JPH02252284A - 半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザアレイInfo
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- JPH02252284A JPH02252284A JP7531289A JP7531289A JPH02252284A JP H02252284 A JPH02252284 A JP H02252284A JP 7531289 A JP7531289 A JP 7531289A JP 7531289 A JP7531289 A JP 7531289A JP H02252284 A JPH02252284 A JP H02252284A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は波長多重光通信に必要な光源である集積化多波
長分布帰還型半導体レーザアレイおよびその製造方法に
関する。
長分布帰還型半導体レーザアレイおよびその製造方法に
関する。
従来の技術
近年、大容量光通信として、光多重通信が盛んに研究開
発されている。このような波長多重通信用光源には、異
なる発振波長の複数の半導体レーザが必要となるが、光
源の小型化、光軸の調整等の立場から同一基板上に異な
る発振波長のレーザを集積化した多波長集積化レーザア
レイの研究開発も盛んになっている。このような多波長
光源では多重密度を上げるためにも高速変調時において
も安定な単一軸モード発振を有する分布帰還型半導体レ
ーザ（以下ＤＦＢ−ＬＤ）で構成されることが好ましい
。
発されている。このような波長多重通信用光源には、異
なる発振波長の複数の半導体レーザが必要となるが、光
源の小型化、光軸の調整等の立場から同一基板上に異な
る発振波長のレーザを集積化した多波長集積化レーザア
レイの研究開発も盛んになっている。このような多波長
光源では多重密度を上げるためにも高速変調時において
も安定な単一軸モード発振を有する分布帰還型半導体レ
ーザ（以下ＤＦＢ−ＬＤ）で構成されることが好ましい
。
ＤＦＢ−ＬＤプレイにおいて、各ＬＤの発振波長を変化
させる比較的容易な方法としては各ＬＤを構成する回折
格子のピッチ７１を各ＬＤで変化すせる方法がある〔参
考文献Ｈ，０ｋｕｄａ 、 ｅｔ 、 ａｊ。
させる比較的容易な方法としては各ＬＤを構成する回折
格子のピッチ７１を各ＬＤで変化すせる方法がある〔参
考文献Ｈ，０ｋｕｄａ 、 ｅｔ 、 ａｊ。
ジャパン ジェイ アプライド フィジックス（Ｊ Ｉ
）ｎ 、 Ｊ、 Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、 ） ２３
（１９８４） Ｌ９ｏ４）。
）ｎ 、 Ｊ、 Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｓ、 ） ２３
（１９８４） Ｌ９ｏ４）。
第６図Ａは同一基板上に複数のＬＤを集積したＬＤアレ
イの平面構造図である。ここでは代表的な２つのＬＤ（
１，２）のみ示しである。第６図Ｂ、ＣはそれぞれのＬ
Ｄｌ、２のキャピテイ方向の断面ａ −ａ’ 、 ｂ
−ｂ’のエピタキシャル構造図である。ここで１１はｎ
型ＩｎＰ基板、１２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層（バ
ンドギャップ波長λ ＝ １．１ μｍ）、１３はＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層（λ９＝１．３μｍ）、１４はｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層である。
イの平面構造図である。ここでは代表的な２つのＬＤ（
１，２）のみ示しである。第６図Ｂ、ＣはそれぞれのＬ
Ｄｌ、２のキャピテイ方向の断面ａ −ａ’ 、 ｂ
−ｂ’のエピタキシャル構造図である。ここで１１はｎ
型ＩｎＰ基板、１２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層（バ
ンドギャップ波長λ ＝ １．１ μｍ）、１３はＩｎ
ＧａＡｓＰ活性層（λ９＝１．３μｍ）、１４はｐ型Ｉ
ｎＰクラッド層である。
ｎ型ＩｎＰ基板１１上にはそれぞれピッチ／ｆ１＝３９
４０人およびＡ２＝３８６０への回折格子２０．２１が
形成されている。
