JPH02288215A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH02288215A JPH02288215A JP10895889A JP10895889A JPH02288215A JP H02288215 A JPH02288215 A JP H02288215A JP 10895889 A JP10895889 A JP 10895889A JP 10895889 A JP10895889 A JP 10895889A JP H02288215 A JPH02288215 A JP H02288215A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- -1 transition metal salt Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 abstract description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Substances OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract description 3
- GPHFILLEJDZWIK-UHFFFAOYSA-K 2-dodecylbenzenesulfonate;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S([O-])(=O)=O GPHFILLEJDZWIK-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004028 organic sulfates Chemical class 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKKAGFLIPSSCHT-UHFFFAOYSA-N 1-dodecoxydodecane;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC FKKAGFLIPSSCHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGIAFGCENAKLNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid;iron Chemical compound [Fe].CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O AGIAFGCENAKLNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- QXPQHPAJDGRSQA-UHFFFAOYSA-L copper;dodecyl sulfate Chemical compound [Cu+2].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O QXPQHPAJDGRSQA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AUTNMGCKBXKHNV-UHFFFAOYSA-P diazanium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [NH4+].[NH4+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 AUTNMGCKBXKHNV-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N dodecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043264 dodecyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229940071161 dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-M n-octyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCOS([O-])(=O)=O UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N octoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 ZPIRTVJRHUMMOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940067739 octyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical compound C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid monooctyl ester Natural products CCCCCCCCOS(O)(=O)=O UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電
