JPH02301027A - 光学式ヘッド装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、光学式ヘッド装置、特に光集積回路（光Ｉ
Ｃ）化された光学式ヘッド装置に関するものである。

［従来の技術］ 第２図は例えば特開昭６１−２９６５４０号公報に記載
された従来の光ＩＣ化された光学式ヘッド装置の概略斜
視図である。第２図において、１は基板、２は上記基板
１に形成されたバッファ層。

３は上記バッファ層２に形成された誘電体薄膜導波層、
４は光源である半導体レーザ、５は情報記録媒体である
光ディスク、６は上記光ディスク５の表面に設けられた
情報ピット、７は上記誘電体薄膜導波層３上に形成され
、光を誘電体薄膜導波層３外部の空間に取出し上記光デ
イスク５上の情報ピット６に集光スポット８を形成する
とともに、上記光ディスク５からの反射光を上記誘電体
薄膜導波層３に導く屈曲部である集光グレーティングカ
プラ、９は上記光ディスク５からの反射光の進む方向を
光軸の中心よりそれぞれ所定の鋭角で対称に二分割して
収束させるビームスプリッタ。

１０は上記ビームスプリッタ９により二分割された反射
光束、１１は第１光検出手段としての第１光検知器で上
記基板１上に形成され上記反射光束１０を受光して電気
信号に変換する光電変換素子からなる。１２は上記第１
光検知器１１からの電気信号を外部に取出すための電極
である。

上記光学式ヘッド装置は、基板１の上に酸化や蒸着等の
手段でバッファ層２を設け、さらに蒸着あるいはスパッ
タリング等により誘電体薄膜導波層３を形成し、上記集
光グレーティングカプラ５゜ビームスプリッタ９及び第
１光検知器１１を誘電体薄膜導波層３上に設けられた別
の誘電体層にフォトリングラフあるいは電子ビーム描画
法とプラズマエツチング法等により形成して、光ＩＣ化
された光学式ヘッド装置の主要部１３が構成される。

また、上記半導体レーザ４は、上記主要部１３の誘電体
薄膜導波層３の一端側面３ａに光軸調整や位置合わせを
行なってから結合される。

次に動作について説明する。半導体レーザ４から出射さ
れた出射光束２０は誘電体薄膜導波層３に注入、導波さ
れ、集光グレーティングカプラ７で光デイスク５上に集
光スポット８として集光される。この集光スポット８で
情報ピット６を形成することにより情報を記録し、もし
くは上記情報ピット６を検出することによって情報の再
生が行なわれることになる。上記光ディスク５からの反
射光は、集光グレーティングカプラ７及びビームスプリ
ッタ９を経て反射光束１０となって上記誘電体薄膜導波
層３を導波し、第１光検知器１１で受光されて電気信号
に変換される。この電気信号は電極１２から図示しない
外部の電気回路系へ出力され、情報の再生信号、及び集
光スポット８を光ディスク５の情報ピット６に正しくフ
ォーカシングとトラッキングを行なわせるための制御信
号となる。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の光学式ヘッド装置は以上のように構成されている
ので、主要部１３は一体化集積デバイスとして作製され
面倒な位置合わせを必要としないが、半導体レーザ４は
誘電体薄膜導波層３の一端側面３ａに端面結合するため
、光軸調整や位置合わせが必要であり、安定性に欠け、
特に第２図に示すような矢印Ｘ方向、すなわち主要部１
３の光軸中心と半導体レーザ４の光出射位置との位置合
わせは高い精度が要求され配置が困難である。この位置
合わせに誤差が発生すると、屈曲部への入射角度が変動
して収差が発生して集光特性が劣化するとともに結合効
率が低下するなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、光ＩＣ化された光学式ヘッド装置の主要部に
おいて、光源の高精度な位置合わせを容易に行なうこと
ができる光学式ヘッド装置を得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る光学式ヘッド装置は、基板表面に形成さ
れた誘電体導波層の一端側面から上記誘電体導波層中の
一定方向に光を注入する光源と、上記光の光路上に位置
されて、上記光を集光しつつ誘電体導波層の外側に屈曲
して、外側の媒体に供給する屈曲部と、上記媒体より反
射された光を検出する第１検出手段とを少なくとも備え
、上記光の光路の横に第２光検出手段を設けたものであ
る。