４０人およびＡ２＝３８６０への回折格子２０．２１が
形成されている。
ＬＤの発振波長λは”ｏｆｆを実効屈折率、Ｎを回折次
数とすると、 λ＝ ２ ｎ −Δ７メＮ ・甲・・・・印・
・・・（１）ｆｆ で決定される。ここでＮ＝２ 、 ”ｏｆｆを３゜３ｏ
とすると、ＬＤの発振波長はそれぞれλ１＝１．３０μ
ｍ。
数とすると、 λ＝ ２ ｎ −Δ７メＮ ・甲・・・・印・
・・・（１）ｆｆ で決定される。ここでＮ＝２ 、 ”ｏｆｆを３゜３ｏ
とすると、ＬＤの発振波長はそれぞれλ１＝１．３０μ
ｍ。
λ２＝１．２７μｍと２つのＬＤで３０ ｎ ｍの発振
波長差を得ることができる。このように各ＬＤでの回折
格子のピッチを変化させることによｐＤＦＢ−ＬＤの発
振波長は変化されることができる。
波長差を得ることができる。このように各ＬＤでの回折
格子のピッチを変化させることによｐＤＦＢ−ＬＤの発
振波長は変化されることができる。
しかしながら、このＤＦＢ−ＬＤアレイの各ＬＤ１
；２の活性層１３のバンドギャップ波長λ９゜すなわち
ゲインビークは１．３μｍと同一であるので、発振波長
とゲインビークのずれが問題となってくる。すなわち第
７図Ａ、ＢにＬＤｌ、ＬＤ２の発振スペクトルを示すが
、ＬＤｌにおいては発振波長はゲインビークに対応して
いるのに対し、ＬＤ２においては回折格子ピッチで決ま
る発振波長はゲインビークに対して大きく短波長側にシ
フトしていることがわかる。このようなずれは発振しき
い値電流の上昇９発光効率の低下および温度特性の劣化
を生じることになる。さらに両者のずれが大きくなると
、もはやＤＦＢモードで発振しなくなる。
；２の活性層１３のバンドギャップ波長λ９゜すなわち
ゲインビークは１．３μｍと同一であるので、発振波長
とゲインビークのずれが問題となってくる。すなわち第
７図Ａ、ＢにＬＤｌ、ＬＤ２の発振スペクトルを示すが
、ＬＤｌにおいては発振波長はゲインビークに対応して
いるのに対し、ＬＤ２においては回折格子ピッチで決ま
る発振波長はゲインビークに対して大きく短波長側にシ
フトしていることがわかる。このようなずれは発振しき
い値電流の上昇９発光効率の低下および温度特性の劣化
を生じることになる。さらに両者のずれが大きくなると
、もはやＤＦＢモードで発振しなくなる。
また作製上の問題として、同一基板上の異なる領域にピ
ッチの異なる回折格子を一般に用いられている二光束干
渉露光法で作製するには選択領域以外のマスキング工程
および二光束干渉露光工程を多段階でくり返して作製し
なければならないことがめる。このような複雑な工程は
歩留シの低下のみならずデバイス特性の劣化、ばらつき
の原因となるものである。
ッチの異なる回折格子を一般に用いられている二光束干
渉露光法で作製するには選択領域以外のマスキング工程
および二光束干渉露光工程を多段階でくり返して作製し
なければならないことがめる。このような複雑な工程は
歩留シの低下のみならずデバイス特性の劣化、ばらつき
の原因となるものである。
発明が解決しようとする課題
以上、従来例における回折格子ピッチを変化させて発振
波長差を得る方法でのＤＦＢ−ＬＤアレイにおいては、
回折格子ピッチによって決まるＬＤの発振波長と活性層
バンドギャップによって決まるゲインビークのずれによ
り、アレイを構成するＬＤ特性の低下やばらつきが問題
となる。さらに選択領域にピッチの異なる回折格子を形
成するだめには非常に複雑な工程を必要とし、歩留りの
低下や特性の劣化を来たすことになる。
波長差を得る方法でのＤＦＢ−ＬＤアレイにおいては、
回折格子ピッチによって決まるＬＤの発振波長と活性層
バンドギャップによって決まるゲインビークのずれによ
り、アレイを構成するＬＤ特性の低下やばらつきが問題
となる。さらに選択領域にピッチの異なる回折格子を形
成するだめには非常に複雑な工程を必要とし、歩留りの
低下や特性の劣化を来たすことになる。
課題を解決するだめの手段
上述の課題を解決すべく、本発明は第１の導電型の同一
半導体基板主面上のアレイ状の複数領域に、各領域で実
効屈折率およびバンドギャップエネルギーの異なる量子
井戸層を含む活性層、回折格子および第２の導電型のク
ラッド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レー
ザアレイであるメサストライプをアレイ状に形成したの
ち前記メサアレイ基板上にＭＱＷ層を含むエピタキシャ
