JPH02261236A - 複数の波長の光のストレート受信装置 - Google Patents

複数の波長の光のストレート受信装置

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JPH02261236A
JPH02261236A JP2035091A JP3509190A JPH02261236A JP H02261236 A JPH02261236 A JP H02261236A JP 2035091 A JP2035091 A JP 2035091A JP 3509190 A JP3509190 A JP 3509190A JP H02261236 A JPH02261236 A JP H02261236A
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integrated
wavelength
demultiplexer
waveguide
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JP2035091A
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Karl-Ulrich Stein
カールウルリツヒ、シユタイン
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Siemens AG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、共通なチャネルの中で入力されて来る波長
が、異なるオプトエレクトロニク検出器へ通じる複数の
分離されたチャネルへ分配されるようにした。複数の波
長の光のストレート受信装置に関する。
［従来の技術］ ガラスファイバは特に電気的モジュールにより利用され
る帯域に比べて１．３〜１．６ｐｍの波長域に光の窓を
提供する。従ってこの窓を変調された複数の波長により
利用するための一連の装置が知られている。そのとき受
信器では所望の波長がヘテロゲイン受信又はフィルタを
用いたストレート受信により選び出される。確かにヘテ
ロダイン受信は伝送のための最善の特性を与える。しか
しその価格は同調可能で極めて狭帯域の局部発振器と伝
送される波の偏光における変動を防ぐ手段とにより非常
に高い。
前記のストレート受信は、例えばテレビジョン又は高品
位テレビジョン信号分配のために必要とされるような、
１０ギガビット毎秒の範囲までのデータ信号速度に対す
る経済的な解決策を提供する。
この種の受信器を個別部品から又はモジュールで構成す
ることが知られている。その際光波は個々の機能要素の
間を自由光線として導かれる。
しかしこの解決策の費用は計画される普及使用のために
は致命的に高い。
［発明が解決しようとする課題］ この発明の課題は、特に経済的な前記の種類の装置を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］ この課題はこの発明に基づき、半導体材料から成る基板
上に集積された導波形波長デマルチプレクサが、入力さ
れて来る波長を異なるチャネルへ導き分配することによ
り解決される。
この発明に基づく装置で使用される基板はシリコンから
成るのが有利である。
この発明に基づくデマルチプレクサは平面状の導波層内
又は導波層上に形成されるのが有利である。
この発明に基づく装置の有利な一構成によれば、デマル
チプレクサは誘電体の帯状導波路から成るパターンを有
することができる。帯状導波路は例えばリッジ導波路の
形に形成することができる。しかし帯状導波路は屈折率
の高い領域の形で基板又は前記平面状導波層の中に形成
することもできる。
この発明に基づく装置の別の有利な構成によれば、デマ
ルチプレクサは導波性のブレーナ形プリズムを有し、入
力されて来る波長がこのプリズムに導かれる。このプリ
ズムは高い屈折率ｎ２のパターンにより低い屈折率ｎ１
の平面状導波層の中に画成することができる。
