JPH02281165A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
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- JPH02281165A JPH02281165A JP10297489A JP10297489A JPH02281165A JP H02281165 A JPH02281165 A JP H02281165A JP 10297489 A JP10297489 A JP 10297489A JP 10297489 A JP10297489 A JP 10297489A JP H02281165 A JPH02281165 A JP H02281165A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は半導体検査装置に係り、とくにパッケージング
された半導体素子の検査装置に関する。
された半導体素子の検査装置に関する。
(従来の技術)
従来、パッケージング済みの半導体の電気的諸特性を検
査する工程では、半導体素子のパッケージが多種多用に
わたるため、夫々のパッケージの種類に合わせた専用検
査装置(ICハンドラ)が必要とされていたか、近年の
半導体素子の多品種少量生産化に対応し、測定部のユニ
ット等を交換することで1台で多くの形状の半導体素子
の測定が可能ないわゆるユニバーサルハンドラが開発さ
れている。
査する工程では、半導体素子のパッケージが多種多用に
わたるため、夫々のパッケージの種類に合わせた専用検
査装置(ICハンドラ)が必要とされていたか、近年の
半導体素子の多品種少量生産化に対応し、測定部のユニ
ット等を交換することで1台で多くの形状の半導体素子
の測定が可能ないわゆるユニバーサルハンドラが開発さ
れている。
このようなユニバーサルハンドラへの半導体素子供給形
態として、トレ一方式が知られている。
態として、トレ一方式が知られている。
このトレ一方式のICハンドラは、トレー上に多数例え
ば格子状に素子収容部を設け、この素子収容部内にパッ
ケージ済みの半導体素子例えばQFPSSOP等を収容
し、該トレーから半導体素子を1つずつ取出し、半導体
素子の位置合せを行った後に、ICハンドラのテストヘ
ッドに設けられた検査用端子部に半導体素子を順次当接
して検査するように構成されている。
ば格子状に素子収容部を設け、この素子収容部内にパッ
ケージ済みの半導体素子例えばQFPSSOP等を収容
し、該トレーから半導体素子を1つずつ取出し、半導体
素子の位置合せを行った後に、ICハンドラのテストヘ
ッドに設けられた検査用端子部に半導体素子を順次当接
して検査するように構成されている。
従来のICハンドラにおける検査用端子部としては、断
面口字状の基体の内周面に多数の検査用ピンを弾性を持
たせるように湾曲させて配設し、この検査用ピンが配設
された開口内に半導体素子を抑圧挿入して半導体素子の
各電極端子と検査用ピンとを接触させ、電気的な導通を
得て検査を行うソケット式のものが多用されてきた。
面口字状の基体の内周面に多数の検査用ピンを弾性を持
たせるように湾曲させて配設し、この検査用ピンが配設
された開口内に半導体素子を抑圧挿入して半導体素子の
各電極端子と検査用ピンとを接触させ、電気的な導通を
得て検査を行うソケット式のものが多用されてきた。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、最近、半導体素子の高集積化に伴い、パッケ
ージングされた半導体素子の端子も多端子化、端子の狭
ピッチ化が進んでおり、このような多端子化、狭ピッチ
化された半導体素子の測定を行う場合には、高精度の位
置合せを行い、各電極端子と検査用ピンとを確実に接触
させることが重要である。
ージングされた半導体素子の端子も多端子化、端子の狭
ピッチ化が進んでおり、このような多端子化、狭ピッチ
化された半導体素子の測定を行う場合には、高精度の位
置合せを行い、各電極端子と検査用ピンとを確実に接触
させることが重要である。
しかしながら、上述した従来のソケット式検査用端子部
では、測定用開口内に配設することが可能な検査用ピン
の数やその配設ピッチに限界があり、多端子化、狭ピッ
チ化された半導体素子への対応が不十分であるという問
題があった。
では、測定用開口内に配設することが可能な検査用ピン
の数やその配設ピッチに限界があり、多端子化、狭ピッ
チ化された半導体素子への対応が不十分であるという問
題があった。
また、検査用接触端子としてプローブピン式のものも一
部で用いられているが、ソケットタイプを用いたICハ
ンドラと同様に、上方から半導体素子を接触させる方式
が多用されており、この方式では位置合せ精度を充分に
高めることが困難であり、また多端子化への対応も不十
分であるという問題があった。
部で用いられているが、ソケットタイプを用いたICハ
ンドラと同様に、上方から半導体素子を接触させる方式
が多用されており、この方式では位置合せ精度を充分に
高めることが困難であり、また多端子化への対応も不十
分であるという問題があった。
そこで、半導体ウェハ上に形成された集積回路の検査装
置として実績のあるプローブピン、すなわち検査用接触
端子の下方側から被測定物を接触させ、位置合せ精度を
