JPH0238389A - セラミック焼結体 - Google Patents
セラミック焼結体Info
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- JPH0238389A JPH0238389A JP63187516A JP18751688A JPH0238389A JP H0238389 A JPH0238389 A JP H0238389A JP 63187516 A JP63187516 A JP 63187516A JP 18751688 A JP18751688 A JP 18751688A JP H0238389 A JPH0238389 A JP H0238389A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、セラミック焼結体に関する。
セラミック焼結体は、耐熱性に優れ、かつ熱転率が大き
く放熱性が良い等の多くの特徴をもつことから、たとえ
ば、厚膜、薄膜ハイブリッドＩＣ用基板、サーマルプリ
ンタ用基板、ＬＳＩ実装用多層配線基板等の電子部品だ
けでなく窯業関係製品等にも広く利用されている。
く放熱性が良い等の多くの特徴をもつことから、たとえ
ば、厚膜、薄膜ハイブリッドＩＣ用基板、サーマルプリ
ンタ用基板、ＬＳＩ実装用多層配線基板等の電子部品だ
けでなく窯業関係製品等にも広く利用されている。
前記セラミック焼結体は、従来、セラミック粉末に有機
結合剤および溶剤（または水）等を加え充分に混練して
スラリーにし、このスラリーを成形し焼成することによ
って製造されていた。成形には、ドクターブレード法、
押出成形法、鋳込成形法あるいは射出成形法等が一般に
用いられる（たとえば、特開昭６２−１４８３６５号公
報参照）。
結合剤および溶剤（または水）等を加え充分に混練して
スラリーにし、このスラリーを成形し焼成することによ
って製造されていた。成形には、ドクターブレード法、
押出成形法、鋳込成形法あるいは射出成形法等が一般に
用いられる（たとえば、特開昭６２−１４８３６５号公
報参照）。
前記で得られたセラミック焼結体は、スラリーのみの成
形体を焼成してなる焼結体であるので、焼成時に線収縮
率にして１５〜２０％程度も収縮し・高い寸法精度の焼
結体を得ることができなかった。前記成形体の厚みが１
ｆｉ程度の厚いものである場合には、焼結後に反りが発
生しやすくなることから、余り大きな面積のものを得る
ことができず、現伏ではｌ０ＣＩ！１口〜２０ｃｍ口の
大きさのものを得るのが限度であった。厚みが０．２ｆ
ｉ程度の通常厚さのアルミナ基板であると、焼結体の可
撓性がかなり低（なるため、厚１１ｊ！ＨＩ Ｃ基板等
の作製時に行なわれる導体ペースト印刷等において基板
に応力が加わると割れが発生することがあった。
形体を焼成してなる焼結体であるので、焼成時に線収縮
率にして１５〜２０％程度も収縮し・高い寸法精度の焼
結体を得ることができなかった。前記成形体の厚みが１
ｆｉ程度の厚いものである場合には、焼結後に反りが発
生しやすくなることから、余り大きな面積のものを得る
ことができず、現伏ではｌ０ＣＩ！１口〜２０ｃｍ口の
大きさのものを得るのが限度であった。厚みが０．２ｆ
ｉ程度の通常厚さのアルミナ基板であると、焼結体の可
撓性がかなり低（なるため、厚１１ｊ！ＨＩ Ｃ基板等
の作製時に行なわれる導体ペースト印刷等において基板
に応力が加わると割れが発生することがあった。
前記セラミック焼結体を電子材料として用いる場合、た
とえば、特開昭６１−２６６３４９号公報にみるように
、 酸化物に換算して ４０ｚ ｂＯ ＡＩｚＯｓ＋ （とも１種 ２０〜８０％ ５〜３０％ １〜１０％ Ｃａ Ｏ，Ｚ ｒ Ｏ，のうち少な ２〜４０％ Ｎａｇ Ｏ，Ｋｇ Ｏ，ＭｇＯ，Ｌ ｉ ｚ Ｏのうち
少なくとも１種 ０．２〜５％ Ｆａｇｏｔ ０．３％ の組成（Ｍ量％）が得られる原材料が用いられるが、こ
のように、セラミック粉末中にＮａｓ Ｋ、。
とえば、特開昭６１−２６６３４９号公報にみるように
