JPH02266333A - 導波型光スイッチ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は偏光依存性をなくすようにした光スィッチに
関し、例えば分岐干渉器型或は方向性結合器型の光スィ
ッチに適用して好適である。

（従来の技術） 従来より偏光依存性をなくすようにした導波型光スイッ
チの研究及び開発が進められており、この種の光スィッ
チとして例えば文献１　’５ｐｒｉｎｃ＋ｅｒＳｅｒｉ
ｅｓ　ｉｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　ａｎｄ　Ｐｈｏ
ｔｏｎｉｃｓ　２６Ｇｕｉｄｅｄ−Ｗａｖｅ　０ｐｔｏ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　　（ガイデイラド−ウェーブ
　オプトエレクトロニクス）　　１９８８年１月　ｐ１
９８〜１９９Ｊに説明されているものがある。

以下、第５図％９照しこの文献工に示されている従来の
光スィッチにつき簡単に説明する。

第５図は従来の光スィッチの構成を概略的に示す図であ
る。同図において１０は基板、１２及び１４は導波路、
ざらに１６及び１８はＹ分岐を示す。

同図に示す光スィッチにおいては、導波路１２．１４及
びＹ分岐１６．１８をＴｉ拡散によって基板１０に形成
し、Ｙ分岐１６の一方及び他方の分岐をそれぞれ導波路
１２の一方の端部及び導波路１４の一方の端部と結合し
、同様にＹ分岐１８の一方及び他方の分岐をそれぞれ導
波路１２の他方の端部及び導波路１４の他方の端部と結
合する。基板１０としてはＺカットＬ　ｉＮｂ○３基板
を用い、導波路１２及び１４％ｉ板１０の結晶軸のＸ軸
にほぼ沿う方向に設ける。

また２０．２２は光の伝搬経路を制御するための制御電
極を示す、制御電極２０は基板１０の結晶軸のＹ軸にほ
ぼ沿う方向の電界を導波路１０Ｊ２中に形成できるよう
に設けた電極部材２０ａ、２０ｂ、２０ｃから成り、制
御電極２２は基板１０の結晶軸のＹ軸にほぼ沿う方向の
電界を導波路１２．１４中に形成できるように設けた電
極部材２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄから成る。

このような構成の従来スイッチでは、導波路１２Ｊ４を
伝搬する一方の偏光（ＴＥ波）の伝搬経路を制御電極２
０によって、及び他方の偏光（ＴＭ波）の伝搬経路を制
御電極２２によって制御できる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら上述した従来スイッチでは、二組の制御電
極を設け、導波路中を伝搬するＴＥ波の伝搬経路を一方
の組の制御電極で及びＴＭ波の伝搬経路を他方の組の制
御電極で制御する。

従ってそれぞれの組の制御電極（こ対して駆動回路を設
けねばならず、これがため駆動回路の規模が大きくなる
という問題点があった。

この発明の目的は上述した従来の問題点を解決するため
、偏光依存性をなくすようにした光スィッチであって制
御電極の配設個数を従来より低減できる光スィッチを提
供することにある。

（課題を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の導波型光スイッ
チは、 Ｌ　Ｉ　Ｘ　Ｔ　ａ　＋−ｘ　Ｎ　ｂ　０３基板に並置
した第一及び第二導波路と、屈折率を制御するための制
御電極とを備えて成る導波型光スイッチにおいて、第一
及び第二導波路を、基板の結晶軸のＹ軸にほぼ沿う方向
に延在させで設け、 制御電極を、基板の結晶軸のＸ軸にほぼ沿う方向の電界
を第一及び第二導波路中に形成する電極としたことを特
徴とする。

この発明の実施に当っては、制御電極を基板の結晶軸の
２軸にほぼ沿う方向に離間配画した複数個の電極部材か
ら構成するのが好適である。

（作用） このような構成の導波型光スイッチによれば、第一及び
第二導波路を基板の結晶軸の２軸にほぼ沿う方向に延在
させて設け、制御電極によって、基板の結晶軸のＸ軸に
ほぼ治う方向の電界を第及び第二導波路中に形成する。

従って、第一及び第二導波路中にＸ軸にほぼ沿う方向の
電界を形成するとき、Ｘ軸から時計方向にほぼ４５°　
（＋４５°）傾いた偏光軸を何する一方の偏光工と、Ｘ
軸から反時計方向にほぼ４５°　（−４５°）傾いた偏
光軸を有する他方の偏光■とを、第一及び第二導波路に
おいて励起させることができる。

