JPH0238555B2 - Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho - Google Patents
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- JPH0238555B2 JPH0238555B2 JP17936085A JP17936085A JPH0238555B2 JP H0238555 B2 JPH0238555 B2 JP H0238555B2 JP 17936085 A JP17936085 A JP 17936085A JP 17936085 A JP17936085 A JP 17936085A JP H0238555 B2 JPH0238555 B2 JP H0238555B2
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、遠赤外線ヒーター並にその製造法に
関する。
関する。
（従来の技術）
従来、酸化アルミニウムやガラスなどのシリカ
を主成分とするものなどのセラミツク材の成形体
基体とし、その表面に導電性膜や発熱抵抗体膜を
生成した製品とするには、金属や金属酸化物を、
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法、プラズマ溶射法、湿式電気メツキ法、
導電塗料の塗布法などが採用されている。又発熱
線と放射板とを機械的に組み合わせた遠赤外線ヒ
ーターも公知である。
を主成分とするものなどのセラミツク材の成形体
基体とし、その表面に導電性膜や発熱抵抗体膜を
生成した製品とするには、金属や金属酸化物を、
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法、プラズマ溶射法、湿式電気メツキ法、
導電塗料の塗布法などが採用されている。又発熱
線と放射板とを機械的に組み合わせた遠赤外線ヒ
ーターも公知である。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の製造法や装置は製造作業が面倒で且
つ製造コストが高くなり、又遠赤外線ヒーターと
して必ずしも有効でない。
つ製造コストが高くなり、又遠赤外線ヒーターと
して必ずしも有効でない。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の問題点を解決し、波長4μｍ
〜100μｍの範囲、特に人体に有効な8μｍ〜15μｍ
の遠赤外線を放射し得る安定堅牢なセラミツク遠
赤外線ヒーターを提供するものである。
〜100μｍの範囲、特に人体に有効な8μｍ〜15μｍ
の遠赤外線を放射し得る安定堅牢なセラミツク遠
赤外線ヒーターを提供するものである。
即ち、本発明の遠赤外線ヒーターは、セラミツ
ク成形体の表面にアセトナト酢酸インジウムIn
（OAc）x（acac）3-x（ここで、Acは酢酸基、０＜
ｘ＜３）の酸化分解生成物から成る酸化インジウ
ムを主成分とした酸化スズとの複合酸化物の焼成
薄膜を一体に有して成る。尚、アセトナト酢酸イ
ンジウムの式In（OAc）x（acac）3-x中、ｘの範囲
を０＜ｘ＜３と表したのは、かかるアセトナト酢
酸インジウムはその製造に際し、In（acac）3やIn
（OAc）3の混入が避けられないものであり、原料
アセトナト酢酸インジウムにこれらIn（acac）3や
In（OAc）3が混入したものを本願発明から排除す
るものではない。
ク成形体の表面にアセトナト酢酸インジウムIn
（OAc）x（acac）3-x（ここで、Acは酢酸基、０＜
ｘ＜３）の酸化分解生成物から成る酸化インジウ
ムを主成分とした酸化スズとの複合酸化物の焼成
薄膜を一体に有して成る。尚、アセトナト酢酸イ
ンジウムの式In（OAc）x（acac）3-x中、ｘの範囲
を０＜ｘ＜３と表したのは、かかるアセトナト酢
酸インジウムはその製造に際し、In（acac）3やIn
（OAc）3の混入が避けられないものであり、原料
アセトナト酢酸インジウムにこれらIn（acac）3や
In（OAc）3が混入したものを本願発明から排除す
