JPH02252284A - 半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザアレイInfo
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- JPH02252284A JPH02252284A JP7531289A JP7531289A JPH02252284A JP H02252284 A JPH02252284 A JP H02252284A JP 7531289 A JP7531289 A JP 7531289A JP 7531289 A JP7531289 A JP 7531289A JP H02252284 A JPH02252284 A JP H02252284A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は波長多重光通信に必要な光源である集積化多波
長分布帰還型半導体レーザアレイおよびその製造方法に
関する。
長分布帰還型半導体レーザアレイおよびその製造方法に
関する。
従来の技術
近年、大容量光通信として、光多重通信が盛んに研究開
発されている。このような波長多重通信用光源には、異
なる発振波長の複数の半導体レーザが必要となるが、光
源の小型化、光軸の調整等の立場から同一基板上に異な
る発振波長のレーザを集積化した多波長集積化レーザア
レイの研究開発も盛んになっている。このような多波長
光源では多重密度を上げるためにも高速変調時において
も安定な単一軸モード発振を有する分布帰還型半導体レ
ーザ(以下DFB−LD)で構成されることが好ましい
。
発されている。このような波長多重通信用光源には、異
なる発振波長の複数の半導体レーザが必要となるが、光
源の小型化、光軸の調整等の立場から同一基板上に異な
る発振波長のレーザを集積化した多波長集積化レーザア
レイの研究開発も盛んになっている。このような多波長
光源では多重密度を上げるためにも高速変調時において
も安定な単一軸モード発振を有する分布帰還型半導体レ
ーザ(以下DFB−LD)で構成されることが好ましい
。
DFB−LDプレイにおいて、各LDの発振波長を変化
させる比較的容易な方法としては各LDを構成する回折
格子のピッチ71を各LDで変化すせる方法がある〔参
考文献H,0kuda 、 et 、 aj。
させる比較的容易な方法としては各LDを構成する回折
格子のピッチ71を各LDで変化すせる方法がある〔参
考文献H,0kuda 、 et 、 aj。
ジャパン ジェイ アプライド フィジックス(J I
)n 、 J、 Appl 、Phys、 ) 23
(1984) L9o4)。
)n 、 J、 Appl 、Phys、 ) 23
(1984) L9o4)。
第6図Aは同一基板上に複数のLDを集積したLDアレ
イの平面構造図である。ここでは代表的な2つのLD(
1,2)のみ示しである。第6図B、CはそれぞれのL
Dl、2のキャピテイ方向の断面a −a’ 、 b
−b’のエピタキシャル構造図である。ここで11はn
型InP基板、12はn−InGaAsP光導波層(バ
ンドギャップ波長λ = 1.1 μm)、13はIn
GaAsP活性層(λ9=1.3μm)、14はp型I
nPクラッド層である。
イの平面構造図である。ここでは代表的な2つのLD(
1,2)のみ示しである。第6図B、CはそれぞれのL
Dl、2のキャピテイ方向の断面a −a’ 、 b
−b’のエピタキシャル構造図である。ここで11はn
型InP基板、12はn−InGaAsP光導波層(バ
ンドギャップ波長λ = 1.1 μm)、13はIn
GaAsP活性層(λ9=1.3μm)、14はp型I
nPクラッド層である。
n型InP基板11上にはそれぞれピッチ/f1=39
40人およびA2=3860への回折格子20.21が
形成されている。
40人およびA2=3860への回折格子20.21が
形成されている。
LDの発振波長λは”offを実効屈折率、Nを回折次
数とすると、 λ= 2 n −Δ7メN ・甲・・・・印・
・・・(1)ff で決定される。ここでN=2 、 ”offを3゜3o
とすると、LDの発振波長はそれぞれλ1=1.30μ
m。
数とすると、 λ= 2 n −Δ7メN ・甲・・・・印・
・・・(1)ff で決定される。ここでN=2 、 ”offを3゜3o
とすると、LDの発振波長はそれぞれλ1=1.30μ
m。
λ2=1.27μmと2つのLDで30 n mの発振
波長差を得ることができる。このように各LDでの回折
格子のピッチを変化させることによpDFB−LDの発
振波長は変化されることができる。
波長差を得ることができる。このように各LDでの回折
格子のピッチを変化させることによpDFB−LDの発
振波長は変化されることができる。
しかしながら、このDFB−LDアレイの各LD1
;2の活性層13のバンドギャップ波長λ9゜すなわち
ゲインビークは1.3μmと同一であるので、発振波長
とゲインビークのずれが問題となってくる。すなわち第
7図A、BにLDl、LD2の発振スペクトルを示すが
、LDlにおいては発振波長はゲインビークに対応して