偏光Ｉ及びＨの偏光軸は互いに方向は異なるが、双方共
に基板結晶軸のＸ軸からほぼ４５°傾いているので、こ
れら偏光Ｉ及びＨに対する第−導波路及び第二導波路の
屈折率をそれぞれ電気的に制御して、偏光依存性をなく
すように、偏光Ｉ及びＨの位相差制御を行なったり或は
スイッチング制御を行なったりすることができる。

（実施例） 以下、図面を参照しこの発明の実施例につき説明する。

尚、図面はこの発明が理解できる程度に概略的に示され
ているにすぎず、従って各構成成分の形状、寸法及び配
設値１を図示例に限定するものではない。

策ｆ刊 第１図はこの発明の実施例の第一実施例の構成を概略的
に示す斜視図である。

第一実施例の光スィッチは、ＬｉＮｔ）０３基板２４に
設けた第一導波路２６及び第二導波路２８と、屈折率を
制御するための制御電極３０とを備える。そして導波路
２６．２８を、基板結晶軸のＹ軸にほぼ沿う方向に延在
させて設け、制御電極３０を、基板結晶軸のＸ軸にほぼ
沿う方向の電界を導波路２６．２日中に形成する電極と
した構成を有する。

以下、図面を参照しこの実施例につきより詳細に説明す
る。

第一実施例の光スィッチは、分岐干渉器を用いて１人力
１出力の光スィッチを構成した例である。

この実施例では、Ｌ　ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏ３基板２４！＆Ｘ
板とし、この基板２４に導波路２６．２８と、これら導
波路２６．２８の一方の端部に結合するＹ分岐３２及び
他方の端部（こ結合するＹ分岐３４とを設ける。これら
導波路２６．２８及びＹ分岐３２．３４とが分岐干渉器
を構成する。Ｙ分岐３２の２つの分岐のうち一方の分岐
を導波路２６の一方の端部と結合し及び他方の分岐を導
波路２８の一方の端部と結合し、同様にＹ分岐３４の一
方及び他方の分岐を導波路２６の他方の端部及び導波路
２８の他方の端部と結合する。Ｙ分岐３２．３４の一方
の分岐と導波路２６とが分岐干渉器の一方のアーム（Ａ
ｒｍ）Ａｔを、及びＹ分岐３２．３４の他方の分岐と導
波路２８とが分岐干渉器の他方のアームＡ２を構成する
。

そしてＹ分岐３２．３４を対称７分岐とし、これら分岐
３２．３４の合流部分（図中ハツチングを付して示す）
を基板結晶軸の２軸にほぼ沿う方向に延在させて設ける
。ざらにＹ分岐３２の合流部分の端部に入力ボート３６
を及びＹ分岐３４の合流部分の端部に出力ボート３８を
設ける６例えば基板２４にＴｉ７＆拡散することによっ
て、導波路２６．２８及びＹ分岐３２．３４を形成する
。

さらにこの実施例では、制御電極３０を、第一導波路２
６上に設けた電極部材３０ａと第二導波路２８上に設け
た電極部材３０ｂとから構成する。電極部材３０ａに正
（又は負）及び電極部材３０ｂに貢（又は正）の電圧を
印加することによって、基板結晶軸のＸ軸にほぼ沿う方
向の電場を導波路２６．２８中に形成できる。

次にこの実施例の動作につき説明する。

入力ボート２８から入力した光はＹ分岐３２の分岐点Ｐ
で分岐する０分岐した光はそれぞれ導波路２６．２８を
伝搬したのちＹ分岐３４に入力し、Ｙ分岐３４の分岐点
Ｑで合流する。

分岐点Ｑで合流する光の位相差が、２ｎπであれば合流
した光は出力ボート３日から出力しくＯＮ状態）及び（
２ｎ＋１）ｔｔであれば合流した光は互いに弱めあって
出力ボート３８から出力しないＣ０ＦＦ状態）、但し、
ｎ＝ｏ、１．２、・−・−である。

導波路２６．２８の屈折率を制御電極３０を介して電気
的に変化させると、合流する光の位相差も変化し、従っ
て導波路２６．２８の屈折率制御によって合流する光の
位相差制御ｌを行なえる。

