JPH02296218A - 液晶素子 - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツター等で用い
る液晶素子、特に強誘電性液晶素子に関し、更に詳しく
は液晶分子の配向状態を改善することにより、表示特性
を改善した液晶素子に関するものである。
る液晶素子、特に強誘電性液晶素子に関し、更に詳しく
は液晶分子の配向状態を改善することにより、表示特性
を改善した液晶素子に関するものである。
強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して偏光素子と
の組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク(C1ark)及びラガーウオル(Lager
wall)により提案されている(特開昭56−107
216号公報、米国特許第4,367゜924号明細書
等)。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域におい
て、非らせん構造のカイラルスメクチックC相(SmC
*)又はH相(S m H*)を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第1の光学的安定状態と
第2の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印
加のないときはその状態を維持する性質、すなわち双安
定性を有し、また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が
期待され、特にその機能から大画面で、高精細なデイス
プレーとしての応用が期待されている。
の組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子が
クラーク(C1ark)及びラガーウオル(Lager
wall)により提案されている(特開昭56−107
216号公報、米国特許第4,367゜924号明細書
等)。この強誘電性液晶は、一般に特定の温度域におい
て、非らせん構造のカイラルスメクチックC相(SmC
*)又はH相(S m H*)を有し、この状態におい
て、加えられる電界に応答して第1の光学的安定状態と
第2の光学的安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印
加のないときはその状態を維持する性質、すなわち双安
定性を有し、また電界の変化に対する応答も速やかであ
り、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が
期待され、特にその機能から大画面で、高精細なデイス
プレーとしての応用が期待されている。
この双安定性を有する液晶を用いた光学変調素子が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配
置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記2
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。
の駆動特性を発揮するためには、一対の平行基板間に配
置される液晶が、電界の印加状態とは無関係に、上記2
つの安定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。
又、液晶の複屈折を利用した液晶素子の場合、直交ニコ
ル下での透過率は、 ス 〔式中、Io:入射光強度、 ■=透過光強度、θ
:チルト角、 Δn:屈折率異方性、d :液晶層
の膜厚、 λ :入射光の波長である。〕 で表わされる、前述の非らせん構造におけるチルトθは
第1と第2の配向状態でのねじれ配列した液晶分子の平
均分子軸方向の角度として現われることになる。上式に
よれば、かかるチルトθが22.5°の角度の時最大の
透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造でのチ
ルト角θが22.5゜にできる限り近いことが必要であ
る。
ル下での透過率は、 ス 〔式中、Io:入射光強度、 ■=透過光強度、θ
:チルト角、 Δn:屈折率異方性、d :液晶層
の膜厚、 λ :入射光の波長である。〕 で表わされる、前述の非らせん構造におけるチルトθは
第1と第2の配向状態でのねじれ配列した液晶分子の平
均分子軸方向の角度として現われることになる。上式に
よれば、かかるチルトθが22.5°の角度の時最大の
透過率となり、双安定性を実現する非らせん構造でのチ
ルト角θが22.5゜にできる限り近いことが必要であ
る。
ところで、強誘電性液晶の配向方法としては、大きな面
積に亘って、スメクチック液晶を形成する複数の分子で
組織されたit分子層をその法線に沿って一軸に配向さ
せることができ、しかも製造プロセ・ス工程も簡便なラ
ビング処理により実現できるものが望ましい。
積に亘って、スメクチック液晶を形成する複数の分子で
組織されたit分子層をその法線に沿って一軸に配向さ
せることができ、しかも製造プロセ・ス工程も簡便なラ
ビング処理により実現できるものが望ましい。
強誘電性液晶、特に非らせん構造のカイラルスメクチッ
ク液晶のための配向方法としては、例えば、米国特許第
4,561,726号公報などが知られている。
ク液晶のための配向方法としては、例えば、米国特許第
4,561,726号公報などが知られている。
しかしながら、これまで用いられてきた配向方法、特に
ラビング処理したポリイミド膜にょる配向方法を、前述
のクラークとラガウォールによって発表された双安定性
を示す非らせん構造の強誘電性液晶に対して適用した場
合には、下達の如き問題点を有していた。
ラビング処理したポリイミド膜にょる配向方法を、前述
のクラークとラガウォールによって発表された双安定性
を示す非らせん構造の強誘電性液晶に対して適用した場
合には、下達の如き問題点を有していた。
すなわち、本発明者らの実験によれば、従来のラビング
処理したポリイミド膜によって配向させて得られた非ら
せん構造の強誘電性液晶でのチルト角(後述の第3図に
示す角度)がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト
角(後述の第2図に示す三角錐の頂角の%の角度■)と
較べて小さくなっていることが判明した。(特に、従来
のラビング処理したポリイミド膜によって配向させて得
た非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般
に3°〜8°程度で、その時の透過率はせいぜい3〜5
%程度であった。) この様に、クラークとラガウオールによれば双安定性を
実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がら