高めるとともに、接触性を高めたプローブカード技術を
流用することが考えられているが、半導体素子の全体形
状や電極端子の形状に応じて、対応させなければならな
い点も多い。例えば半導体素子の場合、半導体ウェハ上
の集積回路とは異なり、接触部となる電極端子の検査位
置にばらつきがあるため、プローブピンに充分な弾性を
持たせた上で、その信頼性を向上させることか必要であ
る。
置として実績のあるプローブピン、すなわち検査用接触
端子の下方側から被測定物を接触させ、位置合せ精度を
高めるとともに、接触性を高めたプローブカード技術を
流用することが考えられているが、半導体素子の全体形
状や電極端子の形状に応じて、対応させなければならな
い点も多い。例えば半導体素子の場合、半導体ウェハ上
の集積回路とは異なり、接触部となる電極端子の検査位
置にばらつきがあるため、プローブピンに充分な弾性を
持たせた上で、その信頼性を向上させることか必要であ
る。
本発明は、このような課題に対処するためになされたも
ので、多端子化、狭ピッチ化された半導体素子に対して
、高精度の位置合せを可能にするとともに、接触性を高
めて検査の信頼性を向上させた半導体検査装置を提供す
ることを目的としている。
ので、多端子化、狭ピッチ化された半導体素子に対して
、高精度の位置合せを可能にするとともに、接触性を高
めて検査の信頼性を向上させた半導体検査装置を提供す
ることを目的としている。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち第1の本発明の半導体検査装置は、検査台上に
載置された半導体素子の電極端子を、検査用端子部に接
触させて検査を行う半導体検査装置において、バネ機構
を内臓し一部曲折可能なプローブ針の伸縮自在な先端部
を前記半導体素子の電極端子の配列形状に応じて支持基
台の穴の側部に設けた前記検査用端子部を構成し、この
検査用端子部の下方側から前記半導体素子を上昇させ、
前記半導体素子の電極端子を接触させて前記検査を行う
ことを特徴としている。
載置された半導体素子の電極端子を、検査用端子部に接
触させて検査を行う半導体検査装置において、バネ機構
を内臓し一部曲折可能なプローブ針の伸縮自在な先端部
を前記半導体素子の電極端子の配列形状に応じて支持基
台の穴の側部に設けた前記検査用端子部を構成し、この
検査用端子部の下方側から前記半導体素子を上昇させ、
前記半導体素子の電極端子を接触させて前記検査を行う
ことを特徴としている。
また、第2の発明の半導体検査装置は、検査台上に載置
された被検査半導体素子の電極端子を、検査用端子部に
接触させて検査を行う半導体検査装置において、下方に
向けてL字状に曲折して弾性を付与したプローブ針を前
記半導体素子の電極端子の配列形状に応じて支持基台に
配設して前記検査用端子部を構成し、この検査用端子部
の下方側から前記半導体素子を上昇させ、前記プローブ
針のL字先端に前記半導体素子の電極端子を接触させて
前記検査を行うことを特徴としている。
された被検査半導体素子の電極端子を、検査用端子部に
接触させて検査を行う半導体検査装置において、下方に
向けてL字状に曲折して弾性を付与したプローブ針を前
記半導体素子の電極端子の配列形状に応じて支持基台に
配設して前記検査用端子部を構成し、この検査用端子部
の下方側から前記半導体素子を上昇させ、前記プローブ
針のL字先端に前記半導体素子の電極端子を接触させて
前記検査を行うことを特徴としている。
さらに、第3の発明の半導体検査装置は、検査台上に載
置された被検査半導体素子の電極端子を、検査用端子部
に接触させて検査を行う半導体検査装置において、U字
状に曲折して弾性を付与しかつその開放側端部を下方に
向けて突出させたプローブ針を前記半導体素子の電極端
子の配列形状に応じて支持基台に配設して前記検査用端
子部を構成し、この検査用端子部の下方側から前記半導
体素子を上昇させ、前記プローブ針の開放側突出部に前
記半導体素子の電極端子を接触させて前記検査を行うこ
とを特徴としている。
置された被検査半導体素子の電極端子を、検査用端子部
に接触させて検査を行う半導体検査装置において、U字
状に曲折して弾性を付与しかつその開放側端部を下方に
向けて突出させたプローブ針を前記半導体素子の電極端
子の配列形状に応じて支持基台に配設して前記検査用端
子部を構成し、この検査用端子部の下方側から前記半導
体素子を上昇させ、前記プローブ針の開放側突出部に前
記半導体素子の電極端子を接触させて前記検査を行うこ
とを特徴としている。
(作 用)
上記第1の発明の半導体検査装置においては、バネ機構
を内臓したプローブ針を用い、また第2の半導体検査装
置においては、L字状に曲折したプローブ針を用い、さ
らに第3の半導体検査装置においては、U字状に曲折し
たプローブ針を用いることによって、充分な弾性を付与
している。これによって、検査用端子部にその下方側か
ら半導体素子を確実に接触させることが可能となる。し
たがって、高精度な位置合せが可能となる。
を内臓したプローブ針を用い、また第2の半導体検査装
置においては、L字状に曲折したプローブ針を用い、さ
らに第3の半導体検査装置においては、U字状に曲折し
たプローブ針を用いることによって、充分な弾性を付与
している。これによって、検査用端子部にその下方側か
ら半導体素子を確実に接触させることが可能となる。し