この発明に基づく装置の別の有利な構成によれば、デマ
ルチプレクサはブレーナ形回折格子を有し、入力されて
来る波長がこの回折格子に導かれる。この回折格子は平
面状の導波層の上又は導波層内に例えば表面格子の形で
形成することができる。
誘電体の帯状導波路から成るパターンの形のこの発明に
基づくデマルチプレクサの場合には、デマルチプレクサ
は方向性結合器から形成されるのが有利である。
特にプレーナ形プリズム又は回折格子により形成された
デマルチプレクサの場合には、入力されて来る波長が基
板上に集積されたブレーナ形レンズの形のコリメータレ
ンズを経てデマルチプレクサ又は検出器に導かれるのが
有利であり、その際特にデマルチプレクサから出力され
る波長が基板上に集積されたブレーナ形集光レンズによ
り従属する検出器へ導かれるのが合目的である。このプ
レーナ形レンズは従来の技術に基づきルネベルグレンズ
、ジオデシックレンズ又はフレネルレンズとして作るこ
とができる（リー（Ｌｅｅ、　Ｄ、Ｌ、　）著、「集積
光学系の電磁気学的原理（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｍａｇｎｅ
ｔｉｃ　Ｐｒ１ｎｃｉｐｌｅｓ　ｏｆ　Ｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄ　０ｐｔｉｃｓ）ｊ、ジョン　ウィリイ　アンド
　サンプ（ＪｏｈＪ３Ｗｉｌｅｙ　　＆　５ｏｎｓ　）
出版社、ニューヨーク、１９８６年、第２６８ページ参
照）。
この発明に基づく装置の場合には、電子式検出器及び電
気信号のために必要なインピーダンス変成器又は前置増
幅器が基板上に集積されるのが有利である。
集積された検出器が、半導体材料に隣接し導電性金属材
料から成るショットキー接触層を備えたショットキー１
１１壁ダイオードから成り、この接触層がエバネッセン
ト波結合により導波層に結合され、この導波層の中で波
長がデマルチプレクサから導かれるのが有利である。こ
の種のダイオードはドイツ連邦共和国特許第３９００４
２２号明細書にシリコンベースで記載されている。
同様にファイバ保持兼調竿部を基板上に集積するのが有
利であり、この部分はエツチングされた７字形溝を宥す
るのが有利であり、この溝の中に入力されて来る波長の
ためのチャネルを形成するファイバを調節固定すること
ができる。
基板上に結合光学系が集積されるのも有利であり、この
結合光学系は望ましくは基板上に形成されたＶ字形溝の
中に配置された球レンズを有するのが有利である。
この発明に基づく装置により経済的なオプトエレクトロ
ニク回路が実現され、この回路では光波が望ましくはブ
レーナ形導波路の中で導かれ、必要な光学的機能が導波
路、レンズ、プリズム、偏向鏡及び方向性結合器のよう
なプレーナ形光学要素により実現される。
この発明に基づく装置の特別の長所は、ガラスファイバ
の保持部から前置増幅器までの受信器の光学的機能全体
を、実績回路に適合する工程段階により１０Ｘ１０Ｘ１
０の辺長より小さいシリコンモノリスの中に、いかなる
組み立て段階又は調整段階をも必要とすることなく作り
出すということにある。それによりこれらの機能のため
の価格、信頼性及び所要空間を、大量生産の場合にテレ
ビジョン信号分配のために正当化される程度の値で実現
することができる。
この発明に基づく装置は、ドイツ連邦共和国特許第３８
３３２１１号明細書に記載のモノリシック集積両方向性
モジュールに対する提案によるシステム及び技術の形態
に適合する。
この種のモジュールの実現のためにこの発明に基づく装
置は、入力されて来る波長に対し反対方向へ一つのチャ
ネルの中に入力しようとする波長を発生させる半導体レ
ーザが基板上に取り付けられるように、変形されるのが
有利である。
半導体レーザから出力される波長は基板上に集積された
光方向性結合器を経て共通なチャネルへ入力され、同時
に、入力されて来る波長はこの方向性結合器を経てデマ
ルチプレクサへ導くことができるので有利である。
特に最後に述べた方向性結合器を使用する場合に、半導