、 酸化物に換算して ４０ｚ ｂＯ ＡＩｚＯｓ＋ （とも１種 ２０〜８０％ ５〜３０％ １〜１０％ Ｃａ Ｏ，Ｚ ｒ Ｏ，のうち少な ２〜４０％ Ｎａｇ Ｏ，Ｋｇ Ｏ，ＭｇＯ，Ｌ ｉ ｚ Ｏのうち
少なくとも１種 ０．２〜５％ Ｆａｇｏｔ ０．３％ の組成（Ｍ量％）が得られる原材料が用いられるが、こ
のように、セラミック粉末中にＮａｓ Ｋ、。
Ｌｉ等の比較的イオン伝導性の高い元素を含むことにな
ると、マイグレーション現象が生じ、絶縁性が劣化する
原因にもなっていた。最近高速演算化の要求の高い大型
コンピューター等に前記セラミック基板を用いることが
多く、この場合、同基板には絶縁性を高める上で誘電率
の低いものが必要になっているが、通常使用されてきた
アルミナ基板では誘電率が約１０であるため、高速演算
化の要求に充分応えられなかった。
ると、マイグレーション現象が生じ、絶縁性が劣化する
原因にもなっていた。最近高速演算化の要求の高い大型
コンピューター等に前記セラミック基板を用いることが
多く、この場合、同基板には絶縁性を高める上で誘電率
の低いものが必要になっているが、通常使用されてきた
アルミナ基板では誘電率が約１０であるため、高速演算
化の要求に充分応えられなかった。
前記事情に鑑みて、この発明の課題とするところは、高
い寸法精度のものが性能良く得られるようにすることに
ある。
い寸法精度のものが性能良く得られるようにすることに
ある。
前記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、セラ
ミック粉末を必須成分とするスラリーを、前記セラミッ
ク粉末の焼結する温度よりも高い融点を有する無機多孔
質基材に含浸させ焼成してなっている。
ミック粉末を必須成分とするスラリーを、前記セラミッ
ク粉末の焼結する温度よりも高い融点を有する無機多孔
質基材に含浸させ焼成してなっている。
請求項２記載の発明にかかるセラミック焼結体は、
セラミック粉末として、
Ｓｔ・０．４８〜６３重量％
Ａ １２０＝ １０〜２５重量％
Ｂ、０． ４〜１０重量％
ＭｇＯ １０〜２５重量％
ＢａＯおよびＣａＯ
の少なくとも１種 ０〜５重量％
なる組成が得られる原材料を溶融・急冷・粉砕してなる
ものを用いるようにしている。
ものを用いるようにしている。
セラミック粉末を必須成分とするスラリーを、前記セラ
ミック粉末の焼結する温度よりも高い融点を有する無機
多孔質基材に含浸させ焼成して作られていると、無機多
孔質基材が補強材となって焼成時のセラミック成形体の
収縮を規制するとともに反りも規制する。厚みが０．１
龍程度の薄い焼結体では、可撓性を有するようになる。
ミック粉末の焼結する温度よりも高い融点を有する無機
多孔質基材に含浸させ焼成して作られていると、無機多
孔質基材が補強材となって焼成時のセラミック成形体の
収縮を規制するとともに反りも規制する。厚みが０．１
龍程度の薄い焼結体では、可撓性を有するようになる。
セラミック粉末として、
Ｓｉ０□ ４８〜６３重量％
Ａ１１０． １０〜２５重量％
Ｂｔｕｓ ４〜１０重量％
ＭｇＯ １０〜２５重量％
ＢａＯおよびＣａＯ
の少なくとも１種 ０〜５重量％
なる組成が得られる原材料を溶融・急冷・粉砕してなる
ものを用いると、Ｌｉ、Ｎａ、に等のアルカリ成分の混
入しない焼結体を作製でき、電子材料の用途に使用して
もマイグレーションを引き起こすおそれがない。この組
成ではα−コージェライト相が析出し、低誘電率の基板
を得ることができる。
ものを用いると、Ｌｉ、Ｎａ、に等のアルカリ成分の混
入しない焼結体を作製でき、電子材料の用途に使用して
もマイグレーションを引き起こすおそれがない。この組
成ではα−コージェライト相が析出し、低誘電率の基板
を得ることができる。
以下に、こ発明を、その実施例をあられした図面を参照
しつつ詳しく説明する。
しつつ詳しく説明する。
第１図はこの発明のセラミック焼結体の−実施例を断面
であられし、第２図はその製造工程を概要的にあられし
、第３図はその製造装置の１つを模式的にあられしてい
