JPH02309631A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
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- JPH02309631A JPH02309631A JP13088389A JP13088389A JPH02309631A JP H02309631 A JPH02309631 A JP H02309631A JP 13088389 A JP13088389 A JP 13088389A JP 13088389 A JP13088389 A JP 13088389A JP H02309631 A JPH02309631 A JP H02309631A
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- etching
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- plasma etching
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、反応性ガスを用いて平行平板型のプラズマエ
ツチング装置を用い、半導体装置面上の多結晶シリコン
膜のエツチングを行なうプラズマエツチング方法に関す
るものである。
ツチング装置を用い、半導体装置面上の多結晶シリコン
膜のエツチングを行なうプラズマエツチング方法に関す
るものである。
従来の技術
従来、反応性ガスを用いる平行平板型のプラズマエツチ
ング装置を用い、半導体装置の多結晶シリコン膜をエツ
チングする場合、対向配置された電極間に高周波放電を
連続に生起しエツチングを行なっている。
ング装置を用い、半導体装置の多結晶シリコン膜をエツ
チングする場合、対向配置された電極間に高周波放電を
連続に生起しエツチングを行なっている。
発明が解決しようとする課題
このような従来方法においては、反応性ガス。
エッヂング圧力、高周波電力など、いくつかのエツチン
グパラメータを操作することによってエツチング形状は
異なってくる。例えば、反応性ガスとしてＳＦｓを用い
てエツチングをした場合、ＳＦｓはラジカルを多く生成
可能のため、その形状は等方的エツチングとなり、非常
に大きなアンダーカットが生じる。またＳＦｅにＣＣｅ
４を添加した場合は、エツチングマスクであるレジスト
との反応による生成物のＣＨＸ ＳＹ ＣＱｚによる側
壁保護の形成速度とラジカルの側壁への到達速度が平衝
して、食刻形状が垂直形状となる。
グパラメータを操作することによってエツチング形状は
異なってくる。例えば、反応性ガスとしてＳＦｓを用い
てエツチングをした場合、ＳＦｓはラジカルを多く生成
可能のため、その形状は等方的エツチングとなり、非常
に大きなアンダーカットが生じる。またＳＦｅにＣＣｅ
４を添加した場合は、エツチングマスクであるレジスト
との反応による生成物のＣＨＸ ＳＹ ＣＱｚによる側
壁保護の形成速度とラジカルの側壁への到達速度が平衝
して、食刻形状が垂直形状となる。
しかし、前記エツチングパラメータの操作のみでは、上
記以外・の形状は難しく、エツチング形状のテーパ角を
コントロールすることは困難であった。本発明は、この
ような問題を解決するプラズマエツチング方法を提供す
るものである。
記以外・の形状は難しく、エツチング形状のテーパ角を
コントロールすることは困難であった。本発明は、この
ような問題を解決するプラズマエツチング方法を提供す
るものである。
課題を解決するための手段
この問題を解決するために本発明は、高周波放電を周期
的に繰り返し生起、停止させながらエツチングを行なう
プラズマエツチング方法である。
的に繰り返し生起、停止させながらエツチングを行なう
プラズマエツチング方法である。
作用
反応性ガスＳＦｓ 、ｃｃｅ４を用い、高周波電力を印
加し、プラズマ状態を形成した後、高周波電力を切って
からのエツチング反応室内のラジカルおよび中性分子の
滞在時間変化は、ＳＦ２゜５ＦＣｅ 、ＳＣｆ！ ２
といった中性分子の滞在時間は、排気能力にも影響する
が、一般に数十秒程度は必要とする。ラジカルは中性分
子と異なり、滞在時間は短いが、高周波電力を切った状
態においても存在する。また、当然ながら、高周波電力
を切った状態においては、電荷を保持している電子、イ
オン等は存在しない。よって、高周波放電の生起、停止
を同期的に繰り返し行なうと供に、放電の生起時間をコ
ントロールすることにより、エツチング形状のテーパ角
をコントロールすることが可能となる。
加し、プラズマ状態を形成した後、高周波電力を切って
からのエツチング反応室内のラジカルおよび中性分子の
滞在時間変化は、ＳＦ２゜５ＦＣｅ 、ＳＣｆ！ ２
といった中性分子の滞在時間は、排気能力にも影響する
が、一般に数十秒程度は必要とする。ラジカルは中性分
子と異なり、滞在時間は短いが、高周波電力を切った状
態においても存在する。また、当然ながら、高周波電力
を切った状態においては、電荷を保持している電子、イ
オン等は存在しない。よって、高周波放電の生起、停止
を同期的に繰り返し行なうと供に、放電の生起時間をコ
ントロールすることにより、エツチング形状のテーパ角
をコントロールすることが可能となる。
実施例
第１図は、多結晶シリコン膜をエツチングするための平
行平板型のプラズマエツチング装置の断面構造図である
。チャンバー１内には、一対の電極２，３が対向配置さ
れている。
行平板型のプラズマエツチング装置の断面構造図である
。チャンバー１内には、一対の電極２，３が対向配置さ
れている。
半導体基板４が、下部電極３に載置された後、チャンバ
ー１内には、５Ｆｓ８０ｓ ｅ ｃｍ、ＣＣｅ ４５
ｓ ｅ ｃｍ、の混合ガスがガス導入口５より導入され
ると供に、圧力コントロールバルブ６により、チャンバ
ー内は、圧力１００ｍＴｏ ｒ ｒに保持される。次に
設定圧力で電極２．３間に高周波電力源７より高周波電
力５０Ｗが５秒間隔で周期的にオン、オフを繰り返され
、被エツチング量の５０％をエツチングした後は、残り
の被エツチング量を連続生起しエツチングする。