せん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一の角度
をもつはずであるが、実際には非らせん構造でのチルト
角θの方がらせん構造でのチルト角■より小さくなって
いる。しかも、この非らせん構造でのチルト角θがらせ
ん構造でのチルト角■より小さくなる原因が非らせん構
造での液晶分子のねじれ配列に帰因していることが判明
した。つまり、非らせん構造をもつ強誘電性液晶では、
液晶分子が第4図に示す様に基板の法線に対して上基板
に隣接する液晶分子の軸42より下基板に隣接する液晶
分子の軸43(ねじれ配列の方向44)へ連続的にねじ
れ角δでねじれて配列しており、このことが非らせん構
造でのチルト角θがらせん構造でのチルト角■より小さ
くなる原因となっている。
処理したポリイミド膜によって配向させて得られた非ら
せん構造の強誘電性液晶でのチルト角(後述の第3図に
示す角度)がらせん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト
角(後述の第2図に示す三角錐の頂角の%の角度■)と
較べて小さくなっていることが判明した。(特に、従来
のラビング処理したポリイミド膜によって配向させて得
た非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角θは、一般
に3°〜8°程度で、その時の透過率はせいぜい3〜5
%程度であった。) この様に、クラークとラガウオールによれば双安定性を
実現する非らせん構造の強誘電性液晶でのチルト角がら
せん構造をもつ強誘電性液晶でのチルト角と同一の角度
をもつはずであるが、実際には非らせん構造でのチルト
角θの方がらせん構造でのチルト角■より小さくなって
いる。しかも、この非らせん構造でのチルト角θがらせ
ん構造でのチルト角■より小さくなる原因が非らせん構
造での液晶分子のねじれ配列に帰因していることが判明
した。つまり、非らせん構造をもつ強誘電性液晶では、
液晶分子が第4図に示す様に基板の法線に対して上基板
に隣接する液晶分子の軸42より下基板に隣接する液晶
分子の軸43(ねじれ配列の方向44)へ連続的にねじ
れ角δでねじれて配列しており、このことが非らせん構
造でのチルト角θがらせん構造でのチルト角■より小さ
くなる原因となっている。
又、従来のラビング処理したポリイミド配向膜によって
生じたカイラルスメクチック液晶の配向状態は、電極と
液晶層の間に絶縁体層としてのポリイミド配向膜の存在
によって、第1の光学的安定状態(例えば、白の表示状
態)から第2の光学的安定状態(例えば、黒の表示状態
)にスイッチングするための一方極性電圧を印加した場
合、この−刃径性電圧の印加解除後、強誘電性液晶層に
は他方極性の逆電界V revが生じ、この逆電界V
revがデイスプレィの際の残像をひき起していた。上
述の逆電界発生現象は、例えば吉田明雄著、昭和62年
10月「液晶討論会予稿集J P、142〜143のr
ssFLcのスイッチング特性」で明らかにされている
。
生じたカイラルスメクチック液晶の配向状態は、電極と
液晶層の間に絶縁体層としてのポリイミド配向膜の存在
によって、第1の光学的安定状態(例えば、白の表示状
態)から第2の光学的安定状態(例えば、黒の表示状態
)にスイッチングするための一方極性電圧を印加した場
合、この−刃径性電圧の印加解除後、強誘電性液晶層に
は他方極性の逆電界V revが生じ、この逆電界V
revがデイスプレィの際の残像をひき起していた。上
述の逆電界発生現象は、例えば吉田明雄著、昭和62年
10月「液晶討論会予稿集J P、142〜143のr
ssFLcのスイッチング特性」で明らかにされている
。
従って、本発明の目的は、前述の問題点を解決した強誘
電性液晶素子を提供すること、特にカイラルスメクチッ
ク液晶の非らせん構造での大きなチルトθを生じ、高コ
ントラストな画像がデイスプレィされ、且つ残像を生じ
ないデイスプレィを達成できる強誘電性液晶素子を提供
することにある。
電性液晶素子を提供すること、特にカイラルスメクチッ
ク液晶の非らせん構造での大きなチルトθを生じ、高コ
ントラストな画像がデイスプレィされ、且つ残像を生じ
ないデイスプレィを達成できる強誘電性液晶素子を提供
することにある。
本発明は、少なくとも一方の基板に、下記一般式で示さ
れる構造単位のポリイミド被膜を有する一対の基板及び
該−“対の基板間に配置した強誘電性液晶を有する液晶
素子に特徴がある。
れる構造単位のポリイミド被膜を有する一対の基板及び
該−“対の基板間に配置した強誘電性液晶を有する液晶
素子に特徴がある。
一般式
(式中、RI+ R2+ R3+ R4+ R
5+ R6+R7+ RB+ R9+ Rlo
、 RII+ R12+ R13及びR14は、水
素原子、フッ素原子又は−CF3である。但し、上述の
R1〜R14のうち少なくとも一つはフッ素原子又は−
CF3である。)〔発明の態様の詳細な説明〕 第1図は本発明の強誘電性液晶セルの一例を模式%式% T i n Ox i d e )等の透明電極12
aと12bで被覆された基板(ガラス板)であり、その
上に200人〜1000人厚の絶縁膜13aと13b
(SiO2膜、TiO2膜、Ta 205膜など)と前
記一般式に示すポリイミドで形成した50人〜1000
A厚の配向制御膜14aと14bとがそれぞれ積層され
ている。
5+ R6+R7+ RB+ R9+ Rlo
、 RII+ R12+ R13及びR14は、水
素原子、フッ素原子又は−CF3である。但し、上述の
R1〜R14のうち少なくとも一つはフッ素原子又は−
CF3である。)〔発明の態様の詳細な説明〕 第1図は本発明の強誘電性液晶セルの一例を模式%式% T i n Ox i d e )等の透明電極12
aと12bで被覆された基板(ガラス板)であり、その
上に200人〜1000人厚の絶縁膜13aと13b
(SiO2膜、TiO2膜、Ta 205膜など)と前
記一般式に示すポリイミドで形成した50人〜1000
A厚の配向制御膜14aと14bとがそれぞれ積層され
ている。
この際、平行かつ同−向き(第1図でいえば入方向)に
なるようラビング処理(矢印方向)した配向制御膜14
aと14bが配置されている。基板1.1aとllbと
の間には、強誘電性スメクチック液晶15が配置され、
基板11aとIlbとの間隔の距離は、強誘電性スメク
チック液晶15のらせん配列構造の形成を抑制するのに
十分に小さい距離(例えば0.1μm〜3μm)に設定
され、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性配向状
態を生じている。
なるようラビング処理(矢印方向)した配向制御膜14
aと14bが配置されている。基板1.1aとllbと
の間には、強誘電性スメクチック液晶15が配置され、
基板11aとIlbとの間隔の距離は、強誘電性スメク