る。前記セラミック焼結体は、板状のマトリクス１とそ
の内部の無機多孔質基材２．２からなっている。同無機
多孔質基材２２は、前記マトリクス１の板面に平行にな
るようにして配備されている。マトリクス１は、スラリ
ー１′に基づいて焼結されたものであり、前記スラリー
ｌ°は、平均粒径１〜１０．ｍに粉砕したセラミック粉
末に、有機バインダー、溶剤（または水）および添加剤
等を加えて充分に混練して得られる。同スラリー１′は
、それに残存する気泡が除去されるとともに、前記無機
多孔質基材２の多孔内に入り込みやすい粘度にするため
、真空脱泡処理がなされる。このように処理されたスラ
リー１′を、第３図にみるように、タンク３内に容れて
製造装置の中に組み入れた。同図にみるように、製造装
置は、無機多孔質基材２が、やや高い位置に水平に設け
られた支軸４に回転し得るように支持されて連続して繰
り出されるようになっている。同無機多孔質基材２には
セラミックペーパーや石英ガラスクロス等で、前記セラ
ミンク粉末の焼結する温度よりも高い温度を融点とする
ものが選ばれる。この無機多孔質基材２は上下に２本設
置されていてもよい。同無機多孔質基材２は２つのアイ
ドラー５．６にガイドされるとともに、両アイドラー５
，６間に配置された搬送ローラー７により前記タンク３
の方向へ搬送されるようになっている。同タンク３内に
導かれた無機多孔質基材２は、タンク３内のスラリー１
．中を通過するようにされるとともに、同タンク３の上
部−側に配置された１対の厚み制御ローラー８．８間を
通って押さえ付けられながら厚みが一定に規定されるよ
うになっている。スラリーｌ′が付着し厚みが一定にな
った無機多孔質基材２は、グリーンシート１６として搬
送ローラー９．１０およびベルト１１を備えた次の搬送
コンベア１２に載せられて次の焼成工程に搬送される。
であられし、第２図はその製造工程を概要的にあられし
、第３図はその製造装置の１つを模式的にあられしてい
る。前記セラミック焼結体は、板状のマトリクス１とそ
の内部の無機多孔質基材２．２からなっている。同無機
多孔質基材２２は、前記マトリクス１の板面に平行にな
るようにして配備されている。マトリクス１は、スラリ
ー１′に基づいて焼結されたものであり、前記スラリー
ｌ°は、平均粒径１〜１０．ｍに粉砕したセラミック粉
末に、有機バインダー、溶剤（または水）および添加剤
等を加えて充分に混練して得られる。同スラリー１′は
、それに残存する気泡が除去されるとともに、前記無機
多孔質基材２の多孔内に入り込みやすい粘度にするため
、真空脱泡処理がなされる。このように処理されたスラ
リー１′を、第３図にみるように、タンク３内に容れて
製造装置の中に組み入れた。同図にみるように、製造装
置は、無機多孔質基材２が、やや高い位置に水平に設け
られた支軸４に回転し得るように支持されて連続して繰
り出されるようになっている。同無機多孔質基材２には
セラミックペーパーや石英ガラスクロス等で、前記セラ
ミンク粉末の焼結する温度よりも高い温度を融点とする
ものが選ばれる。この無機多孔質基材２は上下に２本設
置されていてもよい。同無機多孔質基材２は２つのアイ
ドラー５．６にガイドされるとともに、両アイドラー５
，６間に配置された搬送ローラー７により前記タンク３
の方向へ搬送されるようになっている。同タンク３内に
導かれた無機多孔質基材２は、タンク３内のスラリー１
．中を通過するようにされるとともに、同タンク３の上
部−側に配置された１対の厚み制御ローラー８．８間を
通って押さえ付けられながら厚みが一定に規定されるよ
うになっている。スラリーｌ′が付着し厚みが一定にな
った無機多孔質基材２は、グリーンシート１６として搬
送ローラー９．１０およびベルト１１を備えた次の搬送
コンベア１２に載せられて次の焼成工程に搬送される。
同搬送コンベア１２の前端下方には、支持軸１３に回転
し得るように支持されたキャリアテープ１４が設置され
ていて、同テープ１４が、アイドラー１５にガイドされ
ながら前記コンベア１２上に乗り掛かって前記グリーン