解コンデンサの製造に利用され、特に、化学酸化重合に
より合成した高導電性の導電性高分子化合物を固体電解
質とする高周波特性に優れた固体電解コンデンサの製造
方法に関する。
解コンデンサの製造に利用され、特に、化学酸化重合に
より合成した高導電性の導電性高分子化合物を固体電解
質とする高周波特性に優れた固体電解コンデンサの製造
方法に関する。
本発明は、皮膜形成金属の酸化物を誘電体とし導電性高
分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサの製
造方法において、 有機スルホン酸化合物あるいは有機硫酸化合物の遷移金
属塩からなる酸化剤を前記誘電体上に導太し、しかる後
に、前記誘電体上で芳香族化合物を酸化重合させ前記固
体電解質を形成することにより、 良好な高周波特性と耐熱性とを有する固体電解コンデン
サを製造できるようにしたものである。
分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサの製
造方法において、 有機スルホン酸化合物あるいは有機硫酸化合物の遷移金
属塩からなる酸化剤を前記誘電体上に導太し、しかる後
に、前記誘電体上で芳香族化合物を酸化重合させ前記固
体電解質を形成することにより、 良好な高周波特性と耐熱性とを有する固体電解コンデン
サを製造できるようにしたものである。
近年、科学技術の進歩にともなって電子機器の小型化、
および信頼性向上が求められており、デジタル機器の発
展とも相まって、コンデンサの分野においても高周波領
域まで良好な特性を有し、しかも信頼性に優れた大容量
コンデンサへの要求が高まっている。このような要求に
対し、従来より開発されている固体電解コンデンサは、
大容量で、しかも電解質が固体であるために信頼性にも
優れているが、固体電解質の導電率が未だ不十分であり
、高周波領域での良好な特性が得られていない。
および信頼性向上が求められており、デジタル機器の発
展とも相まって、コンデンサの分野においても高周波領
域まで良好な特性を有し、しかも信頼性に優れた大容量
コンデンサへの要求が高まっている。このような要求に
対し、従来より開発されている固体電解コンデンサは、
大容量で、しかも電解質が固体であるために信頼性にも
優れているが、固体電解質の導電率が未だ不十分であり
、高周波領域での良好な特性が得られていない。
通常、固体電解コンデンサはタンタルおよびアルミニウ
ム等の皮膜形成金属の多孔質成形体を第一の電極(陽極
)とし、その表面酸化皮膜を誘電体、二酸化マンガンお
よび7.7.8.8−テトラシアノキノジメタン錯塩等
の固体電解質を第二の電極(陰極)の一部とする構造を
有している。この場合、固体電解質には多孔質成形体内
部の誘電体全面と電極リード間を電気的に接続する機能
と、誘電体皮膜の欠陥に起因する電気的短絡を修復する
機能とが要求される。その結果、導電率は高いが誘電体
修復機能のない金属は固体電解質として使用できず、短
絡電流による発熱等によって絶縁体に転移する二酸化マ
ンガン等が用いられてきた。しかしながら、従来用いら
れている固体電解質は導電率が不十分であり、しかもこ
れを複雑な形状の多孔質成形体の細孔内部に完全に充填
する技術も完成されているとは言い難かった。
ム等の皮膜形成金属の多孔質成形体を第一の電極(陽極
)とし、その表面酸化皮膜を誘電体、二酸化マンガンお
よび7.7.8.8−テトラシアノキノジメタン錯塩等
の固体電解質を第二の電極(陰極)の一部とする構造を
有している。この場合、固体電解質には多孔質成形体内
部の誘電体全面と電極リード間を電気的に接続する機能
と、誘電体皮膜の欠陥に起因する電気的短絡を修復する
機能とが要求される。その結果、導電率は高いが誘電体
修復機能のない金属は固体電解質として使用できず、短
絡電流による発熱等によって絶縁体に転移する二酸化マ
ンガン等が用いられてきた。しかしながら、従来用いら
れている固体電解質は導電率が不十分であり、しかもこ
れを複雑な形状の多孔質成形体の細孔内部に完全に充填
する技術も完成されているとは言い難かった。
一方、高分子の分野においても新しい材料の開発が進み
、その結果ポリアセチレン、ポリパラフェニレンおよび
ポリピロール等の共役系ポリマーフィルム、あるいはこ
れに電子供与性や電子吸弓性化合物(ドーパント)を添
加(ドーピング)した導電性高分子がこれまでに開発さ
れている。この中で、特にポリピロール等の芳香族系導
電性高分子はそのドーパントを適当に選択することによ
り導電性、耐熱性および経時安定性が良好なものが得ら
れることが知られており、これを固体電解質とする固体
電解コンデンサが提案されている。
、その結果ポリアセチレン、ポリパラフェニレンおよび
ポリピロール等の共役系ポリマーフィルム、あるいはこ
れに電子供与性や電子吸弓性化合物(ドーパント)を添
