JPH02306222A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH02306222A JPH02306222A JP1126881A JP12688189A JPH02306222A JP H02306222 A JPH02306222 A JP H02306222A JP 1126881 A JP1126881 A JP 1126881A JP 12688189 A JP12688189 A JP 12688189A JP H02306222 A JPH02306222 A JP H02306222A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば薄膜トランジスタなどを付加したア
クティブマトリックス方式液晶表示装置などのような液
晶表示装置に関し、もつと詳しくは、たとえば強い光が
照射されるプロジェクション用の透過層液晶表示装置な
どとして好適に用いられる液晶表示装置に関する。
クティブマトリックス方式液晶表示装置などのような液
晶表示装置に関し、もつと詳しくは、たとえば強い光が
照射されるプロジェクション用の透過層液晶表示装置な
どとして好適に用いられる液晶表示装置に関する。
従来の技術
第３図は、典型的な先行技術の断面図である。
一方のガラス基板１上には、絵素電極２が設けられ、こ
の絵素電極２にはマトリックス状に形成された電極から
薄膜トランジスタ３を介して、一方電位が印加される。
の絵素電極２にはマトリックス状に形成された電極から
薄膜トランジスタ３を介して、一方電位が印加される。
他方のガラス基板４上には、薄膜トランジスタ３に対応
した位置に遮光層５が設けられ、このガラス基板４の遮
光層５および残余の表面には、平面状の電極６が形成さ
れて基板１．４間には液晶７が介在される。遮光層５は
細い幅を有し、格子状に形成される。この遮光層５によ
って、コントラストの向上を図り、一方（ｔ＋！！（第
３図の上方）からの光を遮断して、絵素電極２と薄膜ト
ランジスタ３に関連して接続されているゲートおよびソ
ース電極の導体の間隙からの光漏れ防止によるコントラ
ストの向上を図り、また一方間（第３図の上方）からの
光が薄膜トランジスタ３に照射されて特性が劣化するの
を防ぐ。
した位置に遮光層５が設けられ、このガラス基板４の遮
光層５および残余の表面には、平面状の電極６が形成さ
れて基板１．４間には液晶７が介在される。遮光層５は
細い幅を有し、格子状に形成される。この遮光層５によ
って、コントラストの向上を図り、一方（ｔ＋！！（第
３図の上方）からの光を遮断して、絵素電極２と薄膜ト
ランジスタ３に関連して接続されているゲートおよびソ
ース電極の導体の間隙からの光漏れ防止によるコントラ
ストの向上を図り、また一方間（第３図の上方）からの
光が薄膜トランジスタ３に照射されて特性が劣化するの
を防ぐ。
先行技術では、遮光Ｎ５はガラス基板４に付着性が良好
であるクロムＣｒが膜厚１０００〜２０００人で形成さ
れる。またこの遮光層５はクロムに代えて、黒色合成樹
脂が用いられる。黒色合成樹脂は、たとえば黒色の染色
材料または黒色顔料を透明６成樹脂に分散した材料から
成る。この黒色合成樹脂は、たとえば１〜２μｍの膜厚
を有する。
であるクロムＣｒが膜厚１０００〜２０００人で形成さ
れる。またこの遮光層５はクロムに代えて、黒色合成樹
脂が用いられる。黒色合成樹脂は、たとえば黒色の染色
材料または黒色顔料を透明６成樹脂に分散した材料から
成る。この黒色合成樹脂は、たとえば１〜２μｍの膜厚
を有する。
発明が解決しようとする課題
このような先行技術では、遮光層５がクロムまたは黒色
合成樹脂であり、したがってその光の反射率が低い。し
たがって参照符８ａで示されるように入射する光が遮光
１１５によって吸収され、あるいはまた参照符８ｂで示
すように多重反射によって遮光層５に光が吸収される。
合成樹脂であり、したがってその光の反射率が低い。し
たがって参照符８ａで示されるように入射する光が遮光
１１５によって吸収され、あるいはまた参照符８ｂで示
すように多重反射によって遮光層５に光が吸収される。
そのため遮光層５の温度が上昇する。したがって液晶７
の温度が上昇することになり、これによって、液晶７の
電極界面での電気化学反応が促進されることになり、ま
た薄膜トランジスタ３のスレッシュホールド電圧が低下
してオフ電流が増大する。これによって、表示品位の著
しい低下が生じる。
の温度が上昇することになり、これによって、液晶７の
電極界面での電気化学反応が促進されることになり、ま
た薄膜トランジスタ３のスレッシュホールド電圧が低下
してオフ電流が増大する。これによって、表示品位の著
しい低下が生じる。
また遮光Ｎ５が高い反射率を有する場きには、参照符８
ｂで示すように多重反射した光が、遮光Ｎ５で薄膜トラ
