JPH02267196A - Method for selectivity growing crystal of silicon carbide - Google Patents
Method for selectivity growing crystal of silicon carbideInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はシリコン基板上の炭化硅素の選択的成長方法に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for selectively growing silicon carbide on a silicon substrate.
（従来の技術）
ＣＶＤ法による炭化硅素（ＳｉＣ）結晶成長において、
大口径の基板に均一に、あるいは特定の場所に制御住良
＜ ＳｉＣ膜を形成することはデバイスの設計上重要で
ある。従来、ＳｉＣの結晶の成長は、加熱された基板を
キャリアガスである水素ガスと原料ガスにさらすことに
より行われている。原料ガスとしては、シリコン原料と
してＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉＨ２Ｃ１２などが使用
されている。また、炭素原料としてはＣ３Ｈ５、Ｃ２Ｈ
２などが使用されている。基板としては、シリコン、サ
ファイアなどが用いられている。ＳｉＨ４とＣ２Ｈ２を
原料とし、基板としてはシリコンを用いた結晶成長例に
取って説明する。縦型あるいは横型の反応管の中に、通
常〜１４００度に加熱したサセプタ上にシリコン基板を
保持し、キャリアガスである水素ガスに対して数％程度
のＳｉＨ４ガスならびにＣ２Ｈ２ガスを混合したものを
反応管の上流から流すことにより基板の上にＳｉＣを堆
積させている。また、成長に先立って、炭化法あるいは
スパッタ法などによりバッファー層を形成することもあ
る。(Prior art) In silicon carbide (SiC) crystal growth by CVD method,
Forming a controlled SiC film uniformly or at specific locations on a large-diameter substrate is important in device design. Conventionally, SiC crystal growth has been performed by exposing a heated substrate to hydrogen gas, which is a carrier gas, and source gas. As the raw material gas, SiH4, Si2H6, 5iH2C12, etc. are used as silicon raw materials. In addition, carbon raw materials include C3H5, C2H
2 etc. are used. Silicon, sapphire, etc. are used as the substrate. An example of crystal growth using SiH4 and C2H2 as raw materials and silicon as a substrate will be explained. A silicon substrate is held on a susceptor heated to usually ~1400 degrees in a vertical or horizontal reaction tube, and a mixture of SiH4 gas and C2H2 gas of several percent to the carrier gas hydrogen gas is mixed. SiC is deposited on the substrate by flowing from upstream of the reaction tube. Furthermore, prior to growth, a buffer layer may be formed by a carbonization method, a sputtering method, or the like.
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来の成長方法で成長を行うと基板全面
にＳｉＣ結晶が成長してしまう。ＳｉＣは化学的に非常
に安定な材料・であるため、全面に成長させた後に、エ
ツチングにより不用な部分を除去することが非猟に困難
であるという問題がある。(Problems to be Solved by the Invention) However, if growth is performed using a conventional growth method, SiC crystals will grow over the entire surface of the substrate. Since SiC is a chemically very stable material, there is a problem in that it is difficult for non-hunters to remove unnecessary parts by etching after growing it on the entire surface.
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
、シリコン基板上の任意の場所に選択的にＳｉＣを成長
させることが可能となるＳｉＣ膜成長方法を提供するこ
とである。An object of the present invention is to provide a method for growing a SiC film that eliminates such conventional drawbacks and allows selective growth of SiC on any location on a silicon substrate.
（問題点を解決するための手段〕
本発明は、シリコン系ガスと炭化水素系ガスを原料とし
たＣＶＤ法により炭化硅素を成長させる方法において、
マスク材で部分的に覆われたシリコン基板」二にシリコ
ン系カスと塩化水素ガスと炭化水素系カスの順もしくは
炭化水素系ガスとシリコン系ガスと塩化水素カスの順に
流す工程を繰り返し行うことを特徴とする炭化硅素の選
択的成長力法を提供するものである。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a method for growing silicon carbide by a CVD method using silicon-based gas and hydrocarbon-based gas as raw materials.