チック液晶15のらせん配列構造の形成を抑制するのに
十分に小さい距離(例えば0.1μm〜3μm)に設定
され、強誘電性スメクチック液晶15は双安定性配向状
態を生じている。
上述の十分に小さい距離は、基板11aとllbとの間
に配置したビーズスペーサ16(シリカビーズ、アルミ
ナビーズ)によって保持される。
に配置したビーズスペーサ16(シリカビーズ、アルミ
ナビーズ)によって保持される。
本発明者らの実験によれば、上述の実施例で明らかにす
るラビング処理した特定のポリイミド配向膜による配向
方法を用いることによって、明状態と暗状態での大きな
光学的コントラストを示し、特に、米国特許第4,65
5,561号などに開示のマルチプレクシフグ駆動時の
非選択画素に対して大きなコントラストを生じ、さらに
デイスプレィ時の残像の原因となるスイッチング時(マ
ルチプレクシフグ駆動時)の光学応答お(れを生じない
配向状態が達成された。
るラビング処理した特定のポリイミド配向膜による配向
方法を用いることによって、明状態と暗状態での大きな
光学的コントラストを示し、特に、米国特許第4,65
5,561号などに開示のマルチプレクシフグ駆動時の
非選択画素に対して大きなコントラストを生じ、さらに
デイスプレィ時の残像の原因となるスイッチング時(マ
ルチプレクシフグ駆動時)の光学応答お(れを生じない
配向状態が達成された。
本発明で用いるポリイミド膜は、カルボン酸無水物とジ
アミンとを縮合反応させることによって合成されるポリ
アミド酸を加熱閉環することによって得られる。
アミンとを縮合反応させることによって合成されるポリ
アミド酸を加熱閉環することによって得られる。
本発明で用いるカルボン酸無水物としては、例えば
(1)ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフル
オロメチル)ビフェニル (2)ビス(ジカルボキシフェノキシ)テトラキス(ト
リフルオロメチル)ビフェニル (3)ビス[(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェ
ノキシコピフェニル (4)ビス[(フルオロ)ジカルボキシフェノキシコピ
フェニル などが挙げられる。
オロメチル)ビフェニル (2)ビス(ジカルボキシフェノキシ)テトラキス(ト
リフルオロメチル)ビフェニル (3)ビス[(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェ
ノキシコピフェニル (4)ビス[(フルオロ)ジカルボキシフェノキシコピ
フェニル などが挙げられる。
本発明で用いるジアミンとしては、例えばmフェニレン
ジアミン、p−フェニレンジアミン、mキシレンジアミ
ン、p−キシレンジアミン、4゜4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、4.4’ −ジアミノジフェニルメタン
、3.3’ −ジメチル−4゜4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、3. 3’ 、 5゜5′−テトラメチル
−4,4′ −ジアミノジフェニルメタン、2.2’
−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4.4’−メ
チレンジアニリン、ベンジジン、4.4’ −ジアミノ
ジフェニルスルフィド、4.4′−ジアミノジフェニル
スルホン、1,5ジアミノナフタレン、3.3’ −ジ
メチルベンジジン、3.3’−ジメトキシベンジジンな
どが挙げられ、これらのジアミンの他に、例えば、2,
2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン、2
,2−ビス(4−(2−アミノフェノキシ)フェニル〕
へキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(2−ア
ミノフェノキシ−3,5−ジメチルフェニル〕へキサフ
ルオロプロパン、p−ビス(4アミノ−2−トリフルオ
ロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4′−ビス(4−
アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニ
ル、4,4′ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチ
ルフェノキシ)ビフェニル、4,4′ −ビス(4−ア
ミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニル
スルホン、4,4′−ビス(3−アミノ−5−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2゜2−
ビス(4−(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェ
ノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン、4.4’
−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へキサフ
ルオロプロパンなどのフッ素系ジアミンを用いることが
できる。
ジアミン、p−フェニレンジアミン、mキシレンジアミ
ン、p−キシレンジアミン、4゜4′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、4.4’ −ジアミノジフェニルメタン
、3.3’ −ジメチル−4゜4′−ジアミノジフェニ
ルメタン、3. 3’ 、 5゜5′−テトラメチル
−4,4′ −ジアミノジフェニルメタン、2.2’
−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4.4’−メ
チレンジアニリン、ベンジジン、4.4’ −ジアミノ
ジフェニルスルフィド、4.4′−ジアミノジフェニル
スルホン、1,5ジアミノナフタレン、3.3’ −ジ
メチルベンジジン、3.3’−ジメトキシベンジジンな
どが挙げられ、これらのジアミンの他に、例えば、2,
2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン、2
,2−ビス(4−(2−アミノフェノキシ)フェニル〕
へキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(2−ア
ミノフェノキシ−3,5−ジメチルフェニル〕へキサフ
ルオロプロパン、p−ビス(4アミノ−2−トリフルオ
ロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4′−ビス(4−
アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニ
ル、4,4′ビス(4−アミノ−3−トリフルオロメチ
ルフェノキシ)ビフェニル、4,4′ −ビス(4−ア
ミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニル
スルホン、4,4′−ビス(3−アミノ−5−トリフル
オロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2゜2−
ビス(4−(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェ
ノキシ)フェニル〕へキサフルオロプロパン、4.4’
−ビス〔(4−アミノフェノキシ)フェニル〕へキサフ
ルオロプロパンなどのフッ素系ジアミンを用いることが
できる。
本発明は、前述のカルボン酸無水物を2種以上、及び/
又はジアミンを2種以上で用いることも可能である。又
、本発明では、前述のカルボン酸無水物に加えて下記カ
ルボン酸無水物を組合せた共重合体とすることも可能で
ある。
又はジアミンを2種以上で用いることも可能である。又
、本発明では、前述のカルボン酸無水物に加えて下記カ
ルボン酸無水物を組合せた共重合体とすることも可能で
ある。
ピロメリット酸無水物、2.3.6.7−ナフタレンテ
トラカルボン酸無水物、3. 3’ 、 4.4’ジフ
エニルテトラカルボン酸無水物、1.2.5゜6−ナフ
タレンテトラカルボン酸無水物、2,2′3.3′ −
ジフェニルテトラカルボン酸無水物、チオフェン−2,
3,4,5−テトラカルボン酸無水物、2,2−ビス(
3,4−ビスカルボキシフェニル)プロパン無水物、3
,4−ジカルボキシフェニルスルホン無水物、ペリレン
−3,4,9,10−テトラカルボン酸無水物、ビス(
3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル無水物、3.
3’ 、 4.4’ベンゾフエノンテトラカルポン酸無
水物。
トラカルボン酸無水物、3. 3’ 、 4.4’ジフ
エニルテトラカルボン酸無水物、1.2.5゜6−ナフ
タレンテトラカルボン酸無水物、2,2′3.3′ −
ジフェニルテトラカルボン酸無水物、チオフェン−2,
3,4,5−テトラカルボン酸無水物、2,2−ビス(
3,4−ビスカルボキシフェニル)プロパン無水物、3
,4−ジカルボキシフェニルスルホン無水物、ペリレン
−3,4,9,10−テトラカルボン酸無水物、ビス(
3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル無水物、3.
3’ 、 4.4’ベンゾフエノンテトラカルポン酸無
水物。
本発明で用いるポリイミド膜を基板上に設ける際には、
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をジメチルフォ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフオ
キシド、N−メチルピロリドンなどの溶剤に溶解して0
.01〜40(重量)%溶液として、該溶液をスピンナ
ー塗布法、スプレィ塗布法、ロール塗布法などにより基
板上に塗布した後、100〜350℃、好ましくは20
0〜300℃の温度で加熱して脱水閉環させてポリイミ
ド膜を形成することができる。このポリイミド膜は、し
かる後に布などでラビング処理される。又、本発明で用
いるポリイミド膜は、絶縁膜としても機能すIQ ることかできる膜厚、例えば手イ人〜1μ程度、好の際
には、第1図に示す絶縁膜13aと13bの使用を省略
することができる。又、本発明では、絶縁膜13aと1
3bの上にポリイミド膜を設ける際には、このポリイミ
ド膜の膜厚は200Å以下、好ましくは100Å以下に
設定されることができる。
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をジメチルフォ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフオ
キシド、N−メチルピロリドンなどの溶剤に溶解して0
.01〜40(重量)%溶液として、該溶液をスピンナ
ー塗布法、スプレィ塗布法、ロール塗布法などにより基
板上に塗布した後、100〜350℃、好ましくは20
0〜300℃の温度で加熱して脱水閉環させてポリイミ
ド膜を形成することができる。このポリイミド膜は、し
かる後に布などでラビング処理される。又、本発明で用
いるポリイミド膜は、絶縁膜としても機能すIQ ることかできる膜厚、例えば手イ人〜1μ程度、好の際
には、第1図に示す絶縁膜13aと13bの使用を省略
することができる。又、本発明では、絶縁膜13aと1
3bの上にポリイミド膜を設ける際には、このポリイミ
ド膜の膜厚は200Å以下、好ましくは100Å以下に
設定されることができる。
本発明で用いる液晶物質としては、降温過程で等吉相、
コレステリック相、スメクチックA相を通してカイラル
スメクチックC相を生じる液晶が好ましい。特に、コレ
ステリック相の時のピッチが0.8μm以上のものが好
ましい(コレステリック相でのピッチは、コレステリッ
ク相の温度範囲における中央点で測定したもの)。具体
的な液晶としては、下記液晶物質[LC−IJ、[80
BJ及び1’−30SI*Jを下記比率で含有させた液
晶組成物が好ましく用いられる。
コレステリック相、スメクチックA相を通してカイラル
スメクチックC相を生じる液晶が好ましい。特に、コレ
ステリック相の時のピッチが0.8μm以上のものが好
ましい(コレステリック相でのピッチは、コレステリッ
ク相の温度範囲における中央点で測定したもの)。具体
的な液晶としては、下記液晶物質[LC−IJ、[80
BJ及び1’−30SI*Jを下記比率で含有させた液
晶組成物が好ましく用いられる。
LC−1
0B
80SI *
(1) (LC1)90/
(2) (LC1)so/
(3) (LC−1)TO/
(4) (LC−1)60/
(5) s o s I*
(表中の添字は、
それぞれ重量比を表わしている。)
(80B)+。
(80B)2゜
(80B)3G
(80E)4゜
第2図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。21aと21bは、In
202.5n02あるいはITO等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に液
晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配向したSm
C*(カイラルスメクチックC)相又はSmH*(カイ
ラルスメクチックH)相の液晶が封入されている。太線
で示した線23が液晶分子を表わしており、この液晶分
子23はその分子に直交した方向に双極子モーメント(
Pl)24を有している。基板21aと21b上の電極
