JPH02294618A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH02294618A JPH02294618A JP11691889A JP11691889A JPH02294618A JP H02294618 A JPH02294618 A JP H02294618A JP 11691889 A JP11691889 A JP 11691889A JP 11691889 A JP11691889 A JP 11691889A JP H02294618 A JPH02294618 A JP H02294618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ito
- orientation
- oblique
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
?産業上の刊用分野1
本発明は液晶表示装置の配向処理技術に関する.
[従来の技術]
液晶の配向処理には水平配向及び垂直配向かあり,水手
配向にはラビング法,斜方蒸着法が広く用いられている
.ラビング法は液晶層をはさむ透明Xj4電繰上にスビ
ン才ングラスSiO■やポリイミド,あるいはPVAな
との高分子膿を形成し、配向膜としその表面を布などで
一方向にこすることにより配向を得る方法である。斜方
蒸着法はSiOや他のあらゆる蒸着可能な酸化物、フッ
化物あるいはAuやA1などの金属を液晶層とはさむ透
明導[膜上に基板法線より60゜から85゜の角度で蒸
着し配向を得る方法である.次に垂直配向であるが有機
シランなど両親媒性の界面剤の塗布により配向させるも
の、斜方蒸着法でティルト角θ゜をもつように作り,そ
れに有機シラン等の界面剤を塗布し余角(l80゜−θ
゜)の方向に配向させるものがある. 〔発明が解決しようとする課題] しかし前述の従来技術は全て液晶層をはさむ透明電極膿
の形成後配向膜を形成し配向処理を付加するものであり
構造が複雑になり製造工程数も多く製造歩留りが低くな
るという問題点を有する.特にラビング法については配
向膜をこすることによりゴミが発生し、また静電気が発
生しアクティブマトリクスパネルの場合スイッチング素
子が破壊されるなど製造歩留りが更に低下しやすいとい
う問題点を有する. そこで本発明はこの問題点を解決するものであって、そ
の目的とするところは配向に関する製造歩留りを向上さ
せることにある. [課題を解決するための手段1 液晶層をはさむ透明導電膜を斜方蒸着法により形成し,
配向膜を省略することを特徴としている. [実施例−1〕 まず透明ガラス基板上にマトリクス状に形成されたM
I M素子に連結する画素透明電極をITOの斜方蒸着
により形成した.蒸着角度は基板法線より75゜で行な
い蒸着膜厚は1 000人であった.画素T4極のバタ
ーニングは通常のボジレジストパターン形成、ウエット
エッチングによって行なった.また,素子基板に対向す
る基板の電極も全く同様にITOの75゜斜方蒸着によ
り形成しパターンニングした. 次にこれら両基板をこのまま組み合わせ、液晶注入し、
その光学特性を測定したところ、通常の配向膜形成、ラ
ビングによる光学特性と同様の結果であった.ただしI
TOの抵抗は通常蒸着のものより20%程度高かった.
また液晶プレティルト角の再現性に若干問題があり製造
歩留りも70%程度であった. [実施例−2] 本実施例は実施例一lとITOの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法構造で行なった.本実施例ではまず4
5゜の角度でITOを蒸着し、次に基板を906回転さ
せ更に85゜の角度で若干量ITOを蒸着した.トータ
ルITOIII厚は1000人であった.この時のパネ
ル光学特性は実施例−1と同様であり優れていた。ただ
しITOの抵抗は通常のITO蒸着膜と全く同じで実施
例一Iの様な抵抗増大はなかった.また液晶のプレティ
ルト角の安定性,再現性には全く問題がなく,配向に関
する歩留りは100%であった.これは従来のラビング
法、斜方蒸着法よりも優れている状態であった. [実施例−31 本実施例は実施例−1とITOの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法、構造で行なった.本実施例では60
”の角度でITOを斜方蒸看しながら基板を回転させた
.回転速度は回転角により異なり回転角0゜で回転速度
2Orpm、90Dで40rpm.180′″で20r
pm.270”で54rpmとし,それらの間の角度の
回転速度はなめらかに制御させた.この時のパネル光学
特性は実施例−1、2と同様であり優れていた.ただし
ITOの抵抗には問題なく液晶プレティルト角の安定性
,再現性も良く,配自製造歩留りは100%であった.