第２図は制御電極に電圧を印加したときの第一及び第二
導波路の屈折率楕円体の一例を示す図であり、第１図に
おける■−■線に沿って取った断面図である。

電極部材３０ａ、　３０ｂに電圧を印加しない状態では
、導波路２６．２８の屈折率は変化せず従って第一導波
路２６の光に対する屈折率楕円体４０及び第二導波路２
８の光に対する屈折率楕円体４２は、図示せずも、円形
状を有し等方的となる。このとき導波路２６．２８に光
を入力するとＴＥ波及びＴＭ波が導波路２６．２８にお
いて励起する。

電圧を印加しない状態では、光は分岐点Ｐで等位相で分
岐し分岐点Ｑで等位相で合流し、従ってＯＮ状態となる
。

一方、制御電極３０の電極部材３０ａ、　３０ｂに上述
のように電圧を印加し導波路２６．２８中に基板結晶軸
のＸ軸にほぼ沿う方向の電場を形成すると、電気光学効
果によって導波路２６．２８の屈折率が変化し、その結
果、屈折率楕円体４０．４２に異方性を生じる。この屈
折率の変化量は電気光学係数γ６．及び電場の強さに応
じた変化量となる。

電極部材３０ａ、３０ｂの印加電圧の大きざを任意好適
に設定することによって、屈折率楕円体４０１ｖ長軸４
０ａ及び短軸４０ｂがＸ軸からほぼ４５°傾いた楕円に
変化古せ、同様に屈折率楕円体４２を長軸４２ａ及び短
軸４２ｂがＸ軸からほぼ４５°傾いた楕円に変化させる
ことができる。長軸４０ａ、　４２ｂはＸ軸からは（Ｋ
　＋　４５°又は−４５°傾き、短軸４０ｂ、４２ｂ　
１（ｔＸ軸からほぼ一４５°又は＋４５゛傾く、第２図
に一例として、長軸４０ａｉＸ軸からほぼ＋４５°傾は
及び長軸４２ａをほぼ−４５°傾けて示した。

屈折率楕円体４０が上述のような楕円のとき導波路２６
に光を入力すると、長軸４０ａを偏光軸とする偏光及び
短軸４０ｂ　８偏光軸とする偏光とが励起し従ってＸ軸
からほぼ＋４５゛傾いた偏光軸を有する偏光Ｉ２１１と
Ｘ軸から一４５゛傾いた偏光軸を有する偏光１１２Ｂと
が導波路２６において励起する。同様に、屈折率楕円体
４２が上述のような楕円のとき導波路２８に光を入力す
ると偏光Ｉ２ａと偏光１１ｚａとが導波路２８において
励起する。

導波路２６の偏光Ｉ２１１に対する屈折率と導波路２８
の偏光１ｚａに対する屈折率との屈折率差、及び、導波
路２６の偏光１１２ＪＩに対する屈折率と導波路２８の
偏光１１２Ｂに対する屈折率との屈折率差は次式（１）
の△ｎで表せる。

△ｎ　＝　２−２”・７ｇ、’ｒ’Ｅｘ　　−−−−−
−（１）但し、ｎｏは常光に対する導波路２δ、２８の
屈折率、「は補正係数及びＥｘは導波路２６．２８にお
けるＸ軸に沿う方向の電界強度である。

ここで基板結晶軸のＹ軸方向における電極部材３０ａ、
　３０ｂの始端位′ＩＩＳ及び終端位冨ＴのＭ面距離を
Ｌとする。Ｙ分岐３２は対称分岐であるので、分岐した
光の始端位Ｉｔｓにおける位相は等位相となる。従って
終端値１［Ｔにおける偏光Ｉ２１１及びＩ２ａの位相差
、及び、偏光Ｈｚｅ及びｌ１２ａの位相差はる）。

