JPH02262003A - 膜厚測定方法 - Google Patents
膜厚測定方法Info
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- JPH02262003A JPH02262003A JP8429189A JP8429189A JPH02262003A JP H02262003 A JPH02262003 A JP H02262003A JP 8429189 A JP8429189 A JP 8429189A JP 8429189 A JP8429189 A JP 8429189A JP H02262003 A JPH02262003 A JP H02262003A
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Landscapes
- Measuring Arrangements Characterized By The Use Of Fluids (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基体上の自然酸化膜の膜厚測定方法に関し。
簡易に且つ安価に自然酸化膜厚を測定することを目的と
し。
し。
基体上に生成した自然酸化膜の溶解液を水平に置かれた
該基体上に滴下し、該基体上における該溶解液の液滴の
移動速度を測定することにより該〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基体上の自然酸化膜の膜厚測定方法に関
する。
該基体上に滴下し、該基体上における該溶解液の液滴の
移動速度を測定することにより該〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体基体上の自然酸化膜の膜厚測定方法に関
する。
近年、デバイスの解析技術の進歩により、デバイスの高
信頼化のためには半導体基体の表面状態や界面状態を厳
しく管理する必要があることがわかってきた。
信頼化のためには半導体基体の表面状態や界面状態を厳
しく管理する必要があることがわかってきた。
特に、ポリシリコン（ポリＳｉ）成長前にＳｉ基板上に
自然酸化膜があると、基板との間にオーミ・ンクコンタ
クトが得られないため、工程間検査のために、迅速、簡
便な自然酸化膜のモニタ方法が求められている。
自然酸化膜があると、基板との間にオーミ・ンクコンタ
クトが得られないため、工程間検査のために、迅速、簡
便な自然酸化膜のモニタ方法が求められている。
従来のＳｉ基板上の自然酸化膜の測定方法としては、楕
円偏光を利用したエリプソメトリ法が広く用いられてい
るが、この場合は特別の偏光測定器を必要とし、又測定
に時間がかかるため、プロセス中の工程間検査方法とし
てこれに代わる迅速。
円偏光を利用したエリプソメトリ法が広く用いられてい
るが、この場合は特別の偏光測定器を必要とし、又測定
に時間がかかるため、プロセス中の工程間検査方法とし
てこれに代わる迅速。
簡便な方法が要望される。
上記の要望により１本発明は簡易に且つ安価に自然酸化
膜厚を測定することを目的とする。
膜厚を測定することを目的とする。
上記課題の解決は、基体上に生成した自然酸化膜の溶解
液を水平に置かれた該基体上に滴下し該基体上における
該溶解液の液滴の移動速度を測定することにより該自然
酸化膜の膜厚を求める膜厚測定方法により達成される。
液を水平に置かれた該基体上に滴下し該基体上における
該溶解液の液滴の移動速度を測定することにより該自然
酸化膜の膜厚を求める膜厚測定方法により達成される。
本発明は水平に置かれた半導体基体上に生成した自然酸
化膜上に、それを溶解する液を滴下した場合に、基体上
を走る液滴の移動速度と膜厚との間に相関関係があるこ
とを本発明者が確認した結果を利用したものである。
化膜上に、それを溶解する液を滴下した場合に、基体上
を走る液滴の移動速度と膜厚との間に相関関係があるこ
とを本発明者が確認した結果を利用したものである。
即ち、膜厚Ｔと液の移動速度Ｖとの相関関係を前もって
求めておき、液の移動速度Ｖを測定することにより膜厚
Ｔを求めるようにしたものである。
求めておき、液の移動速度Ｖを測定することにより膜厚
Ｔを求めるようにしたものである。
基体上に滴下した液滴が移動する機構は次のように考え
られる。
られる。
例えば、 Ｓｉ基板上にＩＰを滴下したとき。
ＳｔＯ□十〇Ｆ＝Ｓｉｌ（ｚＦ６＋ΔＨなる反応で生成
した溶解エネルギΔ１１により液滴が移動する。
した溶解エネルギΔ１１により液滴が移動する。
第１図は本発明の一実施例を説明する装置の断面図であ
る。
る。
図において、水平に置かれたホルダ１上に、基体２とし
てＳｉ基板を載せ、基体上に生成した自然酸化膜の溶解
液（エツチング液）３として希弗化水素酸）ＩＰ （５
％Ｆ−）を用い、これを容器４内に入れノズル５より滴
下する。
てＳｉ基板を載せ、基体上に生成した自然酸化膜の溶解
液（エツチング液）３として希弗化水素酸）ＩＰ （５
％Ｆ−）を用い、これを容器４内に入れノズル５より滴
下する。
基体上を移動する液の速度を速度センサ６により測定し
、予め求められた膜厚Ｔと液の移動速度νの関係より、
膜厚が求められる。
、予め求められた膜厚Ｔと液の移動速度νの関係より、
膜厚が求められる。
液滴は液ｉｉＯ，２５ｍｊ２を使用し、大きさは自然酸
化膜の膜厚によっても変わるが、水洗後のＳｉ基板（自
然酸化膜の膜厚〜２０人）では１５ ｍｍφはどの大き
さとなる。
化膜の膜厚によっても変わるが、水洗後のＳｉ基板（自
然酸化膜の膜厚〜２０人）では１５ ｍｍφはどの大き
さとなる。
又、液滴の移動速度は液滴の大きさに殆ど依存しないこ
とを確認した。