体レーザから出力される波長を基板上に集積された偏向
鏡を経て共通なチャネルへ導くのも有利である。
半導体レーザ自体はチップの形で基板上に固定され、そ
の際半導体レーザは例えば分布帰還形レーザとすること
ができる。
半導体レーザの駆動のための電子回路は基板上に集積さ
れるのが有利である。
それに基づき両方向性送信兼受信器モジュールとして変
形されたこの発明に基づく装置の場合には、チップとし
てハイブリッド化された半導体レーザを除くすべての要
素を特にシリコンから成る半導体材料の基板内又は基板
上に作ることができる。
半導体レーザから出射される光の出力を監視するために
、モニタダイオードを基板上に集積するのが有利である
。
この種の装置の場合には、半導体レーザとデマルチプレ
クサとの間に電気的及び光学的遮蔽のための領域を基板
上に設けることができる。
入力されて来る波長を基板上に集積された波長フィルタ
を経てデマルチプレクサに導くのが合目的であり、この
波長フィルタはレーザから出力される波長に対しては不
透明であり、これに反して入力されて来る波長に対して
は透明である。この波長フィルタはデマルチプレクサの
方向へ延びる帯状導波路上に形成されるのが有利である
。
［実施例］ 次にこの発明に基づく光のストレート受信装置の複数の
実施例を示す図面により、この発明の詳細な説明する。
図面には符号１で入力されて来る複数の波長λ１．λ２
．・・・、λｎのための共通なチャネルが示され、符号
２で共通なチャネルｌと集積された導波路との間の接合
部が示され、符号３で集積された導波形波長デマルチプ
レクサが示され、この波長デマルチプレクサ３は共通な
チャネル１で入力されて来る波長入１．入２、・・・、
λｎを、異なるオプトエレクトロニク検出器４１．４２
、・・・４ｎへ通じる複数の分離されたチャネル７１゜
７２、・・・、７ｎへ分配し、また符号５１．５２、・
・・、５ｎで出力側を検出器に接続され電気信号のだめ
の出力端６１，６２．・・・、６ｎを備えたインピーダ
ンス変成器又は増幅器が示されている。
ｎはｌより大きい整数を意味し、ｎは特にかつ普遁性を
制限されることなく第２図及び第３図に対しては３に等
しく、また第４図及び第６図に対しては４に等しく、ま
た第５図に対しては５に等しく選ばれている。
共通なチャネル１は第２図ないし第６図に示す実施例の
場合にはガラスファイバにより実現されている。接合部
２はこれらのすべての実施例で、ファイバ１と集積され
た導波路１１．２０又は７０４との間の突き合わせ結合
により実現されている。このことは接合部２でファイバ
１の端面と集積された導波路１１．２０又は７０４の端
面とが直接に向かい合うことを意味する。第２図ないし
第４図に示す実施例の場合には、ファイバｌの端面１２
０と基板１０上に集積された平面状の導波層１１の端面
１１０とが向かい合って置かれ、一方第５図及び第６図
に示す実施例の場合には、ファイバｌの端面１２０が基
板１０上に集積された帯状導波路２０又は７０４の端面
２２０又は７０４０に向かい合う。
第２図ないし第５図に示す実施例の場合には。
デマルチプレクサ３が基板１０上に集積された平面状の
導波層ｌｌ上又は導波層ｌｌ内に配置されている。第２
図及び第３図に示す実施例の場合には、デマルチプレク
サ３はプレーナ形プリズム３０かも成り、このプリズム
３０は高い屈折率ｎ２の三角形領域により低い屈折率ｎ
１の平面状導液層の中に画成されている。
第４図及び第５図に示す実施例の場合には、デマルチプ
レクサ３は回折格子３１から成り、この回折格子３１は
平面状の導波層ｌｌ内又は導波層１１上に例えばこの層
上の表面格子の形で実現されている。
第６図に示す実施例の場合には、デマルチプレクサ３は
基板１０上に集積された誘電体の帯状導波路７０１ない
し７０４のパターンから成り、これらの帯状導波路が、
直列に相前後して接続され成る一定の方式で波長選択性
の光方向性結合器７４１ないし７４３を画成する。誘電
体の帯状導波路７０１ないし７０４は例えばリッジ導波
路あるいは拡散された又はイオン注入された帯状導波路
とすることができる。帯状導波路は例えば基板１０の表
面下に又は基板１０上の平面状導波層の中に形成するこ
とができる。
第２図ないし第５図に示す実施例の場合には、ファイバ
１から平面状導波層１１の中へ入力され入力波長λ１、
λ２．・・・、λｎを含む光波が層１１の発散光線７の
中で伝播するので、この光波はだんだんと広がっていく
、このことは作り出そうとする分離されたチャネル７１
．７２．・・・７ｎを考慮すれば不利である。平行に導
かれ小さい又は小さくなっていく広がり角を備えた光線
又は収束性の光線がこのためには一層に好適である。こ
の種の光線は平面状導波層１１の場合に。
導かれる発散光線の光路の中に配置された一つ又は複数
のプレーナ形レンズ、例えば従来の技術による前記のブ
レーナ形レンズにより作り出すことができる。
第２図ないし第５図に示す実施例の場合には、例えば接
合部２とデマルチプレクサ３との間の発散光線７の光路
の中にコリメータレンズ３０１が層１１の範囲内に配置
され、このコリメタレンズは光＆Ｉ１７を例えば平行光
線束の形に平行化する。
平行化された光線７はプリズム３０又は回折格子３１へ
導かれ、これらのプリズム３０又は回折格子３１はこの
光線７を、入力されて来る波長の数に等しい数に異なっ
て平行化され異なるチャネルを画成する部分光線７１．
７２、・・・、７ｎとなるように扇状に広げ、これらの
部分光線はそれぞれ一つの入力波長λ１．入２、・・・
、λ。だけを含む。
扇状に広げて導かれる部分光線又はチャネル７１．７２
、・・・、７ｎが十分に空間的に相互に分離されている
層１１の領域内には、これらの部分光線の光路の中に従
属検出器４１．４２、・・・４ｎが基板上０上に、例え
ば前記ショットキー障壁ダイオードの形で集積されてい
る。
検出器４１．４２、・・・、４ｎの電気的出力信号の処
理のために必要なインピーダンス変成器又は増幅器５１
，５２、・・・、５ｎは同様に基板上に集積されている
。
第２図に示す実施例の場合には、部分光線又はチャネル
７１．７２、・・・、７ｎが平行光線束として検出器に
供給される。
第３図ないし第５図に示す実施例の場合には、部分光線
又はチャネル７１，７２、・・・、７ｎが検出器４１．
４２、・・・、４ｎ上に集束される。
特にこれらの装置の場合には、発散する光線７がコリメ
ータレンズ３０１により平行光線となるように束ねられ
、この平行光線がデマルチプレクサ３に導かれ、扇状に
広げられた部分光線又はチャネル７１．７２、・・・、
７ｎの光路中においてデマルチプレクサと検出器４１．
４２．・・・、４ｎとの間にブレーナ形レンズの形の集
光レンズ３０２が配置され、このレンズがこれらの各部
分光線を従属する検出器上に集束するように調整されて
いる。
帯状導波路から成るパターンを用いる第６因に示す実施
例の場合には、相前後して接続された方向性結合器７４
１．７４２．７４３はその波長選択性に関して、例えば
第１の方向性結合器７４１が連続する帯状導波路７０４
に入力された波長入１ないしん４のうちから波長λ１を
検出器４１へ通じる帯状導波路７０１の中へ入力するよ
うな寸法に選ばれている０次の方向性結合器７４２は例
えば波長λ２を導波路７０４から検出器４２へ通じる帯
状導波路７０２へ出力する。第３の方向性結合器７４３
は例えば波長入３を導波路７０４から検出器４３へ通じ
る帯状導波路７０３へ出力する。導波路７０１ないし７
０３と検出器４４へ通じる連続した帯状導波路７０４と
は分離されたチャネル７１．７２．７３．７４を形成す
る。この実施例の場合には一般に、異なるｎ個の波長の
ための分離されたｎ個のチャネルを（ｎ−１）個の波長
選択形方向性結合器により作ることができる０分岐に方
向性結合器を配置した樹枝状パターンも有利に用いるこ
とができる。
入力されて来る五つの波長入ｌないし入５及び一つの送
信波投入６のための送信兼受信モジュールの形の両方向
性機能ユニットを示す第５図の実施例の場合には、基板
１０上に分布帰還形レーザチップの形の半導体レーザ８
が固定され、このレーザ８は送信波長λ６を出力する。
この波長は集積された光方向性結合器２１０を経て、フ
ァイバ保持兼固定部１００により基板１０上に固定され
たファイバ１の中へ入力される。方向性結合器２１０は
集積された帯状導波路２１と、ファイバｌからストレー
ト受信器の平面状導波層１１へ通じる集積された帯状導
波路２０の一部分とから成る。帯状導波路２０の一方の
端部２２０は突き合わせ結合によりファイバｌに結合さ
れている。帯状導波路２０から層１１への接合部は同様
に突き合わせ結合により形成することができる９層１１
と導波路２０とは一体とすることもできる。
波長λ６は集積された帯状導波路２２により集積された
偏向鏡２１２を経て方向性結合器２１０の導波路２１に
導かれ、偏向鏡２１２は送信波長λ６を導波路２１の方
向へ偏向させる。
レーザ８の後ろ側ではレーザ光が基板１０上に集積され
たモニタダイオード８０に導かれる。モニタダイオード
８０とレーザ８とは基板１０上に集積された電子式レー
ザ駆動兼調節器９により導電結合され、このレーザ駆動
兼調節器９はダイオード８０と共にレーザ８の駆動と監
視とのために用いられる。
送信器とストレート受信器との間には基板１０上に、送
信器と受信器との間の電気的及び光学的遮蔽のための領
域１２が設けられている。帯状導波路２０上に集積され
波長入１ないしん５に対しては透明でありこれに反して
送信波長λ６に対しては不透明である波長フィルタも、
この遮蔽のために役立つ。
方向性結合器２１０は波長選択形方向性結合器とするの
が有利であり、この方向性結合器は送信波投入６だけを
受は渡すような寸法に選ばれている。
第７図は軸線方向断面図で、ファイバ１を備えたファイ
バ用プラグ２６とソケット２７とを差し込まれた状態で
示す、ソケット２７の中には基板１０が保持され、この
基板１０上には図示されていないこの発明に基づく装置
、例えば第５図又は第６図に示す装置が集積されている
。ソケット２７の中には他の部品例えば電気エネルギー
貯蔵要素をも備えることができる。一つ又は複数の導線
、例えば増幅器又はインピーダンス変成器の出力端に結
合された導線、及び／又はエネルギー供給のための導線
を、ソケット２７から又はソケット２７へ導くこともで
きる。ソケット２７の中に基板１０を保持するためには
従来の技術が適している。
ファイバ１と基板１０上に集積された帯状導波路例えば
導波路２０との間の接合部２は結合光学系２３により実
現され、この結合光学系２３は基板１０上に集積され、
ファイバ１から発散放射する光線７を帯状導波路２０上
へ集束する。結合光学系２３は合目的に球レンズ２３０
から成ることができ、この球レンズ２３０は基板１０上
に形成され帯状導波路２０に通じ望ましくはＶ字形断面
を有する溝２０３の中に固定される。ソケット２７の中
に基板１０を固定する際に、組み立て後にソケット２７
と球レンズ２３０と帯状導波路２０の端面２２０とが光
線７の軸線２５上に配置されるように注意すべきである
。溝２０３の中に球レンズ２３０を固定する場合には、
球レンズが帯状導波路２０の端面２２０から正しい距離
に配置されるように注意すべきである。ファイバｌの端
面１２０と導波路２０の端面２２０とは、ファイバ１の
端面１２０が球レンズ２３０の物子面上にあり、導波路
２０の端面２２０が球レンズ２３０のこの物子面に従属
する像平面上にあるときに、球レンズ２３０から正しい
距離に配置されている。
第７図に示す装置はコンパクトで極めて簡単に取り扱う
ことができ故障の少ない光のストレート受信のための装
置であり、この装置はファイバのための従来の差し込み
結合要素を用いて容易にかつ経済的に作ることができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に基づく光のストレート受信装置の一
実施例のブロック線図、第２図、第３図、第４図及び第
６図はそれぞれストレート受信装置の異なる実施例の平
面図、第５図は送信兼受信装置の一実施例の平面図、第
７図は第２図ないし第３図に示す装置を組み込んだ差し
込み結合要素の長手方向断面図である。 ｌ・・・共通なチャンネル ３・・・デマルチプレクサ ８・・・半導体レーザ １０・・・基板 １１．７０１〜７０３・・・導波層 １２・・・遮蔽領域 ２０・・・帯状導波路 ２３・・・結合光学系 ３０・・・プリズム ３１・・・回折格子 ３２・・・パターン ４１〜４ｎ・・・検出器 ５１〜５ｎ・・・インピーダンス変換器又は前置増幅器 ７１〜７ｎ；７０１〜７０４・・・分離されたチャネル ８０・・・モニタダイオード １００・・・ファイバ保持兼調節部 ２０１・・・波長フィルタ ２０３・・・溝 ２１０・・・光方向性結合器 ２１２・・・偏向鏡 ２３０・・・球レンズ ３０１・・・コリメータレンズ ３０２・・・集光レンズ ７４１〜７４３・・・方向性結合器 ｎｌ　、ｎ２・・・屈折率 入ｊ〜へ〇・・・入力波長 入６・・・送信波長 Ｉ０１ ＩＧ３

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）共通なチャネル（１）の中で入力されて来る波長（
    λ＿１、λ＿２、・・・、λ＿ｎ）が、異なるオプトエ
    レクトロニク検出器（４１、４２、・・・、４ｎ）へ通
    じる複数の分離されたチャネル（７１、７２、・・・、
    ７ｎ；７０１、７０２、７０３、７０４）へ分配される
    ようにした複数の波長（λ＿１、λ＿２、・・・、λ＿
    ｎ）の光のストレート受信装置において、半導体材料か
    ら成る基板（１０）上に集積された導波形波長デマルチ
    プレクサ（３）が、入力されて来る波長（λ＿１、λ＿
    ２、・・・、λ＿ｎ）を異なるチャネル（７１、７２、
    ・・・、７ｎ）へ導き分配することを特徴とする複数の
    波長の光のストレート受信装置。 ２）基板（１０）がシリコンから成ることを特徴とする
    請求項１記載の装置。 ３）デマルチプレクサ（３）が平面状の導波層（１１）
    上又は導波層（１１）内に形成されることを特徴とする
    請求項１又は２記載の装置。 ４）デマルチプレクサ（３）が誘電体の帯状導波路（７
    ０１、７０２、７０３、７０４）から成るパターンを有
    することを特徴とする請求項１又は２記載の装置。 ５）デマルチプレクサ（３）が導波性プレーナ形プリズ
    ム（３０）を有し、入力されて来る波長（λ＿１、λ＿
    ２、・・・、λ＿ｎ）がこのプリズム（３０）に導かれ
    ることを特徴とする請求項１ないし４の一つに記載の装
    置。 ６）プリズム（３０）が高い屈折率（ｎ＿２）のパター
    ンにより低い屈折率（ｎ＿１）の平面状導波層（１１）
    の中に画成されることを特徴とする請求項５記載の装置
    。 ７）デマルチプレクサ（３）がプレーナ形回折格子（３
    １）を有し、入力されて来る波長 （λ＿１、λ＿２、・・・、λ＿ｎ）がこの回折格子（
    ３１）に導かれることを特徴とすることを特徴とする請
    求項１ないし６の一つに記載の装置。 ８）回折格子（３１）が平面状の導波層 （１１）上又は導波層（１１）内に形成されることを特
    徴とする請求項７記載の装置。 ９）回折格子（３１）が表面格子の形に形成されること
    を特徴とする請求項７又は８記載の装置。 １０）誘電体の帯状導波路（７０１、７０２、７０３、
    ７０４）から成るパターン（３２）が波長選択形方向性
    結合器（７４１、 ７４２、７４３）を有することを特徴とする請求項４記
    載の装置。 １１）入力されて来る波長（λ＿１、λ＿２、・・・、
    λ＿ｎ）が基板（１０）上に集積されたプ レーナ形レンズの形のコリメータレンズ （３０１）を経てデマルチプレクサ（３）又は検出器（
    ４１、４２、・・・、４ｎ）に導かれることを特徴とす
    る請求項１ないし１０の一つに記載の装置。 １２）デマルチプレクサ（３）から出力される波長（λ
    ＿１、λ＿２、・・・、及び／又はλ＿ｎ）が基板（１
    ０）上に集積されたプレーナ形集光 レンズ（３０２）により従属する検出器 （４１、４２、・・・、４ｎ）へ導かれることを特徴と
    する請求項１ないし１１の一つに記載の装置。 １３）オプトエレクトロニク検出器（４１、４２、・・
    ・、４ｎ）が基板（１０）上に集積されることを特徴と
    する請求項１ないし１２の一つに記載の装置。 １４）集積された検出器（４１、４２、・・・、４ｎ）
    が、半導体材料に隣接し導電性金属材料から成るショッ
    トキー接触層を備えた ショットキー障壁ダイオードから成り、この接触層がエ
    バネッセント波結合により導波層（１１；７０１、７０
    ２、７０３）に結合され、この導波層の中で波長（λ＿
    １、λ＿２、・・・、λ＿ｎ）がデマルチプレクサ（３
    ）から導かれることを特徴とする請求項１３記載の装置
    。 １５）電気信号のためのインピーダンス変換器又は前置
    増幅器（５１、５２、・・・、５ｎ）が基板（１０）上
    に集積されることを特徴とする請求項１ないし１４の一
    つに記載の装置。 １６）ファイバ保持兼調節部（１００）が基板（１０）
    上に集積されることを特徴とする請求項１ないし１５の
    一つに記載の装置。 １７）ファイバ保持兼調節部（１００）がエッチングさ
    れたＶ字形溝を有することを特徴とする請求項１６記載
    の装置。 １８）結合光学系（２３）が基板（１０）上に一緒に集
    積されることを特徴とする請求項１ないし１７の一つに
    記載の装置。 １８）結合光学系（２３）が、基板（１０）上に形成さ
    れたＶ字形溝（２０３）の中に配置された球レンズ（２
    ３０）を有することを特徴とする請求項１８記載の装置
    。 ２０）入力されて来る波長（λ＿１、λ＿２、・・・、
    λ＿５）に対し反対方向へ共通なチャネル （１）の中に入力しようとする波長（λ＿６）を発生さ
    せる半導体レーザ（８）が基板 （１０）上に取り付けられることを特徴とする請求項１
    ないし１９の一つに記載の装 置。 ２１）半導体レーザ（８）から出力される波長（λ＿６
    ）が基板上に集積された光方向性結合器（２１０）を経
    て共通なチャネル（１）へ入力され、同時に、入力され
    て来る波長 （λ＿１、λ＿２、・・・、λ＿５）がこの方向性結合
    器を経てデマルチプレクサ（３）へ導かれることを特徴
    とする請求項２０記載の装置。 ２２）半導体レーザ（８）から出力される波長（λ＿６
    ）が基板（１０）上に集積された偏向鏡（２１２）を介
    して共通なチャネル（１）へ導かれることを特徴とする
    請求項２０又は２１記載の装置。 ２３）半導体レーザ（８）がチップの形で基板（１０）
    上に固定されることを特徴とする請求項２０ないし２２
    の一つに記載の装置。 ２４）基板上に半導体レーザ（８）の駆動のための電子
    回路が集積されることを特徴とする請求項２３記載の装
    置。 ２５）モニタダイオード（８０）が基板（１０）上に集
    積されることを特徴とする請求項２３又は２４記載の装
    置。 ２６）半導体レーザ（８）とデマルチプレクサ（３）と
    の間を電気的かつ光学的に遮蔽するための領域（１２）
    が基板上に設けられることを特徴とする請求項２０ない
    し２５の一つに記載の装置。 ２７）入力されて来る波長（λ＿１、λ＿２、・・・、
    λ＿５）が基板（１０）上に集積された波長フィルタ（
    ２０１）を経てデマルチプレクサ（３）に導かれ、この
    波長フィルタはレーザ（８）から出力される波長（λ＿
    ６）に対しては不透明であり、これに反して入力されて
    来る波長（λ＿１、λ＿２、・・・、λ＿５）に対して
    は透明であることを特徴とする請求項２０ないし２６の
    一つに記載の装置。 ２８）波長フィルタ（２０１）がデマルチプレクサ（３
    ）の方向へ通じる帯状導波路（２０）上に形成されるこ
    とを特徴とする請求項２７記載の装置。
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