いるのに対し、LD2においては回折格子ピッチで決ま
る発振波長はゲインビークに対して大きく短波長側にシ
フトしていることがわかる。このようなずれは発振しき
い値電流の上昇9発光効率の低下および温度特性の劣化
を生じることになる。さらに両者のずれが大きくなると
、もはやDFBモードで発振しなくなる。
;2の活性層13のバンドギャップ波長λ9゜すなわち
ゲインビークは1.3μmと同一であるので、発振波長
とゲインビークのずれが問題となってくる。すなわち第
7図A、BにLDl、LD2の発振スペクトルを示すが
、LDlにおいては発振波長はゲインビークに対応して
いるのに対し、LD2においては回折格子ピッチで決ま
る発振波長はゲインビークに対して大きく短波長側にシ
フトしていることがわかる。このようなずれは発振しき
い値電流の上昇9発光効率の低下および温度特性の劣化
を生じることになる。さらに両者のずれが大きくなると
、もはやDFBモードで発振しなくなる。
また作製上の問題として、同一基板上の異なる領域にピ
ッチの異なる回折格子を一般に用いられている二光束干
渉露光法で作製するには選択領域以外のマスキング工程
および二光束干渉露光工程を多段階でくり返して作製し
なければならないことがめる。このような複雑な工程は
歩留シの低下のみならずデバイス特性の劣化、ばらつき
の原因となるものである。
ッチの異なる回折格子を一般に用いられている二光束干
渉露光法で作製するには選択領域以外のマスキング工程
および二光束干渉露光工程を多段階でくり返して作製し
なければならないことがめる。このような複雑な工程は
歩留シの低下のみならずデバイス特性の劣化、ばらつき
の原因となるものである。
発明が解決しようとする課題
以上、従来例における回折格子ピッチを変化させて発振
波長差を得る方法でのDFB−LDアレイにおいては、
回折格子ピッチによって決まるLDの発振波長と活性層
バンドギャップによって決まるゲインビークのずれによ
り、アレイを構成するLD特性の低下やばらつきが問題
となる。さらに選択領域にピッチの異なる回折格子を形
成するだめには非常に複雑な工程を必要とし、歩留りの
低下や特性の劣化を来たすことになる。
波長差を得る方法でのDFB−LDアレイにおいては、
回折格子ピッチによって決まるLDの発振波長と活性層
バンドギャップによって決まるゲインビークのずれによ
り、アレイを構成するLD特性の低下やばらつきが問題
となる。さらに選択領域にピッチの異なる回折格子を形
成するだめには非常に複雑な工程を必要とし、歩留りの
低下や特性の劣化を来たすことになる。
課題を解決するだめの手段
上述の課題を解決すべく、本発明は第1の導電型の同一
半導体基板主面上のアレイ状の複数領域に、各領域で実
効屈折率およびバンドギャップエネルギーの異なる量子
井戸層を含む活性層、回折格子および第2の導電型のク
ラッド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レー
ザアレイであるメサストライプをアレイ状に形成したの
ち前記メサアレイ基板上にMQW層を含むエピタキシャ
ル層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザアレイの製造方法である。
半導体基板主面上のアレイ状の複数領域に、各領域で実
効屈折率およびバンドギャップエネルギーの異なる量子
井戸層を含む活性層、回折格子および第2の導電型のク
ラッド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レー
ザアレイであるメサストライプをアレイ状に形成したの
ち前記メサアレイ基板上にMQW層を含むエピタキシャ
ル層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体レー
ザアレイの製造方法である。
作 用
上述の手段により、プレイを構成する各分布帰還型レー
ザキャビティにおける実効屈折率差により発振波長差を
得るとともに、量子サイズ効果によりゲインビークも発
振波長シフトと同様のシフトを示し、発振波長とゲイン
ビークのずれによるレーザ特性劣化を抑えた分布帰還型
レーザアレイを非常に容易な手段で提供できるものであ
る。
ザキャビティにおける実効屈折率差により発振波長差を
得るとともに、量子サイズ効果によりゲインビークも発
振波長シフトと同様のシフトを示し、発振波長とゲイン
ビークのずれによるレーザ特性劣化を抑えた分布帰還型
レーザアレイを非常に容易な手段で提供できるものであ
る。
実施例
以下、本発明による分布帰還型(DFB)LDアレイを
I nGaAs P / InP系材系材用いた実施例
について説明する。第1図はこのアレイ構造を示すもの
で、A−Cは従来例を示す第6図の場合と同様、2つの
LD(LDl、LD2)についての平面図Aおよびキャ
ビティ方向の断面基本構造図B、Cである。従来例と同
じ(n−InP基板11上に回折格子100 、InG
aAsP光導波層12゜活性層31 、32 、 p
−InPクラッド層で主に構成される。ここで従来例と