とを確認した。
実施例においては、移動速度は基板の周縁部に液滴を滴
下し、液滴が基板の周縁を周回する時間を目視により測
定して算出した。
下し、液滴が基板の周縁を周回する時間を目視により測
定して算出した。
更に、速度センサは光学的なものを用いて局部的な膜厚
を測定することもできる。
を測定することもできる。
第２図は実施例の場合の膜厚Ｔと液の移動速度Ｖの関係
図である。
図である。
実施例で、自然酸化膜厚をモニタした後、基板上に被着
した厚さ２０００人の高不純物濃度ポリシリコン層のコ
ンタクト抵抗を測定したところ１次のような結果が得ら
れた。
した厚さ２０００人の高不純物濃度ポリシリコン層のコ
ンタクト抵抗を測定したところ１次のような結果が得ら
れた。
膜厚（入） コンタクト抵抗（Ω）
４５ 絶縁状態
実施例においては、Ｓｉ基板とＨＦ溶液を用いたがその
他、親水性の自然酸化膜と撥水性の基板の組み合わせな
らば１本発明は材料を問わず適用可能である。
他、親水性の自然酸化膜と撥水性の基板の組み合わせな
らば１本発明は材料を問わず適用可能である。
例えば＋ ＧａＡｓ基板に対して自然酸化膜の溶解液と
して（ＨＦ＋ｂｏｉｌ ＨＣＩ）を用いる。
して（ＨＦ＋ｂｏｉｌ ＨＣＩ）を用いる。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、簡易に且つ安価に
基板上の自然酸化膜厚を測定することができ、デバイス
製造の品質管理に寄与することができる。
基板上の自然酸化膜厚を測定することができ、デバイス
製造の品質管理に寄与することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明する装置の断面図。
第２図は実施例の場合の膜厚
度Ｖの関係図である。
図において。
１はホルダ。
２は被測定物でＳｉ基板。
３は被膜の溶解液。
４は溶解液を入れる容器。
５はノズル
と液の移動速
孕で 施 イグリ の 断 ｆ７１！
第 １ 図
移動１度１ｔＣＣｍ／襲Ｃ）
膜渾と移動来痰ｆ）聞イ辰Ｚ
冨 ２ 区
Claims (1)
- 基体上に生成した自然酸化膜の溶解液を水平に置かれた
該基体上に滴下し、該基体上における該溶解液の液滴の
移動速度を測定することにより該自然酸化膜の膜厚を求
めることを特徴とする膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8429189A JP2832989B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8429189A JP2832989B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 膜厚測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262003A true JPH02262003A (ja) | 1990-10-24 |
| JP2832989B2 JP2832989B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=13826366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8429189A Expired - Lifetime JP2832989B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832989B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2469303C1 (ru) * | 2011-07-29 | 2012-12-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук | Способ количественного определения содержания диоксида кремния на поверхности кремния |
| US11311749B2 (en) | 2011-09-15 | 2022-04-26 | The Procter And Gamble Company | Aerosol hairspray for styling and/or shaping hair |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP8429189A patent/JP2832989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2469303C1 (ru) * | 2011-07-29 | 2012-12-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук | Способ количественного определения содержания диоксида кремния на поверхности кремния |
| US11311749B2 (en) | 2011-09-15 | 2022-04-26 | The Procter And Gamble Company | Aerosol hairspray for styling and/or shaping hair |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2832989B2 (ja) | 1998-12-09 |
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