソース領域及びドレ
イン領域の面積などによって決まる。
これらは全てシリコン基板表面の面内の物理量であり、
これらの物理量を縮少化することにより集積度を上げる
ことが可能であるが、縮小化すればトランジスタ特性も
変化する。
これらの物理量を縮少化することにより集積度を上げる
ことが可能であるが、縮小化すればトランジスタ特性も
変化する。
一方、(100)シリコン基板にトレンチ溝を形成し、
その側壁の(11’O)面にPMO3FETを形成し、
平面内の(100)面にNMO3FETを形成する三次
元CMOSデバイスが提案されている( rIEEE
1986 SYMPO3IUM ON VLSITEC
HNOLOGY J論文集、17ページ、論文番号11
−2参照)。
その側壁の(11’O)面にPMO3FETを形成し、
平面内の(100)面にNMO3FETを形成する三次
元CMOSデバイスが提案されている( rIEEE
1986 SYMPO3IUM ON VLSITEC
HNOLOGY J論文集、17ページ、論文番号11
−2参照)。
しかしながら、上記引用の三次元CMOSデバイスでは
、PMO8FETは縦型であるので集積度を上げるうえ
で効果があるが、NMO5FETは従来通り平面内に形
成されるので、集積度が十分に上がっているとはいえな
い。
、PMO8FETは縦型であるので集積度を上げるうえ
で効果があるが、NMO5FETは従来通り平面内に形
成されるので、集積度が十分に上がっているとはいえな
い。
本発明はトランジスタ特性に影響を及ぼす物理量を変化
させることなく、集積度を向上させることのできる半導
体装置を提供することを目的とするものである。
させることなく、集積度を向上させることのできる半導
体装置を提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明ではシリコン基板にトレンチ溝を形成して柱状体
を形成し、その側壁をチャネルとする縦型FETを構成
することにより、上記課題を解決するものである。
を形成し、その側壁をチャネルとする縦型FETを構成
することにより、上記課題を解決するものである。
すなわち、本発明では半導体基板に第1のトレンチ溝で
囲まれた柱状体が形成されており、その柱状体の頂部と
第1のトレンチ溝底部には不純物が導入されて一方がド
レイン領域、他方がソース領域となっており、第1のト
レンチ溝には側壁で絶縁された第1の導電体が埋め込ま
れており、第1の導電体の一部には第2のトレンチ溝が
形成されており、第2のトレンチ溝には第1の導電体と
は側壁で絶縁され、第1のトレンチ溝底部の不純物導入
領域と接続する第2の導電体が埋め込まれている。
囲まれた柱状体が形成されており、その柱状体の頂部と
第1のトレンチ溝底部には不純物が導入されて一方がド
レイン領域、他方がソース領域となっており、第1のト
レンチ溝には側壁で絶縁された第1の導電体が埋め込ま
れており、第1の導電体の一部には第2のトレンチ溝が
形成されており、第2のトレンチ溝には第1の導電体と
は側壁で絶縁され、第1のトレンチ溝底部の不純物導入
領域と接続する第2の導電体が埋め込まれている。
(作用)
第1のトレンチ溝の深さとドレイン領域・ソース領域の
接合深さによってチャネル長が規定される。柱状体の周
囲の長さがチャネル幅に該当する。
接合深さによってチャネル長が規定される。柱状体の周
囲の長さがチャネル幅に該当する。
チャネルが縦方向になることにより、基板表面に占める
FETの面積が縮小される。
FETの面積が縮小される。
(実施例)
第1図に本発明をNチャネルのMOSFETに適用した
例を表わす。
例を表わす。
2はP型シリコン基板であり、基板2には四辺形につな
がったトレンチ溝が形成されて柱状体4が形成されてい
る。柱状体4は第2図に示されるように複数個が配列さ
れる。第3図は1個の柱状体4を拡大して示したもので
あり、四辺形につながったトレンチ溝6によって囲まれ
ている。トレンチ溝6の形成後にAsなどのN型不純物
が注入されることにより、柱状体4の頂部とトレンチ溝
6の底部にそれぞれ不純物拡散領域8,10が形成され
ている。頂部の不純物拡散領域8をドレイン領域とし、
底部の不純物拡散領域10をソース領域とする。逆に、
頂部の不純物拡散領域8をソース領域とし、底部の不純
物拡散領域10をドレイン領域としてもよい。
がったトレンチ溝が形成されて柱状体4が形成されてい
る。柱状体4は第2図に示されるように複数個が配列さ
れる。第3図は1個の柱状体4を拡大して示したもので
あり、四辺形につながったトレンチ溝6によって囲まれ
ている。トレンチ溝6の形成後にAsなどのN型不純物
が注入されることにより、柱状体4の頂部とトレンチ溝
6の底部にそれぞれ不純物拡散領域8,10が形成され
ている。頂部の不純物拡散領域8をドレイン領域とし、
底部の不純物拡散領域10をソース領域とする。逆に、
頂部の不純物拡散領域8をソース領域とし、底部の不純
物拡散領域10をドレイン領域としてもよい。
第1図に戻って説明すると、トレンチ溝の内部は低抵抗
にするために不純物が導入されたポリシリコン14で埋
められており、基板2とポリシリコン14の間はゲート
酸化膜12で絶縁されている。
にするために不純物が導入されたポリシリコン14で埋
められており、基板2とポリシリコン14の間はゲート
酸化膜12で絶縁されている。
トレンチ溝に埋められたポリシリコン14の一部におい
ては、第2のトレンチ溝が形成されてメタル16が埋め