加(ドーピング)した導電性高分子がこれまでに開発さ
れている。この中で、特にポリピロール等の芳香族系導
電性高分子はそのドーパントを適当に選択することによ
り導電性、耐熱性および経時安定性が良好なものが得ら
れることが知られており、これを固体電解質とする固体
電解コンデンサが提案されている。
例えば、特開昭60〜37114号公報にはドープした
複素五員環式化合物重合体を固体電解質とする固体電解
コンデンサが提案されている。
複素五員環式化合物重合体を固体電解質とする固体電解
コンデンサが提案されている。
ポリピロールの合成法としては、電解酸化重合法および
酸化剤を用いる酸化カチオン重合法、ならびにピロール
のジハロゲン化物誘導体のグリニヤール反応による方法
が知られている。ポリピロールの導電率は、その合成方
法にもよるが化学酸化重合法により重合したもので数十
〜数百S / cm、電解酸化重合法により重合したも
ので数百3 / Cmであり、従来の固体電解質である
2酸化マンガンに比べて著しく高い。電解コンデンサの
高周波領域での特性は電解質の導電率に依存して向上す
ることから、ポリピロールがコンデンサの固定電解質と
して有利に使用できるものと考えられる。
酸化剤を用いる酸化カチオン重合法、ならびにピロール
のジハロゲン化物誘導体のグリニヤール反応による方法
が知られている。ポリピロールの導電率は、その合成方
法にもよるが化学酸化重合法により重合したもので数十
〜数百S / cm、電解酸化重合法により重合したも
ので数百3 / Cmであり、従来の固体電解質である
2酸化マンガンに比べて著しく高い。電解コンデンサの
高周波領域での特性は電解質の導電率に依存して向上す
ることから、ポリピロールがコンデンサの固定電解質と
して有利に使用できるものと考えられる。
電解重合法で得られるポリピロール等の芳香族系高分子
化合物は、電解重合時に用いる溶媒および支持電解質の
種類、あるいは濃度等の重合条件を適当に選択すること
により、電解コンデンサ用固体電解質に要求される耐熱
性および導電率を充分に満足するものが得られる。しか
しながら、絶縁体である金属酸化皮膜上で電解酸化重合
を行わしめるにはかなりの困難が伴う。しかも皮膜形成
金属は通常、多孔質体となっており、その細孔内部まで
ポリピロールを充填することは困難であり、これが可能
な場合でも非常に複雑かつ繁雑な操作が必要である。
化合物は、電解重合時に用いる溶媒および支持電解質の
種類、あるいは濃度等の重合条件を適当に選択すること
により、電解コンデンサ用固体電解質に要求される耐熱
性および導電率を充分に満足するものが得られる。しか
しながら、絶縁体である金属酸化皮膜上で電解酸化重合
を行わしめるにはかなりの困難が伴う。しかも皮膜形成
金属は通常、多孔質体となっており、その細孔内部まで
ポリピロールを充填することは困難であり、これが可能
な場合でも非常に複雑かつ繁雑な操作が必要である。
一方、化学酸化重合により金属酸化皮膜上にポリピロー
ルを形成させるのは非常に簡便な方法であり、重合温度
および酸化剤濃度等を適当に制御することにより高導電
率のポリピロールが得られる。しかしながら、従来から
知られている酸化剤、例えば、塩化第二鉄、硝酸第二鉄
および塩化第二銅等を用いた場合、生成するポリピロー
ルは耐熱性に劣り、150℃以上の温度では徐々に電気
伝導度が低下していき、電解コンデンサの固体電解質に
用いる際にはハンダ耐熱性や高温負荷特性の悪化要因と
なる。さらにハロゲン化物を含む酸化剤においては、ハ
ロゲン化物イオンがポリピロール中にドーパントとして
とりこまれ、このハロゲン化物イオンが金属酸化物皮膜
や金属そのものを腐蝕していくおそれがある。
ルを形成させるのは非常に簡便な方法であり、重合温度
および酸化剤濃度等を適当に制御することにより高導電
率のポリピロールが得られる。しかしながら、従来から
知られている酸化剤、例えば、塩化第二鉄、硝酸第二鉄
および塩化第二銅等を用いた場合、生成するポリピロー
ルは耐熱性に劣り、150℃以上の温度では徐々に電気
伝導度が低下していき、電解コンデンサの固体電解質に
用いる際にはハンダ耐熱性や高温負荷特性の悪化要因と
なる。さらにハロゲン化物を含む酸化剤においては、ハ
ロゲン化物イオンがポリピロール中にドーパントとして
とりこまれ、このハロゲン化物イオンが金属酸化物皮膜
や金属そのものを腐蝕していくおそれがある。
以上説明したように、電解酸化重合法は緒特性に優れた
ポリピロールが得られるものの、固体電解コンデンサを
構成する多孔質体の細孔内部への充填に際し繁雑な操作
を必要とし、また、化学酸化重合法では、操作は簡便で
あるが、生成するポリピロールの耐熱性や金属に対する
腐食性について不安が残る。したがって、ポリピロール
は電解コンデンサの固体電解質として非常に有用である
ことが期待されているものの、未だその性能を充分に生
かした、すなわち、高周波領域まで良好な特性を有し、
しかも信頼性に優れた電解コンデンサが開発されるには
至っていないという問題点があった。
ポリピロールが得られるものの、固体電解コンデンサを
構成する多孔質体の細孔内部への充填に際し繁雑な操作
