JPH023168A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
半導体メモリ装置Info
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- JPH023168A JPH023168A JP63142291A JP14229188A JPH023168A JP H023168 A JPH023168 A JP H023168A JP 63142291 A JP63142291 A JP 63142291A JP 14229188 A JP14229188 A JP 14229188A JP H023168 A JPH023168 A JP H023168A
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- JP
- Japan
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- sense amplifier
- cell
- amplifier
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241001655798 Taku Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体メモリ装置に関し、特に読出し時に共
用するバス線を増幅するセンス方式に関する。
用するバス線を増幅するセンス方式に関する。
従来、この種の半導体メモリ装置は、例えば第4図のよ
うな構成となっていた。本従来例はメモリセルから出力
回路までの構成を表わしたものであり、メモリセルアレ
イ411.412.〜41.と、第1のセンスアンプ4
21,422.〜42@と、第2のセンスアンプ42と
出力回路44から成っている。またY 411 Y t
t r〜Y4ffiは第1のセンスアンプの活性化信号
であり、注目セルの存在するメモリセルアレイに接続さ
れた第1のセンスアンプのみ活性化されるように制御さ
れる。
うな構成となっていた。本従来例はメモリセルから出力
回路までの構成を表わしたものであり、メモリセルアレ
イ411.412.〜41.と、第1のセンスアンプ4
21,422.〜42@と、第2のセンスアンプ42と
出力回路44から成っている。またY 411 Y t
t r〜Y4ffiは第1のセンスアンプの活性化信号
であり、注目セルの存在するメモリセルアレイに接続さ
れた第1のセンスアンプのみ活性化されるように制御さ
れる。
次に本従来例の動作について説明する。データが読出さ
れる注目セルが例えば411のセルアレイ1に存在する
場合、アドレスの変化を検知して第1のセンスアンプ活
性化信号Y41のみがハイレベルとなり、421の第1
のセンスアンプのみが活性化される。これにより注目セ
ルのデータが421の第1のセンスアンプにより増幅さ
れ信号線RB、π百に現われる。次にその差電位をさら
に43の第2のセンスアンプにより増幅し、44の出力
回路へデータを伝え、出力する。
れる注目セルが例えば411のセルアレイ1に存在する
場合、アドレスの変化を検知して第1のセンスアンプ活
性化信号Y41のみがハイレベルとなり、421の第1
のセンスアンプのみが活性化される。これにより注目セ
ルのデータが421の第1のセンスアンプにより増幅さ
れ信号線RB、π百に現われる。次にその差電位をさら
に43の第2のセンスアンプにより増幅し、44の出力
回路へデータを伝え、出力する。
上述した従来の半導体メモリ装置は、m個の第1のセン
スアンプの出力が同一バス(RB、■■)を共用してい
るため、メモリ容量の増加に伴いメモリセルの分割数も
多くなってくると、配線(RB。
スアンプの出力が同一バス(RB、■■)を共用してい
るため、メモリ容量の増加に伴いメモリセルの分割数も
多くなってくると、配線(RB。
π百)が長くなりそれによる配線容量が大きくなり第2
のセンスアンプへの信号の伝達が遅くなるという欠点が
ある。
のセンスアンプへの信号の伝達が遅くなるという欠点が
ある。
本発明の半導体メモリ装置は、共用するバス線の中間に
バッファアンプを有している。
バッファアンプを有している。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。従来のこの
種の半導体メモリ装置との相違点は、共用するバス線R
B、π■を15のバッファアンプを介して左右に分離し
たことである。
種の半導体メモリ装置との相違点は、共用するバス線R
B、π■を15のバッファアンプを介して左右に分離し
たことである。
第2図は本発明の一実施例のバッファアンプである。R
BI、RBIの信号線のレベルの変化を受けて動作する
NMO8)ランジスタQ21及びQ22と信号BEとゲ
ート入力とするバッファアンプを活性化するためのNM
O3)ランジスタQ23から構成されている。
BI、RBIの信号線のレベルの変化を受けて動作する
NMO8)ランジスタQ21及びQ22と信号BEとゲ
ート入力とするバッファアンプを活性化するためのNM
O3)ランジスタQ23から構成されている。
次に、動作について説明する。まず、注目セルが11、
のセルアレイ1に存在する場合について考える。アドレ
ス信号の変化を検知して第1のセンスアンプ活性化信号
Y11がノ・イレベルとなり、12、の第1のセンスア
ンプが活性化される。
のセルアレイ1に存在する場合について考える。アドレ
ス信号の変化を検知して第1のセンスアンプ活性化信号
Y11がノ・イレベルとなり、12、の第1のセンスア
ンプが活性化される。
また、この時バッファアンプの活性化信号BEもハイレ
ベルとなり15のバッファアンプカ活性化される(BE
は注目セルがセルアレイ111〜11に中にあるとき、
ハイレベル状態となり15のバッファアンプが活性化さ
れる)。これにより注目セルのデータが12.の第1の
センスアンプにより増加されバス線RBI、RBIに現
われる。
ベルとなり15のバッファアンプカ活性化される(BE
は注目セルがセルアレイ111〜11に中にあるとき、
ハイレベル状態となり15のバッファアンプが活性化さ
れる)。これにより注目セルのデータが12.の第1の
センスアンプにより増加されバス線RBI、RBIに現
われる。
次にその差電位をさらに15のバッファアンプにより増
加する。この増加されたデータをさらに13の第2のセ
ンスアンプにより増幅され14の出力回路へ伝え出力す
る。
加する。この増加されたデータをさらに13の第2のセ
ンスアンプにより増幅され14の出力回路へ伝え出力す
る。
次に、注目セルが11ヨのセルアレイmに存在する場合
について考える。
について考える。
まず、アドレス信号の変化を検知して第1のセンスアン
プ活性化信号Y1mがハイレベルとなり12ゆの第トの
センスアンプ1ツが活性化される。
プ活性化信号Y1mがハイレベルとなり12ゆの第トの
センスアンプ1ツが活性化される。
またこの時バッファアンプ活性化信号BEはロウレベル
となり、15のバッファアンプは非活性化状態となる(
BEは、注目セルがセルアレイ11□〜11oに存在す
る時、ロウレベルとなり15のバッファアンプは非活性
化状態となるように設定する)。これにより注目セルの
データが12.aの第1のセンスアンプにより増幅され
、バス線RB2゜RB2に現われる。次にその差電位を
さらに13の第2のセンスアンプにより増幅し14の出
力回路へ伝え出力する。
となり、15のバッファアンプは非活性化状態となる(
BEは、注目セルがセルアレイ11□〜11oに存在す
る時、ロウレベルとなり15のバッファアンプは非活性
化状態となるように設定する)。これにより注目セルの
データが12.aの第1のセンスアンプにより増幅され
、バス線RB2゜RB2に現われる。次にその差電位を
さらに13の第2のセンスアンプにより増幅し14の出
力回路へ伝え出力する。
第3図は本発明の実施例2のバッファアンプである。
BEをゲート入力とするNMO3)ランジスタQ39.