シート１６の搬送の補助をするようになっている。同グ
リーンシート１６は所定サイズに切断されてのち焼成さ
れる。
し得るように支持されたキャリアテープ１４が設置され
ていて、同テープ１４が、アイドラー１５にガイドされ
ながら前記コンベア１２上に乗り掛かって前記グリーン
シート１６の搬送の補助をするようになっている。同グ
リーンシート１６は所定サイズに切断されてのち焼成さ
れる。
具体的な実施例は第１表ないし第３表に示されている。
第１表は、使用した無機多孔質基材の種類とその融点な
らびに使用したセラミック粉末の種類とその焼成温度が
示されている。この焼成温度は粉末のみで焼成した場合
に吸水率が０．１％以下となる温度を指している。第１
表で用いたセラミック粉末が５ｉｆｔ −Ａｌｇ Ｏｘ
−ＭｇＯ系結晶化ガラスである場合（実施例６〜１５
）には、そのガラス組成、焼成温度吸水率、誘電率およ
び主結晶相を第２表においてそれぞれ示した。第３表に
は焼成温度、焼成後のサイズ、Ｘ、 Ｙ、 Ｚ方向の
各収縮率、第４図に基づいて算出した成形体の反り率、
可撓性を評価するためめ長さ６０ｔ＋ａ、幅４鶴に切断
された焼成体（成形体）をクロスヘツドスピード０．５
鶴／１Ｗｉｎ、スパン長さ３０璽讃のＪＩＳに適合した
３点曲げ試験を行なったときの焼成体が破壊するまでの
変位量、ＩＭＨｚの周波数で測定した誘電率がそれぞれ
示されている第１表にみる実施例１〜１５は、無機多孔
質基材にセラミック粉末スラリーを組み合わせて焼成し
て行なった。比較例１，２はセラミック粉末スラリーの
みによるもので、前記ドクターブレード法によりシート
成形を行なってグリーンシートを得て焼成したものが示
されている。比較例３．４は、Ｓ ｊ Ｏｘ −Ａ ｌ
ｚ Ｏｘ Ｍｇ Ｏ系結晶化ガラスを用いて実施例
１〜１５と同様に成形した後、焼成した場合のものであ
る。ここで、比較例３゜４の結晶化ガラスは各焼成温度
が１３００．１２ｓｏ’ｃと高く、結晶相も比較的誘電
率の大きいムライトおよびクリストバライト相が析出す
る。また、低誘電率の基板を得ようとすると、無機多孔
質基材も低誘電率のものが好ましく、Ｓｔｏｗ成分の多
い無機多孔質基材を選ばざるを得ない、しかし、これら
の材料は融点が一般的に１２００°Ｃが最高であり、比
較例３．４で用いた結晶化ガラス組成では１２００°Ｃ
で緻密体が得られなかったので、第３表にみるように、
反り率および誘電率については測定しなかった。
らびに使用したセラミック粉末の種類とその焼成温度が
示されている。この焼成温度は粉末のみで焼成した場合
に吸水率が０．１％以下となる温度を指している。第１
表で用いたセラミック粉末が５ｉｆｔ −Ａｌｇ Ｏｘ
−ＭｇＯ系結晶化ガラスである場合（実施例６〜１５
）には、そのガラス組成、焼成温度吸水率、誘電率およ
び主結晶相を第２表においてそれぞれ示した。第３表に
は焼成温度、焼成後のサイズ、Ｘ、 Ｙ、 Ｚ方向の
各収縮率、第４図に基づいて算出した成形体の反り率、
可撓性を評価するためめ長さ６０ｔ＋ａ、幅４鶴に切断
された焼成体（成形体）をクロスヘツドスピード０．５
鶴／１Ｗｉｎ、スパン長さ３０璽讃のＪＩＳに適合した
３点曲げ試験を行なったときの焼成体が破壊するまでの
変位量、ＩＭＨｚの周波数で測定した誘電率がそれぞれ
示されている第１表にみる実施例１〜１５は、無機多孔
質基材にセラミック粉末スラリーを組み合わせて焼成し
て行なった。比較例１，２はセラミック粉末スラリーの
みによるもので、前記ドクターブレード法によりシート
成形を行なってグリーンシートを得て焼成したものが示
されている。比較例３．４は、Ｓ ｊ Ｏｘ −Ａ ｌ
ｚ Ｏｘ Ｍｇ Ｏ系結晶化ガラスを用いて実施例
１〜１５と同様に成形した後、焼成した場合のものであ
る。ここで、比較例３゜４の結晶化ガラスは各焼成温度
が１３００．１２ｓｏ’ｃと高く、結晶相も比較的誘電
率の大きいムライトおよびクリストバライト相が析出す
る。また、低誘電率の基板を得ようとすると、無機多孔
質基材も低誘電率のものが好ましく、Ｓｔｏｗ成分の多