また実施例−1.2、3では透明導電膜にITOを用い
ているが酸化スズ,酸化亜鉛等の他の透明導電材料でも
全く同じ効果を有していた. [発明の効果] 以上述べた様に液晶層とはさむ透明導電膜を斜方蒸着法
により形成し、配向膜を省略したことによりパネル構造
,配向処理工程が簡略化され,少なくとも配向にかかわ
る製造歩留りは100%を達成できた.また絶縁破壊し
やすい素子の静電破壊もなくなり,ゴミ等による欠陥も
なくなりトータルの製造歩留りを大幅に上昇させること
ができた. 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
配向にはラビング法,斜方蒸着法が広く用いられている
.ラビング法は液晶層をはさむ透明Xj4電繰上にスビ
ン才ングラスSiO■やポリイミド,あるいはPVAな
との高分子膿を形成し、配向膜としその表面を布などで
一方向にこすることにより配向を得る方法である。斜方
蒸着法はSiOや他のあらゆる蒸着可能な酸化物、フッ
化物あるいはAuやA1などの金属を液晶層とはさむ透
明導[膜上に基板法線より60゜から85゜の角度で蒸
着し配向を得る方法である.次に垂直配向であるが有機
シランなど両親媒性の界面剤の塗布により配向させるも
の、斜方蒸着法でティルト角θ゜をもつように作り,そ
れに有機シラン等の界面剤を塗布し余角(l80゜−θ
゜)の方向に配向させるものがある. 〔発明が解決しようとする課題] しかし前述の従来技術は全て液晶層をはさむ透明電極膿
の形成後配向膜を形成し配向処理を付加するものであり
構造が複雑になり製造工程数も多く製造歩留りが低くな
るという問題点を有する.特にラビング法については配
向膜をこすることによりゴミが発生し、また静電気が発
生しアクティブマトリクスパネルの場合スイッチング素
子が破壊されるなど製造歩留りが更に低下しやすいとい
う問題点を有する. そこで本発明はこの問題点を解決するものであって、そ
の目的とするところは配向に関する製造歩留りを向上さ
せることにある. [課題を解決するための手段1 液晶層をはさむ透明導電膜を斜方蒸着法により形成し,
配向膜を省略することを特徴としている. [実施例−1〕 まず透明ガラス基板上にマトリクス状に形成されたM
I M素子に連結する画素透明電極をITOの斜方蒸着
により形成した.蒸着角度は基板法線より75゜で行な
い蒸着膜厚は1 000人であった.画素T4極のバタ
ーニングは通常のボジレジストパターン形成、ウエット
エッチングによって行なった.また,素子基板に対向す
る基板の電極も全く同様にITOの75゜斜方蒸着によ
り形成しパターンニングした. 次にこれら両基板をこのまま組み合わせ、液晶注入し、
その光学特性を測定したところ、通常の配向膜形成、ラ
ビングによる光学特性と同様の結果であった.ただしI
TOの抵抗は通常蒸着のものより20%程度高かった.
また液晶プレティルト角の再現性に若干問題があり製造
歩留りも70%程度であった. [実施例−2] 本実施例は実施例一lとITOの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法構造で行なった.本実施例ではまず4
5゜の角度でITOを蒸着し、次に基板を906回転さ
せ更に85゜の角度で若干量ITOを蒸着した.トータ
ルITOIII厚は1000人であった.この時のパネ
ル光学特性は実施例−1と同様であり優れていた。ただ
しITOの抵抗は通常のITO蒸着膜と全く同じで実施
例一Iの様な抵抗増大はなかった.また液晶のプレティ
ルト角の安定性,再現性には全く問題がなく,配向に関
する歩留りは100%であった.これは従来のラビング
法、斜方蒸着法よりも優れている状態であった. [実施例−31 本実施例は実施例−1とITOの蒸着方法が異なる以外
は全て同様の方法、構造で行なった.本実施例では60
”の角度でITOを斜方蒸看しながら基板を回転させた
.回転速度は回転角により異なり回転角0゜で回転速度
2Orpm、90Dで40rpm.180′″で20r
pm.270”で54rpmとし,それらの間の角度の
回転速度はなめらかに制御させた.この時のパネル光学
特性は実施例−1、2と同様であり優れていた.ただし
ITOの抵抗には問題なく液晶プレティルト角の安定性
,再現性も良く,配自製造歩留りは100%であった.
また実施例−1.2、3では透明導電膜にITOを用い
ているが酸化スズ,酸化亜鉛等の他の透明導電材料でも
全く同じ効果を有していた. [発明の効果] 以上述べた様に液晶層とはさむ透明導電膜を斜方蒸着法
により形成し、配向膜を省略したことによりパネル構造
,配向処理工程が簡略化され,少なくとも配向にかかわ
る製造歩留りは100%を達成できた.また絶縁破壊し
やすい素子の静電破壊もなくなり,ゴミ等による欠陥も
なくなりトータルの製造歩留りを大幅に上昇させること
ができた. 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 液晶層をはさむ透明導電膜を斜方蒸着法により形成し、
配向膜を省略したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11691889A JPH02294618A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11691889A JPH02294618A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02294618A true JPH02294618A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14698887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11691889A Pending JPH02294618A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02294618A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6912031B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11691889A patent/JPH02294618A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6912031B2 (en) | 2002-07-18 | 2005-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
US7164459B2 (en) | 2002-07-18 | 2007-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a liquid crystal display device having inorganic alignment film made of crystalline conductive film |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2845215B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP3267989B2 (ja) | 液晶配向膜の製造方法 | |
US4869577A (en) | Ferroelectric liquid crystal display device having uniaxial alignment on both substrates | |
JPS63104023A (ja) | 電気光学装置 | |
JPH02294618A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS59149321A (ja) | 液晶セル | |
JP2544945B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
JP2548592B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
JP3252294B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JP2004069870A (ja) | 液晶用配向制御膜並びにこれを用いた液晶配向方法及び液晶表示装置 | |
JP2002202509A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JPH01120535A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
JP3131814B2 (ja) | 液晶パネルの製造法 | |
JP3168611B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JP2879660B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPS623929B2 (ja) | ||
JP2853198B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP3030773B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JPS61129624A (ja) | 液晶配向膜 | |
JP2002148631A (ja) | 液晶表示素子 | |
JP3153281B2 (ja) | 液晶分子の垂直配向処理方法 | |
JPH0611716A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH023015A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JPH02269318A (ja) | 強誘電性液晶素子の配向膜の製造方法 | |
JPS61260218A (ja) | 液晶表示素子 |