たがって、高精度な位置合せが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の半導体検査装置の実施例について図を参
照して説明する。
照して説明する。
装置本体1は、半導体素子(以下、チップと呼ぶ)2を
多数収容したトレー3をロード・アンロドするためのト
レーローダ−系4と、このトレ3から取出されたチップ
2を検査部へ搬送し所定の検査を行う検査ステージ系5
とから構成されている。
多数収容したトレー3をロード・アンロドするためのト
レーローダ−系4と、このトレ3から取出されたチップ
2を検査部へ搬送し所定の検査を行う検査ステージ系5
とから構成されている。
上記トレーローダ−系4には、トレー3を多数棚積み積
層した昇降自在のセンダー機構6、空トレーを一時保管
するためのトレーバッファ機構7、検査の終了したチッ
プ2を収容したトレー3を多数棚積み積層した昇降自在
のレシーバ機構8が図示矢印Y方向に沿って直線状に並
設されている。
層した昇降自在のセンダー機構6、空トレーを一時保管
するためのトレーバッファ機構7、検査の終了したチッ
プ2を収容したトレー3を多数棚積み積層した昇降自在
のレシーバ機構8が図示矢印Y方向に沿って直線状に並
設されている。
また、上記センダー機構6、トレーバッファ機構7、レ
シーバ機構8の上方に設けられた基台9には、この基台
9の長平方向(Y方向)および上下方向(Z方向)に移
動してトレー3を搬送可能に構成されたトレー移載機構
10が配設されている。
シーバ機構8の上方に設けられた基台9には、この基台
9の長平方向(Y方向)および上下方向(Z方向)に移
動してトレー3を搬送可能に構成されたトレー移載機構
10が配設されている。
また、基台9のセンダー機構7側端部には、センダー機
構7の最上段に棚積みされたトレー3から一つずつチッ
プ2を保持してブリアライメン!・ステージ11へと搬
送するチップ搬入機構12が設けられており、−刃基台
9のレシーバ機構8側端部には、アンロードステージ1
3に載置された検査部チップ2を保持してレシーバ機構
9の最上段に棚積みされたトレー3上へと搬送するチッ
プ搬出機構14が設けられている。これらチップ搬入機
構12およびチップ搬出機構14は、夫々、Y方向へ突
出した搬送腕15をX−Z方向に移動させるためのX−
zステージ16と、搬送腕15の側面にY方向に対して
移動自在に設けられチップ2を保持例えば吸着保持する
ための保持部17とから構成されている。
構7の最上段に棚積みされたトレー3から一つずつチッ
プ2を保持してブリアライメン!・ステージ11へと搬
送するチップ搬入機構12が設けられており、−刃基台
9のレシーバ機構8側端部には、アンロードステージ1
3に載置された検査部チップ2を保持してレシーバ機構
9の最上段に棚積みされたトレー3上へと搬送するチッ
プ搬出機構14が設けられている。これらチップ搬入機
構12およびチップ搬出機構14は、夫々、Y方向へ突
出した搬送腕15をX−Z方向に移動させるためのX−
zステージ16と、搬送腕15の側面にY方向に対して
移動自在に設けられチップ2を保持例えば吸着保持する
ための保持部17とから構成されている。
さらに、上記基台9の検査ステージ系5側側面には、チ
ップ2を保持例えば吸着保持するための保持部18a、
18bが所定の間隔をおいて2個設けられ、Y−Z方向
に移動してチップ2を搬送可能に構成されたダブル移載
機構18が配設されている。
ップ2を保持例えば吸着保持するための保持部18a、
18bが所定の間隔をおいて2個設けられ、Y−Z方向
に移動してチップ2を搬送可能に構成されたダブル移載
機構18が配設されている。
また、検査ステージ系5は、チップ2を載置する検査台
19と、この検査台19を塔載し該検査台19をx−y
−z−θ方向に移動させる検査台ステージ20と、検査
台19の移動軌道上に配設され、チップ2の画像を撮像
し最終の位置合せ時の位置合せ情報を検査台ステージ2
0の駆動制御機構へと提供するファインアライメント機
構21と、チップ2の電極端子の形状に合せて多数のプ
ローブ針を配設したプローブコンタクタ22が上方に設
置されている検査部23とを有しており、検査部23位
置に移動した検査台19が上昇して、チップ2の電極端
子がプローブコンタクタ22の各プローブ針に下方側か
ら接触することによって検査が行われるよう構成されて
いる。
19と、この検査台19を塔載し該検査台19をx−y
−z−θ方向に移動させる検査台ステージ20と、検査
台19の移動軌道上に配設され、チップ2の画像を撮像
し最終の位置合せ時の位置合せ情報を検査台ステージ2
0の駆動制御機構へと提供するファインアライメント機
構21と、チップ2の電極端子の形状に合せて多数のプ
ローブ針を配設したプローブコンタクタ22が上方に設
置されている検査部23とを有しており、検査部23位
置に移動した検査台19が上昇して、チップ2の電極端
子がプローブコンタクタ22の各プローブ針に下方側か
ら接触することによって検査が行われるよう構成されて
いる。
ここで、上記プローブコンタクタ22について説明する
。第2図、第3図および第4図は、この実施例の半導体
検査装置で使用したプローブコンタクタ22を示す図で
ある。なお、第2図はその上面を、第3図はその正面を
