JPH02294010A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH02294010A JPH02294010A JP11442989A JP11442989A JPH02294010A JP H02294010 A JPH02294010 A JP H02294010A JP 11442989 A JP11442989 A JP 11442989A JP 11442989 A JP11442989 A JP 11442989A JP H02294010 A JPH02294010 A JP H02294010A
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Landscapes
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
本発明は、良好な皮膜修復性を有する7.7.8.8−
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る.
テトラシアノキノジメタンからなるイオンラジカル塩を
固体電解質とする固体電解コンデンサに関するものであ
る.
【従来の技術]
?,7.8.8−テトラシアノキノジメタン(以下.T
CNQと略す)からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリシある
いはイソキノリンをカチオンとし、TCNQをアニオン
とするT C N Qll塩(特開昭58−19141
4号)を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質し
たものが良く知られている,.なお,これらTCNQ錯
塩のカチオンにおいて,そのN位は炭素数2〜1Bまで
の中で選ばれたアルキル基で置換されている.TCNQ
錯塩を加熱融解し,冷却固化するという方法は、エッチ
ングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタル焼結体
にTCNQm塩を融解状態で含浸することができるので
,゜好ましいものである.しかし、その反面T C N
Qm塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると,有機半導体であるTCNQm塩が
分解し,絶縁体に変質してしまうものである.【発明の
目的】 一方,本発明は比抵抗値が小さい値を有し,熱的にも安
定である新規有機半導体(新規化合物)としてのN一置
換−1.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Qm
塩を固体電解質としたものである.これにより高性能で
信頼性の高い固体電解コンデンサを提供するものである
. [発明の慨要] 本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属(例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金)を第lのit!iとし,第2の電極(
対極)との間に直接あるいはセパレー夕を介在させてT
CNQ錯塩からなる固体電解質を有するものである.T
CNQ錯塩としては上述したようにN一置換−1.2.
3−ペンゾトリアゾールT C N Qllfgである
.ここで、N一置換−1.2.3−ペンゾトリアゾール
TCNQ錯塩の構造式を示すと次のようになる.N−置
喚−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ錯塩の構
造式 式[11中,mは1モルの錯塩に含まれる中性7.7.
8.8−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
正の数(0.5〜1.5)を意味する.Rは01〜CI
.のアルキル基またはベンジル基を示す. 次に,N−メチル−1.2.3−ペンゾトリアゾールT
C N Qm塩の合成方法について述べる.o.oo
sモルの1.2.3−ペンゾトリアゾールと0.024
モルのヨウ化メチルをフラスコ内で約40〜45[”C
]にウォーターバスで熱して撹拌すると,4級化反応が
起こる.この溶液を冷却して得られるヨウ化一N−メチ
ル−1.2.3一ペンゾトリアゾールの0.0045モ
ルをアセトニトリルに沸騰状態で溶解し,0.0060
モルのTCNQ錯塩を溶解した沸騰状態のア七トニトリ
ル溶液と混合する.その後、約lO時間、5℃で放置す
ることにより,N−メチルーl.2,3−ペンゾトリア
ゾールTCNQ錯塩の針状結晶が得られる.この結晶を
少量のアセトニトリルで洗浄し,さらにメタノールで洗
液が着色しな《なるまで洗浄した後、エーテルで洗浄し
,乾燥し,固体電解コンデンサに適用する. この合成工程において、ヨウ化メチルに代えて、ヨウ化
エチル、ヨウ化プロビル,ヨウ化プチル・・・またはヨ
ウ化ベンジルを使用すれば、それぞれN一エチル−1.
2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ錯塩、N − n
−プロビル−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ
鑵塩、N−n−ブチル−1.2.3−ペンゾトリアゾー
ルTCNQm塩・・・またはN−ベンジルー1.2.3
−ペンゾトリアゾールT C N Qm塩を得る.N−
メチル−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ鎖塩
の比抵抗値はl2。9[Ω・cml .N一エチル−1
.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Qm塩の比
抵抗値は7.35[Ω・cm].N−n−プロビル−1
.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Cl!塩の
比抵抗値は7.89[Ω・cml.N−n−ブチルー1
.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Qfi塩の
比抵抗値は8,88[Ω・cml.N−ベンジル−1.