2. Repeat the process of flowing silicon-based scum, hydrogen chloride gas, and hydrocarbon-based scum, or hydrocarbon-based gas, silicon-based gas, and hydrogen chloride scum, in this order. This invention provides a method for the selective growth of silicon carbide, which is characterized by its characteristics.
本発明によれば、ギヤリアカスと原料カスの他にＨＣＩ
ガスを用い、例えば塩化シリコン系カスあるいは水素化
シリコン系ガス、塩化水素カス、炭化水素系ガスの順番
か、あるいは炭化水素系カス、塩化シリコン系ガスある
いは水素化シリコン系カス、塩化水素ガスの順番にガス
を）Ａシずことを−サイクルとして、このサイクルを何
度も行なうこと、基板として基板表面の一部がマスク利
により覆われているシリコンを使用することに」：リシ
リコン基板」−に選択成長を行うことが可能となる。According to the present invention, in addition to gear scrap and raw material scrap, HCI
Using gases, for example, silicon chloride gas or silicon hydride gas, hydrogen chloride gas, and hydrocarbon gas, or hydrocarbon gas, silicon chloride gas or silicon hydride gas, and hydrogen chloride gas. This cycle is repeated many times, and a silicon substrate with a part of the substrate surface covered by a mask is used as the substrate. Selective growth becomes possible.
原料ガスあるいはギヤリアガスとＭＣＩカスとの流量比
は原料ガス量ならびにギヤリアカス量あるいは成長温度
などにより異なり、使用される原料ガスならびにキャリ
アガス量に於て選択成長膜が得られる最適の役割に適宜
選択され得る。The flow rate ratio of the raw material gas or gear gas to the MCI residue varies depending on the raw material gas amount, the gear rear gas amount, the growth temperature, etc., and is selected appropriately depending on the raw material gas and carrier gas amount used to play an optimal role in obtaining a selectively grown film. obtain.
また、それぞれのガスを流している時間あるいはカスを
流さない時間に関しても選択成長膜が得られる割合に適
宜選択される。Further, the time during which each gas is flowed or the time during which the residue is not flowed is appropriately selected so that a selectively grown film can be obtained.
（作用）
これまでの成長に於て選択成長が実現できなかった原因
に次のことが挙げられる。これまでの成長方法では、シ
リコン基板の上だけでなくマスク拐として用いられた誘
電体絶縁材料の上にもジノコン原子が堆積することが考
えられる。これはシリコンの結晶成長において、通常、
選択性なくシリコン基板の上と同様に誘電体絶縁膜上に
もシリコンが堆積することから類推される。このように
−度堆積したシリコン原子と炭素原子が反応するとそこ
でＳｉＣが生成される。このように−度生成して基板上
に堆積したＳｉＣは再び気相に離脱する可能性はほとん
どない。また、このようなＳｉＣがいくつか集まると基
板上を泳動することも不可能となる。このため、ある材
料の上にはＳｉＣが成長するが、ある材料の」二にはＳ
ｉＣが成長しないという選択性は得られない。選択性を
実現するためには、ＳｉＣ膜を成長させたくないところ
にはシリコンを吸着さぜないか、あるいは吸着してもす
みやかに表面から離脱するようにすれば良い。ここで重
要なことは、ＳｉＣとして取り込まれたシリコン原子は
ＳｉＣの構成元素として安定であり容易にエツチングさ
れないのに列して、誘電体絶縁膜などのシリコン以外の
材料からなるマスクオＡの」−に存在するシリコン原子
は容易にエツチングすることが可能であることである。(Effects) The reasons why selective growth has not been achieved in the past growth are as follows. With conventional growth methods, it is conceivable that dinocon atoms are deposited not only on the silicon substrate but also on the dielectric insulating material used as a mask. This is usually the case in silicon crystal growth.
This can be inferred from the fact that silicon is deposited on the dielectric insulating film as well as on the silicon substrate without selectivity. When the silicon atoms deposited in this manner react with carbon atoms, SiC is generated. The SiC thus generated and deposited on the substrate has almost no possibility of being released into the gas phase again. Moreover, if several such SiCs gather, it becomes impossible to migrate on the substrate. For this reason, SiC grows on a certain material, but S
Selectivity such that iC does not grow cannot be obtained. In order to achieve selectivity, silicon should not be adsorbed in areas where it is not desired to grow a SiC film, or even if silicon is adsorbed, it should be quickly released from the surface. What is important here is that the silicon atoms incorporated into SiC are stable as a constituent element of SiC and are not easily etched, while the mask layer A made of materials other than silicon, such as dielectric insulating films. The silicon atoms present in the silicon atoms can be easily etched.
