CN112811890A - 低温烧结低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents
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- CN112811890A CN112811890A CN202110077928.XA CN202110077928A CN112811890A CN 112811890 A CN112811890 A CN 112811890A CN 202110077928 A CN202110077928 A CN 202110077928A CN 112811890 A CN112811890 A CN 112811890A
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- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 36
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N EtOH Substances CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 5
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 abstract description 3
- 239000008204 material by function Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- WMGSQTMJHBYJMQ-UHFFFAOYSA-N aluminum;magnesium;silicate Chemical compound [Mg+2].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] WMGSQTMJHBYJMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940009868 aluminum magnesium silicate Drugs 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and simultaneously Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
- C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
- C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
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Abstract
本发明公开了一种低温烧结低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法，属于信息功能材料技术领域。所述低温烧结低介电常数微波陶瓷材料原料组分按质量百分比为：2MgO‑2Al2O3‑5SiO275‑95％，SiO21‑8％，Yb2O31‑8％，Ca2(OH)2CO33‑15％；所述制备方法包括配料、预烧混合、造粒成型、排胶、烧结等工艺；本发明通过添加烧结助剂和活性剂来调控微波陶瓷的烧结温度，同时使陶瓷材料具有低的介电常数、较小的温度频率漂移系数，制备工艺简单，制备成本低，具有很强的实用性。
Description
技术领域
本发明属于信息功能材料技术领域，涉及一种微波介质陶瓷材料，具体涉及一种低温烧结低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
近年来我国移动通信产业实现了跨越式发展，目前正在发展第五代移动通信技术(5G)，介质波导滤波器是由特殊的微波陶瓷材料制作而成。通过把陶瓷材料成型烧制成特殊形状，表面进行金属化覆盖，并在介质块上设置若干耦合窗口实现能量传输。表面良好金属化可以将能量屏蔽在陶瓷内部，选用不同介电常数的陶瓷材料可以灵活地调整滤波器体积，从而实现5G时代对滤波器的高性能和小型集成化等需求。
随着现代通信不断向高频段扩展，信号延迟现象越来越显著，高频下***的损耗和发热量增加、稳定性变差。为适应现代微波通信向高频化的发展趋势，需开发低介电常数(εr)、高品质因数(Q)和近零谐振频率温度系数(τf)微波介质材料。低εr能减小材料与电极之间的交互耦合损耗，并提高信号传输速率，高Q(低介电损耗)有利于提高器件工作频率的可选择性，近零τf有助于提高器件的频率温度稳定特性。目前，大多数高频用低εr、高Q值微波介质材料固有烧结温度都比较高(T≥1300℃)，且具有较大负τf值，无法满足技术要求。因此，研究开发新型高性能(低εr、高Q和近零τf)微波介质材料是当前信息功能材料领域研究的热点，也是未来通信事业发展的必然要求。
硅酸铝镁是一种常用的微波介质陶瓷，介电常数在9左右，具有很低的介电损耗，良好的谐振频率温度系数，非常适合用于微波器件。然而硅酸铝镁陶瓷烧结温度较高，在1400℃左右。同时近年来，对低介电常数微波陶瓷需求也越来越多，基于此，本发明基于硅酸铝镁体系，掺杂活性剂、烧结助剂以及低介电常数材料来降低整体烧结温度，同时获得低介、低损的微波陶瓷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有低介电常数、低介电损耗的微波介电陶瓷烧结温度较高的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO2 75-95％，SiO2 1-8％，Yb2O3 1-8％，Ca2(OH)2CO3 3-15％。