Ｙ分岐３４は対称分岐であるので、分岐した光は終端値
ＭＴにおける位相差のまま分岐点Ｑに達し合流する。

電界強度Ｅｘを設定すれば光出力のＯＮ状態、に電界強
度Ｅｘを設定すれば光出力のＯＦＦ状態が得られる。

次に結合方程式を用いてこの実施例の光スィッチを解析
する。この実施例の光スィッチの結合方程式として次式
（２）が得られる。

但し、εｉ　　（１＝１．２）はＸ軸に沿う方向の偏光
（ＴＭ波）の始端位ＭＳでの振幅及びε１°はＹ軸に沿
う方向の偏光（ＴＥ波）の始端位ＭＳでの振幅であり、
ε五、ε童゛はｉ＝１であれば導波路２６で励起する偏
光の振幅を表し及びｉ＝２であれば導波路２８で励起す
る偏光の振幅を表す、ざらにγは電気光学効果の非対角
成分によるＴＭ：ＴＥモート変換項、また６はＴＭ波に
対する導波路２６．２８の等価屈折率とＴＥ波に対する
導波路２６．２８の等価屈折率の差ｆこよる位相項であ
る。このＴＥ波及びＴＭ波の等価屈折率差は、導波路２
６．２８のＸ軸方向における光学的構造とＹ軸方向にお
ける光学的構造とに差があるために生じるものである。

２は基板結晶軸のＹ軸方向の距離及びｊは虚数を表す。

結合方程式（２）の解は、次頁の式（３）となる、但し
、ｉ＝１．２及びＢ＝γ２＋６２　ε１゜はＴＭ波の終
端値ｉ１Ｔでの振幅、ε１０’はＴＥ波の終端値ＭＴの
振幅である。また（３）式においてｉ＝１のとき復号は
−及びｉ＝２のとき復号は十となる。

入力ボート３６から入力した光はＹ分岐３２において等
パワーで分岐し及びＹ分岐３４において等パワーで合流
するので、出力パワーは次頁の式（４）で表せる。但し
、ε（＝ε１＋ε２）及びε°（＝ε、°ε１°十ε２
分岐点Ｑでの光の振幅、またε。（＝ε、。＋ε２０）
及びε。′にε１ｏ°十ε２゜°）は分岐点Ｐでの光の
振幅である。

ＦＦ状態を得ることができることがわかる。

導波路２６．２８の光軸方向１２軸方向がらずらすのよ
うに導波路２６．２８の光軸方向をずらすことによって
、制御電極３０に電圧を印加しないとき導波路のＴＭ波
に対する等価屈折率と導波路のＴＥ波に対する等価屈折
率との差が小さくなり、その結この実施例では、基板２
４としてＸ板を用いたので、次に述べるような利点１）
〜３）を得ることができる。

１）光の伝搬路を構成する導波路２６．２８やＹ分岐３
２．３４の形成のためにＴｉ拡散を行なった場合、導波
路幅方向におけるＴｉの拡散幅が設計条件よりも広くな
るのをＹ板やＺ板の場合に比較して少なくでき、従って
光の伝搬路の曲り部分での曲り０スを低減できる。

２）光スィッチの光損Ｉｉヲ低減できる。

３）焦電効果による光スィッチの光出力特性の劣化を低
減できる。

上述した実施例では、光出力のＯＮ及びＯＦＦ状態を形
成できる特定の条件で導波路２６．２８、制御電極３０
及びＹ分岐３２．３４そのほかの構成成分を作成した例
につき説明したが、ＯＮ及びＯＦＦ状態を形成できる範
囲で各構成成分の作成条件を任意好適に変更してよい。

またこの実施例では、導波路２６．２８の光軸方向うず
らしたが、光出力のＯＮ及び０ＦＦｉｌＪ御を行なえる
のであれば導波路２６．２８の光軸方向を基板結晶軸の
２軸方向と一致させてもよい、また制御電極によって導
波路２６．２８中に形成する電場の方向を基板結晶軸の
Ｘ軸方向に一致させるのが好ましいが、分岐した光の位
相差を制御できるのであれば電場の方向をＸ軸方向に厳
密に一致させなくともよく電場の方向がＸ軸方向からず
れていてもよい。

第Ｕ倒 第３図はこの発明の第二実施例の構成を概略的に示す斜
視図である。尚、上述した実施例において説明した構成
成分と対応する構成成分については同一の符号を付しで
説明し、その詳細な説明を省略する。

第二実施例の光スィッチは、Ｌ　ｉ　Ｎ　ｂ　０３基板
２４に設けた第一導波路４０及び第二導波路４２と、屈
折率を制御するための制御電極４４とを備える。そして
導波路４０．４２を、基板結晶軸のＺ軸にほぼ沿う方向
に延在させて設け、制御電極４４を、基板結晶軸のＸ軸
にほぼ；８う方向の電界を導波路４０．４２中に形成す
る電極とした構成を有する。