ンジスタ３に届き、これによって薄膜トランジスタ３の
特性が劣化する。
ｂで示すように多重反射した光が、遮光Ｎ５で薄膜トラ
ンジスタ３に届き、これによって薄膜トランジスタ３の
特性が劣化する。
本発明の目的は、光による表示品位の低下を生じないよ
うにした液晶表示装置を提供することである。
うにした液晶表示装置を提供することである。
課題を解決するための手段
本発明は、一方の基板上に形成された半導体スイッチン
グ素子を介して絵素電極に、一方電位を与え、 他方の透光性基板上に前記絵素電極に対応して形成した
対向電極に他方電位を与え、 両基板間に液晶が充填され、 前記他方基板上には、半導体スイッチング素子に対応し
て遮光層が配置される液晶表示装置において、 前記遮光層は、外方の表面で反射率が高く、内方の表面
で反射率が低く構成されることを特徴とする液晶表示装
置である。
グ素子を介して絵素電極に、一方電位を与え、 他方の透光性基板上に前記絵素電極に対応して形成した
対向電極に他方電位を与え、 両基板間に液晶が充填され、 前記他方基板上には、半導体スイッチング素子に対応し
て遮光層が配置される液晶表示装置において、 前記遮光層は、外方の表面で反射率が高く、内方の表面
で反射率が低く構成されることを特徴とする液晶表示装
置である。
作 用
本発明に従えば、遮光層は外方の表面、すなわち液晶お
よびスイチッング素子などとは反対側の表面で、反射率
が高く、たとえばその反射率が８０％以上である。これ
によって、外部からの光が遮光層の反射率が高い表面で
反射され、光が吸収されず、そのため遮光層、したがっ
て液晶および半導体スイッチング素子の温度が上昇する
ことが防がれる。
よびスイチッング素子などとは反対側の表面で、反射率
が高く、たとえばその反射率が８０％以上である。これ
によって、外部からの光が遮光層の反射率が高い表面で
反射され、光が吸収されず、そのため遮光層、したがっ
て液晶および半導体スイッチング素子の温度が上昇する
ことが防がれる。
遮光層の内方の表面、すなわち液晶およびスイチッング
素子側では、光の反射率が低く、たとえば３５％未満で
ある。したがって外方から入射した光が一方基板に反射
した後に、遮光層によって吸収されることになり、その
遮光層による反射光がスイチッング素子に照射されるこ
とはない。これによって、スイチッング素子の特性の劣
化を防ぐことができる。
素子側では、光の反射率が低く、たとえば３５％未満で
ある。したがって外方から入射した光が一方基板に反射
した後に、遮光層によって吸収されることになり、その
遮光層による反射光がスイチッング素子に照射されるこ
とはない。これによって、スイチッング素子の特性の劣
化を防ぐことができる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
この液晶表示装置は、一対のガラスなどの透光性基板１
１．１２の間に液晶１３が充填されて介在される。一方
の基板１１上には、マトリックス状に配置された導体に
接続された半導体スイチッング素子、たとえば薄膜トラ
ンジスタ１４が設けられ、この薄膜トランジスタ１４を
介して透明な絵素電極１５に一方の電位が与えられる。
１．１２の間に液晶１３が充填されて介在される。一方
の基板１１上には、マトリックス状に配置された導体に
接続された半導体スイチッング素子、たとえば薄膜トラ
ンジスタ１４が設けられ、この薄膜トランジスタ１４を
介して透明な絵素電極１５に一方の電位が与えられる。
この薄膜トランジスタ１４は、たとえばガラス基板１６
上に電界効果トランジスタが形成された構成を有し、参
照符１７はゲート電極であり、参照符１８はソース電極
を示している。薄膜トランジスタ１４および絵素電極１
５上には配向膜が形成され、この配向膜には配向処理が
行われる。第１図では、この配向膜は図解の便宜のため
に省略されている。
上に電界効果トランジスタが形成された構成を有し、参
照符１７はゲート電極であり、参照符１８はソース電極
を示している。薄膜トランジスタ１４および絵素電極１
５上には配向膜が形成され、この配向膜には配向処理が
行われる。第１図では、この配向膜は図解の便宜のため
に省略されている。
他方の基板１２上には、薄膜トランジスタ１４の位置に
対応して、絵素ｔｉ１５以外の領域に格子状に遮光層２
０が形成される。この遮光層２０は、その外方が反射率
が高い材料から成る第１層２１と、この第１層２１上に
重ねて形成され、反射率が低い材料から成る第２層２２
とから成る。
対応して、絵素ｔｉ１５以外の領域に格子状に遮光層２
０が形成される。この遮光層２０は、その外方が反射率
が高い材料から成る第１層２１と、この第１層２１上に
重ねて形成され、反射率が低い材料から成る第２層２２
とから成る。
第１層２１はアルミニウムであって、膜厚は１０００〜
２０００人である。第２層２２は、酸化クロムＣｒ ２