ＳｉＣ結晶をエツチングすることなく、シリコン結晶を
エツチングすることが出来るカスとしてはＨＣＩガスが
ある。このため、原本ｌガスとキャリアガスにＨＣＩガ
スを混合することにより選択成長が可能となる。誘電体
絶縁膜を利用した選択成長に於て、誘電体絶縁膜の上に
堆積しノコシリコン原子は次に流されるＭＣＩガスのエ
ツチング効果により除去される。このため、誘電体絶縁
膜の上にＳｉＣは成長することが出来ない。さらに、１
０００’Ｃの温度では、酸化膜上に炭素原子は堆積しな
い。HCI gas is a gas that can etch silicon crystals without etching SiC crystals. Therefore, selective growth is possible by mixing HCI gas with the original l gas and carrier gas. In selective growth using a dielectric insulating film, the silicon atoms deposited on the dielectric insulating film are removed by the etching effect of the MCI gas that is subsequently flowed. Therefore, SiC cannot be grown on the dielectric insulating film. Furthermore, 1
At a temperature of 000'C, no carbon atoms are deposited on the oxide film.
一方、選択成長用基板の開口部であるシリコン結晶上に
は通常の成長であるのでＳｉＣ結晶を成長させることが
可能となる。On the other hand, it is possible to grow a SiC crystal on the silicon crystal which is the opening of the substrate for selective growth because it is a normal growth.
（実施例）
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。(Example) Next, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
（実施例１）
第１図は本発明の方法に用いられる半導体成長装置の一
例を示す概略構成図である。(Example 1) FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a semiconductor growth apparatus used in the method of the present invention.
装置は、成長を行う反応管１、基板８を保持するための
サセプタ（ＳｉＣコートしたグラファイト製）２、基板
８ならびにサセプタ２、加熱装置３、ボンベ４ａ。The apparatus includes a reaction tube 1 for performing growth, a susceptor (made of SiC-coated graphite) 2 for holding a substrate 8, a substrate 8 and the susceptor 2, a heating device 3, and a cylinder 4a.
４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄ、ガスミキサー５、流量制御部６
、各ガスの精製装置７ａ、 ７ｂから構成されている。4b, 4c, 4d, gas mixer 5, flow rate controller 6
, gas purifiers 7a and 7b.
原料ガスとしては１００％５ｉＨ２Ｃ１２カス、水素５
％希釈Ｃ２Ｈ２ガス、エツチングガスとしては１００％
ＨＣＩガス、ギヤリアガスとしては水素を使用している
。キＡ・リアガスは高純度精製装置により精製して使用
した。基板としては、（１００）の面方位をもつ直径３
インチのシリコン基板に酸化膜を熱堆積法により約５０
００人堆積させたものを、ＲＩＥ法により一部ドライエ
ツチングを行い、その後約４００Å犠牲酸化によりダメ
ージ層を除去した選択成長用基板（図２）を用いた。基
板の前処理としてはブランソン洗浄を行った。基板を水
素６１／ｍｉｎ、温度１０００°Ｃ１時間５分の条件で
ベーキングすることによりシリコン基板表面の自然酸化
膜を除去したのち、水素６１／ｍｉｎ、 Ｃ２Ｈ２１０
ｃｃ／ｍｉｎ、 ？Ｈ度１００００Ｃ１時間１０分間炭
化を行った。その後、水素６１／ｍｉｍ、 Ｃ２Ｈ２を
１０ｃｃ／ｍｉｎ ３０秒の条件で流した。Raw material gas is 100% 5iH2C12 residue, hydrogen 5
% diluted C2H2 gas, 100% as etching gas
Hydrogen is used as HCI gas and gear gas. KIA/Rear gas was purified using a high purity purification device and used. The substrate has a diameter of 3 with a plane orientation of (100).