を必要とし、また、化学酸化重合法では、操作は簡便で
あるが、生成するポリピロールの耐熱性や金属に対する
腐食性について不安が残る。したがって、ポリピロール
は電解コンデンサの固体電解質として非常に有用である
ことが期待されているものの、未だその性能を充分に生
かした、すなわち、高周波領域まで良好な特性を有し、
しかも信頼性に優れた電解コンデンサが開発されるには
至っていないという問題点があった。
本発明の目的は、前記の問題点を解消することにより、
良好な高周波特性を有し、しかも信頼性に優れた固体電
解コンデンサの製造方法を提供することにある。
良好な高周波特性を有し、しかも信頼性に優れた固体電
解コンデンサの製造方法を提供することにある。
本発明者らは前記の課題を解決するために種々検討を行
った。その結果、固体電解質として優れた性能を有した
導電性高分子化合物を簡便なる手段により皮膜形成金属
の多孔質成形体の細孔内部に充填する固体電解コンデン
サの固体電解質形成方法を見出し本発明に至った。
った。その結果、固体電解質として優れた性能を有した
導電性高分子化合物を簡便なる手段により皮膜形成金属
の多孔質成形体の細孔内部に充填する固体電解コンデン
サの固体電解質形成方法を見出し本発明に至った。
すなわち、本発明は、皮膜形成金属の酸化物を誘電体と
し導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コン
デンサの製造方法において、有機スルホン酸化合物ある
いは有機硫酸化合物の遷移金属塩からなる酸化剤を前記
誘電体上に導入し、しかる後に、前記誘電体上で芳香族
化合物を酸化重合させ前記固体電解質を形成することを
特徴とする。
し導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コン
デンサの製造方法において、有機スルホン酸化合物ある
いは有機硫酸化合物の遷移金属塩からなる酸化剤を前記
誘電体上に導入し、しかる後に、前記誘電体上で芳香族
化合物を酸化重合させ前記固体電解質を形成することを
特徴とする。
本発明で用いる酸化剤は金属塩であり、カチオンが高酸
化数の遷移金属イオン、アニオンが有機スルホン酸イオ
ンあるいは有機硫酸イオンであることを特徴としている
。
化数の遷移金属イオン、アニオンが有機スルホン酸イオ
ンあるいは有機硫酸イオンであることを特徴としている
。
カチオンとして、例えばF e 2+、Cu2+、Cr
6+Mn’=、Mn’°およびSn’+等が挙げられ
る。これらの中でもFe’+およびCu 2s−が好ま
しい。−方、アニオンとして適当な有機スルホン酸イオ
ンとしては、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ナフ
タレンスルホン酸イオン、アルキルナフタレンスルホン
酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、α−オレフィン
スルホン酸イオン、スルホコハク酸イオン、およびN−
アシルスルホン酸イオンがあり、また有機硫酸イオンと
しては、アルキル硫酸イオン、ポリエチレンオキサイド
アルキルエーテル硫酸イオン、およびポリエチレンオキ
サイドアルキルフェノールエーテル硫酸イオンがある。
6+Mn’=、Mn’°およびSn’+等が挙げられ
る。これらの中でもFe’+およびCu 2s−が好ま
しい。−方、アニオンとして適当な有機スルホン酸イオ
ンとしては、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ナフ
タレンスルホン酸イオン、アルキルナフタレンスルホン
酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、α−オレフィン
スルホン酸イオン、スルホコハク酸イオン、およびN−
アシルスルホン酸イオンがあり、また有機硫酸イオンと
しては、アルキル硫酸イオン、ポリエチレンオキサイド
アルキルエーテル硫酸イオン、およびポリエチレンオキ
サイドアルキルフェノールエーテル硫酸イオンがある。
また、これら以外にも、例えば、ポリプロピレンオキサ
イドアルキルエーテル硫酸イオン、ポリブチレンオキサ
イドアルキルエーテル硫酸イオン、ポリプロピレンオキ
サイドアルキルフェノールエーテル硫酸イオン、ポリイ
ソブチレンオキサイドアルキルフェノールエーテル硫酸
イオンおよびナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合体等
が使用可能である。
イドアルキルエーテル硫酸イオン、ポリブチレンオキサ
イドアルキルエーテル硫酸イオン、ポリプロピレンオキ
サイドアルキルフェノールエーテル硫酸イオン、ポリイ
ソブチレンオキサイドアルキルフェノールエーテル硫酸
イオンおよびナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合体等
が使用可能である。
これらアニオンとして好ましいものを具体的に例示する
と、有機スルホン酸イオンとしては、例えば、ベンゼン
スルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ド
デシルベンゼンスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン
酸イオン、ブチルナフタレンスルホン酸イオン、012
〜C18のアルキルスルホン酸イオン、オクタデセニル
スルホン酸イオン、ジー2−エチルへキシルスルホコハ
ク酸イオンおよびN−アセチルメチルタウリンイオン等
が挙げられる。
と、有機スルホン酸イオンとしては、例えば、ベンゼン
スルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ド
デシルベンゼンスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン
酸イオン、ブチルナフタレンスルホン酸イオン、012
〜C18のアルキルスルホン酸イオン、オクタデセニル
スルホン酸イオン、ジー2−エチルへキシルスルホコハ
ク酸イオンおよびN−アセチルメチルタウリンイオン等
が挙げられる。
また、有機硫酸イオンとしては、例えば、オクチル硫酸
イオン、ドデシル硫酸イオン、ポリエチレンオキサイド
ドデシルエーテル硫酸イオンおよびポリオキエチレンオ
クチルフェノールエーテル硫酸イオン等が挙げられる。
イオン、ドデシル硫酸イオン、ポリエチレンオキサイド
ドデシルエーテル硫酸イオンおよびポリオキエチレンオ
クチルフェノールエーテル硫酸イオン等が挙げられる。
本発明における酸化剤を用いて芳香族化合物の化学酸化
重合を行うことにより、この酸化剤中のアニオンの一部
がドーパントとなり、耐熱性に優れ導電率の大きな導電
性高分子化合物が生成する。
重合を行うことにより、この酸化剤中のアニオンの一部
がドーパントとなり、耐熱性に優れ導電率の大きな導電
性高分子化合物が生成する。
芳香族化合物としては、ピロール、アニリン、チオフェ
ン、フランおよびベンゼン等ならびにそれらの誘導体が
使用可能であるが、本発明の用途には、特シこピロール
およびその誘導体が好適である。
ン、フランおよびベンゼン等ならびにそれらの誘導体が
使用可能であるが、本発明の用途には、特シこピロール
およびその誘導体が好適である。
本発明の酸化剤を用いて芳香族化合物の化学酸化重合を
行う方法としては、例えば、塗布、浸漬あるいは噴霧等
により誘電体表面に酸化剤層を設け、これを気相中ある
いは液相中で前記芳香族化合物と接触させることにより
、誘電体表面で前記芳香族化合物を重合させる方法が有
効である。特に、気相中での反応すなわち、前記芳香族
化合物の蒸気と接触させる方法が好ましい。酸化剤を皮
膜形成金属の誘電体層に塗布する方法は、使用する多孔
質形成体の形状および酸化剤の性状により適宜選択して
やれば良く、酸化剤をそのまま、あるいは適当なメタノ
ール、エタノール、アセトンおよび水等の溶媒に溶解せ
しめた後に、塗布、浸漬あるいは噴霧してやれば良い。
行う方法としては、例えば、塗布、浸漬あるいは噴霧等
により誘電体表面に酸化剤層を設け、これを気相中ある
いは液相中で前記芳香族化合物と接触させることにより
、誘電体表面で前記芳香族化合物を重合させる方法が有
効である。特に、気相中での反応すなわち、前記芳香族
化合物の蒸気と接触させる方法が好ましい。酸化剤を皮
膜形成金属の誘電体層に塗布する方法は、使用する多孔
質形成体の形状および酸化剤の性状により適宜選択して
やれば良く、酸化剤をそのまま、あるいは適当なメタノ
ール、エタノール、アセトンおよび水等の溶媒に溶解せ
しめた後に、塗布、浸漬あるいは噴霧してやれば良い。
生成する重合体に膜強度を付与するためには、ポリビニ
ルアルコール、ポリ酢酸ビニル、およびエチルセルロー
ス等の高分子を酸化剤あるいは酸化剤溶液に添加するの
も有効な方法である。また、前記各工程を必要に応じて
何回か繰り返して行ってもよい。
ルアルコール、ポリ酢酸ビニル、およびエチルセルロー
ス等の高分子を酸化剤あるいは酸化剤溶液に添加するの
も有効な方法である。また、前記各工程を必要に応じて
何回か繰り返して行ってもよい。
本発明の酸化剤、すなわち、有機スルホン酸化合物ある
いは有機硫酸化合物の遷移金属塩は、化学酸化重合中に
おいて、そのアニオンの一部がドーパントとなり、耐熱
性に優れ導電率の大きな導電性高分子化合物を生成しめ
る。しかも、酸化剤は例えば、メタノールまたは水等の
溶媒に溶解して、その溶液中に誘電体を浸漬するなどの
方法で誘電体の細孔内部まで十分に浸透させることがで
きる。
いは有機硫酸化合物の遷移金属塩は、化学酸化重合中に
おいて、そのアニオンの一部がドーパントとなり、耐熱
性に優れ導電率の大きな導電性高分子化合物を生成しめ
る。しかも、酸化剤は例えば、メタノールまたは水等の
溶媒に溶解して、その溶液中に誘電体を浸漬するなどの
方法で誘電体の細孔内部まで十分に浸透させることがで
きる。
そして、酸化重合を、例えば、芳香族化合物の蒸気と接
触させることにより行うので、細孔内部の酸化剤との接
触も十分に行われ、結果として、細孔内部を含む誘電体
全体に、耐熱性に優れ導電率の大きい導電性高分子化合