Q3Aと、RBIをゲート入力とするNMO3)ランジ
スタQ33.Q37と、RBIをゲート入力とするNM
O8)ランジスタQ34゜038と、PMOSトランジ
スタQ31.Q32.Q35、Q36から構成される。
Q3Aと、RBIをゲート入力とするNMO3)ランジ
スタQ33.Q37と、RBIをゲート入力とするNM
O8)ランジスタQ34゜038と、PMOSトランジ
スタQ31.Q32.Q35、Q36から構成される。
本実施例と第1の実施例との相違点は、バッファアンプ
としてミラー型センスアンプを2台設けたことである。
としてミラー型センスアンプを2台設けたことである。
動作については上述した第1の実施例と同様である。
以上説明したように本発明は、共用するバス線とバッフ
ァアンプを用いて左右に分割することにより従来のバス
線の配線容量を半分にでき第1図において、111〜1
1.のセンスアンプに注目セルがある場合は、バッファ
アンプによりデータを増幅すことにより、また111〜
11.、のセンスアンプに注目セルがある場合はバス線
の容量が半分で済むため、高速動作が可能となるという
効果がある。
ァアンプを用いて左右に分割することにより従来のバス
線の配線容量を半分にでき第1図において、111〜1
1.のセンスアンプに注目セルがある場合は、バッファ
アンプによりデータを増幅すことにより、また111〜
11.、のセンスアンプに注目セルがある場合はバス線
の容量が半分で済むため、高速動作が可能となるという
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体メモリ装置の構成図、第2図は
第1実施例のバッファアンプ、第3図は第2実施例のバ
ッファアンプ、第4図は従来例の半導体メモリ装置の構
成図である。 11、〜11工、42〜41.a・・・・・・セルアレ
イ、12、〜12.,42.〜42.・・・・・・第1
のセンスアンプ、1訃・・・・・バッファアンプ、13
.43・・・・・・第2のセンスアンプ、14.44・
・・・・・出力回路、Yll〜Y1□Y41〜Y4工・
・・・・・第1のセンスアンプ活性化信号、BE・・・
・・・バッファアンプ活性化信号、Q21.Q22.Q
23.Q33.Q34.Q37.Q38、Q39.Q3
A・・・・・・NMO8)ランジスタ、Q31.Q32
.Q35.Q36・・・・・・PMO8)ランジスタ。 代理人 弁理士 内 原 晋
第1実施例のバッファアンプ、第3図は第2実施例のバ
ッファアンプ、第4図は従来例の半導体メモリ装置の構
成図である。 11、〜11工、42〜41.a・・・・・・セルアレ
イ、12、〜12.,42.〜42.・・・・・・第1
のセンスアンプ、1訃・・・・・バッファアンプ、13
.43・・・・・・第2のセンスアンプ、14.44・
・・・・・出力回路、Yll〜Y1□Y41〜Y4工・
・・・・・第1のセンスアンプ活性化信号、BE・・・
・・・バッファアンプ活性化信号、Q21.Q22.Q
23.Q33.Q34.Q37.Q38、Q39.Q3
A・・・・・・NMO8)ランジスタ、Q31.Q32
.Q35.Q36・・・・・・PMO8)ランジスタ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 読出し時に共用されるバス線を有する半導体メモリ装
置において、前記バス線の中間にバッファアンプを設け
たことを特徴とする半導体メモリ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63142291A JPH023168A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63142291A JPH023168A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体メモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH023168A true JPH023168A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15311964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63142291A Pending JPH023168A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体メモリ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH023168A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5946253A (en) * | 1996-07-11 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Semiconductor memory device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57117178A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-21 | Nec Corp | Memory circuit |
JPS5919291A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ装置 |
JPS63209094A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63142291A patent/JPH023168A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57117178A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-21 | Nec Corp | Memory circuit |
JPS5919291A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体メモリ装置 |
JPS63209094A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5946253A (en) * | 1996-07-11 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Semiconductor memory device |
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