、第4図はその下面をそれぞれ示す図である。
。第2図、第3図および第4図は、この実施例の半導体
検査装置で使用したプローブコンタクタ22を示す図で
ある。なお、第2図はその上面を、第3図はその正面を
、第4図はその下面をそれぞれ示す図である。
このプローブコンタクタ22は、スプリングプローブ針
31と、このスプリングプローブ針31の測定部となる
先端31aの配列位置を規制する中央部に四角形の開口
部32aが設けられた下部ガイドプレート32と、スプ
リングプローブ針31のテスタ側への接続部となる他端
部31bの配列位置を規制する四角板状の上部ガイドプ
レート33および円板状のセンタープレート34とから
構成されている。なお、このスプリングプローブ針31
は、第5図に示すように、中央部の円筒状保持部311
内にバネ状の導通部312が挿入されているとともに、
この円筒状保持部311に連続して可撓性を有するチュ
ーブ313か設けられており、測定部側先端31aの探
針314がチューブ313から出没自在に構成されてい
る。また、探針314の伸縮ストロークはテスタ側他端
部31bのネジ315によって変更可能とされている。
31と、このスプリングプローブ針31の測定部となる
先端31aの配列位置を規制する中央部に四角形の開口
部32aが設けられた下部ガイドプレート32と、スプ
リングプローブ針31のテスタ側への接続部となる他端
部31bの配列位置を規制する四角板状の上部ガイドプ
レート33および円板状のセンタープレート34とから
構成されている。なお、このスプリングプローブ針31
は、第5図に示すように、中央部の円筒状保持部311
内にバネ状の導通部312が挿入されているとともに、
この円筒状保持部311に連続して可撓性を有するチュ
ーブ313か設けられており、測定部側先端31aの探
針314がチューブ313から出没自在に構成されてい
る。また、探針314の伸縮ストロークはテスタ側他端
部31bのネジ315によって変更可能とされている。
上部ガイドプレート33およびセンタープレート34に
は、テスタ側の端子形状に応じてプローブ針挿入孔33
aおよび34aが穿設されており、スペーサ35を介し
て捩子36.37で組立てられたガイドプレート33お
よびセンタープレート34のプローブ針挿入孔33aお
よび34aに、スプリングプローブ針31が植設されて
いる。
は、テスタ側の端子形状に応じてプローブ針挿入孔33
aおよび34aが穿設されており、スペーサ35を介し
て捩子36.37で組立てられたガイドプレート33お
よびセンタープレート34のプローブ針挿入孔33aお
よび34aに、スプリングプローブ針31が植設されて
いる。
また、下部ガイドプレート32には、その開口部32a
の各辺に沿って内周側に、チップ2のリド列2aの形状
に応じたプローブ針挿入孔32bが穿設されており、ま
たスペーサ38を介して捩子36によってセンタープレ
ート34に固定されている。上部ガイドプレート33お
よびセンタープレート34によって所定の位置に配列さ
れているスプリングプローブ針31は、センタープレト
34の下方から曲折されて、下部ガイドプレト32のプ
ローブ針挿入孔32bまで導かれ、その先端31aが突
出するように植設されて、プローブコンタクタ22を形
成している。
の各辺に沿って内周側に、チップ2のリド列2aの形状
に応じたプローブ針挿入孔32bが穿設されており、ま
たスペーサ38を介して捩子36によってセンタープレ
ート34に固定されている。上部ガイドプレート33お
よびセンタープレート34によって所定の位置に配列さ
れているスプリングプローブ針31は、センタープレト
34の下方から曲折されて、下部ガイドプレト32のプ
ローブ針挿入孔32bまで導かれ、その先端31aが突
出するように植設されて、プローブコンタクタ22を形
成している。
このような構成の半導体検査装置の動作について以下に
説明する。
説明する。
まず、チップ搬入機構12の保持部]7で、トレー3上
のチップ2を吸着保持し、プリアライメントステージ1
1上に搬送移載する。
のチップ2を吸着保持し、プリアライメントステージ1
1上に搬送移載する。
次いで、プリアライメントステージ11でチップ2の画
像を撮像し、正規の基準位置とのずれ量を検出した後、
ダブル移載機構18の一方のチップ保持部18aにてプ
リアライメントステージ11上のチップ2を吸着保持し
、検査台19上へと搬送移載する。この時、検査台19
は所定の受渡し位置で待機しているが、上記プリアライ
メントステージ11でチップ2の位置ずれが検出された
場合には、位置ずれ量に応じて検査台1つは移動補正さ
れて待機しており、常に一定位置にチップ2が載置され
る。なお、この移載の際に、ダブル移載機構18の他方
のチップ保持部18bにて検査台19上の検査終了済み
チップ2は、アンロードステージ13へと搬送移載され
る。
像を撮像し、正規の基準位置とのずれ量を検出した後、
ダブル移載機構18の一方のチップ保持部18aにてプ
リアライメントステージ11上のチップ2を吸着保持し
、検査台19上へと搬送移載する。この時、検査台19
は所定の受渡し位置で待機しているが、上記プリアライ
メントステージ11でチップ2の位置ずれが検出された
場合には、位置ずれ量に応じて検査台1つは移動補正さ
れて待機しており、常に一定位置にチップ2が載置され