物からなる固体電解質を、簡単に形成することが可能と
なる。
触させることにより行うので、細孔内部の酸化剤との接
触も十分に行われ、結果として、細孔内部を含む誘電体
全体に、耐熱性に優れ導電率の大きい導電性高分子化合
物からなる固体電解質を、簡単に形成することが可能と
なる。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
実施例1
幅10mm、長さ15mmの多孔質アルミニウム箔をホ
ウ酸アンモニウム水溶液中、100Vで化成処理を行い
酸化皮膜を形成させた後に、洗浄、乾燥させた。
ウ酸アンモニウム水溶液中、100Vで化成処理を行い
酸化皮膜を形成させた後に、洗浄、乾燥させた。
これをドデシルベンゼンスルホン酸−鉄(In[) 塩
の25wt%−メタノール溶液に浸漬後、減圧乾燥を行
った。その漫画に示すように、シャーレ2の中にピロー
ルモノマー3の入ったガラス容器1をシリコンゴム栓5
で密閉するとともに、この密閉容器内に前記多孔質アル
ミニウム箔4を吊し、常温、常圧下でピロールモノマー
の蒸気と3時間接触させた。その後、メタノールで洗浄
し乾燥させた。
の25wt%−メタノール溶液に浸漬後、減圧乾燥を行
った。その漫画に示すように、シャーレ2の中にピロー
ルモノマー3の入ったガラス容器1をシリコンゴム栓5
で密閉するとともに、この密閉容器内に前記多孔質アル
ミニウム箔4を吊し、常温、常圧下でピロールモノマー
の蒸気と3時間接触させた。その後、メタノールで洗浄
し乾燥させた。
この操作により、この多孔質アルミニウム箔4の表面は
濃黒縁色のポリピロールで被覆された。前記の操作を5
回繰り返した後、反応前後の重量変化から求めたこの多
孔質アルミニウム箔4の空隙へのポリピロール充填率は
95%であった。
濃黒縁色のポリピロールで被覆された。前記の操作を5
回繰り返した後、反応前後の重量変化から求めたこの多
孔質アルミニウム箔4の空隙へのポリピロール充填率は
95%であった。
このポリピロールから銀ペーストを用いてリードを引き
出し、エポキシ樹脂で外装してコンデンサを完成させた
。得られたコンデンサは120Hzにおいて2.74μ
Fの静電容量を有し、損失角の正接(tanδ)は0.
01以下であった。このコンデンサの静電容量の変化率
は、200にHzまで10%以下、またtanδも15
0K)Izまで0.1以下という周波数特性の良好なも
のであった。さらに、220℃で10分間放置した後、
120七における静電容量およびtanδを測定したと
ころ、2.68μFおよび0゜01以下であり、耐熱性
にすぐれていることが分かった。
出し、エポキシ樹脂で外装してコンデンサを完成させた
。得られたコンデンサは120Hzにおいて2.74μ
Fの静電容量を有し、損失角の正接(tanδ)は0.
01以下であった。このコンデンサの静電容量の変化率
は、200にHzまで10%以下、またtanδも15
0K)Izまで0.1以下という周波数特性の良好なも
のであった。さらに、220℃で10分間放置した後、
120七における静電容量およびtanδを測定したと
ころ、2.68μFおよび0゜01以下であり、耐熱性
にすぐれていることが分かった。
比較例
実施例1におけるドデシルベンゼンスルホン酸−鉄(I
II)塩の代わりに塩化第二鉄を用いてアルミ電解コン
デンサを作成した。12〇七における静電容量は2.8
2μF1またtanδは0.01以下であった。このコ
ンデンサの静電容量の変化率は240KHzまで10%
以下、また、tanδも180K)lzまで0,1以下
という周波数特性の良好なものであった。ところが、こ
れを、220℃で10分間放置したとたろ、120七に
ふける静電容量は0.66μFまで低下し、またtan
δは1.5と大きくなり耐熱性に劣ることが分かった。
II)塩の代わりに塩化第二鉄を用いてアルミ電解コン
デンサを作成した。12〇七における静電容量は2.8
2μF1またtanδは0.01以下であった。このコ
ンデンサの静電容量の変化率は240KHzまで10%
以下、また、tanδも180K)lzまで0,1以下
という周波数特性の良好なものであった。ところが、こ
れを、220℃で10分間放置したとたろ、120七に
ふける静電容量は0.66μFまで低下し、またtan
δは1.5と大きくなり耐熱性に劣ることが分かった。
実施例2
実施例1においてピロールモノマー蒸気に3時間接触さ
せる代りに、濃度0.1mol/Iのピロールモノマー
水溶液に1時間の浸漬を行うことにより、アルミ電解コ
ンデンサを作成した。12〇七における静電容量は2.
50μp 、 tan δは0.01以下であった。こ
のコンデンサの静電容量の変化率は600kHzマチ1
0%以下、またtan δは400kHzまで、0.1
以下と良好なものであった。これを220℃で10分間
放置し、120 Hzにおける静電容量およびtan
δを測定したところ、2.50μおよび0.01以下と
耐熱性に優れていることが分かった。
せる代りに、濃度0.1mol/Iのピロールモノマー
水溶液に1時間の浸漬を行うことにより、アルミ電解コ
ンデンサを作成した。12〇七における静電容量は2.