ル層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザアレイの製造方法である。
半導体基板主面上のアレイ状の複数領域に、各領域で実
効屈折率およびバンドギャップエネルギーの異なる量子
井戸層を含む活性層、回折格子および第２の導電型のク
ラッド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レー
ザアレイであるメサストライプをアレイ状に形成したの
ち前記メサアレイ基板上にＭＱＷ層を含むエピタキシャ
ル層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザアレイの製造方法である。
作 用
上述の手段により、プレイを構成する各分布帰還型レー
ザキャビティにおける実効屈折率差により発振波長差を
得るとともに、量子サイズ効果によりゲインビークも発
振波長シフトと同様のシフトを示し、発振波長とゲイン
ビークのずれによるレーザ特性劣化を抑えた分布帰還型
レーザアレイを非常に容易な手段で提供できるものであ
る。
ザキャビティにおける実効屈折率差により発振波長差を
得るとともに、量子サイズ効果によりゲインビークも発
振波長シフトと同様のシフトを示し、発振波長とゲイン
ビークのずれによるレーザ特性劣化を抑えた分布帰還型
レーザアレイを非常に容易な手段で提供できるものであ
る。
実施例
以下、本発明による分布帰還型（ＤＦＢ）ＬＤアレイを
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ ／ ＩｎＰ系材系材用いた実施例
について説明する。第１図はこのアレイ構造を示すもの
で、Ａ−Ｃは従来例を示す第６図の場合と同様、２つの
ＬＤ（ＬＤｌ、ＬＤ２）についての平面図Ａおよびキャ
ビティ方向の断面基本構造図Ｂ、Ｃである。従来例と同
じ（ｎ−ＩｎＰ基板１１上に回折格子１００ 、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波層１２゜活性層３１ 、３２ 、 ｐ
−ＩｎＰクラッド層で主に構成される。ここで従来例と
の違いは、従来例においては回折格子２０．２１のピッ
チが／１１．．４２と異なり活性層１３の組成および層
厚は同一であったのに対し、本実施例においては活性層
はそれぞれ層厚の異なる、ＩｎＧａＡｓＰ井戸層（λ９
＝１．３μｍ）とＩｎＧａＡｓＰ障壁層（λ ＝１．Ｑ
５μｍ）から成る多重量子井戸（ＭＱＷ）構造活性層３
１゜３２である。ここでＭＱＷ活性層３１は第１図りに
その拡大図を示すように６０人の井戸層３３と５０人の
障壁層３４０６対から成り、ＭＯＷ活性層３２は第１図
Ｅにその拡大図を示すように１００人の井戸層３６と１
００への障壁層３６０５対から成る。回折格子のピッチ
はこの場合両者ともＡｏ＝４０００人で同じである。
Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ ／ ＩｎＰ系材系材用いた実施例
について説明する。第１図はこのアレイ構造を示すもの
で、Ａ−Ｃは従来例を示す第６図の場合と同様、２つの
ＬＤ（ＬＤｌ、ＬＤ２）についての平面図Ａおよびキャ
ビティ方向の断面基本構造図Ｂ、Ｃである。従来例と同
じ（ｎ−ＩｎＰ基板１１上に回折格子１００ 、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波層１２゜活性層３１ 、３２ 、 ｐ
−ＩｎＰクラッド層で主に構成される。ここで従来例と
の違いは、従来例においては回折格子２０．２１のピッ
チが／１１．．４２と異なり活性層１３の組成および層
厚は同一であったのに対し、本実施例においては活性層
はそれぞれ層厚の異なる、ＩｎＧａＡｓＰ井戸層（λ９
＝１．３μｍ）とＩｎＧａＡｓＰ障壁層（λ ＝１．Ｑ
５μｍ）から成る多重量子井戸（ＭＱＷ）構造活性層３
１゜３２である。ここでＭＱＷ活性層３１は第１図りに
その拡大図を示すように６０人の井戸層３３と５０人の
障壁層３４０６対から成り、ＭＯＷ活性層３２は第１図
Ｅにその拡大図を示すように１００人の井戸層３６と１
００への障壁層３６０５対から成る。回折格子のピッチ
はこの場合両者ともＡｏ＝４０００人で同じである。
ＤＦＢ−ＬＤにおける発振波長は従来例における（１）
式に従い、ＬＤの導波モードの実効屈折率に依存する（
第２図Ａ）。第１図において、ＬＤｌのｎ。ｆｆは３．
１８であるのに対し、ＬＤ２においては３．２６である
。このｎ。ｆｆＯ差により第２図へに示すようにそれぞ