るものではない。
本発明は、更に上記の導電性ヒーターを容易且
つ経済的に得られるその製造法を提供するもの
で、セラミツク成形体を加熱した表面にアセトナ
ト酢酸インジウムIn（OAc）x（acac）3-x（ここで
Acは酢酸基、０＜ｘ＜３）の溶液に少量のアル
コキシ塩化スズSnCly（OR）4-y（ここでＲはアル
キル基、０＜ｙ＜３）を混入した溶液を均一に付
着させると共に加熱酸化分解反応を行い、酸化イ
ンジウムを主成分とした酸化スズとの複合酸化物
の焼成薄膜を一体に生成せしめることを特徴とす
る。尚、アルコキシ塩化スズの式SnCly（OR）4-y
中ｙの範囲を０＜ｙ＜３と表したのは、かかるア
ルコキシ塩化スズはその製造に際し、Sn（OR）4
の混入が避けられないものであり、原料アルコキ
シ塩化スズにこのSn（OR）4が混入したものを本
願発明から排除するものではない。
つ経済的に得られるその製造法を提供するもの
で、セラミツク成形体を加熱した表面にアセトナ
ト酢酸インジウムIn（OAc）x（acac）3-x（ここで
Acは酢酸基、０＜ｘ＜３）の溶液に少量のアル
コキシ塩化スズSnCly（OR）4-y（ここでＲはアル
キル基、０＜ｙ＜３）を混入した溶液を均一に付
着させると共に加熱酸化分解反応を行い、酸化イ
ンジウムを主成分とした酸化スズとの複合酸化物
の焼成薄膜を一体に生成せしめることを特徴とす
る。尚、アルコキシ塩化スズの式SnCly（OR）4-y
中ｙの範囲を０＜ｙ＜３と表したのは、かかるア
ルコキシ塩化スズはその製造に際し、Sn（OR）4
の混入が避けられないものであり、原料アルコキ
シ塩化スズにこのSn（OR）4が混入したものを本
願発明から排除するものではない。
（実施例）
セラミツク材としては、従来公知の各種のセラ
ミツク材を使用できるが、好ましくは、酸化アル
ミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2の単独又
はこれを主成分とする複合セラミツク材を使用す
る。本発明によれば、かゝるセラミツク材の成形
体、例えば、板状の成形体を、電気炉などにより
加熱し、その加熱した表面にIn（OAc）x（acac）3-
ｘ（ここでAcは酢酸基、０＜ｘ＜３）の組成のア
セトナト酢酸インジウム溶液にSnCly（OR）4-y
（ここでＲはアルキル基、０＜ｙ＜３）の組成ア
ルコキシ塩化スズを混入した溶液を噴霧や塗布な
どでその全面に均一に付着させる。その溶剤とし
ては、水、アルコール系、エステル系、芳香族系
などの有機系溶剤の単独又はこれらの混合が使用
できる。その成形体の加熱温度は該溶液が加熱酸
化分解反応をおこし、酸化インジウムに酸化スズ
の複合酸化物を主体とした数10Ω／□以上の導電
性の焼成膜となるに足る300℃以上好ましくは、
450℃程度以上を要する。かくして一般に数
10Ω／□以上数100Ω／□以下の発熱抵抗体膜を
得る。その焼成膜の厚さは数μ〜数百オングスト
ロームの薄膜が一般に得られ、その成形体表面に
強固に密着した安定堅牢な製品が得られ、従来の
真空蒸着法等による如き高価な設備や面倒な作業
を要せず、製造コストの低減した発熱体膜が得ら
れ、又その焼成膜は透明で外観上体裁がよい。
尚、溶液の成形体表面への付着は、噴霧による場
合には、その吹付量の調整が容易で直ちに焼成膜
を均一に得られ、且つ導電度の調整が容易で所定
の各種の導電性をもつセラミツク成形体を得るこ
とができ有利である。
ミツク材を使用できるが、好ましくは、酸化アル
ミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2の単独又
はこれを主成分とする複合セラミツク材を使用す
る。本発明によれば、かゝるセラミツク材の成形
体、例えば、板状の成形体を、電気炉などにより
加熱し、その加熱した表面にIn（OAc）x（acac）3-
ｘ（ここでAcは酢酸基、０＜ｘ＜３）の組成のア
セトナト酢酸インジウム溶液にSnCly（OR）4-y
（ここでＲはアルキル基、０＜ｙ＜３）の組成ア
ルコキシ塩化スズを混入した溶液を噴霧や塗布な
どでその全面に均一に付着させる。その溶剤とし
ては、水、アルコール系、エステル系、芳香族系