Approximately 50cm oxide film is deposited on a silicon substrate using thermal deposition method.
A substrate for selective growth (FIG. 2) was used in which a portion of the deposited layer was dry-etched using the RIE method, and then the damaged layer was removed by sacrificial oxidation to a thickness of about 400 Å. Branson cleaning was performed as a pretreatment for the substrate. After removing the natural oxide film on the surface of the silicon substrate by baking the substrate at 61/min of hydrogen at a temperature of 1000°C for 1 hour and 5 minutes, the substrate was baked with 61/min of hydrogen and C2H210.
cc/min, ? Carbonization was carried out for 1 hour and 10 minutes at a degree of H of 10,000C. Thereafter, hydrogen was flowed at 61/min and C2H2 was flowed at 10 cc/min for 30 seconds.
その後、３０秒間水素ガスのみを流して管内をパージし
た。次に５ｉＨ２ＣＩ２を５ｃｃ／ｍｉｎ ３０秒間流
した。次に、水素ガスだけを３０秒間流した後、最後に
ＨＣＩを２００ｃｃ／ｍｉｎ ３０秒間流した。成長温
度１０００’Ｃの条件でこのくりかえしを行った。その
結果、ＳｉＣ層を基板のシリコンが露出した部分にのみ
選択的に成長することが出来た。本実施例に於ては、マ
スク材として酸化膜を用いた場合に関して説明したが、
窒化膜などの他の材料を用いても同様な効果が得られる
。また、本実施例に於ては、シリコンの原料ガスとして
５ｉＨ２Ｃ１２を用いたが、他の塩化シリコン系ガスに
おいても同様な結果が得られる。なお、このＳｉＣの選
択成長は、基板温度６５０〜１３００°Ｃの間で、成長
圧力は常圧以下で確認できた。ガス流量゛・、（７）
についてもマスク材上に核成長が起こらない範囲であれ
ば可変である。Thereafter, the inside of the tube was purged by flowing only hydrogen gas for 30 seconds. Next, 5iH2CI2 was flowed at 5 cc/min for 30 seconds. Next, only hydrogen gas was flowed for 30 seconds, and finally, HCI was flowed at 200 cc/min for 30 seconds. This process was repeated at a growth temperature of 1000'C. As a result, the SiC layer could be selectively grown only on the exposed silicon portions of the substrate. In this example, the case where an oxide film was used as the mask material was explained, but
Similar effects can be obtained using other materials such as nitride films. Further, in this example, 5iH2C12 was used as the raw material gas for silicon, but similar results can be obtained with other silicon chloride-based gases. Note that this selective growth of SiC was confirmed at a substrate temperature of 650 to 1300° C. and a growth pressure below normal pressure. The gas flow rate ゛·, (7) can also be varied as long as it does not cause nucleus growth on the mask material.
（実施例２）
第１図は本発明の方法に用いられる半導体成長装置の一
例を示す概略構成図である。(Example 2) FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a semiconductor growth apparatus used in the method of the present invention.
装置は、成長を行う反応管１、基板８を保持するための
サセプタ（ＳｉＣコートしたグラファイト製）２、基板
８ならびにサセプタ２、加熱装置３、ボンベ４ａ。The apparatus includes a reaction tube 1 for performing growth, a susceptor (made of SiC-coated graphite) 2 for holding a substrate 8, a substrate 8 and the susceptor 2, a heating device 3, and a cylinder 4a.
４ｂ、 ４ｃ、 ４ｄ、ガスミキサー５、流量制御部６
、各ガスの精製装置’ｌａ、１ｂから構成されている。4b, 4c, 4d, gas mixer 5, flow rate controller 6
, gas purifiers 'la and 1b.