50μp 、 tan δは0.01以下であった。こ
のコンデンサの静電容量の変化率は600kHzマチ1
0%以下、またtan δは400kHzまで、0.1
以下と良好なものであった。これを220℃で10分間
放置し、120 Hzにおける静電容量およびtan
δを測定したところ、2.50μおよび0.01以下と
耐熱性に優れていることが分かった。
実施例3
実施例1におけるドデシルベンゼンスルホン酸−鉄(I
[I)塩にかえてアルキルスルホン酸−鉄(I)(アル
キル基の鎖長が13.14および15のものの混合物)
を用いてアルミ電解コンデンサを作成した。120 H
zにおける静電容量は2.78μF 、 tanδは0
.01以下であった。このコンデンサの静電容量の変化
率は500k l(zまで10%以下、またtanδは
120k)lzまで0.1以下という周波数特性の良好
なものであった。これを220℃で10分間放置し、1
20kHzまで0.1以下という周波数特性の良好なも
のであった。これを220℃で10分間放置し、120
七における静電容量およびtanδを測定したところ、
2.65μFおよび0.01以下であり、耐熱性にすぐ
れていることが分かった。
[I)塩にかえてアルキルスルホン酸−鉄(I)(アル
キル基の鎖長が13.14および15のものの混合物)
を用いてアルミ電解コンデンサを作成した。120 H
zにおける静電容量は2.78μF 、 tanδは0
.01以下であった。このコンデンサの静電容量の変化
率は500k l(zまで10%以下、またtanδは
120k)lzまで0.1以下という周波数特性の良好
なものであった。これを220℃で10分間放置し、1
20kHzまで0.1以下という周波数特性の良好なも
のであった。これを220℃で10分間放置し、120
七における静電容量およびtanδを測定したところ、
2.65μFおよび0.01以下であり、耐熱性にすぐ
れていることが分かった。
実施例4
実施例1におけるドデシルベンゼンスルホン酸−鉄(I
II)塩にかえてドデシル硫酸−銅(II)塩を用いて
アルミ電解コンデンサを作成した。12〇七における静
電容量は2.58μl” 5tan δは0.01以下
であった。このコンデンサの静電容量の変化率は200
kHzまで10%以下、またtan δは80kHzま
で0.1以下と良好なものであった。これを220℃で
10分間放置し、120 Hzにおける静電容量および
tan δを測定したところ、2.60μFおよび0.
01以下と耐熱性にすぐれていることが分かった。
II)塩にかえてドデシル硫酸−銅(II)塩を用いて
アルミ電解コンデンサを作成した。12〇七における静
電容量は2.58μl” 5tan δは0.01以下
であった。このコンデンサの静電容量の変化率は200
kHzまで10%以下、またtan δは80kHzま
で0.1以下と良好なものであった。これを220℃で
10分間放置し、120 Hzにおける静電容量および
tan δを測定したところ、2.60μFおよび0.
01以下と耐熱性にすぐれていることが分かった。
実施例5
実施例1におけるドデシルベンゼンスルホン酸−t (
III)塩にかえてナフタレンスルホン酸−銅(I[)
塩を用いてアルミ電解コンデンサを作成した。120
Hzにおける静電容量は2.76μF 、 tan δ
は0.01以下であった。このコンデンサの静電容量の
変化率は300kHzまで10%以下、またtanδは
200kHzまで0.1以下と良好なものであった。こ
れを220℃で10分間放置し、120 Hzにおける
静電容量およびtan δを測定したところ、2.72
μFおよび0.06と耐熱性にすぐれていることが分か
った。
III)塩にかえてナフタレンスルホン酸−銅(I[)
塩を用いてアルミ電解コンデンサを作成した。120
Hzにおける静電容量は2.76μF 、 tan δ
は0.01以下であった。このコンデンサの静電容量の
変化率は300kHzまで10%以下、またtanδは
200kHzまで0.1以下と良好なものであった。こ
れを220℃で10分間放置し、120 Hzにおける
静電容量およびtan δを測定したところ、2.72
μFおよび0.06と耐熱性にすぐれていることが分か
った。
実施例6
直径211110、高さ2mmの円柱状のタンタル微粉
焼結体ペレット(空隙率50%)を硝酸水溶液中で10
0vで陽極酸化し、洗浄、乾燥を行った。これを、ポリ
エチレンオキサイドオクチルフェニルエーテル硫酸−鉄
(III)の3Qwt%−メタノール溶液に浸漬後、乾
燥させ実施例1と同様にしてタンタル酸化皮膜上でピロ
ールを重合させた。反応前後の重量変化から求めたこの
ペレットの空隙へのポリピロール充填率は90%であっ
た。
焼結体ペレット(空隙率50%)を硝酸水溶液中で10
0vで陽極酸化し、洗浄、乾燥を行った。これを、ポリ
エチレンオキサイドオクチルフェニルエーテル硫酸−鉄
(III)の3Qwt%−メタノール溶液に浸漬後、乾
燥させ実施例1と同様にしてタンタル酸化皮膜上でピロ
ールを重合させた。反応前後の重量変化から求めたこの
ペレットの空隙へのポリピロール充填率は90%であっ
た。
次に、このペレット表面のポリピロールから銀ペースト
を用いてリードを引き出し、エポキシ樹脂で外装してコ
ンデンサを完成させた。得られたコンデンサは120H
zにおいて静電容量8.86μF、損失角の正接(ta
nδ)は0.01以下であった。このコンデンサの静電
容量の変化率は30〇七まで10%以下、またtanδ
も200KHzまで0,1以下と高周波特性の良好なも