い無機多孔質基材を選ばざるを得ない、しかし、これら
の材料は融点が一般的に１２００°Ｃが最高であり、比
較例３．４で用いた結晶化ガラス組成では１２００°Ｃ
で緻密体が得られなかったので、第３表にみるように、
反り率および誘電率については測定しなかった。
前記各実施例にもみるように、請求項１記載のセラミッ
ク焼結体は、セラミック粉末を必須成分とするスラリー
を、前記セラミック粉末の焼結する温度よりも高い融点
を有する無機多孔質基材に含浸させ焼成してなるので、
無機多孔質基材が焼成時の基材の収縮を規制するととも
に反りも規制する。これにより、高い寸法精度のものが
得られる。無機多孔質基材が繊維状の材料を編成したも
のでなっていると、可撓性が付加されるようになって、
割れにくいものが得られるようになる。
ク焼結体は、セラミック粉末を必須成分とするスラリー
を、前記セラミック粉末の焼結する温度よりも高い融点
を有する無機多孔質基材に含浸させ焼成してなるので、
無機多孔質基材が焼成時の基材の収縮を規制するととも
に反りも規制する。これにより、高い寸法精度のものが
得られる。無機多孔質基材が繊維状の材料を編成したも
のでなっていると、可撓性が付加されるようになって、
割れにくいものが得られるようになる。
また、請求項２記載のセラミック焼結体のように、セラ
ミック粉末として Ｓ ｉ Ｏｘ ４８〜６３重量％ Ａｌλ０．１０〜２５重量％ Ｂｔｕｓ ４〜１０重量％ ＭｇＯ １０〜２５重量％ ＢａＯおよびＣａＯ 少なくとも１種 θ〜５ＭＮ％ なる組成が得られる原材料を溶融・急冷・粉砕してなる
ガラス粉末を用いるようにしているため、Ｌ １ＳＮａ
、に等のアルカリ成分の混入しない焼結体を作製でき、
電子材料の用途に使用してもマイグレーションを引き起
こすおそれがない。しかも、前記ガラス粉末を用いたも
のを１０００°Ｃ付近で焼成することにより、ガラス粉
末から低誘電率のα−コージェライト相が析出するので
、誘電率が４〜５の製品（基板）を得ることができる。
ミック粉末として Ｓ ｉ Ｏｘ ４８〜６３重量％ Ａｌλ０．１０〜２５重量％ Ｂｔｕｓ ４〜１０重量％ ＭｇＯ １０〜２５重量％ ＢａＯおよびＣａＯ 少なくとも１種 θ〜５ＭＮ％ なる組成が得られる原材料を溶融・急冷・粉砕してなる
ガラス粉末を用いるようにしているため、Ｌ １ＳＮａ
、に等のアルカリ成分の混入しない焼結体を作製でき、
電子材料の用途に使用してもマイグレーションを引き起
こすおそれがない。しかも、前記ガラス粉末を用いたも
のを１０００°Ｃ付近で焼成することにより、ガラス粉
末から低誘電率のα−コージェライト相が析出するので
、誘電率が４〜５の製品（基板）を得ることができる。
請求項２記載の発明において、セラミック粉末が、前記
のように組成が限定されるのは、次の理由による。Ｓ
ｉ Ｏｚが６３重量％を越えると、緻密な焼結体となり
難い。４８重量％を下回ると、ガラス粉末の結晶化温度
が上昇して、１０００℃以下の焼成温度では充分に結晶
化することができなかったり、緻密化が難しくなる。焼
成最高温度を１０００℃にすれば、無機多孔質基材の機
械的な強度を劣化させずにすむ。すなわち、低誘電率化
のためにはＳｔＯ１成分が多い無機多孔質基材を用いる
のが有利で、同無機多孔質基材は一般に融点が１０００
〜１３００″Ｃで、場合によっては１０００°Ｃを少し
越えた程度でも機械的強度が著しく劣化することもある
が、このような場合、前記のように焼成温度を１０００
″Ｃにすれば前記劣化を防止することができる。ただし
、前の表にもみるように発明の目的からするときは焼成
温度を１ｏｏｏ″Ｃ以上にもすることがある。前記Ａ１
゜０８の組成割合が２５ｆｆｉ量％を越えるときは、焼
結できる温度が上昇して１０００°Ｃ以下の焼成温度で
は充分な焼結が行えない、１０ｆｆｉ量％を下回ると、
コーディエライト結晶が少な（なり、ＳｔＯｚ Ｍ
ｇ Ｏ系の結晶が多く析出するので、比誘電率が上昇す
る。ＭｇＯの組成割合が２５重量％を越えると、おそら
くは、ケイ酸マグネシウムが析出するためと思われるが