进一步的是，上述低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO2 80-90％，SiO2 2-5％，Yb2O3 2-5％，Ca2(OH)2CO3 6-10％。
上述低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，介电常数εr为5.1-5.4，谐振频率温度系数τf为-26.7-(-24.2)，Q*f值为10555-11341。
上述低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：
a.配料：将分析纯的MgO、Al2O3、SiO2烘干后，按化学式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化学计量比称取后球磨处理，得到混合物干粉；
b.预压预烧：将步骤b得到的混合物干粉预压成紧密的粉体，然后以1000-1150℃的温度预烧2-10h后研磨过筛，得到2MgO-2Al2O3-5SiO2；
c.配料：根据低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的原料组分称取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步骤b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合，得到混合料；
d.预烧混合：将步骤c得到的混合料以800-950℃的温度预烧2-10h后球磨处理，得到预烧干粉；
e.造粒成型：将步骤d得到的预烧干粉造粒，然后干压成型，得到素坯；
f.排胶：将步骤e得到的素坯排胶处理，得到成型素坯；
g.烧结：将步骤f得到的成型素坯置于承烧板上，用步骤d得到的预烧干粉覆盖成型素坯，然后用坩埚盖于上方，将承烧板放入烧结炉中以1-5℃/min的升温速率升温至1100-1170℃，保温2-10h后随炉自然冷却得到低温烧结低介电常数微波陶瓷材料。
上述步骤a和d中，球磨处理指在乙醇中以ZrO2球为媒介行星球磨24-48h，再烘干。
上述步骤e中，造粒使用预烧干粉质量的5％-12％的聚乙烯醇溶液，所述聚乙烯醇溶液溶质质量分数为5％-10％。
上述步骤a中，烘干温度为120-150℃，烘干时间为5-10h。
上述步骤f中，排胶处理指以1-3℃/min的升温速率升温至500-650℃，保温2-5h后随炉自然冷却。
上述步骤b中，预压压力为100-300Mpa。
上述步骤e中，干压成型压力为100-300Mpa。
本发明的有益效果是：本发明提供一种低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，通过添加SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3等烧结助剂和活性剂来调控微波介质陶瓷的烧结温度和介电性能。
其中向硅酸铝镁体系陶瓷中加入适量的SiO2可以增加陶瓷材料的孔隙率，大量气孔的存在能降低材料的介电性能，同时SiO2材料本身具有较低的介电常数，因此本发明添加SiO2可有效降低微波陶瓷介电常数。但添加SiO2含量过多时，介电常数反而会增大，因此加入质量百分比为2-5％的SiO2为宜。
本发明同时复合添加SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3，其中Ca2(OH)2CO3受热分解为CaO，CaO和Yb2O3都是烧结助剂；而SiO2由于具有高的表面能，其熔点和烧结温度均降低而形成液相，液相SiO2与烧结助剂有利于物质迁移和颗粒重排，从而促进了复合材料的烧结，以较低的烧结温度完成硅酸铝镁陶瓷的烧结。
本发明提供的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法使原硅酸铝镁陶瓷与SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3等烧结助剂和活性剂充分融合，采用较低的烧结温度完成硅酸铝镁体系陶瓷的烧结，得到低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，制备工艺简单，制备成本低，具有强的实用性。
附图说明
图1为本发明低温烧结低介电常数微波陶瓷材料实施例1的X射线衍射图谱；
图2为本发明低温烧结低介电常数微波陶瓷材料实施例1的扫描电镜图；
图3为本发明低温烧结低介电常数微波陶瓷材料实施例2的X射线衍射图谱；
图4为本发明低温烧结低介电常数微波陶瓷材料实施例2的扫描电镜图。
具体实施方式
本发明的技术方案，具体可以按照以下方式实施。
低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO2 75-95％，SiO2 1-8％，Yb2O3 1-8％，Ca2(OH)2CO3 3-15％。
为了使产品效果更好更稳定，因此优选的是，上述低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO2 80-90％，SiO2 2-5％，Yb2O3 2-5％，Ca2(OH)2CO3 6-10％。
上述低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：
a.配料：将分析纯的MgO、Al2O3、SiO2烘干后，按化学式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化学计量比称取后球磨处理，得到混合物干粉；