０−が４００〜７００人の膜厚で形成される。第２層２
２の上には、たとえばアクリル系などの透光性合成樹脂
材料から成る保護膜２３が形成される。この保護膜２３
の膜厚は、たとえば３０００人である。さらにその上に
は全面に亘って、膜厚１０００人の配向膜２４が形成さ
れる。
２０００人である。第２層２２は、酸化クロムＣｒ ２
０−が４００〜７００人の膜厚で形成される。第２層２
２の上には、たとえばアクリル系などの透光性合成樹脂
材料から成る保護膜２３が形成される。この保護膜２３
の膜厚は、たとえば３０００人である。さらにその上に
は全面に亘って、膜厚１０００人の配向膜２４が形成さ
れる。
この配向膜２４はポリイミドなどの材料から成り、その
表面は配向処理される。
表面は配向処理される。
このようにして構成される液晶表示装置２６は、第２図
に示されるプロジェクション装置２７において用いられ
る。このプロジェクション装置２７は、光源２８とハー
フミラ−２９〜３４と、レンズ３５〜３７と、投影レン
ズ３８とを備え、さらに偏光板３９，４０．４１，４２
；４３，４４間に配置された本発明に従う液晶表示装置
２６，２６ａ、２６ｂが設けられる。液晶表示装置２６
は基板１２が光源２８ｒｓとなるように、基板１１が投
影レンズ３８側となるようにして、配置される。
に示されるプロジェクション装置２７において用いられ
る。このプロジェクション装置２７は、光源２８とハー
フミラ−２９〜３４と、レンズ３５〜３７と、投影レン
ズ３８とを備え、さらに偏光板３９，４０．４１，４２
；４３，４４間に配置された本発明に従う液晶表示装置
２６，２６ａ、２６ｂが設けられる。液晶表示装置２６
は基板１２が光源２８ｒｓとなるように、基板１１が投
影レンズ３８側となるようにして、配置される。
こうして基板１２側から大きな強度で光が第１図の参照
符４６で示されるように入射されたとき、その光４６は
、遮光層２０の第１層２１において充分に反射され、し
たがって遮光層２０の温度上昇が防がれる。これによっ
て液晶１３の温度上昇が防がれ、これによって液晶１３
の電極界面での電気化学反応が抑制されるとともに、薄
膜トランジスタ１４の温度上昇による特性の劣化が防が
れる。
符４６で示されるように入射されたとき、その光４６は
、遮光層２０の第１層２１において充分に反射され、し
たがって遮光層２０の温度上昇が防がれる。これによっ
て液晶１３の温度上昇が防がれ、これによって液晶１３
の電極界面での電気化学反応が抑制されるとともに、薄
膜トランジスタ１４の温度上昇による特性の劣化が防が
れる。
また参照符４７で示されるようにして液晶表示装置２６
内に入り込んだ光が、再び反射して遮光層２０の第２層
２２に照射されたとき、その途中反射した光は第２Ｎ２
２で充分に吸収される。したがって第２層２２を反射し
て、薄膜トランジスタ１４に光が入射されることを防ぐ
ことができる。
内に入り込んだ光が、再び反射して遮光層２０の第２層
２２に照射されたとき、その途中反射した光は第２Ｎ２
２で充分に吸収される。したがって第２層２２を反射し
て、薄膜トランジスタ１４に光が入射されることを防ぐ
ことができる。
これによって薄膜トランジスタ１４の特性が、光によっ
て劣化することが防がれる。こうして特にプロジェクシ
ョン用液晶表示装置２６の信頼性の向上を図ることがで
き、表示品位の高い液晶表示装置が実現される。
て劣化することが防がれる。こうして特にプロジェクシ
ョン用液晶表示装置２６の信頼性の向上を図ることがで
き、表示品位の高い液晶表示装置が実現される。
遮光層２０の第１層２１の材料としては、前述のアルミ
ニウムの他に、銀Ａｇ、白金ｐｔおよびパラジウムＰｇ
なとであってもよい。また第２層２２の材料としては、
酸化クロムＣｒ２Ｏ３の他に、黒色染料によって透光性
合成樹脂を染色したものであってもよく、あるいはまた
顔料を透光性合成樹脂中に分散させた材料であってもよ
く、さらにまた金属酸化物であってもよい。この第２層
２２として用いられる金属酸化物としては、前述のクロ
ム酸化物０代わりに、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗ。
ニウムの他に、銀Ａｇ、白金ｐｔおよびパラジウムＰｇ
なとであってもよい。また第２層２２の材料としては、
酸化クロムＣｒ２Ｏ３の他に、黒色染料によって透光性
合成樹脂を染色したものであってもよく、あるいはまた
顔料を透光性合成樹脂中に分散させた材料であってもよ
く、さらにまた金属酸化物であってもよい。この第２層
２２として用いられる金属酸化物としては、前述のクロ
ム酸化物０代わりに、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｗ。
ＣＬＩ、Ａ／！ 、Ｆｅ、Ｔａなどの酸化物を用いるこ
とができる。
とができる。
第１層２１の反射率は約８０％以上であることが望まし