込まれている。メタル16とポリシリコン14の間は酸
化膜18によって絶縁されており、メタル16と第1の
トレンチ溝の底部のソースとなるN+拡散領域1oの間
には酸化膜18が存在せず、メタル16とN+拡散領域
10は接続されている。
ては、第2のトレンチ溝が形成されてメタル16が埋め
込まれている。メタル16とポリシリコン14の間は酸
化膜18によって絶縁されており、メタル16と第1の
トレンチ溝の底部のソースとなるN+拡散領域1oの間
には酸化膜18が存在せず、メタル16とN+拡散領域
10は接続されている。
晧板2上にはWJ間絶g1漠としてPSG膜20が形成
され、ドレイン領域8上、ソース電極となるメタル16
上及びゲート電極となるポリシリコン14上にそれぞれ
コンタクトホールがあけられ、PSG膜2膜上0上成さ
れたメタル配線22がコンタクトホールを介してドレイ
ン領域8.メタル16、ポリシリコン14にそれぞれ接
続されている。
され、ドレイン領域8上、ソース電極となるメタル16
上及びゲート電極となるポリシリコン14上にそれぞれ
コンタクトホールがあけられ、PSG膜2膜上0上成さ
れたメタル配線22がコンタクトホールを介してドレイ
ン領域8.メタル16、ポリシリコン14にそれぞれ接
続されている。
第1図の装置は、その上にさらに多層配線が形成される
場合もあり、最終的にはパッシベーション膜で被われる
。
場合もあり、最終的にはパッシベーション膜で被われる
。
柱状体4の側壁24がチャネルとなる。
第1図はNチャネルのM OS F E Tであるが、
基板2をN型とし、拡散領域8,1oをP型とすればP
チャネルMO5FETとすることができる。
基板2をN型とし、拡散領域8,1oをP型とすればP
チャネルMO5FETとすることができる。
第4図(A)から(H)により第1図の実施例の製造方
法を説明する。
法を説明する。
(A)シリコンウェハ2に写真製版でレジストパターン
を形成し、RIEなどの異方性エツチングにより深さが
数μmのトレンチ溝6を形成する。
を形成し、RIEなどの異方性エツチングにより深さが
数μmのトレンチ溝6を形成する。
これにより、柱状体4が形成される。トレンチ溝6の深
さはチャネル長を規定するので、例えば2μm程度にし
ておく。
さはチャネル長を規定するので、例えば2μm程度にし
ておく。
(B)レジストを除去した後、N型不純物としてAsを
イオン注入し、熱拡散させて拡散領域8゜10を形成す
る。
イオン注入し、熱拡散させて拡散領域8゜10を形成す
る。
(C)酸化を行なって厚さが250〜300人程度のゲ
ー堆積化膜12を形成する。
ー堆積化膜12を形成する。
(D)N型不純物を含んだポリシリコン層をトレンチ溝
6の深さよりも厚く堆積し、エッチバックによってトレ
ンチ溝内にポリシリコン14を残して基板表面を平坦化
する。
6の深さよりも厚く堆積し、エッチバックによってトレ
ンチ溝内にポリシリコン14を残して基板表面を平坦化
する。
(E)第2のトレンチ溝を形成する領域に開口をもつレ
ジストパターンを写真製版で形成した後、RIEなどの
異方性エツチングによってポリシリコン14をエツチン
グし、第2のトレンチ溝15を形成する。
ジストパターンを写真製版で形成した後、RIEなどの
異方性エツチングによってポリシリコン14をエツチン
グし、第2のトレンチ溝15を形成する。
酸化を行なってトレンチ溝15の壁面に酸化膜18を形
成する。
成する。
再び異方性エツチングを行なってトレンチ溝15の底部
の酸化膜を除去する。
の酸化膜を除去する。
(F)アルミニウムなどのメタル又は不純物導入により
低抵抗化されたポリシリコンをトレンチ溝15の深さよ
りも厚く堆積し、エッチバックによってトレンチ溝15
にメタル(又はポリシリコン)16を残す。
低抵抗化されたポリシリコンをトレンチ溝15の深さよ
りも厚く堆積し、エッチバックによってトレンチ溝15
にメタル(又はポリシリコン)16を残す。
(G)基板表面に層間絶縁膜としてPSG膜20を堆積
し、写真製版とエツチングによってコンタクトホール2
1を形成する。
し、写真製版とエツチングによってコンタクトホール2
1を形成する。
(H)アルミニウムなどのメタル層を堆積し、写真製版
とエツチングによってメタル配線22を形成する。
とエツチングによってメタル配線22を形成する。
その後、パッシベーション膜を形成する。
PチャネルMO3FETは導電型を逆にすれば第4図の
プロセスと同じプロセスで製造することができる。
プロセスと同じプロセスで製造することができる。
(発明の効果)
本発明のMOSFETでは、シリコン基板にトレンチ溝
で囲まれた柱状体を形成し、その柱状体の側壁にチャネ
ルを形成するようにしたので、ゲート長がトレンチ溝の
深さ方向となる。そのため、ゲート長、ゲート幅などト
ランジスタ特性に影響を及ぼす物理量を変えなくても集
積度を向上させることができる。
で囲まれた柱状体を形成し、その柱状体の側壁にチャネ
ルを形成するようにしたので、ゲート長がトレンチ溝の
深さ方向となる。そのため、ゲート長、ゲート幅などト
ランジスタ特性に影響を及ぼす物理量を変えなくても集
積度を向上させることができる。
また、隣接するMOSFET間のドレインはトレンチ溝
によって完全に分離されるため、18!I接素子とのリ
ークが起こりにくいという利点もある。
によって完全に分離されるため、18!I接素子とのリ
ークが起こりにくいという利点もある。