る。なお、この移載の際に、ダブル移載機構18の他方
のチップ保持部18bにて検査台19上の検査終了済み
チップ2は、アンロードステージ13へと搬送移載され
る。
この後、ファインアライメント機構21で例えばチップ
2のリード列を撮像し、所定の基準位置からのずれを検
出し、このずれを検査台ステージ20で移動補正した状
態で、検査台19をプローブコンタクタ22下方の検査
部23に移動させる。
2のリード列を撮像し、所定の基準位置からのずれを検
出し、このずれを検査台ステージ20で移動補正した状
態で、検査台19をプローブコンタクタ22下方の検査
部23に移動させる。
そして、検査台19を検査台ステージ20にて上昇させ
、上述第2図ないし第4図に示したプロブコンタクタ2
2のスプリングプローブ31の先端31aにチップ2の
リード列2aを接触させ、電気的な導通を得て図示を省
略したテスタによってチップ2の検査を行う。なお、プ
ローブコンタクタ22とチップ2との接触は、チップ2
のリード列2aに位置のばらつきが多少存在していても
確実に接触するように、チップ2が当接した後に所定の
オーバーロード例えば1.511II11程度余分に上
昇させる。
、上述第2図ないし第4図に示したプロブコンタクタ2
2のスプリングプローブ31の先端31aにチップ2の
リード列2aを接触させ、電気的な導通を得て図示を省
略したテスタによってチップ2の検査を行う。なお、プ
ローブコンタクタ22とチップ2との接触は、チップ2
のリード列2aに位置のばらつきが多少存在していても
確実に接触するように、チップ2が当接した後に所定の
オーバーロード例えば1.511II11程度余分に上
昇させる。
検査終了後は、検査台19を再び移載位置まて移動させ
、ここでダブル移載機構18の一方のチップ保持部18
bにて検査台19上の検査終了済みチップ2を吸着保持
し、アンロードステージ13へ搬送移載するとともに、
ダブル移載機構18の他方のチップ保持部18aにてプ
リアライメントステージ11上の次検査用チップ2を吸
着保持し、検査台19上へと搬送移載する。
、ここでダブル移載機構18の一方のチップ保持部18
bにて検査台19上の検査終了済みチップ2を吸着保持
し、アンロードステージ13へ搬送移載するとともに、
ダブル移載機構18の他方のチップ保持部18aにてプ
リアライメントステージ11上の次検査用チップ2を吸
着保持し、検査台19上へと搬送移載する。
そして、アンロードステージ13上の検査済みチップ2
は、チップ搬出機構14によって、レシーバjJ& ’
tM 8のトレー3上へと移送されるが、この時、検査
により不良と判定されたチップ2は、チップ搬出機構1
4の搬送経路の下方に配置された不良品収容箱に落され
る。
は、チップ搬出機構14によって、レシーバjJ& ’
tM 8のトレー3上へと移送されるが、この時、検査
により不良と判定されたチップ2は、チップ搬出機構1
4の搬送経路の下方に配置された不良品収容箱に落され
る。
上述した一連の動作を繰返すことにより、センダー機構
6のトレー3に収容されたチップ2が順次検査されてレ
シーバ機構8のトレー3上へと収容される。
6のトレー3に収容されたチップ2が順次検査されてレ
シーバ機構8のトレー3上へと収容される。
このように、この実施例の半導体検査装置によれば、プ
ローブコンタクタ22の下方側から半導体索子2を接触
させているため、確実に位置合せを行うことが可能とな
る。そして、この下方側からの接触に対して、一部曲折
可能なスプリングプローブ針31を用い、その先端のみ
をチップ2のリード列2aに応じた配列としているので
、多端子化および狭ピッチ化された半導体素子の検査を
行う際にも、確実に個々に接触を得ることが可能であり
、高精度の検査を実施することができる。
ローブコンタクタ22の下方側から半導体索子2を接触
させているため、確実に位置合せを行うことが可能とな
る。そして、この下方側からの接触に対して、一部曲折
可能なスプリングプローブ針31を用い、その先端のみ
をチップ2のリード列2aに応じた配列としているので
、多端子化および狭ピッチ化された半導体素子の検査を
行う際にも、確実に個々に接触を得ることが可能であり
、高精度の検査を実施することができる。
また、チップ2のリード列2a形状に多少のばらつきが
存在していても、スプリングプローブ針31の伸縮量が
充分にあるため、リード列全体に対して確実で適度な針
圧をもった接触を得ることが可能である。
存在していても、スプリングプローブ針31の伸縮量が
充分にあるため、リード列全体に対して確実で適度な針
圧をもった接触を得ることが可能である。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
第6図および第7図は、他の実施例の半導体検査装置の
プローブコンタクタを示す図であり、他の構成は前述の
実施例と同一構造を有している。
プローブコンタクタを示す図であり、他の構成は前述の
実施例と同一構造を有している。
なお、第6図はその上面を、第7図はその側断面を示し
ている。
ている。
その先端41′aが下方に向けてL字状に曲折された多
数のプローブ針41は、中央部に四角形の開口部42a
を有する四角板状の支持ブロック42上の所定位置に載
置されるとともに、その上部に配置された同様な開口部
