JPH02293722A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 高画質表示を達成できるアクティブマトリクス型液晶表
示装置に関し、 液晶セルに掛かる電圧を完全な対象波形とすることがで
き、従って残像が発生しない液晶表示装置を提供するこ
とを目的とし、 対向配置された第１および第２の岱板間に液晶セルより
なる複数の画素を薄膜トランジスタと組み合わせて７１
・リクス状に配列したアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成において、前記第１の基板上に、各画素対応
の画素電極と、該画素電極ごとに第１および第２の薄膜
トランジスタと、画素の行対応に配列された複数本のス
キャンバスと、画素の列対応に配列されたデータバスを
設け、且つ、前記第１の薄膜１・ランジスクの制御電極
，一方および他方の被制御電極をそれぞれ前記スキャン
バス，画素電極，データバスに接続するとともに、前記
第２の薄膜トランジスタの制御電極を前記スキャンバス
に接続し、前記第２の基板上に、前記画素電極に対応し
て対向電極と、各画素の行または列対応にストライプ状
のコモン電極とを設け、前記第２の薄膜トランジスタの
一方の被制御電極を前記対向電極と、他方の被制御電極
を前記コモン電極と、それぞれ柱状電極により接続して
なる構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、高画質表示を達成できるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関する。

アクティブマトリクス型液晶表示装置は、大容量表示に
おいてもコン１・ラストが低下しないため、ポケットＴ
Ｖ等への実用化が盛んになされている。

しかしながら残像という、長時間同一パターンを表示す
ると、そのパターンが焼きつくという現象があり、情報
端末等に用いる場合に問題となる。

残像の発生しない液晶表示装置が強く求められている。

〔従来の技術〕

従来の液晶パネルの構成を第３図（ａ）．　（ｂ）に示
す。

同図（ａ）に示すように、一対の絶縁性基板の一方即ち
薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）基板上に、ＴＦＴｌ，画素
電極Ｅ．スキャンバスＳＢ，データバスＤＢが形成され
、他方の絶縁性基板すなわち対向基板には、一面のべ夕
電極のコモン電極Ｃが形成されている。

この従来の液晶パネルの構成では、スキャンバスＳＢの
電位が正から負へ切り換わると、ＴＦＴ１のゲートＧと
ソースＳ間の容量ＣＧＳによるカップリングがあるため
、画素電極の電位が変化し、液晶セル電圧が変化する。

この変化量ΔｖＬ，は次式で表される。

ΔＶＬＣ＝Ｃｒ．ｓ／　（Ｃｃｓ＋Ｃｔｃ）ＸΔ■，こ
こで、ＣＬｃは液晶容量，Δｖ６はゲート電圧の変化分
である。

従来はこの変化分を、コモン電極からコモン電圧として
印加し、上記変化量Δ■ＬＣを補償している。

一方液晶容量Ｃ　．Ｃは、液晶にかかる電圧によって変
化するという特性がある。従って上式から分かるように
、変化量ΔＶＬＣが変化し、最適なコモン電圧が変化し
てしまう。

しかし外部から印加するコモン電圧は一定であるので、
液晶に印加される電圧は非対象となり、完全に打ち消し
合うことができない。そのため直流成分が生じ、残像が
発生する。

この残像の発生を防止するため、補助容量を設ける技術
があるが、基板上でクロスオーバーが生じるため、液晶
パネルの作製が困難となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来液晶表示装置はこのように残像が発生ずるため、情
報用端末等の用途に不都合がある。

本発明は、液晶セルに掛かる電圧を完全な対象波形とす
ることができ、従って残像が発生しない液晶表示装置を
提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、液晶セルごとに第１および第２の薄膜トラン
ジスタを設け、この２つの薄膜トランジスタおよび画素
電極を第１の基板（ＴＰＴ基板）上に配置し、他方の基
板（対向基板）上に上記画素電極に対向して対向電極と
ストライプ状のコモン電極を設ける。

そして、第１の薄膜トランジスタの制御電極（ゲート電
極），一方の被制御電極（ソース電極）他方の被制御電
極（ドレイン電極）は、ＴＦＴｉ板上でそれぞれスキャ
ンバス，画素電極，データバスと接続し、第２の薄膜ト
ランジスタの制御電極は同じ＜ＴＦＴ基板上でスキャン
バスＳＢと接続するが、一方および他方の被制御電極は
、バンプのような柱状電極により対向ｗ板上の対向電極
，コモン電極と接続する。