原料ガスとしては５％希釈ＳｉＨ４ガス、水素５％希釈
Ｃ２Ｈ２ガス、エツチングガスとしては１００％ＨＣＩ
ガス、キャリアガスとしては水素を使用している。キャ
リアガスは高純度精製装置により精製して使用した。基
板としては、（１００）の面方位をもつ直径３インチの
シリコン基板に酸化膜を熱堆積法により約５０００人堆
積させたものを、ＲＩＥ法により一部ドライエツチング
を行い、その後約４００人犠牲酸化によりダメージ層を
除去した選択成長用基板（第２図）を用いた。基板の前
処理としてはブランソン洗浄を行った。基板を水素６１
／ｍｉｎ、温度１０００°Ｃ１時間５分の条件でベーキ
ングすることによりシリコン基板表面の自然酸化膜を除
去したのち、水素６１／ｍｉｎ、 Ｃ２Ｈ２１０ｃｃ／
ｍｉｎ、温度１０００°Ｃ１時間１０分間炭化を行った
。その後、水素６１／ｍｉｎ、３０秒間水素ガスのみを
流して管内をパージした。次にＳｉＨ４を５ｃｃ／ｍｉ
ｎ ３０秒間流した。次に、水素ガスだけを３０秒間流
した後、ＨＣＩを２００ｃｃ／ｍｉｎ ３０秒間流した
。最後に、Ｃ２Ｈ２を１０ｃｃ／ｍ１ｎ３０秒の条件で
流した。成長温度１０００°Ｃの条件でこのくりかえし
を行った。その結果、ＳｉＣ層を基板のシリコンが露出
した部分にのみ選択的に成長することが出来た。本実施
例に於ては、マスク材として酸化膜を用いた場合に関し
て説明したが、窒化膜などの他の材料を用いても同様な
効果が得られる。また、本実施例に於ては、シリコンの
原料としてＳｉＨ４を用いたが、Ｓｉ２Ｈ６のような他
の水素化シリコン系ガスにおいても同様な結果が得られ
る。なお、このＳｉＣの選択成長は、基板温度９００〜
１３００°Ｃ１成長圧力は常圧以下で確認できた。Raw material gas is 5% diluted SiH4 gas, hydrogen 5% diluted C2H2 gas, and etching gas is 100% HCI.
Hydrogen is used as the gas and carrier gas. The carrier gas was purified using a high-purity purification device. The substrate was a 3-inch diameter silicon substrate with a (100) plane orientation, on which approximately 5,000 people deposited an oxide film using a thermal deposition method, and a portion of it was dry-etched using the RIE method, and then approximately 400 people were sacrificed. A substrate for selective growth (FIG. 2) from which a damaged layer had been removed by oxidation was used. Branson cleaning was performed as a pretreatment for the substrate. Substrate with hydrogen 61
After removing the natural oxide film on the surface of the silicon substrate by baking at a temperature of 1000°C for 1 hour and 5 minutes, hydrogen was heated at 61/min and C2H210cc/min.
Carbonization was performed for 1 hour and 10 minutes at a temperature of 1000°C. Thereafter, the inside of the tube was purged by flowing only hydrogen gas at a rate of 61/min for 30 seconds. Next, add SiH4 at 5cc/mi
n 30 seconds. Next, only hydrogen gas was flowed for 30 seconds, and then HCI was flowed at 200 cc/min for 30 seconds. Finally, C2H2 was flowed at 10 cc/ml for 30 seconds. This process was repeated at a growth temperature of 1000°C. As a result, the SiC layer could be selectively grown only on the exposed silicon portions of the substrate. Although this embodiment has been described using an oxide film as the mask material, similar effects can be obtained using other materials such as a nitride film. Furthermore, in this example, SiH4 was used as the raw material for silicon, but similar results can be obtained with other silicon hydride gases such as Si2H6. Note that this selective growth of SiC is performed at a substrate temperature of 900~
The 1300°C1 growth pressure was confirmed to be below normal pressure.
ガス流量についてもマスク材上に核成長が起こらない範
囲であれば可変である。The gas flow rate is also variable as long as it does not cause nuclear growth on the mask material.
以」二の実施例においては、ＳｉＣ原料として、塩化シ
リコン系ガスもしくは水素化シリコンガスを炭素系ガス
はＣ２Ｈ２ガスを各々用いたが、本発明の効果は原料ガ
スの種類に依存するものでなく、要は原料ガスと塩化水
素ガスを交互に供給すれば良い。In the following two examples, silicon chloride gas or silicon hydride gas was used as the SiC raw material, and C2H2 gas was used as the carbon gas, but the effects of the present invention do not depend on the type of raw material gas. In short, it is sufficient to alternately supply the raw material gas and the hydrogen chloride gas.