間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子23
のらせん構造がほどけ、双極子モーメント(P±)24
がすべて電界方向に向(よう、液晶分子23は配向方向
を変えることができる。液晶分子23は、細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
を模式的に描いたものである。21aと21bは、In
202.5n02あるいはITO等の薄膜からなる透明
電極で被覆された基板(ガラス板)であり、その間に液
晶分子層22がガラス面に垂直になるよう配向したSm
C*(カイラルスメクチックC)相又はSmH*(カイ
ラルスメクチックH)相の液晶が封入されている。太線
で示した線23が液晶分子を表わしており、この液晶分
子23はその分子に直交した方向に双極子モーメント(
Pl)24を有している。基板21aと21b上の電極
間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子23
のらせん構造がほどけ、双極子モーメント(P±)24
がすべて電界方向に向(よう、液晶分子23は配向方向
を変えることができる。液晶分子23は、細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を
示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニコ
ルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。
本発明の液晶素子で用いる双安定性配向状態の表面安定
型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば
0.1μm〜3μm)することができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第3図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ
、非らせん構造となり、その双極子モーメントPまたは
P′ は上向き(34a)、又は下向き(34b)のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第3図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEbを
電圧印加手段31aと31bにより付与すると、双極子
モーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応
して上向き34a1又は下向き34bと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第1の安定状態33aあるいは
第2の安定状態33bの何れか一方に配向する。
型強誘電性液晶セルは、その厚さを充分に薄く(例えば
0.1μm〜3μm)することができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第3図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ
、非らせん構造となり、その双極子モーメントPまたは
P′ は上向き(34a)、又は下向き(34b)のど
ちらかの状態をとる。このようなセルに、第3図に示す
如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ea又はEbを
電圧印加手段31aと31bにより付与すると、双極子
モーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応
して上向き34a1又は下向き34bと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第1の安定状態33aあるいは
第2の安定状態33bの何れか一方に配向する。
この強誘電性液晶セルによって得られる効果は、その第
1に、応答速度が極めて速いことであり、第2に液晶分
子の配向が双安定性を有することである。
1に、応答速度が極めて速いことであり、第2に液晶分
子の配向が双安定性を有することである。
第2の点を、例えば第3図によって更に説明すると、電
界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安
定状態33bに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向
状態にやはり維持されている。
界Eaを印加すると液晶分子は第1の安定状態33aに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ebを印加すると、液晶分子は第2の安
定状態33bに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界Eaが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向
状態にやはり維持されている。
第4図(A)は、本発明の配向方向に生じた液晶分子の
配向状態を模式的に明らかにした断面図で、第4図はそ
のC−ダイレクタを示す図である。
配向状態を模式的に明らかにした断面図で、第4図はそ
のC−ダイレクタを示す図である。
第4図(A)に示す61a及び61bは、それぞれ上基
板及び下基板を表わしている。60は液晶分子62で組
織された分子層で、液晶分子62が円錐63の底面64
(円形)に沿った位置を変化させて配列している。
板及び下基板を表わしている。60は液晶分子62で組
織された分子層で、液晶分子62が円錐63の底面64
(円形)に沿った位置を変化させて配列している。
第4図(B)は、C−ダイレクタを示す図である。
第4図(B)のUlは一方の安定配向状態でのCダイレ
クタ81で、U2は他方の安定配向状態でのC−ダイレ
クタ81である。C−ダイレクタ81は、第4図(A)
に示す分子層60の法線に対して垂直な仮想面への分子
長軸の写影である。
クタ81で、U2は他方の安定配向状態でのC−ダイレ
クタ81である。C−ダイレクタ81は、第4図(A)
に示す分子層60の法線に対して垂直な仮想面への分子
長軸の写影である。
一方、従来のラビング処理したポリイミド膜によって生
じた配向状態は、第4図(C)のC−ダイレクタ図によ
って示される。第4図(C)に示す配向状態は、上基板
61aから下基板61bに向けて分子軸のねじれが大き
いため、チルト角θは小さ(なっている。
じた配向状態は、第4図(C)のC−ダイレクタ図によ
って示される。第4図(C)に示す配向状態は、上基板
61aから下基板61bに向けて分子軸のねじれが大き
いため、チルト角θは小さ(なっている。