b.预压预烧：将步骤b得到的混合物干粉预压成紧密的粉体，然后以1000-1150℃的温度预烧2-10h后研磨过筛，得到2MgO-2Al2O3-5SiO2；
c.配料：根据低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的原料组分称取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步骤b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合，得到混合料；
d.预烧混合：将步骤c得到的混合料以800-950℃的温度预烧2-10h后球磨处理，得到预烧干粉；
e.造粒成型：将步骤d得到的预烧干粉造粒，然后干压成型，得到素坯；
f.排胶：将步骤e得到的素坯排胶处理，得到成型素坯；
g.烧结：将步骤f得到的成型素坯置于承烧板上，用步骤d得到的预烧干粉覆盖成型素坯，然后用坩埚盖于上方，将承烧板放入烧结炉中以1-5℃/min的升温速率升温至1100-1170℃，保温2-10h后随炉自然冷却。
上述步骤a和d中，球磨处理指在乙醇中以ZrO2球为媒介行星球磨24-48h，再烘干。
上述步骤e中，造粒使用预烧干粉质量的5％-12％的聚乙烯醇溶液，所述聚乙烯醇溶液溶质质量分数为5％-10％。
上述步骤a中，烘干温度为120-150℃，烘干时间为5-10h。
上述步骤f中，排胶处理指以1-3℃/min的升温速率升温至500-650℃，保温2-5h后随炉自然冷却。
上述步骤b中，预压压力为100-300Mpa。
上述步骤e中，干压成型压力为100-300Mpa。
下面通过实际的例子对本发明的技术方案和效果做进一步的说明。
实施例1
低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO2 80％，SiO2 2％，Yb2O3 2％，Ca2(OH)2CO3 6％。
低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：
a.配料：将分析纯的MgO、Al2O3、SiO2在120℃下烘干5h，按化学式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化学计量比称取后在乙醇中以ZrO2球为媒介行星球磨24h，烘干后得到混合物干粉；
b.预压预烧：将步骤b得到的混合物干粉在100Mpa下预压成紧密的粉体，然后以1000℃的温度预烧2h后研磨过筛，得到2MgO-2Al2O3-5SiO2；
c.配料：根据低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的原料组分称取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步骤b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合，得到混合料；
d.预烧混合：将步骤c得到的混合料以800℃的温度预烧2h后以ZrO2球为媒介行星球磨24h，烘干后得到预烧干粉；
e.造粒成型：将步骤d得到的预烧干粉加入预烧干粉质量的5％的聚乙烯醇溶液进行造粒，其中聚乙烯醇溶液溶质质量分数为5％，然后在100Mpa下干压成型，得到素坯；
f.排胶：将步骤e得到的素坯置于中温炉中以1℃/min的升温速率升温至500℃排胶，保温2h后，随炉自然冷却，得到成型素坯；
g.烧结：将步骤f得到的成型素坯置于氧化铝基板上，用步骤d得到的预烧干粉覆盖成型素坯，然后用坩埚盖于上方，将氧化铝基板放入烧结炉中以1℃/min的升温速率升温至1100℃，保温2h后随炉自然冷却，得到低温烧结低介电常数微波陶瓷。
对实施例1得到的低温烧结低介电常数微波陶瓷性能进行测试，结果如表1所示。
表1实施例1微波陶瓷性能测试结果
| 谐振频率(f) | 介电常数(ε<sub>r</sub>) | 品质因子(Q) | 温度频率系数(τf) | Q*f |
| 15.6GHz | 5.1 | 727 | -26.7 | 11341 |
从表1可知，本发明的低温烧结低介电常数微波陶瓷介电常数小，介电损耗良好，有较小负τf值，性能良好。图1为本发明实例1的X射线衍射图谱，图2为本发明实例1的扫描电镜图，从图中可知本发明的低温烧结低介电常数微波陶瓷主晶相为硅酸镁，且陶瓷材料微观组织致密。
实施例2
低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO2 90％，SiO2 5％，Yb2O3 5％，Ca2(OH)2CO3 10％。
低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：
a.配料：将分析纯的MgO、Al2O3、SiO2在150℃下烘干10h，按化学式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化学计量比称取后在乙醇中以ZrO2球为媒介行星球磨48h，烘干后得到混合物干粉；
b.预压预烧：将步骤b得到的混合物干粉在300Mpa下预压成紧密的粉体，然后以1150℃的温度预烧10h后研磨过筛，得到2MgO-2Al2O3-5SiO2；
c.配料：根据低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的原料组分称取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步骤b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合，得到混合料；