、変形が大きくなり実用性に乏しい、１０重量％を下回
ると、緻密な焼結体となり難い。コーディエライト系の
ガラス組成物に対してＢ、０．を添加するようにすれば
、さらに、低温で焼成でき、μｍコーディエライトから
α−コーディエライトへの相変化も１０００°Ｃ以下で
行なえるのであるが、Ｂ２０．の組成割合が１０ｆｉ量
％を越えると、ガラス相が発泡しやすくなり、焼成可能
な温度範囲も狭くなる。また、機械的強度も弱く実用性
に乏しくなる。４Ｍ量％を下回ると、ガラス粉末の表面
層の結晶化が急激に進みすぎるため緻密な焼成体となり
難い。ＢａＯおよびＣａＯから選ばれた少なくとも１種
が５重量％を越えると、α−コーディエライト結晶の析
出が悪くなり、電気特性が悪くなる。
のように組成が限定されるのは、次の理由による。Ｓ
ｉ Ｏｚが６３重量％を越えると、緻密な焼結体となり
難い。４８重量％を下回ると、ガラス粉末の結晶化温度
が上昇して、１０００℃以下の焼成温度では充分に結晶
化することができなかったり、緻密化が難しくなる。焼
成最高温度を１０００℃にすれば、無機多孔質基材の機
械的な強度を劣化させずにすむ。すなわち、低誘電率化
のためにはＳｔＯ１成分が多い無機多孔質基材を用いる
のが有利で、同無機多孔質基材は一般に融点が１０００
〜１３００″Ｃで、場合によっては１０００°Ｃを少し
越えた程度でも機械的強度が著しく劣化することもある
が、このような場合、前記のように焼成温度を１０００
″Ｃにすれば前記劣化を防止することができる。ただし
、前の表にもみるように発明の目的からするときは焼成
温度を１ｏｏｏ″Ｃ以上にもすることがある。前記Ａ１
゜０８の組成割合が２５ｆｆｉ量％を越えるときは、焼
結できる温度が上昇して１０００°Ｃ以下の焼成温度で
は充分な焼結が行えない、１０ｆｆｉ量％を下回ると、
コーディエライト結晶が少な（なり、ＳｔＯｚ Ｍ
ｇ Ｏ系の結晶が多く析出するので、比誘電率が上昇す
る。ＭｇＯの組成割合が２５重量％を越えると、おそら
くは、ケイ酸マグネシウムが析出するためと思われるが
、変形が大きくなり実用性に乏しい、１０重量％を下回
ると、緻密な焼結体となり難い。コーディエライト系の
ガラス組成物に対してＢ、０．を添加するようにすれば
、さらに、低温で焼成でき、μｍコーディエライトから
α−コーディエライトへの相変化も１０００°Ｃ以下で
行なえるのであるが、Ｂ２０．の組成割合が１０ｆｉ量
％を越えると、ガラス相が発泡しやすくなり、焼成可能
な温度範囲も狭くなる。また、機械的強度も弱く実用性
に乏しくなる。４Ｍ量％を下回ると、ガラス粉末の表面
層の結晶化が急激に進みすぎるため緻密な焼成体となり
難い。ＢａＯおよびＣａＯから選ばれた少なくとも１種
が５重量％を越えると、α−コーディエライト結晶の析
出が悪くなり、電気特性が悪くなる。
なお、前記実施例では、単層の成形体を作製する場合に
ついてのみ説明したが、セラミック焼結体粉末スラリー
を作製する際に熱可塑性のバインダーを用い、得られた
グリーンシートにスクリーン印刷等で配線を施せば、多
層の成形体（配線基板等）を得ることができる。また前
記実施例ではシート状の成形体のみについて説明したが
、たとえば、ブロック状無機多孔質基材を用いると、ブ
ロック状の焼結体が低い収縮率で高寸法精度のもとに得
られる。
ついてのみ説明したが、セラミック焼結体粉末スラリー
を作製する際に熱可塑性のバインダーを用い、得られた
グリーンシートにスクリーン印刷等で配線を施せば、多
層の成形体（配線基板等）を得ることができる。また前
記実施例ではシート状の成形体のみについて説明したが
、たとえば、ブロック状無機多孔質基材を用いると、ブ
ロック状の焼結体が低い収縮率で高寸法精度のもとに得
られる。
請求項１および２記載の発明にかかるセラミック焼結体
は、以上のように構成されているため、高い寸法精度の
ものが得られる。
は、以上のように構成されているため、高い寸法精度の
ものが得られる。
請求項２記載の発明にがかる°セラミック焼結体は、Ｌ
ｉ ％ Ｎ ａ ＳＫ等のアルカリ成分の混入しない