などの有機系溶剤の単独又はこれらの混合が使用
できる。その成形体の加熱温度は該溶液が加熱酸
化分解反応をおこし、酸化インジウムに酸化スズ
の複合酸化物を主体とした数10Ω／□以上の導電
性の焼成膜となるに足る300℃以上好ましくは、
450℃程度以上を要する。かくして一般に数
10Ω／□以上数100Ω／□以下の発熱抵抗体膜を
得る。その焼成膜の厚さは数μ〜数百オングスト
ロームの薄膜が一般に得られ、その成形体表面に
強固に密着した安定堅牢な製品が得られ、従来の
真空蒸着法等による如き高価な設備や面倒な作業
を要せず、製造コストの低減した発熱体膜が得ら
れ、又その焼成膜は透明で外観上体裁がよい。
尚、溶液の成形体表面への付着は、噴霧による場
合には、その吹付量の調整が容易で直ちに焼成膜
を均一に得られ、且つ導電度の調整が容易で所定
の各種の導電性をもつセラミツク成形体を得るこ
とができ有利である。
次に本発明の具体的な実施例として人体に有用
な8μｍ〜15μｍの波長の遠赤外線を特に大量に発
生し得る遠赤外線ヒーターにつき説明する。
な8μｍ〜15μｍの波長の遠赤外線を特に大量に発
生し得る遠赤外線ヒーターにつき説明する。
メタノールにIn（OAc）x（acac）3-x（但しAcは
酢酸基、０＜ｘ＜３）を1.00mol／溶解すると
ともに更にこのアセトナト酢酸インジウムに対し
2mol％に相当する0.02mol／のSnOly（OR）4-y
（但しＲはアルキル基、0y＜３）を添加溶解した
溶液を予め電気炉などで105mm×105mm×５mm（厚
さ）の板状の酸化アルミニウム成形体を500℃に
加熱したその加熱表面にスプレーガンを使用し、
空気圧力１Kg／cm2でその全面に均一に付着させ
た。噴霧圧力は0.4Kg／cm2〜2.0Kg／cm2の範囲が一
般であるが、１Kg／cm2前後が好ましく、良好な霧
粒子で吹付けることができた。
酢酸基、０＜ｘ＜３）を1.00mol／溶解すると
ともに更にこのアセトナト酢酸インジウムに対し
2mol％に相当する0.02mol／のSnOly（OR）4-y
（但しＲはアルキル基、0y＜３）を添加溶解した
溶液を予め電気炉などで105mm×105mm×５mm（厚
さ）の板状の酸化アルミニウム成形体を500℃に
加熱したその加熱表面にスプレーガンを使用し、
空気圧力１Kg／cm2でその全面に均一に付着させ
た。噴霧圧力は0.4Kg／cm2〜2.0Kg／cm2の範囲が一
般であるが、１Kg／cm2前後が好ましく、良好な霧
粒子で吹付けることができた。
その付着霧粒子は、そのセラミツク成形体の
500℃付近の高温の加熱面のため直ちに酸化分解
反応を起こしてインジウム酸化物に少量のスズ酸
化物の混入した複合酸化物を主体とした厚さ1μ
ｍ程度で抵抗値200〜300Ω／□の範囲の導電性薄
膜として得られた。かくしてその常温に放冷され
たものはセラミツク成形体の表面に強固に安定堅
牢に密着した良好な導電性発熱抵抗体膜を有する
セラミツク遠赤外線ヒーターとして得られた。こ
れに遠赤外線ヒーターとしての性能を検べるた
め、その板の両端縁に焼付けによつて銀電極を設
けこれに通電し、成形体の温度が150℃の時のそ
の焼成膜の遠赤外線等の発生量を測定した所、第
１図に示すように、特に人体に有効な８〜15μｍ
の波長の遠赤外線の発生量が著しく大きいが、や
けどを与えるおそれのある近赤外線の波長では発
生量が小さくなる特性のものが得られることが判
明した。
500℃付近の高温の加熱面のため直ちに酸化分解
反応を起こしてインジウム酸化物に少量のスズ酸
化物の混入した複合酸化物を主体とした厚さ1μ
ｍ程度で抵抗値200〜300Ω／□の範囲の導電性薄
膜として得られた。かくしてその常温に放冷され
たものはセラミツク成形体の表面に強固に安定堅
牢に密着した良好な導電性発熱抵抗体膜を有する
セラミツク遠赤外線ヒーターとして得られた。こ
れに遠赤外線ヒーターとしての性能を検べるた
め、その板の両端縁に焼付けによつて銀電極を設
けこれに通電し、成形体の温度が150℃の時のそ
の焼成膜の遠赤外線等の発生量を測定した所、第
１図に示すように、特に人体に有効な８〜15μｍ
の波長の遠赤外線の発生量が著しく大きいが、や