く、また第２層２２の反射率は３５％未満であることが
望ましい。
く、また第２層２２の反射率は３５％未満であることが
望ましい。
第２層２２として金属酸化物を用いる場き、その膜厚は
３００〜１５００人であり、黒色自戒樹脂を用いる場き
、その膜厚は０．５〜２．０μｍに選べばよい。
３００〜１５００人であり、黒色自戒樹脂を用いる場き
、その膜厚は０．５〜２．０μｍに選べばよい。
上述の実施例では、基板１１．１２は透光性であるけれ
ども、一方の基板１１は遮光性であっていわゆる反射形
液晶表示装置を構成するようにしてもよい。
ども、一方の基板１１は遮光性であっていわゆる反射形
液晶表示装置を構成するようにしてもよい。
本発明によれば、遮光層２０は外方の表面、すなわち基
板１２側の表面で反射率は高く、その遮光層２０の内方
の表面すなわち液晶１３および基板１１側の表面で反射
率が低く構成されればよく、したがって上述の構成だけ
でなく、その他の変形が可能であり、これらの変形もま
た、本発明の精神に含まれる。薄膜トランジスタ１４に
代えて、その他の構成を有する半導体スイッチング素子
が用いられてもよい。
板１２側の表面で反射率は高く、その遮光層２０の内方
の表面すなわち液晶１３および基板１１側の表面で反射
率が低く構成されればよく、したがって上述の構成だけ
でなく、その他の変形が可能であり、これらの変形もま
た、本発明の精神に含まれる。薄膜トランジスタ１４に
代えて、その他の構成を有する半導体スイッチング素子
が用いられてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、遮光層は、外方の表面で
反射率を高くしたので、外部からの光を吸収せず、した
がってその温度上昇が防止される。
反射率を高くしたので、外部からの光を吸収せず、した
がってその温度上昇が防止される。
したがって液晶および半導体スイッチング素子の温度の
上昇が抑制され、表示品位を向上することができ、特に
強い光が照射されるプロジェクション用液晶表示装置の
信頼性の向上を図ることができる。
上昇が抑制され、表示品位を向上することができ、特に
強い光が照射されるプロジェクション用液晶表示装置の
信頼性の向上を図ることができる。
またこの遮光層の内方の表面は、反射率が低いので、外
部からの光がスイチッング素子および絵素電極が設けら
れた一方基板上で反射して遮光層に届いた多重反射光は
その遮光層で吸収される。
部からの光がスイチッング素子および絵素電極が設けら
れた一方基板上で反射して遮光層に届いた多重反射光は
その遮光層で吸収される。
したがってこの遮光層の内方の表面で光の反射を抑制し
て、半導体スイチッング素子に入射する光を減少させる
ことができる。これによって半導体スイチッング素子の
光による特性の劣化が防がれ、その半導体スイチッング
素子を安定に動作させることができる。これによって表
示品位の向上を図ることができる。
て、半導体スイチッング素子に入射する光を減少させる
ことができる。これによって半導体スイチッング素子の
光による特性の劣化が防がれ、その半導体スイチッング
素子を安定に動作させることができる。これによって表
示品位の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図に
示される液晶表示装置２６およびそれと同一の構成を有
する液晶表示装置２６ａ、２６ｂを用いるプロジェクシ
ョン装置２７の断面図、第３図は先行技術の断面図であ
る。
示される液晶表示装置２６およびそれと同一の構成を有
する液晶表示装置２６ａ、２６ｂを用いるプロジェクシ
ョン装置２７の断面図、第３図は先行技術の断面図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方の基板上に形成された半導体スイッチング素子を介
して絵素電極に、一方電位を与え、他方の透光性基板上
に前記絵素電極に対応して形成した対向電極に他方電位
を与え、 両基板間に液晶が充填され、 前記他方基板上には、半導体スイッチング素子に対応し
て遮光層が配置される液晶表示装置において、 前記遮光層は、外方の表面で反射率が高く、内方の表面
で反射率が低く構成されることを特徴とする液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126881A JPH02306222A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126881A JPH02306222A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH02306222A true JPH02306222A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14946155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126881A Pending JPH02306222A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306222A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545643A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | アクテイブマトリクス表示素子 |