焼結体であり、電子材料の用途に使用してもマイグレー
ションを引き起こすおそれがない。
ｉ ％ Ｎ ａ ＳＫ等のアルカリ成分の混入しない
焼結体であり、電子材料の用途に使用してもマイグレー
ションを引き起こすおそれがない。
第１図はこの発明にかかるセラミック焼結体の一実施例
をあられした断面図、第２図はその製造工程をあられし
た概要図、第３図はその製造装置の１つをあられした模
式図第４図は焼結体の反り率の算出基準をあられした説
明図である。 １′・・・スラリー ２・・・無機多孔質基材代理人
弁理士 松 本 武 彦 ＝５４２−
をあられした断面図、第２図はその製造工程をあられし
た概要図、第３図はその製造装置の１つをあられした模
式図第４図は焼結体の反り率の算出基準をあられした説
明図である。 １′・・・スラリー ２・・・無機多孔質基材代理人
弁理士 松 本 武 彦 ＝５４２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミック粉末を必須成分とするスラリーを、前記
セラミック粉末の焼結する温度よりも高い融点を有する
無機多孔質基材に含浸させ焼成してなるセラミック焼結
体。 ２ セラミック粉末として、 ＳｉＯ＿２ ４８〜６３重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿２ １０〜２５重量％ Ｂ＿２Ｏ＿２ ４〜１０重量％ ＭｇＯ １０〜２５重量％ ＢａＯおよびＣａＯ の少なくとも１種 ０〜５重量％ なる組成が得られる原材料を溶融・急冷・粉砕してなる
ガラス粉末を用いる請求項１記載のセラミック焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187516A JPH0238389A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | セラミック焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187516A JPH0238389A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | セラミック焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238389A true JPH0238389A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16207443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63187516A Pending JPH0238389A (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | セラミック焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112811890A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-05-18 | 宜宾红星电子有限公司 | 低温烧结低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法 |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63187516A patent/JPH0238389A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112811890A (zh) * | 2021-01-20 | 2021-05-18 | 宜宾红星电子有限公司 | 低温烧结低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法 |
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