43aを有する四角板状のコンタクトブロック43の下
面に形成された溝44内に挿入配置されて保持されてい
る。
数のプローブ針41は、中央部に四角形の開口部42a
を有する四角板状の支持ブロック42上の所定位置に載
置されるとともに、その上部に配置された同様な開口部
43aを有する四角板状のコンタクトブロック43の下
面に形成された溝44内に挿入配置されて保持されてい
る。
コンタクトブロック43の溝44は、それぞれコンタク
トブロック43の各辺から、直行する辺と平行に中心部
に向けて形成されており、第8図に示すように、プロー
ブ針41の直径とほぼ同じ深さでコンタクトブロック4
3の外周側に形成されたプローブ針保持溝部44aと、
このプローブ針保持溝部44aから開口部側に達するプ
ローブ針41の曲折時の逃げ用溝部44bとから構成さ
れている。
トブロック43の各辺から、直行する辺と平行に中心部
に向けて形成されており、第8図に示すように、プロー
ブ針41の直径とほぼ同じ深さでコンタクトブロック4
3の外周側に形成されたプローブ針保持溝部44aと、
このプローブ針保持溝部44aから開口部側に達するプ
ローブ針41の曲折時の逃げ用溝部44bとから構成さ
れている。
また、支持ブロック42の開口部側端部は、その上部が
プローブ針41の曲折を妨げないように、一部切り欠き
(42b)とされているとともに、プローブ針41の横
方向の動きを規制する凸部42cが突設されている。
プローブ針41の曲折を妨げないように、一部切り欠き
(42b)とされているとともに、プローブ針41の横
方向の動きを規制する凸部42cが突設されている。
コンタクトブロック43の上面には、各辺に沿って基板
挿入溝43bが穿設されており、この基板挿入溝43b
内にチップ2の駆動電圧供給用のチップコンデンサ45
が塔載されたプリント基板46が設置されている。そし
て、このチップコンデンサ45からピン47および48
を介して、チップ2の電源用のリード2aに接続されて
いる。
挿入溝43bが穿設されており、この基板挿入溝43b
内にチップ2の駆動電圧供給用のチップコンデンサ45
が塔載されたプリント基板46が設置されている。そし
て、このチップコンデンサ45からピン47および48
を介して、チップ2の電源用のリード2aに接続されて
いる。
なお、チップコンデンサ45はプリント基板46上の任
意の位置に塔載可能とされており、またチップコンデン
サ45はブツシュラバー49によって押圧されており、
この押圧力によってピン47と例えばプローブ針41と
の良好な接続を可能にしている。
意の位置に塔載可能とされており、またチップコンデン
サ45はブツシュラバー49によって押圧されており、
この押圧力によってピン47と例えばプローブ針41と
の良好な接続を可能にしている。
プローブ針41の他方の端部41bは、例えば図示を省
略したテスタ側の接続部形状に応じて、一つ置きに位置
を代えて上方に曲折されている。
略したテスタ側の接続部形状に応じて、一つ置きに位置
を代えて上方に曲折されている。
上記構造のプローブコンタクタにおいても、上述の実施
例と同様に、検査台上に載置されたチップ2が上昇し、
チップ2のリード列2aとプローブ針41の先端41a
とが接触する。そして、テスター側からの測定電圧の印
加により、チップコンデンサ45によって高周波成分の
ノイズ除去とVccの電圧降下を補うことによる安定し
た検査測定が行われる。
例と同様に、検査台上に載置されたチップ2が上昇し、
チップ2のリード列2aとプローブ針41の先端41a
とが接触する。そして、テスター側からの測定電圧の印
加により、チップコンデンサ45によって高周波成分の
ノイズ除去とVccの電圧降下を補うことによる安定し
た検査測定が行われる。
この実施例のプローブコンタクタによれば、プローブ針
41を下方に向けてL字状に曲折することによって弾性
を持たせているため、下方がら接触するチップ2に対し
て確実で安定した針圧をもった接触を得ることが可能で
あり、またプローブ針41の弾性部すなわち曲折部を充
分に長くすることができるため、予期せぬ過オーバーロ
ードが加わった際のプローブ針41が受けるダメージを
押えることにより耐久性が向上する。また、プロブ針4
1を直接支持ブロック42とコンタクトブロック43と
によって保持しているため、狭ピッチで多数のプローブ
針41を配置でき、多端子化された半導体素子に対して
も充分に対応することが可能である。
41を下方に向けてL字状に曲折することによって弾性
を持たせているため、下方がら接触するチップ2に対し
て確実で安定した針圧をもった接触を得ることが可能で
あり、またプローブ針41の弾性部すなわち曲折部を充
分に長くすることができるため、予期せぬ過オーバーロ
ードが加わった際のプローブ針41が受けるダメージを
押えることにより耐久性が向上する。また、プロブ針4
1を直接支持ブロック42とコンタクトブロック43と
によって保持しているため、狭ピッチで多数のプローブ
針41を配置でき、多端子化された半導体素子に対して
も充分に対応することが可能である。
次に、本発明のさらに他の実施例について説明する。
第9図および第10図は、他の実施例の半導体検査装置
のプローブコンタクタを示す図であり、他の構成は前述
の実施例と同一構造を有している。
のプローブコンタクタを示す図であり、他の構成は前述