2.3−ベンゾトリアゾールT C N Qm塩の比抵
抗値は5.13[Ω・cmlであった. [実施例] 次に,上述のようにして得たN一置換−1.2.3−ペ
ンゾトリアゾールT C N Q jf! 塩を電解コ
ンデンサに適用した実施例について述べる.(実施例l
) N一エチル−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ
錯塩をアセトニトリル中に溶解し,飽和溶液とする.次
に、この溶液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後50
〜60[”C]で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニトリ
ルを飛敗させた.この操作を3回繰返し行なった.コン
デンサ素子は電極として表面を約lO倍にエッチングし
たアルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸
化皮膿を形成したものである.電解質の含浸後にコロイ
ダルカーボンを塗布し、その後に銀ペーストを塗布し、
リード線をハンダ付けし、外装することにより定格容量
1.0EμF]の陽極に対して容量l,0[μFl.損
失4.1E%]の固体電解コンデンサを得た. (実施例2) 実施例lのN一エチル−1.2.3−ペンゾトリアゾー
ルT C N Qm塩に代えてN − n−プロビル−
1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ錯塩を使用し
,実施例lと同様の手法・構成により容量1.0
CNQと略す)からなるイオンラジカル塩を固体電解質
とする固体電解コンデンサとして、例えばキノリシある
いはイソキノリンをカチオンとし、TCNQをアニオン
とするT C N Qll塩(特開昭58−19141
4号)を加熱融解し、冷却固化したものを固体電解質し
たものが良く知られている,.なお,これらTCNQ錯
塩のカチオンにおいて,そのN位は炭素数2〜1Bまで
の中で選ばれたアルキル基で置換されている.TCNQ
錯塩を加熱融解し,冷却固化するという方法は、エッチ
ングを施されたアルミニウム箔あるいはタンタル焼結体
にTCNQm塩を融解状態で含浸することができるので
,゜好ましいものである.しかし、その反面T C N
Qm塩の融解温度が高温度であったり、または融解時
間が長時間であると,有機半導体であるTCNQm塩が
分解し,絶縁体に変質してしまうものである.【発明の
目的】 一方,本発明は比抵抗値が小さい値を有し,熱的にも安
定である新規有機半導体(新規化合物)としてのN一置
換−1.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Qm
塩を固体電解質としたものである.これにより高性能で
信頼性の高い固体電解コンデンサを提供するものである
. [発明の慨要] 本発明に係る固体電解コンデンサの基本的な構成は、陽
極酸化(化成)により表面に陽極酸化皮膜を有する弁作
用金属(例えば、アルミニウム、タンタル、チタンおよ
びこれらの合金)を第lのit!iとし,第2の電極(
対極)との間に直接あるいはセパレー夕を介在させてT
CNQ錯塩からなる固体電解質を有するものである.T
CNQ錯塩としては上述したようにN一置換−1.2.
3−ペンゾトリアゾールT C N Qllfgである
.ここで、N一置換−1.2.3−ペンゾトリアゾール
TCNQ錯塩の構造式を示すと次のようになる.N−置
喚−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ錯塩の構
造式 式[11中,mは1モルの錯塩に含まれる中性7.7.
8.8−テトラシアノキノジメタンのモル数に対応する
正の数(0.5〜1.5)を意味する.Rは01〜CI
.のアルキル基またはベンジル基を示す. 次に,N−メチル−1.2.3−ペンゾトリアゾールT
C N Qm塩の合成方法について述べる.o.oo
sモルの1.2.3−ペンゾトリアゾールと0.024
モルのヨウ化メチルをフラスコ内で約40〜45[”C
]にウォーターバスで熱して撹拌すると,4級化反応が
起こる.この溶液を冷却して得られるヨウ化一N−メチ
ル−1.2.3一ペンゾトリアゾールの0.0045モ
ルをアセトニトリルに沸騰状態で溶解し,0.0060
モルのTCNQ錯塩を溶解した沸騰状態のア七トニトリ
ル溶液と混合する.その後、約lO時間、5℃で放置す
ることにより,N−メチルーl.2,3−ペンゾトリア
ゾールTCNQ錯塩の針状結晶が得られる.この結晶を
少量のアセトニトリルで洗浄し,さらにメタノールで洗
液が着色しな《なるまで洗浄した後、エーテルで洗浄し
,乾燥し,固体電解コンデンサに適用する. この合成工程において、ヨウ化メチルに代えて、ヨウ化
エチル、ヨウ化プロビル,ヨウ化プチル・・・またはヨ
ウ化ベンジルを使用すれば、それぞれN一エチル−1.
2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ錯塩、N − n
−プロビル−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ
鑵塩、N−n−ブチル−1.2.3−ペンゾトリアゾー
ルTCNQm塩・・・またはN−ベンジルー1.2.3
−ペンゾトリアゾールT C N Qm塩を得る.N−
メチル−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ鎖塩
の比抵抗値はl2。9[Ω・cml .N一エチル−1
.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Qm塩の比
抵抗値は7.35[Ω・cm].N−n−プロビル−1
.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Cl!塩の
比抵抗値は7.89[Ω・cml.N−n−ブチルー1
.2.3−ペンゾトリアゾールT C N Qfi塩の
比抵抗値は8,88[Ω・cml.N−ベンジル−1.