以下、図面ｌＦｒ参照しこの実施例につきより詳細に説
明する。

第二実施例の光スィッチは、方向性結合器型の光スィッ
チにこの発明を適用した例である。この実施例では、導
波路４０．４２の一部を光の相互作用そ生じるように近
接させて配置する。第３図中、この導波路４０の近接部
分を符号ａを付して示し及び導波路４２の近接部分を符
号ｂｖ付して示した。少なくとも近接部分ａ及びｂを、
基板結晶軸の２軸にほぼ沿う方向に延在させて設ける。

導波路４０及び４２の一方の端部に入力ボート４６及び
４８を、導波路４０及び４２の他方の端部に出力ボート
５０及び５２を設ける。

そしてこの実施例では、制御電極４４を、近接部分ａ上
に設けた電極部材４４ａと近接部分す上に設けた電極部
材４４ｂとから構成し、従ってこの実施例では近接部分
ａ及びｂ中に基板結晶軸のＸ軸にほぼ治う方向の電場を
制御電極４４によって形成することができる。

この実施例では、結合方程式における位相項６を消去す
るため、近接部分ａ及びｂの光軸方向を、近接部分ａ、
ｂにおいてＴＥ波及びＴＭ波の分散が実質的になくなる
ように、Ｚ軸方向からずらして一致させないようにする
のが好ましい０部分ａ、ｂの光軸方向ｖ！２軸方向から
例えば２°程度ずらせばよい。

位相項６を無視した場合のこの実施例の結合方程式は次
式（５）となる。

但し、ｅｉ　　（ｉ＝１．２）はＴＭ波の振幅及びｅ１
゛はＴＥ波の振幅であり、これらｅｌ、ｅｌ’はｉ＝１
であれば近接部分ａＴ：ｖＪ起した偏光の振幅を表し及
びｉ＝２であれば近接部分すで励起した偏光の振幅を表
す、またｋは結合係数、（ｅ＋士ｅ、′）及び（ｅ２±
ｅ２゛）はＺ軸方向における電極部材４４ａ、４４ｂの
終端位置での光の振幅及び（ｅ＋±ｅＩす。及び（ｅ２
±８２’）ｏはＺ軸方向における電極部材４４ａ、４４
ｂの始端位置での光の振幅を表す。

結合方程式（５）から次頁の式（６）（復号同順）が得
られる。

式（６）から明らかなように（ｅ＋±ｅ、°）と（ｅ２
±ｅ２°）とは完全に独立し、従って近接部分ａ及びｂ
で励起した偏光工と偏光■とを独立に制御でき、従って
偏光依存性のないスイッチング制御を行なえる。

結合方程式（５）の解は次頁の式（７）（復号同ＩＩＮ
）となる。

第二実施例でも、基板２４をＸ板とするので第一実施例
と同様、上述の１）〜３）の効果を得ることができる。

（変形例） 第４図は第二実施例の変形例の構成を概略的に示す斜視
図である。

この変形例では、制御電極４４を基板結晶軸の２軸にほ
ぼ沿う方向に１１間配置した複数個の電極部＋ｌ＋１ 材から構成している他は、上述の第二実施例と同様の構
成を有する。

この変形例では、制御電極４４を反転ΔＢ電極型の電極
とし、電極部材４４ａ　ｌｔ例えば２個の電極部材４４
ａ１及び４４ａ２に分割し、及び電極部材４４ｂを例え
ば２個の電極部材４４ｂ１及び４４ｂ２に分割する。

制御電極４４を反転ΔＢ電極型の電極とすることによっ
て光スイ・シチの作成が容易になるという利点がある０
反転へ〇電極型の制御電極４４によって近接部分ａ、ｂ
中に、電界方向がほぼ＋Ｘ軸方向となる電界及びほぼ−
Ｘ軸方向となる電界とを形成すると、＋Ｘ軸方向の電界
を形成した近接部分ａ、ｂと−Ｘ軸方向の電界を形成し
た近接部分ａ、ｂとにおいでＴＭ：ＴＥモード変換項γ
の符号が逆符号となる。

このようにＴＭ：ＴＥモード変換項γの符号が逆符号と
なり、しかも解（７）が得られることから制御電極４４
を反転Δβ電極型の電極とした場合でも偏光依存性のな
いスイッチング制御を行なえる。

この発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
く、従って各構成成分の寸法、形状、配設位置、形成材
料及びそのほかの条件を任意好適に変更できる。