れの発振波長はそれぞれＬＤｌでは１．２７ μｍ 、
Ｉ、Ｄ２では１．３０μｍと３０ ｎ ｍの差が得ら
れている。
式に従い、ＬＤの導波モードの実効屈折率に依存する（
第２図Ａ）。第１図において、ＬＤｌのｎ。ｆｆは３．
１８であるのに対し、ＬＤ２においては３．２６である
。このｎ。ｆｆＯ差により第２図へに示すようにそれぞ
れの発振波長はそれぞれＬＤｌでは１．２７ μｍ 、
Ｉ、Ｄ２では１．３０μｍと３０ ｎ ｍの差が得ら
れている。
一方、本発明の構造においてはＬＤｌ、ＬＤ２の活性層
３１．３２はそれぞれ井戸層厚５０Ａおよび１００への
ＭＱＷ層であるので、両者のバンドギャップエネルギー
すなわちゲインビークは第２図Ｂに示すように量子サイ
ズ効果により異なる。
３１．３２はそれぞれ井戸層厚５０Ａおよび１００への
ＭＱＷ層であるので、両者のバンドギャップエネルギー
すなわちゲインビークは第２図Ｂに示すように量子サイ
ズ効果により異なる。
すなわちＬＤｌにおいては１．２７μｍであるのに対し
ＬＤ２においては１．３０μｍとなる。第３図に本発明
の２つのＬＤの発振ヌベクトルを示す。
ＬＤ２においては１．３０μｍとなる。第３図に本発明
の２つのＬＤの発振ヌベクトルを示す。
ＡはＬＤｌ、ＢはＬＤ２に対応する。ゲインピークは発
振波長にほぼ一致しており、第、５図に示した従来例の
ような両者のずれはほとんどない。これは井戸層厚の変
化に対して、”５ｓｆｆ変化による発振波長シフトと量
子サイズ効果によるゲインピークシフトは同一方向に生
じるからである。
振波長にほぼ一致しており、第、５図に示した従来例の
ような両者のずれはほとんどない。これは井戸層厚の変
化に対して、”５ｓｆｆ変化による発振波長シフトと量
子サイズ効果によるゲインピークシフトは同一方向に生
じるからである。
このように本発明のＤＦＢ−ＬＤアレイでは発振波長と
ゲインピークのずれが小さく、アレイ中の各ＬＤの特性
のばらつきは小さく、すべて良好な電流−光出力特性、
温度特性を示す。
ゲインピークのずれが小さく、アレイ中の各ＬＤの特性
のばらつきは小さく、すべて良好な電流−光出力特性、
温度特性を示す。
次に、本発明の構造のＤＦＢ−ＬＤアレイを作製プロセ
スについて説明する。まず第４図Ａに示すようにｎ型Ｉ
ｎＰ基板上に二光束干渉露光法によりビッチΔ。＝４０
００人の回折格子を形成する。
スについて説明する。まず第４図Ａに示すようにｎ型Ｉ
ｎＰ基板上に二光束干渉露光法によりビッチΔ。＝４０
００人の回折格子を形成する。
次に第４図Ｂに示すようにこの基板上に、回折格子と垂
直の方向に幅ｓ１．Ｓ２の異なる複数のメサストライプ
３５．３６を通常のフォトリソグラフィーで形成する。
直の方向に幅ｓ１．Ｓ２の異なる複数のメサストライプ
３５．３６を通常のフォトリソグラフィーで形成する。
このメサ基板上に液相エピタキシャル成長法で第３図Ｃ
に示す↓うに、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１１ 、ＩｎＧ
ａＡｓＰ ＭＱＷ活性層（３１゜３２）、ｐ−ＩｎＰ層
１４を順次形成する。液用成長法によると、メサストラ
イプ上のエピタキシャル層の厚さは平坦部よシ薄く、か
つメサストライプの幅に大きく依存する。第６図にＭＱ
Ｗ活性層の井戸層Ｌｚおよび実効屈折率のメサストライ
プ幅Ｓ依存性を示す。メサストライプ幅の減少とともに
井戸層厚および実効屈折率はともに減少する。
に示す↓うに、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１１ 、ＩｎＧ
ａＡｓＰ ＭＱＷ活性層（３１゜３２）、ｐ−ＩｎＰ層
１４を順次形成する。液用成長法によると、メサストラ
イプ上のエピタキシャル層の厚さは平坦部よシ薄く、か
つメサストライプの幅に大きく依存する。第６図にＭＱ
Ｗ活性層の井戸層Ｌｚおよび実効屈折率のメサストライ
プ幅Ｓ依存性を示す。メサストライプ幅の減少とともに
井戸層厚および実効屈折率はともに減少する。
Ｓ を１０μｍ、Ｓ２を２０μｍ とすると第１図り。
Ｅに示すＭＱＷ層３１，３≧における井戸層厚３３．３
５はそれぞれ６０人および１００人となり、活性層の実
効屈折率ｎ。ｆｆはそれぞれ３．１Ｂ。
５はそれぞれ６０人および１００人となり、活性層の実
効屈折率ｎ。ｆｆはそれぞれ３．１Ｂ。
３．２６と異なる。第２図、第３図に従い、この実効屈
折率差による発振波長シフトと、井戸層厚差によるゲイ