のであった。さらに、250℃で10分間放置した後、
120Hzにおける静電容量およびtanδを測定した
ところ、8.94μFおよび0.01以下であり、耐熱
性に優れていることが分かった。
を用いてリードを引き出し、エポキシ樹脂で外装してコ
ンデンサを完成させた。得られたコンデンサは120H
zにおいて静電容量8.86μF、損失角の正接(ta
nδ)は0.01以下であった。このコンデンサの静電
容量の変化率は30〇七まで10%以下、またtanδ
も200KHzまで0,1以下と高周波特性の良好なも
のであった。さらに、250℃で10分間放置した後、
120Hzにおける静電容量およびtanδを測定した
ところ、8.94μFおよび0.01以下であり、耐熱
性に優れていることが分かった。
以上説明したように、本発明によれば、良好な高周波特
性と耐熱性を有した固体電解コンデンサを簡便な方法に
より容易に製造でき、その効果は大である。
性と耐熱性を有した固体電解コンデンサを簡便な方法に
より容易に製造でき、その効果は大である。
図は本発明の一実施例を示す説明図。
1・・・ガラス容器、2・・・シャーレ、3・・・ピロ
ールモノマー、4・・・多孔質アルミニウム箔、5・・
・シリコンゴム栓。
ールモノマー、4・・・多孔質アルミニウム箔、5・・
・シリコンゴム栓。
Claims (4)
- 1.皮膜形成金属の酸化物を誘電体とし導電性高分子化
合物を固体電解質とする固体電解コンデンサの製造方法
において、 有機スルホン酸化合物あるいは有機硫酸化合物の遷移金
属塩からなる酸化剤を前記誘電体上に導入し、しかる後
に、前記誘電体上で芳香族化合物を酸化重合させること
により前記固体電解質を形成する ことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 2.前記遷移金属塩が第二鉄塩または第二銅塩である請
求項1記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 3.前記芳香族化合物がピロールまたはその誘導体であ
る請求項1記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 4.前記芳香族化合物の酸化重合は、前記酸化剤を導入
した誘電体を前記芳香族化合物の蒸気と接触させること
により行うものである請求項1記載の固体電解コンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10895889A JPH02288215A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10895889A JPH02288215A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02288215A true JPH02288215A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14497973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10895889A Pending JPH02288215A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02288215A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997041577A1 (fr) * | 1996-04-26 | 1997-11-06 | Nippon Chemi-Con Corporation | Condensateur a electrolyte solide et sa fabrication |
US6086642A (en) * | 1996-11-20 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Fabrication method of solid electrolytic capacitor |
KR20020084964A (ko) * | 2001-05-03 | 2002-11-16 | 파츠닉(주) | 탄탈 전해 캐패시터의 기상 중합 방법 |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP10895889A patent/JPH02288215A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997041577A1 (fr) * | 1996-04-26 | 1997-11-06 | Nippon Chemi-Con Corporation | Condensateur a electrolyte solide et sa fabrication |
US6086642A (en) * | 1996-11-20 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Fabrication method of solid electrolytic capacitor |
KR20020084964A (ko) * | 2001-05-03 | 2002-11-16 | 파츠닉(주) | 탄탈 전해 캐패시터의 기상 중합 방법 |
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