第1図は一実施例を示す断面図、第2図は基板に形成さ
れたトレンチ溝と柱状体を示す概略斜視図、第3図は1
個のトレンチ溝と柱状体を示す斜視図である。なお第1
図の断面の切断位置は第3図におけるA−A線位置であ
る。第4図(A)から同図(I()は一実施例の製造プ
ロセスを示す断皿図である。 2・・・・・・シリコン基板、4・・・・・柱状体、6
・・・・・・第1のトレンチ溝、8,10・・・・・・
ソース・ドレイン領域、12・・・・・・ゲート酸化膜
、14・・・・・・第1の導電体であるポリシリコン、
16・・・・第2の4 重体であるメタル、18・・・
・・酸化膜、15 ・・・第2のトレンチ溝。
れたトレンチ溝と柱状体を示す概略斜視図、第3図は1
個のトレンチ溝と柱状体を示す斜視図である。なお第1
図の断面の切断位置は第3図におけるA−A線位置であ
る。第4図(A)から同図(I()は一実施例の製造プ
ロセスを示す断皿図である。 2・・・・・・シリコン基板、4・・・・・柱状体、6
・・・・・・第1のトレンチ溝、8,10・・・・・・
ソース・ドレイン領域、12・・・・・・ゲート酸化膜
、14・・・・・・第1の導電体であるポリシリコン、
16・・・・第2の4 重体であるメタル、18・・・
・・酸化膜、15 ・・・第2のトレンチ溝。
Claims (1)
- (1)半導体基板に第1のトレンチ溝で囲まれた柱状体
が形成されており、その柱状体の頂部と第1のトレンチ
溝底部には不純物が導入されて一方がドレイン領域、他
方がソース領域となっており、第1のトレンチ溝には側
壁で絶縁された第1の導電体が埋め込まれており、第1
の導電体の一部には第2のトレンチ溝が形成されており
、第2のトレンチ溝には第1の導電体とは側壁で絶縁さ
れ、第1のトレンチ溝底部の不純物導入領域と接続する
第2の導電体が埋め込まれている半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19111388A JPH0239473A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | トレンチ溝側壁にチャンネルを持つ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19111388A JPH0239473A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | トレンチ溝側壁にチャンネルを持つ半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0239473A true JPH0239473A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16269077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19111388A Pending JPH0239473A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | トレンチ溝側壁にチャンネルを持つ半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0239473A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786612A (en) * | 1995-10-25 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device comprising trench EEPROM |
JP2002280549A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2007220734A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012109588A (ja) * | 2002-07-15 | 2012-06-07 | Infineon Technologies Ag | 電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP19111388A patent/JPH0239473A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5786612A (en) * | 1995-10-25 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device comprising trench EEPROM |
JP2002280549A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2012109588A (ja) * | 2002-07-15 | 2012-06-07 | Infineon Technologies Ag | 電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法 |
JP2007220734A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
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