ンピークシフトは同様の挙動を示すので、発振波長とゲ
インビークのずれの小さい良好な特性の多波長ＤＦＢ−
ＬＤアレイを得ることができる。
折率差による発振波長シフトと、井戸層厚差によるゲイ
ンピークシフトは同様の挙動を示すので、発振波長とゲ
インビークのずれの小さい良好な特性の多波長ＤＦＢ−
ＬＤアレイを得ることができる。
このように本作製法においては一回の回折格子形成プロ
セスと基本的に一回のエピタキシャル成長という非常に
簡単なプロセスにより、特性のばらつきの小さい集積化
多波長ＤＦＢ−ＬＤアレイを得ることができる。
セスと基本的に一回のエピタキシャル成長という非常に
簡単なプロセスにより、特性のばらつきの小さい集積化
多波長ＤＦＢ−ＬＤアレイを得ることができる。
ところで本実施例においては簡単のだめ、２波長集積素
子を例にとって説明したが、３波長以上の多波長ＬＤア
レイの場合も全く同様である。またＤＦＢ−ＬＤの構造
は活性層の下に回折格子が存在する構造であったが、活
性層上に回折格子を有するＤＦＢ−４Ｄ構造においても
全く同じである。またエピタキシャル成長法としては液
相法について説明したが、ＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法等の
他の方法においても条件を選べば同様の効果を得ること
ができる。さらに材料としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
について説明したがＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ、１％等の
他の■−ｖ族半導体についても同様に適用できるもので
ある。
子を例にとって説明したが、３波長以上の多波長ＬＤア
レイの場合も全く同様である。またＤＦＢ−ＬＤの構造
は活性層の下に回折格子が存在する構造であったが、活
性層上に回折格子を有するＤＦＢ−４Ｄ構造においても
全く同じである。またエピタキシャル成長法としては液
相法について説明したが、ＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法等の
他の方法においても条件を選べば同様の効果を得ること
ができる。さらに材料としてＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系
について説明したがＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ、１％等の
他の■−ｖ族半導体についても同様に適用できるもので
ある。
発明の効果
以上、本発明は第１の導電型の同一半導体基板主面上の
アレイ状の複数領域に、各領域で層厚が異なる量子井戸
層を含む活性層、回折格子および第２の導電型のクラッ
ド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レーザア
レイであり、各Ｉ、Ｄテ発振波長のゲインピークのずれ
が小さいことによる特性のばらつきの小さい、良好な単
一軸モード発振を有する集積化多波長ＬＤアレイを提供
できるものである。また半導体基板上に回折格子を形成
する工程と、基板上の複数の領域にそれぞれ幅の異なる
メサストライプをアレイ状、に形成したのち液相エピタ
キシャル成長法によｆｉＭＱＷ層を含む成長層を形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザアレイの製
造方法であり、基本的に一回の回折格子形成と一回のエ
ピタキシャル成長という非常に簡単な製造プロセスによ
り前述の集積化素子を得ることができるものである。
アレイ状の複数領域に、各領域で層厚が異なる量子井戸
層を含む活性層、回折格子および第２の導電型のクラッ
ド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レーザア
レイであり、各Ｉ、Ｄテ発振波長のゲインピークのずれ
が小さいことによる特性のばらつきの小さい、良好な単
一軸モード発振を有する集積化多波長ＬＤアレイを提供
できるものである。また半導体基板上に回折格子を形成
する工程と、基板上の複数の領域にそれぞれ幅の異なる
メサストライプをアレイ状、に形成したのち液相エピタ
キシャル成長法によｆｉＭＱＷ層を含む成長層を形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザアレイの製