［作用］ この発明における光学式ヘッド装置は、光の光路の横に
設けた第２光検出手段により、光源が上記第２光検出手
段側に近寄った場合は、上記光源の出射光束が受光され
上記光源の位置ずれが検出される。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例である光学式ヘッド装置を第
１図を用いて説明する。なお、第２図と同じものは同一
の符号を用いて説明を省略する。

図において、１４ａ、１４ｂは第２光検出手段としての
第２光検知器で光電変換素子からなる。

１５は上記第２光検知器１４ａ、１４ｂの電気信号を外
部に取出すための電極、１６は上記電極１５に接続され
た差動増幅器である。上記第２光検知器１４ａ、１４ｂ
は、出射光束２０（光路）の横でかつ誘電体薄膜導波層
３の半導体レーザ４の取付は面である一端側面３ａの近
傍の基板１上に形成され、主要部１３の光軸に対称に、
かつ上記半導体レーザ４からの出射光束２０を受光でき
るような位置に設置されている。

次に動作について説明する。半導体レーザ４を誘電体薄
膜導波層３の一端側面３ａに結合する際、半導体レーザ
４を発光させ、この半導体レーザ４からの出射光束２０
を第２光検知器１４ａ。

１４ｂで受光して上記半導体レーザ４の位置を検出する
ことができる。所定の位置に半導体レーザ４があれば、
第２光検知器１４ａ、１４ｂからそれぞれ出力される電
気信号は等しく差動増幅器１６の出力はゼロとなる。ま
た、上記半導体レーザ４が所定の位置になければ、位置
ずれに比較した正負の出力である半導体レーザ位置検出
信号１７が得られる。すなわち、上記半導体レーザ４が
矢印Ｘ方向にずれていると第２検知器１４ｂから出力さ
れる電気信号が第２検知器１４ａから出力される電気信
号より大きくなり、上記差動増幅器１６の出力は正の半
導体レーザ位置検出信号１７を得る。そこで、矢印Ｘと
反対の方向に半導体レーザ４を移動させ上記信号１７が
ゼロとなった位置で上記半導体レーザ４を結合すること
により、所定の位置に設置することができる。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば光学式ヘッド装置にお
ける光の光路の横に第２光検出手段を設けたので、光源
の位置がずれたとき、上記光源の出射光束が受光され上
記光源の位置ずれを検出することができ、上記光源の高
精度で安定な位置合わせを可能にし、良好な集光特性及
び高い結合効率を得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例である光学式ヘッド装置の
斜視図、第２図は従来の光学式ヘッド装置の斜視図であ
る。 １・・・基板、３・・・誘電体薄膜導波層、３ａ・・・
一端側面、４・・・半導体レーザ、５・・・光ディスク
、７・・・集光グレーティングカプラ、９・・・ビーム
スプリッタ、１０・・・反射光束、１１・・・第１光検
知器、１２゜１５・・・電極、１３・・・主要部、１４
ａ、１４ｂ・・・第２光検知器、１７・・・半導体レー
ザ位置検出信号、２０・・・出射光束。 代理人　　大　岩　増　雄　（ほか２名）第１図　　　
　　　　　　　　　　　　９１、ｓｉ　　、　　３．！
秀’ｉ二ａ＄ＩＩＫＪノｌ、　３ａ；　−＊イ別ｄ１）
。 ４、ギ′４体し一φ”、５．光テ１スク、　７．を荒り
゛レーデ４ンフ°カフａう９；ビームス−）ａｔ）−、
ｆ　、　　１０；　７ｉＭＬ東、１１１１！；１１ｆｉ
ｌｄｔｒ−。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板表面に形成された誘電体導波層の一端側面から上
   記誘電体導波層中の一定方向に光を注入する光源と、上
   記光の光路上に位置されて、上記光を集光しつつ誘電体
   導波層の外側に屈曲して、外側の媒体に供給する屈曲部
   と、上記媒体より反射された光を検出する第１検出手段
   とを少なくとも備えた光学式ヘッド装置において、上記
   光の光路の横に第２光検出手段を設けたことを特徴とす
   る光学式ヘッド装置。