の実施例と同一構造を有している。
なお、第9図はその上面を、第10図はその側断面を示
している。
している。
図中51は、中央部に四角形の開口部51aを有する絶
縁性支持基板であり、上記開口部51aの各辺に沿って
、その先端52aを開口部51a内に突出するようにプ
ローブ針52か配設されている。
縁性支持基板であり、上記開口部51aの各辺に沿って
、その先端52aを開口部51a内に突出するようにプ
ローブ針52か配設されている。
プローブ針52は、第11図に示すように、絶縁性支持
基板51の下面に沿って、内側に向けてU字状に曲折さ
れて弾性が付与されており、接触部となる先端52aは
、下方に向けて曲折されている。また、絶縁性支持基板
51の下面には、U字状に曲折されたプローブ針52の
内側に位置するよう支持ブロック53が設けられており
、この支持ブロック53によってプローブ針52が固定
されている。
基板51の下面に沿って、内側に向けてU字状に曲折さ
れて弾性が付与されており、接触部となる先端52aは
、下方に向けて曲折されている。また、絶縁性支持基板
51の下面には、U字状に曲折されたプローブ針52の
内側に位置するよう支持ブロック53が設けられており
、この支持ブロック53によってプローブ針52が固定
されている。
絶縁性支持基板51の上面には、各辺に沿って接続部用
凹部54が設けられており、この接続部用四部54内か
らプローブ針52に向けてピン55が植設され、各プロ
ーブ針52と電気的に接続されている。
凹部54が設けられており、この接続部用四部54内か
らプローブ針52に向けてピン55が植設され、各プロ
ーブ針52と電気的に接続されている。
上記構造のプローブコンタクタにおいても、上述の実施
例と同様に、検査台上に載置されたチップが上昇し、チ
ップのリード列とプローブ針522の先端52aとが接
触し、ピン55と電気的に接続されたテスタによって検
査が行われる。
例と同様に、検査台上に載置されたチップが上昇し、チ
ップのリード列とプローブ針522の先端52aとが接
触し、ピン55と電気的に接続されたテスタによって検
査が行われる。
この実施例のプローブコンタクタによれば、プローブ針
52をU字状に曲折することによって弾性を持たせてい
るため、下方から接触するチップに対して適度な接触圧
をもって接触することが可能である。また、プローブ針
52を直接支持基板51に設置しているため、狭ピッチ
で多数のプロブ針52を配置でき、多端子化された半導
体素子に対しても充分に対応することが可能である。
52をU字状に曲折することによって弾性を持たせてい
るため、下方から接触するチップに対して適度な接触圧
をもって接触することが可能である。また、プローブ針
52を直接支持基板51に設置しているため、狭ピッチ
で多数のプロブ針52を配置でき、多端子化された半導
体素子に対しても充分に対応することが可能である。
[発明の効果]
以」二説明したように、本発明の半導体検査装置によれ
ば、下方から半導体素子を確実に接触させ2す ることかでき、よって高精度の位置合せが実現でき、検
査精度の向上とともに装置のスループットの向上を図る
ことができる。
ば、下方から半導体素子を確実に接触させ2す ることかでき、よって高精度の位置合せが実現でき、検
査精度の向上とともに装置のスループットの向上を図る
ことができる。
第1図は本発明の一実施例による半導体検査装置の構成
を示す図、第2図は第1図の実施例のプローブコンタク
タの上面図、第3図はその一部断面側面図、第4図はそ
の下面図、第5図はその要部を示す断面図、第6図は他
の実施例のプローブコンタクタの上面図、第7図はその
側断面図、第8図はその要部を示す図、第9図はさらに
他の実施例のプローブコンタクタの上面図、第10図は
その側断面図、第11図はその要部を示す図である。 1・・・・・・装置本体、2・・・・・・チップ、3・
・・・・・トレー4・・・・・・トレーローダ−系、5
・・・・・・検査ステージ系、19・・・・・・検査台
、20・・・・・・検査台ステージ、22・・・・・・
プローブコンタクタ、23・・・・・・検査部、31・
・・・・・スプリングプローブ針、32・・・・・上部
ガイドプレート、33・・・・・・下部ガイドプレート
、34・・・・・・センタプレート、41・・・・・・
L字状プローブ針、42・・・・・・支持ブロック、4
3・・・・・・コンタクトブロック、51・・・・・・
絶縁性支持基板、52・・・・・・U字状プローブ針。
を示す図、第2図は第1図の実施例のプローブコンタク
タの上面図、第3図はその一部断面側面図、第4図はそ
の下面図、第5図はその要部を示す断面図、第6図は他
の実施例のプローブコンタクタの上面図、第7図はその
側断面図、第8図はその要部を示す図、第9図はさらに
他の実施例のプローブコンタクタの上面図、第10図は
その側断面図、第11図はその要部を示す図である。 1・・・・・・装置本体、2・・・・・・チップ、3・
・・・・・トレー4・・・・・・トレーローダ−系、5
・・・・・・検査ステージ系、19・・・・・・検査台
、20・・・・・・検査台ステージ、22・・・・・・
プローブコンタクタ、23・・・・・・検査部、31・
・・・・・スプリングプローブ針、32・・・・・上部
ガイドプレート、33・・・・・・下部ガイドプレート
、34・・・・・・センタプレート、41・・・・・・