造方法であり、基本的に一回の回折格子形成と一回のエ
ピタキシャル成長という非常に簡単な製造プロセスによ
り前述の集積化素子を得ることができるものである。
第１図は本発明の一実施例のＤＦＢ−ＬＤアレイの構造
を示し、同図Ａはその平面図、同図Ｂ。 Ｃはその光軸方向ａ−ａ’、ｂ−ｂ’ 線での断面図、
同図り、Ｅはそれぞれ同図Ｂ、ＣにおけるＭＱＷ層の拡
大断面図である。第２図Ａは発振波長の実効屈折率依存
性、Ｂはゲインピークの井戸層厚依存性を示す図、第３
図Ａ、Ｂは本発明のアレイの代表的な２つのＬＤの発振
スペクトルを示す図、第４図Ａ、Ｂ、Ｃは本発明による
ＤＦＢ−ＬＤアレイの製造プロセヌを示す斜視図、断面
図、第５図は実効屈折率および井戸層厚のメサストライ
プ幅依存性を示す図である。第６図は従来例のレーザに
おける構造を示し、同図Ａはその平面図、同図Ｂ、Ｃは
同図Ａのａ−ａ’、ｂ−ｂ’ 線断面図、第７図Ａ、Ｂ
は第６図の発振スペクトルを示す図である。 １・・・・・・ＬＤｌ、２・・・・・・ＬＤ２．１１・
・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、１２−・・−ＩｎＧａＡａ
Ｐ光導波層、１４・・・・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層、
１００・・・・・・回折格子、３１．３２・・・・・・
ＭＱＷ活性層、３３ ； ３５・・・・・・井戸層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はか１名ｌ−
・−ＬＤＩ ２・−ＬＤ ２ 第１図 １ρ０・−固肪ｌ各子 ｐθ ３１・−＃ｊＱＶ眉 ３３−井戸層 ３４−障硫層 ３２°・−／’ｉＱＷ’層 ３５・・−什Ｐ７＠ ３６″−７ＩＩ Ｍ 、７１ （β） ｌρθ 井７−層厚Ｌｚ（Ａ） Ｊ、ｆ５ 大差びト香卑。 ｒＬ、ｅチチ ／、２．５ ／、３θ ／、 ３．ｆ 集 図 富 図 ｐρ ３５．３ｇ−−メ丈ストライプ。 ／ 第 図 メ丈ストライプ°横 δ（Ｐ／ＷＬ） 第 図 （＾ン ／、 ２５ ／、３６ う皮 長 （Ｉ３） １．３５ （μ＃Ｌ） 隈 長
を示し、同図Ａはその平面図、同図Ｂ。 Ｃはその光軸方向ａ−ａ’、ｂ−ｂ’ 線での断面図、
同図り、Ｅはそれぞれ同図Ｂ、ＣにおけるＭＱＷ層の拡
大断面図である。第２図Ａは発振波長の実効屈折率依存
性、Ｂはゲインピークの井戸層厚依存性を示す図、第３
図Ａ、Ｂは本発明のアレイの代表的な２つのＬＤの発振
スペクトルを示す図、第４図Ａ、Ｂ、Ｃは本発明による
ＤＦＢ−ＬＤアレイの製造プロセヌを示す斜視図、断面
図、第５図は実効屈折率および井戸層厚のメサストライ
プ幅依存性を示す図である。第６図は従来例のレーザに
おける構造を示し、同図Ａはその平面図、同図Ｂ、Ｃは
同図Ａのａ−ａ’、ｂ−ｂ’ 線断面図、第７図Ａ、Ｂ
は第６図の発振スペクトルを示す図である。 １・・・・・・ＬＤｌ、２・・・・・・ＬＤ２．１１・
・・・・・ｎ型ＩｎＰ基板、１２−・・−ＩｎＧａＡａ
Ｐ光導波層、１４・・・・・・ｐ型ＩｎＰクラッド層、
１００・・・・・・回折格子、３１．３２・・・・・・
ＭＱＷ活性層、３３ ； ３５・・・・・・井戸層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はか１名ｌ−
・−ＬＤＩ ２・−ＬＤ ２ 第１図 １ρ０・−固肪ｌ各子 ｐθ ３１・−＃ｊＱＶ眉 ３３−井戸層 ３４−障硫層 ３２°・−／’ｉＱＷ’層 ３５・・−什Ｐ７＠ ３６″−７ＩＩ Ｍ 、７１ （β） ｌρθ 井７−層厚Ｌｚ（Ａ） Ｊ、ｆ５ 大差びト香卑。 ｒＬ、ｅチチ ／、２．５ ／、３θ ／、 ３．ｆ 集 図 富 図 ｐρ ３５．３ｇ−−メ丈ストライプ。 ／ 第 図 メ丈ストライプ°横 δ（Ｐ／ＷＬ） 第 図 （＾ン ／、 ２５ ／、３６ う皮 長 （Ｉ３） １．３５ （μ＃Ｌ） 隈 長
Claims (2)
- （１）第１の導電型の同一半導体基板上のアレイ状の複
数領域に、前記各領域で層厚の異なる量子井戸層を含む
活性層、回折格子および第２の導電型のクラッド層をそ
れぞれ有することを特徴とする半導体レーザアレイ。 - （２）半導体基板もしくはエピタキシャル基板上に回折
格子を形成する工程と、前記半導体基板もしくはエピタ
キシャル基板上の複数の領域にそれぞれ幅の異なるメサ
ストライプをアレイ状に形成したのち、前記メサアレイ
基板上にエピタキシャル成長により量子井戸層で構成さ
れる活性層を含むエピタキシャル層を形成する工程を含
むことを特特とする半導体レーザアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075312A JPH0770781B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体レーザアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075312A JPH0770781B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体レーザアレイ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8153964A Division JP2746262B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02252284A true JPH02252284A (ja) | 1990-10-11 |
| JPH0770781B2 JPH0770781B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=13572613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075312A Expired - Fee Related JPH0770781B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体レーザアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770781B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03225888A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザダイオード |
| JP2002223035A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2010123643A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Opnext Japan Inc | 半導体アレイ素子、レーザモジュール、光送信モジュール、および光伝送装置 |
| CN114899697A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-08-12 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种双波长级联半导体激光器及制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931088A (ja) * | 1982-08-14 | 1984-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6045084A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS6079787A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Nec Corp | 集積型半導体レ−ザ |
| JPS6332982A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP1075312A patent/JPH0770781B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114899697A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-08-12 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种双波长级联半导体激光器及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770781B2 (ja) | 1995-07-31 |
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