〔作　用〕

上述の如く構成したことにより、各画素ともセルの両端
が、ゲート・ソース間容量ＣＧ，を介してスキャンバス
ＳＢに接続される。

従って、スキャンバスの電位が正がら負に変わっても、
液晶セルの両端の電位は、共に同一方向に同じ値だけシ
フトするので、液晶セルに掛かる電圧に変化はない。

このように本発明では、従来構成の如＜Ｃａｓに起因す
る液晶セル電圧の低下がないため、直流成分は存在せず
、残像が発生しなくなる。

〔実　施　例〕

以下本発明の一実施例を第１図（ａ）．　（ｂ）および
第２図により説明する。

第１図（ａ），　（ｂ）に示す如く、ＴＰＴ基板上に、
第１および第２のＴＦＴ］および第２のＴＰＴ２スキャ
ンバスＳＢ，データハスＤＢ，画素電極ＩＬを設け、対
向基板上に、上記画素電極Ｅに対向する位置に対向電極
Ｅ“を設けるとともに、ス１〜ライブ状のコモン電極Ｃ
を設ける。

更に、旧記ＴＦＴ２のソース電極Ｓ”およびドレイン電
極Ｄ゛と、これらに対応ずる位置に、それぞれパンプ３
．４，５．６を設ける。バンプ５６はそれぞれ対向電極
Ｅ“およびコモン電極Ｃに接続している。

上記パンプ３〜６は、それぞれ高さ約３μｍの柱状また
は半球状電極で、インジウム（Ｉ　ｎ）のような低融点
金属を用いて形成する。

このように形成した後、ＴＰＴ基板と対向基板を対向さ
せ、バンプ３とバンプ５．及びハンブ４とバンプ６を接
合する。良好な接触がとれなかった場合には、その箇所
をレーザ照射により接続することも可能である。

上記構成とした本実施例の液晶表示パネルは、第２図に
示すように、各液晶セルＬ　Ｃともその両端が、ゲート
・ソース間容量Ｃｃｓ＋　　ｃｃｓ’　を介してスキャ
ンバスＳＢに接続される。

従って、スキャンバスＳＢの電位が正から負に変わって
も、液晶セルの両端の電位は、共に同一方向に同じ値だ
けシフトするので、液晶セルに掛かる電圧は変化しない
。

このように本発明では、従来構成の如＜　Ｃｃｓに起因
する液晶セル電圧の低下がないため、直流成分は存在せ
ず、残像が発生しなくなる。

〔発明の効果〕

以上説明した如く本発明によれば、液晶セルに掛かる電
圧の直流成分が除かれるので、残像が発生しなくなる。

また、本発明で付加したＴＰＴは、今一つのＴＰＴと同
一基板上に形成されるので、単にフォ１−マスクのパタ
ーンを変えるのみでよく、製造工程が複雑化することは
ない。

第２図は本発明の原理説明図、 第３図（ａｌ，　（ｂｌは従来の液晶パネルの構成図で
ある。

図において、■および２ばＴＰＴ　（薄膜トランジスタ
）で、このうち２は新たにイ」加したＴ　Ｐ　Ｔ、３〜
６はバンブ、Ｇ，Ｇ’　は制御電極（ケー１・電極）、
Ｓ，Ｓ’　は第１の被制御電極（ソース電極）、Ｄ，Ｄ
”は第２の被制御電極（ドレイン）電極、Ｅは画素電極
、Ｅ゛は対向電極、ＳＢはスキャンバス、ＤＢはデータ
バス、Ｃはコモン電極を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 対向配置された第１および第２の基板間に液晶セルより
   なる複数の画素を薄膜トランジスタと組み合わせてマト
   リクス状に配列したアクティブマトリクス型液晶表示装
   置の構成において、 前記第１の基板上に、各画素対応の画素電極（Ｅ）と、
   該画素電極ごとに第１および第２の薄膜トランジスタ（
   １、２）と、画素の行対応に配列された複数本のスキャ
   ンバス（ＳＢ）と、画素の列対応に配列されたデータバ
   ス（ＤＢ）を設け、且つ、前記第１の薄膜トランジスタ
   の制御電極（Ｇ）、一方および他方の被制御電極（Ｓ）
   、（Ｄ）をそれぞれ前記スキャンバス、画素電極、デー
   タバスに接続するとともに、前記第２の薄膜トランジス
   タの制御電極（Ｇ’）を前記スキャンバスに接続し、 前記第２の基板上に、前記画素電極に対応して対向電極
   （Ｅ’）と、各画素の行または列対応にストライプ状の
   コモン電極（Ｃ）とを設け、前記第２の薄膜トランジス
   タの一方の被制御電極を前記対向電極と、他方の被制御
   電極を前記コモン電極と、それぞれ柱状電極（３、４、
   ５、６）により接続してなることを特徴とするアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置。