第5図(A)は、C−ダイレクタ81が第4図(B)の
状態(ユニフォーム配向状態という)でのチルト角θを
示すための平面図で、第5図(B)はCダイレクタ81
が第4図(C)の状態(スプレィ配向状態という)での
チルト角θを示すための平面図である。図中、50は前
述した本発明の特定ポリイミド膜に施したラビング処理
軸を示し、51aは配向状態U、での平均分子軸、51
bは配向状態U2での平均分子軸、52aは配向状態S
1での平均分子軸、52bは配向状態S2での平均分子
軸を示す。
状態(ユニフォーム配向状態という)でのチルト角θを
示すための平面図で、第5図(B)はCダイレクタ81
が第4図(C)の状態(スプレィ配向状態という)での
チルト角θを示すための平面図である。図中、50は前
述した本発明の特定ポリイミド膜に施したラビング処理
軸を示し、51aは配向状態U、での平均分子軸、51
bは配向状態U2での平均分子軸、52aは配向状態S
1での平均分子軸、52bは配向状態S2での平均分子
軸を示す。
平均分子軸51aと51bとは、互いに閾値電圧を超え
た逆極性電圧の印加によって変換することができる。同
様のことは平均分子軸52aと52bとの間でも生じる
。
た逆極性電圧の印加によって変換することができる。同
様のことは平均分子軸52aと52bとの間でも生じる
。
次に、逆電界V revによる光学応答のおくれ(残像
)に対するユニフォーム配向状態の有用性について説明
する。
)に対するユニフォーム配向状態の有用性について説明
する。
液晶セルの絶縁層(配向制御膜)の容量C3、液晶層の
容量をCLC及び液晶の自発分極をPsとすると、残像
の原因となるV revは、下式で表わされる。
容量をCLC及び液晶の自発分極をPsとすると、残像
の原因となるV revは、下式で表わされる。
第6図は、液晶セル内の電荷の分布、Psの方向及び逆
電界の方向を模式的に示した断面図である。
電界の方向を模式的に示した断面図である。
第6図(A)は、パルス電界印加前のメモリー状態下に
おける■及び○電荷の分布状態を示し、この時の自発分
極Psの向きはO電荷からO電荷の方向である。第6図
(B)は、パルス電界解除直後の自発分極Psの向きが
第6図(A)の時の向きに対して逆向き(従って、液晶
分子は一方の安定配向状態から他方の安定配向状態に反
転を生じている)であるが、■及びO電荷の分布状−は
、第6図(A)の時と同様であるため、液晶内に逆電界
v rev、が欠株方向に生じている。この逆電界v
revは、しばらくした後、第6図(C)に示す様に消
滅し、■及びθ電荷の分布状態が変化する。
おける■及び○電荷の分布状態を示し、この時の自発分
極Psの向きはO電荷からO電荷の方向である。第6図
(B)は、パルス電界解除直後の自発分極Psの向きが
第6図(A)の時の向きに対して逆向き(従って、液晶
分子は一方の安定配向状態から他方の安定配向状態に反
転を生じている)であるが、■及びO電荷の分布状−は
、第6図(A)の時と同様であるため、液晶内に逆電界
v rev、が欠株方向に生じている。この逆電界v
revは、しばらくした後、第6図(C)に示す様に消
滅し、■及びθ電荷の分布状態が変化する。
第7図は従来のポリイミド配向膜によって生じたスプレ
ィ配向状態の光学応答の変化をチルト角θの変化に換え
て示したものである。第7図によれば、パルス電界印加
時、卵棚X1の方向に沿ってスプレィ配向状態下の平均
分子軸S (A)から最大チルト角■付近のユニフォー
ム配向状態下の平均分子軸U2までオーバーシュートし
、パルス電界解除直後においては、第6図(B)に示す
逆電界V revの作用が働いて、欠株X2の方向に沿
ってスプレィ配向状態下の平均分子軸S (B)までチ
ルト角θが減少し、そして第6図(C)に示す逆電界V
tevの減衰の作用により、欠株X3の方向に沿って
スプレィ配向状態下の平均分子軸S (C)までチルト
角θが若干増大した安定配向状態が得られる。この時の
光学応答は第8図で明らかにされている。
ィ配向状態の光学応答の変化をチルト角θの変化に換え
て示したものである。第7図によれば、パルス電界印加
時、卵棚X1の方向に沿ってスプレィ配向状態下の平均
分子軸S (A)から最大チルト角■付近のユニフォー
ム配向状態下の平均分子軸U2までオーバーシュートし
、パルス電界解除直後においては、第6図(B)に示す
逆電界V revの作用が働いて、欠株X2の方向に沿
ってスプレィ配向状態下の平均分子軸S (B)までチ
ルト角θが減少し、そして第6図(C)に示す逆電界V
tevの減衰の作用により、欠株X3の方向に沿って
スプレィ配向状態下の平均分子軸S (C)までチルト
角θが若干増大した安定配向状態が得られる。この時の
光学応答は第8図で明らかにされている。
本発明によれば、前述したフッ素原子含有のポリイミド
膜を用いた配向方法によって得た配向状態では、第7図
に示したスプレィ状態下の平均分子軸S (A)、 S
(B)及びS (C)を生じることがな(、従って最
大チルト角■に近いチルト角θを生じる平均分子軸に配
列させることができる。この時の本発明の光学応答を第
9図に示す。第9図によれば、残像に原因する光学応答
のおくれを生じないことと、メモリー状態下での高いコ
ントラストを惹き起していることが判る。
膜を用いた配向方法によって得た配向状態では、第7図
に示したスプレィ状態下の平均分子軸S (A)、 S
(B)及びS (C)を生じることがな(、従って最
大チルト角■に近いチルト角θを生じる平均分子軸に配
列させることができる。この時の本発明の光学応答を第
9図に示す。第9図によれば、残像に原因する光学応答
のおくれを生じないことと、メモリー状態下での高いコ
ントラストを惹き起していることが判る。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例1
1000人厚のIrO膜が設けられている1 、 1
m m厚のガラス板を2枚用意し、それぞれのガラス板
上に下式で示すポリアミド酸のN−メチルピロリドン/
n−ブチルセロソルブ−5/1の3.0重量%溶液を回
転数300Orpmのスピナで30分間塗布した。
m m厚のガラス板を2枚用意し、それぞれのガラス板
上に下式で示すポリアミド酸のN−メチルピロリドン/
n−ブチルセロソルブ−5/1の3.0重量%溶液を回
転数300Orpmのスピナで30分間塗布した。
(重合度ニア00〜2000)
成膜後約1時間、250℃で加熱焼成処理を施した。
この時の膜厚は450人であった。この塗布膜にナイロ
ン触毛布による一方向のラビング処理を行った。
ン触毛布による一方向のラビング処理を行った。
その後、平均粒径約1.5μmのアルミナビーズを一方
のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸
が互いに平行で、同一処理方向となるように2枚のガラ
ス板を重ね合せてセルを作製した。
のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸
が互いに平行で、同一処理方向となるように2枚のガラ
ス板を重ね合せてセルを作製した。
このセル内にチッソ(株)社製の強誘電性スメクチック
液晶であるrC3−1014j商品名を等吉相下で真空
注入してから、等吉相から0.5℃/hで30℃まで徐
冷することによって配向させることができた。このrC
3−1014Jを用いた本実施例のセルでの相変化は下
記のとおりであった。
液晶であるrC3−1014j商品名を等吉相下で真空
注入してから、等吉相から0.5℃/hで30℃まで徐
冷することによって配向させることができた。このrC
3−1014Jを用いた本実施例のセルでの相変化は下
記のとおりであった。
(Iso−等吉相 ch−コレステリック相S m
A −スメクチックA相 SmC*−カイラルスメクチックC相)以後の実験は、
25℃の温度で行った。
A −スメクチックA相 SmC*−カイラルスメクチックC相)以後の実験は、
25℃の温度で行った。
上述の液晶セルを一対の90° クロスニコル偏光子の
間に挟み込んでから、50μsecの30Vパルスを印
加してから90° クロスニコルを消光位(最暗状態)
にセットし、この時の透過率をホトマルチプレターによ
り測定し、続いて50μsecの一50Vパルスを印加
し、この時の透過率(明状態)を同様の方法で測定した
ところ、チルト角θは15°で透過率は0.8%であり
、従ってコントラスト比は40:1であった。
間に挟み込んでから、50μsecの30Vパルスを印
加してから90° クロスニコルを消光位(最暗状態)
にセットし、この時の透過率をホトマルチプレターによ
り測定し、続いて50μsecの一50Vパルスを印加
し、この時の透過率(明状態)を同様の方法で測定した
ところ、チルト角θは15°で透過率は0.8%であり
、従ってコントラスト比は40:1であった。
残像の原因となる光学応答のおくれは0.2秒以下であ
った。
った。
この液晶セルを第10図に示す駆動波形を用いたマルチ
プレクシング駆動による表示を行ったところ、高コント
ラストな高品位表示が得られ、又所定の文字入力による
画像表示の後に全画面を白の状態に消去したところ、残
像の発生は判読できなかった、尚、第10図のSN、S
N+1.SN+2は走査線に印加した電圧波形を表わし
ており、■は代表的な情報線に印加した電圧波形を表わ
している。
プレクシング駆動による表示を行ったところ、高コント
ラストな高品位表示が得られ、又所定の文字入力による
画像表示の後に全画面を白の状態に消去したところ、残
像の発生は判読できなかった、尚、第10図のSN、S
N+1.SN+2は走査線に印加した電圧波形を表わし
ており、■は代表的な情報線に印加した電圧波形を表わ
している。
μsecで行った。
実施例2〜6
表1に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例1と同様にしてセルを得た。
例1と同様にしてセルを得た。
それぞれに対して実施例1と同様の試験を行った。
コントラスト比及び光学応答のおくれ時間の結果を表2
に示す(表中のポリアミド酸の重合度は、700〜20
00である)。
に示す(表中のポリアミド酸の重合度は、700〜20
00である)。
又、実施例1と同様のマルチプレクシング駆動による表
示を行ったところ、コントラスト及び残像については実
施例と同様の結果が得られた。
示を行ったところ、コントラスト及び残像については実
施例と同様の結果が得られた。
表 2
ffi :l”−イーaう!≦32ニドー1し5″
乙\ のお れ 5ec2 35 : 1 0.3 3 46 : 1 0.1 4 27 : l O,1 550: l 082 6 37 : l O,1 表 旦訓幻阿 01 ポリアミド ワニス液1
dむ料 5P−710(商品名) 一東し社製芳香族系ポリイミドワニス rcs1014J チッソ社製FLC 同 上 前記液晶(3) 比較例1〜4 表3に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例1と全く同様にしてセルを作成した(表中のポリアミ
ド酸の重合度は、700〜2000である)。
乙\ のお れ 5ec2 35 : 1 0.3 3 46 : 1 0.1 4 27 : l O,1 550: l 082 6 37 : l O,1 表 旦訓幻阿 01 ポリアミド ワニス液1
dむ料 5P−710(商品名) 一東し社製芳香族系ポリイミドワニス rcs1014J チッソ社製FLC 同 上 前記液晶(3) 比較例1〜4 表3に示した配向制御膜及び液晶材料を用いた他は実施
例1と全く同様にしてセルを作成した(表中のポリアミ
ド酸の重合度は、700〜2000である)。
それぞれのセルに対してコントラスト比および光学応答
のおくれを表4に示した。
のおくれを表4に示した。
又、実施例1と同様のマルチプレクシング駆動による表
示を行ったところ、コントラストが本実施例のものと比
較して小さく、しかも残像が生じた。
示を行ったところ、コントラストが本実施例のものと比
較して小さく、しかも残像が生じた。
表
≦L乙F乏Z」」し
8:1
7:1
10 : 1
8:1
′ ひ笈のお れ 5ec
1.5
2.5
1.2
2.2
〔発明の効果〕
以上の実施例及び比較例で明らかにした様に、本発明に
よれば明状態と暗状態でのコントラストが高く、特にマ
ルチプレクシフグ駆動時の表示コントラストが非常に大
きく高品位の表示が得られ、しかも目ざわりな残像現象
が生じない効果がある。
よれば明状態と暗状態でのコントラストが高く、特にマ
ルチプレクシフグ駆動時の表示コントラストが非常に大
きく高品位の表示が得られ、しかも目ざわりな残像現象
が生じない効果がある。
第1図は、本発明の液晶素子の断面図である。
第2図はらせん構造をもつカイラルスメクチック液晶の
配向状態を示した斜視図で、第3図は非らせん構造の分
子配列をもつカイラルスメクチック液晶の配向状態を示
した斜視図である。第4図(A)は本発明の配向方法で
配向したカイラルスメクチック液晶の配向状態を示す断
面図で、第4図(B)はそのユニフォーム配向状態にお
けるC−ダイレクタ図で、第4図(C)はスプレィ配向
状態におけるC−ダイレクタ図である。第5図(A)は
ユニフォーム配向状態におけるチルト角θを示す平面図
で、第5図(B)はスプレィ配向状態におけるチルト角
θを示す平面図である。第6図は強誘電性液晶内の電荷
分布、自発分極Psの向き及び逆電界V rQVの向き
を示す断面図である。第7図は電界印加時及び後のチル
ト角θの変化を示す平面図である。第8図は従来例にお
ける光学応答特性を示し、第9図は本発明例における光
学応答特性を示す。第1O図は本実施例で用いた駆動電
圧の波形図である。 (A) (じ) CC)