（発明の効果）
以上詳細に述べた通り、本発明の方法によればＣＶＤ法
によりシリコン基板上にＳｉＣ膜を成長させる際に、キ
ャリアガスと原料ガスの他にシリコンのエツチングガス
であるＨＣＩガスを用い、シリコン系ガス、塩化水素ガ
ス、炭化水素系ガスの順番か、あるいは炭化水素系ガス
、シリコン系ガス、塩化水素ガスの順番にガスを流すこ
とを−サイクルとして、このサイクルを何度も行うこと
、かつ基板として基板表面の一部がマスク材により覆わ
れているシリコンを使用することにより、マスク材上に
堆積したシリコン原子を除くことができる。このためＳ
ｉＣの選択成長を従来よりも確実に行うことが出来る。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the method of the present invention, when growing a SiC film on a silicon substrate by the CVD method, HCI gas, which is a silicon etching gas, is used in addition to the carrier gas and source gas. This cycle is defined as a cycle in which the gases are flowed in the order of silicon gas, hydrogen chloride gas, and hydrocarbon gas, or hydrocarbon gas, silicon gas, and hydrogen chloride gas, and this cycle is repeated many times. By doing this and using silicon as a substrate whose surface is partially covered with a mask material, silicon atoms deposited on the mask material can be removed. For this reason, S
Selective growth of iC can be performed more reliably than before.
第１図は本発明の方法に用いられる半導体装置の一例を
示す概略構成図、第２図は選択成長に際して用いた基板
の概略を示す図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an example of a semiconductor device used in the method of the present invention, and FIG. 2 is a diagram schematically showing a substrate used in selective growth.
Claims (1)
Ｄ法により炭化硅素を成長させる方法において、マスク
材で部分的に覆われたシリコン基板上にシリコン系ガス
と塩化水素ガスと炭化水素系ガスの順番か炭化水素系ガ
スシリコン系ガスと塩化水素ガスの順にガスを流す工程
を繰り返し行うことを特徴とする炭化硅素の選択的成長
方法。 ２）請求項１記載のシリコン系ガスとして水素化シリコ
ン系ガスを用いることを特徴とする炭化硅素の選択的成
長方法。 ３）請求項１記載のシリコン系ガスとして塩化シリコン
系ガスを用いることを特徴とする炭化硅素の選択的成長
方法。[Claims] 1) CV using silicon gas and hydrocarbon gas as raw materials
In the method of growing silicon carbide using method D, silicon-based gas, hydrogen chloride gas, and hydrocarbon-based gas are grown on a silicon substrate partially covered with a mask material. A method for selectively growing silicon carbide, characterized by repeatedly performing the steps of flowing gas in the following order. 2) A method for selectively growing silicon carbide, characterized in that a silicon hydride gas is used as the silicon gas according to claim 1. 3) A method for selectively growing silicon carbide, characterized in that a silicon chloride-based gas is used as the silicon-based gas according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8862089A JPH02267196A (en) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | Method for selectivity growing crystal of silicon carbide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8862089A JPH02267196A (en) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | Method for selectivity growing crystal of silicon carbide |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267196A true JPH02267196A (en) | 1990-10-31 |
Family
ID=13947851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8862089A Pending JPH02267196A (en) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | Method for selectivity growing crystal of silicon carbide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267196A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016067918A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-07-20 | 富士電機株式会社 | Method for growing silicon carbide epitaxial film |
| WO2022172787A1 (en) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | 住友電気工業株式会社 | Silicon carbide epitaxial substrate |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP8862089A patent/JPH02267196A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016067918A1 (en) * | 2014-10-31 | 2017-07-20 | 富士電機株式会社 | Method for growing silicon carbide epitaxial film |
| WO2022172787A1 (en) * | 2021-02-15 | 2022-08-18 | 住友電気工業株式会社 | Silicon carbide epitaxial substrate |
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