けどを与えるおそれのある近赤外線の波長では発
生量が小さくなる特性のものが得られることが判
明した。
第２図は、セラミツク成形体としてAl2O3の代
りに、酸化ジルコニウムZrO2を使用した以外は、
前記の具体的と同様にして作成した導電性セラミ
ツクを同様の遠赤外線放射性の試験を行なつたそ
の測定結果を示し、上記と同様に特に遠赤外線ヒ
ーターとして有利な製品であることが認められ
た。
りに、酸化ジルコニウムZrO2を使用した以外は、
前記の具体的と同様にして作成した導電性セラミ
ツクを同様の遠赤外線放射性の試験を行なつたそ
の測定結果を示し、上記と同様に特に遠赤外線ヒ
ーターとして有利な製品であることが認められ
た。
空気圧を１Kg／cm2と一定にした場合の溶液の噴
霧時間と溶液の濃度との関係を調べたが、アセト
ナト酢酸インジウムの濃度0.65mol／〜5mol／
の範囲では、２〜10秒の範囲で変わるが、いず
れも短時の吹付作業ですむ。噴霧圧力は0.4Kg／
cm2〜2.0Kg／cm2の範囲を一般とする。
霧時間と溶液の濃度との関係を調べたが、アセト
ナト酢酸インジウムの濃度0.65mol／〜5mol／
の範囲では、２〜10秒の範囲で変わるが、いず
れも短時の吹付作業ですむ。噴霧圧力は0.4Kg／
cm2〜2.0Kg／cm2の範囲を一般とする。
次に、そのアセトナト酢酸インジウム単独及び
これにアルコキシ塩化スズを添加する量を色に変
えた溶液と導電性（抵抗性）との関係を調べた所
第３図示のような結果を得た。第３図に示す如
く、その抵抗値はドーバントの添加量によつて変
わる。一般にそのSn添加量は10mol％までが好ま
しい。
これにアルコキシ塩化スズを添加する量を色に変
えた溶液と導電性（抵抗性）との関係を調べた所
第３図示のような結果を得た。第３図に示す如
く、その抵抗値はドーバントの添加量によつて変
わる。一般にそのSn添加量は10mol％までが好ま
しい。
かくして、その用途に応じ、抵抗値の異なる発
熱抵抗体膜を得るに当り、上記のように、ドーバ
ントの添加量をコントロールすることにより得ら
れる。
熱抵抗体膜を得るに当り、上記のように、ドーバ
ントの添加量をコントロールすることにより得ら
れる。
成形体の加熱温度は第４図示の如く300℃以上
にするときは、導電性が得られ、赤外線ヒーター
の場合は数百Ω／□が望ましいので、これを得る
ために450℃程度以上が好ましい。
にするときは、導電性が得られ、赤外線ヒーター
の場合は数百Ω／□が望ましいので、これを得る
ために450℃程度以上が好ましい。
溶液の吹付量は、前記の具体的な実施例におけ
る溶液を使用した場合は第５図示の通りであつ
た。
る溶液を使用した場合は第５図示の通りであつ
た。
このように、加熱温度、吹付量の調製によつて
も、種々の特性の発熱抵抗体膜が得られる。
も、種々の特性の発熱抵抗体膜が得られる。
本発明の該焼成膜の組成は現在定かでないが、
純粋な酸化物ではないことから判断して、発熱抵
抗体になり得る理由は、結晶構造欠陥による金属
インジウム等の金属原子イオン、塩素イオンが電
子供与体及び受容体として働くためと推測され
る。
純粋な酸化物ではないことから判断して、発熱抵
抗体になり得る理由は、結晶構造欠陥による金属
インジウム等の金属原子イオン、塩素イオンが電
子供与体及び受容体として働くためと推測され
る。
このように本発明によるときは、セラミツク成
形体を加熱しその加熱面に、アセトナト酢酸イン
ジウム溶液にアルコキシ塩化スズを混入した溶液
を付着させると共に加熱酸化分解反応させるの
で、そのセラミツク成形体の表面に強固に密着し
た堅牢な酸化インジウムを主成分とした酸化スズ
との複合酸化物の焼成薄膜を有する導電性セラミ
ツクが得られその製造コストは安価であり、遠赤
外線ヒーターとして優れた材料を提供する効果を
有する。
形体を加熱しその加熱面に、アセトナト酢酸イン
ジウム溶液にアルコキシ塩化スズを混入した溶液
を付着させると共に加熱酸化分解反応させるの
で、そのセラミツク成形体の表面に強固に密着し
た堅牢な酸化インジウムを主成分とした酸化スズ
との複合酸化物の焼成薄膜を有する導電性セラミ