例えば基板材料としでＬｉＮｂＯ２のほが、Ｌ　ＩＸ　
Ｔａ＋−ｘ　ＮｂＯ３（但しＯ≦Ｘ≦１）を用いて良い
、また第一及び第二導波路を基板結晶軸の２軸にほぼ沿
う方向に延在させて形成でき、かつこれら第一及び第二
導波路中に基板結晶軸のＸ軸にほぼ沿う方向に電場を形
成できるのであれば、基板のカット方向及び電極の配設
位ＭＩＦｒ上述した実施例のみに限定せず任意好適に変
更しでよい。

るようにするのが好ましく、上述したいずれの実施例で
も第一及び第二導波路の光軸を基板結晶軸うにしたが、
このほか従来公知の任意好適な技術１としなくともよい
。

またこの発明の寅施に当っては、制御電極を電気光学効
果の非対角成分を生じるような電極とするのが好ましい
。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の導波型
光スイッチによれば、基板結晶軸のＸ軸から時計方向に
ほぼ４５°　（＋４５°）傾いた偏光軸を有する一方の
偏光工と、Ｘ軸から反時計方向にほぼ４５’　　（−４
５’）傾いた偏光軸を有する他方の偏光■とを、第一及
び第二導波路において励起させることができる。

偏光工及びＨの偏光軸は互いに方向は異なるが、双方共
に基板結晶軸のＸ軸からほぼ４５°傾いているので、偏
光依存性をなくすことができると共に、これら偏光Ｉ及
びＨ（こ対する第−導波路及び第二導波路の屈折率をそ
れぞれ電気的に制御して偏光Ｉ及びＨの位相差制御を行
なったり或はスイッチング制御を行なったりすることが
できる。しかも偏光Ｉ及びＨの位相差制御やスイッチン
グ制御のための制御電極の配設個数を従来よりも、低減
できる。これがため、偏光依存性をなくし、しかも制御
電極の駆動回路の規模を縮小できる光スイ・ンチを提供
できる。

またこの発明の導波型光スイッチによれば、第一及び第
二導波路中で励起した偏光に対するこれら導波路の屈折
率を基板結晶軸のＸ軸方向及びＹ軸方向においで実質的
にほぼ同じとすることができるので（異方性を少なくで
きるので）、作成が容易である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第一実施例の構成を概略的ｌこ示す
斜視図、 第２Ｉ２１は制御電極に電圧を印加したときの第一及び
第二導波路の屈折率楕円体の一例を示す図、 第３図はこの発明の第二実施例の構成ＩＦｒＷ１略的に
示す斜視図、 第４図はこの発明の第二実施例の変形例の構成８概略的
に示す斜視図、 第５図は従来の光スィッチの構成を概略的に示す平面図
である。 ２４・・・基板、　　　　　２６．４０・・・第一導波
路２８．４２・・・第二導波路、３０．４４−・・制御
電極。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 ４０．４２：屈折率楕円体 ４０ａ、　４２ａ長軸 ４０ｂ、４２ｂ：短軸 制御電極に電圧を印加したときの屈折率楕円体第２図 ２４：ＬｉＮｂＯ２ ２６：第一導波路 ２８・第二導波路 ３０：制御電極 ３０ａ、３０ｂ：電極部材 ３２．３４：Ｙ分岐 ３６：入力ボート ３８：出力ポート 基板 第−案施例の斜視図 第１図 ４０、第一導波路 ４２：第二導波路 ４４：制御電極 ４４ａ、４４ｂ：電極部材 ４６．４８：入力ボート ５０．５２：出力ポート 第二実施例の斜視図 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｌｉ＿ｘＴａ＿１＿−＿ｘＮｂＯ＿３基板に並置
   した第一及び第二導波路と、屈折率を制御するための制
   御電極とを備えて成る導波型光スイッチにおいて、 前記第一及び第二導波路を、前記基板の結晶軸のＺ軸に
   ほぼ沿う方向に延在させて設け、 前記制御電極を、前記基板の結晶軸のＸ軸にほぼ沿う方
   向の電界を前記第一及び第二導波路中に形成する電極と
   したことを特徴とする導波型光スイッチ。
2. （２）前記制御電極を前記Ｚ軸にほぼ沿う方向に離間配
   置した複数個の電極部材から構成することを特徴とする
   請求項１に記載の導波型光スイッチ。