| JPH0553148A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Nec Corp | アクテイブマトリクス液晶パネル |
| US5592316A (en) * | 1992-09-08 | 1997-01-07 | U.S. Philips Corporation | Method of making an electro-optic display device with porous sub-layer |
| EP0762180A1 (en) * | 1995-07-31 | 1997-03-12 | Sony Corporation | Transmissive display device |
| US5666177A (en) * | 1996-02-26 | 1997-09-09 | Industrial Technology Research Institute | Black matrix for liquid crystal display |
| JP2009047822A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
| WO2010026683A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144525A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP1126881A patent/JPH02306222A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144525A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0545643A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Sharp Corp | アクテイブマトリクス表示素子 |
| JPH0553148A (ja) * | 1991-08-23 | 1993-03-05 | Nec Corp | アクテイブマトリクス液晶パネル |
| US5592316A (en) * | 1992-09-08 | 1997-01-07 | U.S. Philips Corporation | Method of making an electro-optic display device with porous sub-layer |
| US5689319A (en) * | 1992-09-08 | 1997-11-18 | U.S. Philips Corporation | Electro optic display device with porous sub-layer and method |
| EP0762180A1 (en) * | 1995-07-31 | 1997-03-12 | Sony Corporation | Transmissive display device |
| US5818552A (en) * | 1995-07-31 | 1998-10-06 | Sony Corporation | Transmissive display device having two reflection metallic layers of differing reflectances |
| US5666177A (en) * | 1996-02-26 | 1997-09-09 | Industrial Technology Research Institute | Black matrix for liquid crystal display |
| JP2009047822A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電子機器 |
| WO2010026683A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
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