ー１内には、５Ｆｓ８０ｓ ｅ ｃｍ、ＣＣｅ ４５
ｓ ｅ ｃｍ、の混合ガスがガス導入口５より導入され
ると供に、圧力コントロールバルブ６により、チャンバ
ー内は、圧力１００ｍＴｏ ｒ ｒに保持される。次に
設定圧力で電極２．３間に高周波電力源７より高周波電
力５０Ｗが５秒間隔で周期的にオン、オフを繰り返され
、被エツチング量の５０％をエツチングした後は、残り
の被エツチング量を連続生起しエツチングする。
発明の効果
以上のように本発明によれば、多結晶シリコン膜のエツ
チングに際し、エツチング形状のコントロールが容易に
可能であり、多層構造を有する半導体装置の製造を可能
とする。
チングに際し、エツチング形状のコントロールが容易に
可能であり、多層構造を有する半導体装置の製造を可能
とする。
第１図は、プラズマエツチング装置の一部断面構造図で
ある。 １・・・・・・チャンバー、２・・・・・・上部電極、
３・・・・・・下部電極、４・・・・・・半導体基板、
５・・・・・・ガス導入口、６・・・・・・圧力コント
ロールバルブ、７・・・・・・高周波電力源。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名／−−−チ
インハ゛− ？・−上節ｔａ Ｓ−一一下部覧抛 ４ ・・−牟痺イネ、Ｌ！、坂 ５−・−冑゛ズ埠入口
ある。 １・・・・・・チャンバー、２・・・・・・上部電極、
３・・・・・・下部電極、４・・・・・・半導体基板、
５・・・・・・ガス導入口、６・・・・・・圧力コント
ロールバルブ、７・・・・・・高周波電力源。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名／−−−チ
インハ゛− ？・−上節ｔａ Ｓ−一一下部覧抛 ４ ・・−牟痺イネ、Ｌ！、坂 ５−・−冑゛ズ埠入口
Claims (2)
- （１）反応性ガスを導入して互いに対向配置された一対
の平板状電極間に高周波放電を生起し、前記一方の電極
上で半導体装置面上の多結晶シリコン膜を、プラズマエ
ッチングするに際し、前記高周波放電の生起、停止を周
期的に繰り返して、エッチングすることを特徴とするプ
ラズマエッチング方法。 - （２）前記反応性ガスがＳＦ＿６、ＣＣｌ＿４であるこ
とを特徴とする請求項（１）記載のプラズマエッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13088389A JPH02309631A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13088389A JPH02309631A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309631A true JPH02309631A (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=15044929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13088389A Pending JPH02309631A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02309631A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513383A (ja) * | 1990-07-30 | 1993-01-22 | Sony Corp | ドライエツチング方法 |
| US5268070A (en) * | 1991-01-22 | 1993-12-07 | Sony Corporation | Dry etching method |
| JP2000299312A (ja) * | 1991-04-04 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2000299311A (ja) * | 1991-04-04 | 2000-10-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2002050611A (ja) * | 1999-07-23 | 2002-02-15 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハ処理の一部分中にパルス化プラズマを供給する方法 |
| US6417013B1 (en) | 1999-01-29 | 2002-07-09 | Plasma-Therm, Inc. | Morphed processing of semiconductor devices |
| JP2007324165A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP13088389A patent/JPH02309631A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0513383A (ja) * | 1990-07-30 | 1993-01-22 | Sony Corp | ドライエツチング方法 |
| US5268070A (en) * | 1991-01-22 | 1993-12-07 | Sony Corporation | Dry etching method |
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| JP2007324165A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法 |
| JP4652282B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-03-16 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法 |
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