d.预烧混合：将步骤c得到的混合料以950℃的温度预烧10h后以ZrO2球为媒介行星球磨48h，烘干后得到预烧干粉；
e.造粒成型：将步骤d得到的预烧干粉加入预烧干粉质量的12％的聚乙烯醇溶液进行造粒，其中聚乙烯醇溶液溶质质量分数为10％，然后在300Mpa下干压成型，得到素坯；
f.排胶：将步骤e得到的素坯置于中温炉中以3℃/min的升温速率升温至650℃排胶，保温5h后，随炉自然冷却，得到成型素坯；
g.烧结：将步骤f得到的成型素坯置于氧化铝基板上，用步骤d得到的预烧干粉覆盖成型素坯，然后用坩埚盖于上方，将氧化铝基板放入烧结炉中以5℃/min的升温速率升温至1170℃，保温10h后随炉自然冷却，得到低温烧结低介电常数微波陶瓷。
对实施例2得到的低温烧结低介电常数微波陶瓷性能进行测试，结果如表2所示。
表2实施例2微波陶瓷性能测试结果
| 谐振频率(f) | 介电常数(ε<sub>r</sub>) | 品质因子(Q) | 温度频率系数(τf) | Q*f |
| 15.1GHz | 5.4 | 699 | -24.2 | 10555 |
从表2可知，本发明的低温烧结低介电常数微波陶瓷介电常数小，介电损耗良好，有较小负τf值，性能良好。图3为本发明实例2的X射线衍射图谱，图4为本发明实例2的扫描电镜图，从图中可知本发明的低温烧结低介电常数微波陶瓷主晶相为硅酸镁，且陶瓷材料微观组织致密。
使用本发明的制备方法制备的低温烧结低介电常数微波陶瓷，通过添加SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3掺杂粉料，能够降低陶瓷烧结温度，同时使陶瓷材料具有低的介电常数、较小的温度频率漂移系数，制备工艺简单，制备成本低，具有很强的实用性。
Claims (10)
1.低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO275-95％，SiO21-8％，Yb2O31-8％，Ca2(OH)2CO33-15％。
2.根据权利要求1所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其特征在于，其原料组分按质量百分比为：2MgO-2Al2O3-5SiO280-90％，SiO22-5％，Yb2O32-5％，Ca2(OH)2CO36-10％。
3.根据权利要求1或2所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料，其特征在于：介电常数εr为5.1-5.4，谐振频率温度系数τf为-26.7-(-24.2)，Q*f值为10555-11341。
4.如权利要求1-3任一项所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
a.配料：将分析纯的MgO、Al2O3、SiO2烘干后，按化学式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化学计量比称取后球磨处理，得到混合物干粉；
b.预压预烧：将步骤b得到的混合物干粉预压成紧密的粉体，然后以1000-1150℃的温度预烧2-10h后研磨过筛，得到2MgO-2Al2O3-5SiO2；
c.配料：根据低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的原料组分称取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步骤b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合，得到混合料；
d.预烧混合：将步骤c得到的混合料以800-950℃的温度预烧2-10h后球磨处理，得到预烧干粉；
e.造粒成型：将步骤d得到的预烧干粉造粒，然后干压成型，得到素坯；
f.排胶：将步骤e得到的素坯排胶处理，得到成型素坯；
g.烧结：将步骤f得到的成型素坯置于承烧板上，用步骤d得到的预烧干粉覆盖成型素坯，然后用坩埚盖于上方，将承烧板放入烧结炉中以1-5℃/min的升温速率升温至1100-1170℃，保温2-10h后随炉自然冷却得到低温烧结低介电常数微波陶瓷材料。
5.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤a和d中，球磨处理指在乙醇中以ZrO2球为媒介行星球磨24-48h，再烘干。
6.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤e中，造粒使用预烧干粉质量的5％-12％的聚乙烯醇溶液，所述聚乙烯醇溶液溶质质量分数为5％-10％。
7.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤a中，烘干温度为120-150℃，烘干时间为5-10h。
8.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤f中，排胶处理指以1-3℃/min的升温速率升温至500-650℃，保温2-5h后随炉自然冷却。
9.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤b中，预压压力为100-300Mpa。
10.根据权利要求4所述的低温烧结低介电常数微波陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤e中，干压成型压力为100-300Mpa。
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