配向状態を示した斜視図で、第3図は非らせん構造の分
子配列をもつカイラルスメクチック液晶の配向状態を示
した斜視図である。第4図(A)は本発明の配向方法で
配向したカイラルスメクチック液晶の配向状態を示す断
面図で、第4図(B)はそのユニフォーム配向状態にお
けるC−ダイレクタ図で、第4図(C)はスプレィ配向
状態におけるC−ダイレクタ図である。第5図(A)は
ユニフォーム配向状態におけるチルト角θを示す平面図
で、第5図(B)はスプレィ配向状態におけるチルト角
θを示す平面図である。第6図は強誘電性液晶内の電荷
分布、自発分極Psの向き及び逆電界V rQVの向き
を示す断面図である。第7図は電界印加時及び後のチル
ト角θの変化を示す平面図である。第8図は従来例にお
ける光学応答特性を示し、第9図は本発明例における光
学応答特性を示す。第1O図は本実施例で用いた駆動電
圧の波形図である。 (A) (じ) CC)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも一方の基板に、下記一般式で示される構造単
位のポリイミド被膜を有する一対の基板及び該一対の基
板間に配置した強誘電性液晶を有する液晶素子。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1、R_2、R_3、R_4、R_5、R
_6、R_7、R_8、R_9、R_1_0、R_1_
1、R_1_2、R_1_3及びR_1_4は、水素原
子、フッ素原子又は−CF_3である。但し、上述のR
_1〜R_1_4のうち少なくとも一つはフッ素原子又
は−CF_3である。)
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119609A JP2556584B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 液晶素子 |
ES90108755T ES2076252T3 (es) | 1989-05-11 | 1990-05-09 | Dispositivo de cristal liquido esmectico quiral. |
DE69021258T DE69021258T2 (de) | 1989-05-11 | 1990-05-09 | Chiralsmektische Flüssigkristallvorrichtung. |
EP90108755A EP0397153B1 (en) | 1989-05-11 | 1990-05-09 | Chiral smectic liquid crystal device |
AT90108755T ATE125957T1 (de) | 1989-05-11 | 1990-05-09 | Chiralsmektische flüssigkristallvorrichtung. |
KR1019900006706A KR940004568B1 (ko) | 1989-05-11 | 1990-05-11 | 카이랄 스멕틱 액정 소자 |
US07/899,161 US5268780A (en) | 1989-05-11 | 1992-06-15 | Liquid crystal device having a polyimide alignment film substituted with fluorine or a fluorine-containing group |
US08/055,270 US5422749A (en) | 1987-09-17 | 1993-05-03 | Ferroelectric smetic liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1119609A JP2556584B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 液晶素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02296218A true JPH02296218A (ja) | 1990-12-06 |
JP2556584B2 JP2556584B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=14765650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1119609A Expired - Fee Related JP2556584B2 (ja) | 1987-09-17 | 1989-05-11 | 液晶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2556584B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61252532A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性スメクチック液晶電気光学装置の製造方法 |
JPS6298326A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶セル |
JPS62127827A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 液晶配向膜用組成物 |
JPS63151927A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶の配向方法 |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP1119609A patent/JP2556584B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61252532A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性スメクチック液晶電気光学装置の製造方法 |
JPS6298326A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶セル |
JPS62127827A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 液晶配向膜用組成物 |
JPS63151927A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶の配向方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2556584B2 (ja) | 1996-11-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |