JPH02254765A - 半導体装置の電極構造 - Google Patents
半導体装置の電極構造Info
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- JPH02254765A JPH02254765A JP1077633A JP7763389A JPH02254765A JP H02254765 A JPH02254765 A JP H02254765A JP 1077633 A JP1077633 A JP 1077633A JP 7763389 A JP7763389 A JP 7763389A JP H02254765 A JPH02254765 A JP H02254765A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、王として、ＡＰｉ母材とする電極を有する
半導体装置の電極１（造に関するものである。
半導体装置の電極１（造に関するものである。
第７図に従来の８１太陽電池の電極＃４ａを示す平面図
、ＷＪＢ図に第７図１（示すＡ、Ａにおける断面図であ
る。図において、＋ｌＩはｐａｓ１基板、ｌ！ｌＨｎ形
８１１１１．＋１１１はｐ電極、ｔ４ｎ ｆｌ ｎ電極
である・ｐ電極４；、及びｎ電極１４１は厚みＳＯＯム
のＴ１層、 Ｉ＄Ｏａのｐａ層、番ｐｍのムｔｌｌｌｌ
から戎っておυ１それぞれ８１表面から’ｒｉ、 ｐ（
１，ムｔの順で形成されている。このようにして８１太
陽電池ｔｌ＋１から形成されているがｐ電極＋３１、及
びｎ電極４１の表面、丁なわちムｆ表面が空気中に露出
した構造になっている。
、ＷＪＢ図に第７図１（示すＡ、Ａにおける断面図であ
る。図において、＋ｌＩはｐａｓ１基板、ｌ！ｌＨｎ形
８１１１１．＋１１１はｐ電極、ｔ４ｎ ｆｌ ｎ電極
である・ｐ電極４；、及びｎ電極１４１は厚みＳＯＯム
のＴ１層、 Ｉ＄Ｏａのｐａ層、番ｐｍのムｔｌｌｌｌ
から戎っておυ１それぞれ８１表面から’ｒｉ、 ｐ（
１，ムｔの順で形成されている。このようにして８１太
陽電池ｔｌ＋１から形成されているがｐ電極＋３１、及
びｎ電極４１の表面、丁なわちムｆ表面が空気中に露出
した構造になっている。
次に動作について説明する。
このような８１太陽ＩＥａ ｔｌｏｌが、複数個、並列
及び直列にインタコネクタと呼ばれる接続子で接続され
、８１太陽電池モジユールが形成され、人工＃星の電源
などに便用されている。この場合、通常、インタコネク
タとしてはＳＯμｍ抛度のＡＰの４１！又は、コバール
上にＡｇめっきしたものが用いられ、並列接続の場合に
は、上記インタコネクタによりｐｘ極）３νは他の８１
太陽電池１１０１のｐ電極４１．ｎ電極＋４１ｉｊ他の
ｌ！Ｉｉ太陽１１Ｅ池ｆｉｔ）のｎｌｌ極１４１に接続
される。また１ｊ［列接続の場合はインタコネクタによ
りΩ電極３１は他の８１太陽電池（！αのｎ電極＋４１
％ｎ電極１４；は他の６１太陽電池ｔｔａのΩ電極３）
に接続される・接続法としては、通常パラレルギャップ
博接法が用−られ、Ω電極りあるいはΩ電極・４１表面
上にインタコネクタを乗せて、このインタコネクタ上か
らパルス電流を加えて加熱することにより、インタコネ
クタが８１太陽電池＋１０１の電極に溶接される。
及び直列にインタコネクタと呼ばれる接続子で接続され
、８１太陽電池モジユールが形成され、人工＃星の電源
などに便用されている。この場合、通常、インタコネク
タとしてはＳＯμｍ抛度のＡＰの４１！又は、コバール
上にＡｇめっきしたものが用いられ、並列接続の場合に
は、上記インタコネクタによりｐｘ極）３νは他の８１
太陽電池１１０１のｐ電極４１．ｎ電極＋４１ｉｊ他の
ｌ！Ｉｉ太陽１１Ｅ池ｆｉｔ）のｎｌｌ極１４１に接続
される。また１ｊ［列接続の場合はインタコネクタによ
りΩ電極３１は他の８１太陽電池（！αのｎ電極＋４１
％ｎ電極１４；は他の６１太陽電池ｔｔａのΩ電極３）
に接続される・接続法としては、通常パラレルギャップ
博接法が用−られ、Ω電極りあるいはΩ電極・４１表面
上にインタコネクタを乗せて、このインタコネクタ上か
らパルス電流を加えて加熱することにより、インタコネ
クタが８１太陽電池＋１０１の電極に溶接される。
このような溶接にお−ては、インタコネクタ及びＳ１太
、−電池ｔｌｌ）の電極のＡｇの表面の清＃度が接着強
度に大きな影４１１を与え、できる疋は清浄であること
が好ましい。
、−電池ｔｌｌ）の電極のＡｇの表面の清＃度が接着強
度に大きな影４１１を与え、できる疋は清浄であること
が好ましい。
従来の半導体Ｗ＆瞳の電極構造は以上のように構成され
ているのでＡｇは大気中においてはＪｌ化、硫化などＶ
Ｃよりその表面が′Ｒ買し易い性質ｔＭしている。し九
がって８１太陽電池製作後にインタコネクタを＃！ｉＬ
ようとする際、既に電極表面が変質してしまい、しばし
ばインタコネクタが接着されないという量線が生じるこ
とがあった。またたとえ接着されていても％接着強度が
弱く、熱サイクルなどの信頼性試験で不良が発生すると
いう間ｄ点もあった。
ているのでＡｇは大気中においてはＪｌ化、硫化などＶ
Ｃよりその表面が′Ｒ買し易い性質ｔＭしている。し九
がって８１太陽電池製作後にインタコネクタを＃！ｉＬ
ようとする際、既に電極表面が変質してしまい、しばし
ばインタコネクタが接着されないという量線が生じるこ
とがあった。またたとえ接着されていても％接着強度が
弱く、熱サイクルなどの信頼性試験で不良が発生すると
いう間ｄ点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、容易にインタコネクタを浴接でき、かつ信頼
性ある半導体装置の電極構造を得るこ（！：を目的とす
る。
たもので、容易にインタコネクタを浴接でき、かつ信頼
性ある半導体装置の電極構造を得るこ（！：を目的とす
る。
〔１１題′ｔ−解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の電極構造は、ＡＰΩ電極全
部分若しくはインタコネクタを溶接すべき一部分に、Ａ
４層を設けるようにしたものである。
部分若しくはインタコネクタを溶接すべき一部分に、Ａ
４層を設けるようにしたものである。
この発明におけるＡｕｎは、溶接されるべき部分のム２
の表面の変質全防止するｔめに設けられており、その厚
みはこの効果を表わすのに充分々程度に設定する。
の表面の変質全防止するｔめに設けられており、その厚
みはこの効果を表わすのに充分々程度に設定する。
以下、この発明に係る半導体装置の電極構造の一実施列
を図について説明する。第１図はＳ１太陽電池の概略構
造を示す平面図、第３図は第１図に示すＡ。ムにおける
断面図である。
を図について説明する。第１図はＳ１太陽電池の概略構
造を示す平面図、第３図は第１図に示すＡ。ムにおける
断面図である。
図にお−て、）１１〜１４１ ｔｌ ｇ ７図及び第８
図の従来例に示したものと同等であるので説明を省略す
る。Ｏυは８１太陽屯池である。
図の従来例に示したものと同等であるので説明を省略す
る。Ｏυは８１太陽屯池である。
次に動作について説明する。８１太陽毫池Ｕυにおいて
は、Ω電極１３１％ｎ電極）４）上に樟めて薄いＡｕ層
＋ｇｉｌが設けられている。Ａｕ層４１の厚みはム２し
くにスパッタ法などで形成することができ。
は、Ω電極１３１％ｎ電極）４）上に樟めて薄いＡｕ層
＋ｇｉｌが設けられている。Ａｕ層４１の厚みはム２し
くにスパッタ法などで形成することができ。
あま炒厚くすることは経済的に好ましくない０Ａｕｍ
４１げＡＦ表面が大気中に露出して、酸化若しくは硫化
して変質してしまうことを防止することができ、かつ＾
Ｕそのものは権めて化学的に安定であり、その表面が変
質することがない。したがって、インタコネクタの溶接
に際しては、清浄なムＵ表面がインタコネクタ上と接触
する。１め、一定のパルスｉ［ｆｉ印加により、再現性
良く光分強度のあるインタコネクタを接続することが９
龍となる。丁なわち、酸化物、硫化物による電流阻害要
因が排除され、安定した溶接か可能となる。
４１げＡＦ表面が大気中に露出して、酸化若しくは硫化
して変質してしまうことを防止することができ、かつ＾
Ｕそのものは権めて化学的に安定であり、その表面が変
質することがない。したがって、インタコネクタの溶接
に際しては、清浄なムＵ表面がインタコネクタ上と接触
する。１め、一定のパルスｉ［ｆｉ印加により、再現性
良く光分強度のあるインタコネクタを接続することが９
龍となる。丁なわち、酸化物、硫化物による電流阻害要
因が排除され、安定した溶接か可能となる。
なお、上記実施列では、Ａｕ層ｌ１５）ｔ−Ω電極（３
：及びｎ電極１４１の全面に設けているが、Ω電極（３
！及びｎ電極１４＋の一部に設けてもよい。
：及びｎ電極１４１の全面に設けているが、Ω電極（３
！及びｎ電極１４＋の一部に設けてもよい。
第３図にこの発明の他の実施的による８１太陽頃池の概
略崎造を示す平面図、第４図は第３図に示すＡ％＾にお
ける断面図、第５図は第３図に示すＢ％Ｂにおける断面
図である。
略崎造を示す平面図、第４図は第３図に示すＡ％＾にお
ける断面図、第５図は第３図に示すＢ％Ｂにおける断面
図である。
図においてＩｌｌ Ｎ＋ｌｌけ第１図及び第８図の実施
列に示したものと同等であるので説明金省略する。（１
力は８１太陽電池である。Ω電極・３１及びｎ電極１４
）の、それぞれ、インタコネクタが１＃１接されるべき
部分にのみＡｕ Ｉｉｌ ｔｌ１が設けられており、上
記害ＦＭ例と同様な効果倉奏する。この例では、ガえば
Ａｕｌ１ｌ ４１ ｆめっき法などで形成する場合１ｃ
幼果的であり、便用するＡｕの量を低減することができ
、経済的である。
列に示したものと同等であるので説明金省略する。（１
力は８１太陽電池である。Ω電極・３１及びｎ電極１４
）の、それぞれ、インタコネクタが１＃１接されるべき
部分にのみＡｕ Ｉｉｌ ｔｌ１が設けられており、上
記害ＦＭ例と同様な効果倉奏する。この例では、ガえば
Ａｕｌ１ｌ ４１ ｆめっき法などで形成する場合１ｃ
幼果的であり、便用するＡｕの量を低減することができ
、経済的である。
第６図はこの発明の＃！３の実施例による８１太陽電池
の構造を示す断面図である。図において１１〜１６１．
ＩＩ力は第３図ないし第５図の実施例ＶＣ示したものと
同等であるので説明を省略する。この例では第３図に示
す８１太陽電池１。（２）ｆｔ用いている。−ｒなわち
、杉接すべき誦所にＡＵ層、６１が設けられた８１ 太
陽電極＋１。（２）がインタコネクタ１８）で接続され
ている。インタコネクタ１６１の溶接すべ！＆−所警て
もＡｕｕ層７１が形式されておシ、Ａｕ層」フ１と８１
太陽電池、＋。（２）上に設けられた電極上のＡｕ層（
６）とを接触させた後、電流Ｉ（ルスによる加熱処理に
よってインタコネクタ（６１と８１ 太陽電池Ｕのｐｘ
極・３１及びｎ電極１４１とを接着させている。
の構造を示す断面図である。図において１１〜１６１．
ＩＩ力は第３図ないし第５図の実施例ＶＣ示したものと
同等であるので説明を省略する。この例では第３図に示
す８１太陽電池１。（２）ｆｔ用いている。−ｒなわち
、杉接すべき誦所にＡＵ層、６１が設けられた８１ 太
陽電極＋１。（２）がインタコネクタ１８）で接続され
ている。インタコネクタ１６１の溶接すべ！＆−所警て
もＡｕｕ層７１が形式されておシ、Ａｕ層」フ１と８１
太陽電池、＋。（２）上に設けられた電極上のＡｕ層（
６）とを接触させた後、電流Ｉ（ルスによる加熱処理に
よってインタコネクタ（６１と８１ 太陽電池Ｕのｐｘ
極・３１及びｎ電極１４１とを接着させている。
この蓑施列ではＳ１太陽電池）櫓の電極ばかりでなく、
インタコネクタ１６Ｉの溶接すべき部分の変質も防止で
き、更に安定な配線が可能となる。
インタコネクタ１６Ｉの溶接すべき部分の変質も防止で
き、更に安定な配線が可能となる。
なお上記の実施例では、８１太陽電池の場合について述
べたが、比較的変質し易い金ａｔ母材とする電極を有す
る、任意の半導体材料から成る任意の半導体装置の電極
に適用することは可能である。
べたが、比較的変質し易い金ａｔ母材とする電極を有す
る、任意の半導体材料から成る任意の半導体装置の電極
に適用することは可能である。
以上のように、この発明によれば、少なくとも配娠が後
続されるべき部分！ｃ、Ａｕ１ｌｔ−設けることによっ
て電極表面の変質を防止できる構造とし九ので、爆着強
度の充分ある配線倉安定して行なえる効果がある０
続されるべき部分！ｃ、Ａｕ１ｌｔ−設けることによっ
て電極表面の変質を防止できる構造とし九ので、爆着強
度の充分ある配線倉安定して行なえる効果がある０
第１図はこの発明に係る半導体装置の電極４遣の一英苑
例によるＢ１太陽電池の概略構造を示す平面図、第２図
は第１図に示すＡ、ＡＫおける断面図、萬３図はこの発
明の他の実ｇ列による８１太陽電池の概略構造を示す平
面図、第番図ｆｌｅａ図に示すム、Ａにおける断面図、
第５図は第３図ＶＣ示すＢ、ＢにおけるＩ＃面図、第６
図はこの発明によるさらに・也の実施ｌ１ＰＩｉによる
８１太陽電池の構造を示す断面図、ＩＫＴ図は従来の８
１太陽電池の概略構造ｔ−示す平面図、第８図は第７図
に示すＡ、Ａにおける噌面図である口 図においてＩｌｌ ｆｌ Ｄ形８１基板、４１Ｈｎ杉８
１層、３）はｐ’ｖｔ極、−４１ｎ’ｌＥ極、１６１
ｕ Ａ ｕ層、ｆ８１ｆｌインタ；ネクタ、＋７１ ｔ
ｒｙ Ａ ｕ層、 １ｕ１１．４１。（２）ｒｃ８１太
陽電池である。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当ぶ５分１に示す
。
例によるＢ１太陽電池の概略構造を示す平面図、第２図
は第１図に示すＡ、ＡＫおける断面図、萬３図はこの発
明の他の実ｇ列による８１太陽電池の概略構造を示す平
面図、第番図ｆｌｅａ図に示すム、Ａにおける断面図、
第５図は第３図ＶＣ示すＢ、ＢにおけるＩ＃面図、第６
図はこの発明によるさらに・也の実施ｌ１ＰＩｉによる
８１太陽電池の構造を示す断面図、ＩＫＴ図は従来の８
１太陽電池の概略構造ｔ−示す平面図、第８図は第７図
に示すＡ、Ａにおける噌面図である口 図においてＩｌｌ ｆｌ Ｄ形８１基板、４１Ｈｎ杉８
１層、３）はｐ’ｖｔ極、−４１ｎ’ｌＥ極、１６１
ｕ Ａ ｕ層、ｆ８１ｆｌインタ；ネクタ、＋７１ ｔ
ｒｙ Ａ ｕ層、 １ｕ１１．４１。（２）ｒｃ８１太
陽電池である。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当ぶ５分１に示す
。
Claims (2)
- （１）半導体装置のＡｇ母材とする電極において、上記
Ａｇの変質を防止できる程度の厚みのＡｕ層が上記Ａｇ
上に、設けられたことを特徴とする、半導体装置の電極
構造。 - （２）上記Ａｇ母材とする電極の外部への配線が接続さ
れる部分に上記Ａｕ層が設けられたことを特徴とする請
求項第１項記載の半導体装置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077633A JPH02254765A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077633A JPH02254765A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置の電極構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254765A true JPH02254765A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13639304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1077633A Pending JPH02254765A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900472B2 (en) * | 1997-12-15 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor light emitting device having a silver p-contact |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1077633A patent/JPH02254765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900472B2 (en) * | 1997-12-15 | 2005-05-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor light emitting device having a silver p-contact |
| US7262436B2 (en) | 1997-12-15 | 2007-08-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride semiconductor light emitting device having a silver p-contact |
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