ツクが得られその製造コストは安価であり、遠赤
外線ヒーターとして優れた材料を提供する効果を
有する。
第１図は、本発明製品の遠赤外線放射特性を示
すグラフ、第２図は他例のグラフ、第３図乃至第
５図は夫々Sn／Inの配合量、成形体の加熱温度、
溶液の吹付量と得られる製品の導電性との関係を
示すグラフである。
すグラフ、第２図は他例のグラフ、第３図乃至第
５図は夫々Sn／Inの配合量、成形体の加熱温度、
溶液の吹付量と得られる製品の導電性との関係を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク成形体の表面にアセトナト酢酸イ
ンジウム（In（OAc）x（acac）3-x）（ここでAcは
酢酸基、０＜ｘ＜３）の酸化分解生成物から成る
酸化インジウムを主成分とした酸化スズとの複合
酸化物の焼成薄膜を一体に有して成る遠赤外線ヒ
ーター。 ２ セラミツク成形体を加熱した表面にアセトナ
ト酢酸インジウムIn（OAc）x（acac）3-x（ここで
Acは酢酸基、０＜ｘ＜３）の溶液に少量のアル
コキシ塩化スズ（SnCly（OR）4-y）（ここでＲはア
ルキル基、０＜ｙ＜３）を混入した溶液を均一に
付着させると共に加熱酸化分解反応を行い、酸化
インジウムを主成分とした酸化スズとの複合酸化
物の焼成薄膜を一体に生成せしめることを特徴と
する遠赤外線ヒーターの製造法。 ３ 該成形体の加熱温度は300℃以上とし、該温
度に加熱された表面に噴霧により該溶液を均一に
付着させることを特徴とする特許請求の範囲２項
に記載の遠赤外線ヒーターの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17936085A JPH0238555B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17936085A JPH0238555B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6241788A JPS6241788A (ja) | 1987-02-23 |
| JPH0238555B2 true JPH0238555B2 (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=16064487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17936085A Expired - Lifetime JPH0238555B2 (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | Ensekigaisenhiitaanarabinisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238555B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0554035B1 (en) * | 1992-01-27 | 2001-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid state color video camera |
| JP3072303B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2000-07-31 | 株式会社河合楽器製作所 | ヒーター |
| JP2961466B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1999-10-12 | 株式会社河合楽器製作所 | ヒーター |
-
1985
- 1985-08-16 JP JP17936085A patent/JPH0238555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6241788A (ja) | 1987-02-23 |
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