L字状プローブ針、42・・・・・・支持ブロック、4
3・・・・・・コンタクトブロック、51・・・・・・
絶縁性支持基板、52・・・・・・U字状プローブ針。
Claims (3)
- (1)検査台上に載置された被検査半導体素子の電極端
子を、検査用端子部に接触させて検査を行う半導体検査
装置において、 バネ機構を内臓し一部曲折可能なプローブ針の伸縮自在
な先端部を前記半導体素子の電極端子の配列形状に応じ
て支持基台の穴の側部に設けた前記検査用端子部を構成
し、この検査用端子部の下方側から前記半導体素子を上
昇させ、前記半導体素子の電極端子を接触させて前記検
査を行うことを特徴とする半導体検査装置。 - (2)検査台上に載置された被検査半導体素子の電極端
子を、検査用端子部に接触させて検査を行う半導体検査
装置において、 下方に向けてL字状に曲折して弾性を付与したプローブ
針を前記半導体素子の電極端子の配列形状に応じて支持
基台に配設して前記検査用端子部を構成し、この検査用
端子部の下方側から前記半導体素子を上昇させ、前記プ
ローブ針のL字先端に前記半導体素子の電極端子を接触
させて前記検査を行うことを特徴とする半導体検査装置
。 - (3)検査台上に載置された被検査半導体素子の電極端
子を、検査用端子部に接触させて検査を行う半導体検査
装置において、 U字状に曲折して弾性を付与しかつその開放側端部を下
方に向けて突出させたプローブ針を前記半導体素子の電
極端子の配列形状に応じて支持基台に配設して前記検査
用端子部を構成し、この検査用端子部の下方側から前記
半導体素子を上昇させ、前記プローブ針の開放側突出部
に前記半導体素子の電極端子を接触させて前記検査を行
うことを特徴とする半導体検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10297489A JPH02281165A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10297489A JPH02281165A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02281165A true JPH02281165A (ja) | 1990-11-16 |
Family
ID=14341721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10297489A Pending JPH02281165A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02281165A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04117448U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-21 | 関西日本電気株式会社 | 電子部品試験用治具 |
JPH0758169A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バックリングビームテストプローブアセンブリ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122141A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
JPS63151037A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 半導体素子の検査方法 |
JPS63215974A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Nec Corp | ハンドリング装置 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10297489A patent/JPH02281165A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122141A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
JPS63151037A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 半導体素子の検査方法 |
JPS63215974A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-08 | Nec Corp | ハンドリング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04117448U (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-21 | 関西日本電気株式会社 | 電子部品試験用治具 |
JPH0758169A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バックリングビームテストプローブアセンブリ |
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