2.3−ベンゾトリアゾールT C N Qm塩の比抵
抗値は5.13[Ω・cmlであった. [実施例] 次に,上述のようにして得たN一置換−1.2.3−ペ
ンゾトリアゾールT C N Q jf! 塩を電解コ
ンデンサに適用した実施例について述べる.(実施例l
) N一エチル−1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ
錯塩をアセトニトリル中に溶解し,飽和溶液とする.次
に、この溶液中にコンデンサ素子を浸漬し、その後50
〜60[”C]で真空乾燥を行い、溶媒のアセトニトリ
ルを飛敗させた.この操作を3回繰返し行なった.コン
デンサ素子は電極として表面を約lO倍にエッチングし
たアルミニウム箔を用い、さらに表面を化成処理した酸
化皮膿を形成したものである.電解質の含浸後にコロイ
ダルカーボンを塗布し、その後に銀ペーストを塗布し、
リード線をハンダ付けし、外装することにより定格容量
1.0EμF]の陽極に対して容量l,0[μFl.損
失4.1E%]の固体電解コンデンサを得た. (実施例2) 実施例lのN一エチル−1.2.3−ペンゾトリアゾー
ルT C N Qm塩に代えてN − n−プロビル−
1.2.3−ペンゾトリアゾールTCNQ錯塩を使用し
,実施例lと同様の手法・構成により容量1.0
【μF
l.損失4.3【%】の固体電解コンデンサを得た. 《実施例3》 実施例lのN一エチル−1.2.3−ペンゾトリアゾー
ルT C N Qfi塩に代えてN−ベンジルー1.2
.3−ペンゾトリアゾールTCNQfi塩を使用し,実
施例lと同様の手法・構成により容量1.0 [uF]
.損失3.3
l.損失4.3【%】の固体電解コンデンサを得た. 《実施例3》 実施例lのN一エチル−1.2.3−ペンゾトリアゾー
ルT C N Qfi塩に代えてN−ベンジルー1.2
.3−ペンゾトリアゾールTCNQfi塩を使用し,実
施例lと同様の手法・構成により容量1.0 [uF]
.損失3.3
【%】の固体電解コンデンサを得た.
上述のようにして得た本発明に係る固体電解コンデンサ
(定格25 (vl ・l.O [lIF] )の寿命
特性比較を第1表に示す.第1表中,静電容量値および
損失角の正接は周波数が120[Hzlでの値である.
漏れ電流は,定格電圧(25 [V] )印加l分後に
測定した値である.引続き、本発明の他の実施例につい
て述べる.(実施例4) N − n−ブチルー1.2.3−ペンゾトリアゾール
T C N Qll塩とラクトン系化合物、例えばγ−
プチロラクトンの化合物40 [mglを直径5.0
[mmlのアルミニウムケースに充填し,250[”C
]まで約lO秒で加熱し,溶解した.その中にアルミニ
ウム箔からなる陽極箔と陰極箔をセバレー夕を介して巻
回した巻取コンデンサ素子を浸漬し.浸漬後約12秒で
冷却した.なお、電解質の含漫に先立ち,コンデンサ素
子は250[”C]の温度まで上昇させて右いた.これ
により、定格容量l,01μFlの陽極に対して容量1
.0rμFl.損失3.4E%】の固体電解コンデンサ
を得た, r効果】
(定格25 (vl ・l.O [lIF] )の寿命
特性比較を第1表に示す.第1表中,静電容量値および
損失角の正接は周波数が120[Hzlでの値である.
漏れ電流は,定格電圧(25 [V] )印加l分後に
測定した値である.引続き、本発明の他の実施例につい
て述べる.(実施例4) N − n−ブチルー1.2.3−ペンゾトリアゾール
T C N Qll塩とラクトン系化合物、例えばγ−
プチロラクトンの化合物40 [mglを直径5.0
[mmlのアルミニウムケースに充填し,250[”C
]まで約lO秒で加熱し,溶解した.その中にアルミニ
ウム箔からなる陽極箔と陰極箔をセバレー夕を介して巻
回した巻取コンデンサ素子を浸漬し.浸漬後約12秒で
冷却した.なお、電解質の含漫に先立ち,コンデンサ素
子は250[”C]の温度まで上昇させて右いた.これ
により、定格容量l,01μFlの陽極に対して容量1
.0rμFl.損失3.4E%】の固体電解コンデンサ
を得た, r効果】
Claims (1)
- (1)電解質としてN−置換−1,2,3−ベンゾトリ
アゾール・7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン
錯塩を用いたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11442989A JPH02294010A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11442989A JPH02294010A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02294010A true JPH02294010A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14637497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11442989A Pending JPH02294010A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02294010A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2251250B (en) * | 1989-06-29 | 1994-01-19 | Maui Shiitake Trading Co | Substrate and method for culture of fungi,including shiitake(lentinus edodes) |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11442989A patent/JPH02294010A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2251250B (en) * | 1989-06-29 | 1994-01-19 | Maui Shiitake Trading Co | Substrate and method for culture of fungi,including shiitake(lentinus edodes) |
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