の違いは、従来例においては回折格子20.21のピッ
チが/11..42と異なり活性層13の組成および層
厚は同一であったのに対し、本実施例においては活性層
はそれぞれ層厚の異なる、InGaAsP井戸層(λ9
=1.3μm)とInGaAsP障壁層(λ =1.Q
5μm)から成る多重量子井戸(MQW)構造活性層3
1゜32である。ここでMQW活性層31は第1図りに
その拡大図を示すように60人の井戸層33と50人の
障壁層3406対から成り、MOW活性層32は第1図
Eにその拡大図を示すように100人の井戸層36と1
00への障壁層3605対から成る。回折格子のピッチ
はこの場合両者ともAo=4000人で同じである。
I nGaAs P / InP系材系材用いた実施例
について説明する。第1図はこのアレイ構造を示すもの
で、A−Cは従来例を示す第6図の場合と同様、2つの
LD(LDl、LD2)についての平面図Aおよびキャ
ビティ方向の断面基本構造図B、Cである。従来例と同
じ(n−InP基板11上に回折格子100 、InG
aAsP光導波層12゜活性層31 、32 、 p
−InPクラッド層で主に構成される。ここで従来例と
の違いは、従来例においては回折格子20.21のピッ
チが/11..42と異なり活性層13の組成および層
厚は同一であったのに対し、本実施例においては活性層
はそれぞれ層厚の異なる、InGaAsP井戸層(λ9
=1.3μm)とInGaAsP障壁層(λ =1.Q
5μm)から成る多重量子井戸(MQW)構造活性層3
1゜32である。ここでMQW活性層31は第1図りに
その拡大図を示すように60人の井戸層33と50人の
障壁層3406対から成り、MOW活性層32は第1図
Eにその拡大図を示すように100人の井戸層36と1
00への障壁層3605対から成る。回折格子のピッチ
はこの場合両者ともAo=4000人で同じである。
DFB−LDにおける発振波長は従来例における(1)
式に従い、LDの導波モードの実効屈折率に依存する(
第2図A)。第1図において、LDlのn。ffは3.
18であるのに対し、LD2においては3.26である
。このn。ffO差により第2図へに示すようにそれぞ
れの発振波長はそれぞれLDlでは1.27 μm 、
I、D2では1.30μmと30 n mの差が得ら
れている。
式に従い、LDの導波モードの実効屈折率に依存する(
第2図A)。第1図において、LDlのn。ffは3.
18であるのに対し、LD2においては3.26である
。このn。ffO差により第2図へに示すようにそれぞ
れの発振波長はそれぞれLDlでは1.27 μm 、
I、D2では1.30μmと30 n mの差が得ら
れている。
一方、本発明の構造においてはLDl、LD2の活性層
31.32はそれぞれ井戸層厚50Aおよび100への
MQW層であるので、両者のバンドギャップエネルギー
すなわちゲインビークは第2図Bに示すように量子サイ
ズ効果により異なる。
31.32はそれぞれ井戸層厚50Aおよび100への
MQW層であるので、両者のバンドギャップエネルギー
すなわちゲインビークは第2図Bに示すように量子サイ
ズ効果により異なる。
すなわちLDlにおいては1.27μmであるのに対し
LD2においては1.30μmとなる。第3図に本発明
の2つのLDの発振ヌベクトルを示す。
LD2においては1.30μmとなる。第3図に本発明
の2つのLDの発振ヌベクトルを示す。
AはLDl、BはLD2に対応する。ゲインピークは発
振波長にほぼ一致しており、第、5図に示した従来例の
ような両者のずれはほとんどない。これは井戸層厚の変
化に対して、”5sff変化による発振波長シフトと量
子サイズ効果によるゲインピークシフトは同一方向に生
じるからである。
振波長にほぼ一致しており、第、5図に示した従来例の
ような両者のずれはほとんどない。これは井戸層厚の変
化に対して、”5sff変化による発振波長シフトと量
子サイズ効果によるゲインピークシフトは同一方向に生
じるからである。
このように本発明のDFB−LDアレイでは発振波長と
ゲインピークのずれが小さく、アレイ中の各LDの特性
のばらつきは小さく、すべて良好な電流−光出力特性、
温度特性を示す。
ゲインピークのずれが小さく、アレイ中の各LDの特性
のばらつきは小さく、すべて良好な電流−光出力特性、
温度特性を示す。
次に、本発明の構造のDFB−LDアレイを作製プロセ
スについて説明する。まず第4図Aに示すようにn型I
nP基板上に二光束干渉露光法によりビッチΔ。=40
00人の回折格子を形成する。
スについて説明する。まず第4図Aに示すようにn型I
nP基板上に二光束干渉露光法によりビッチΔ。=40
00人の回折格子を形成する。
次に第4図Bに示すようにこの基板上に、回折格子と垂
直の方向に幅s1.S2の異なる複数のメサストライプ
35.36を通常のフォトリソグラフィーで形成する。
直の方向に幅s1.S2の異なる複数のメサストライプ
35.36を通常のフォトリソグラフィーで形成する。
このメサ基板上に液相エピタキシャル成長法で第3図C
に示す↓うに、InGaAsP光導波層11 、InG
aAsP MQW活性層(31゜32)、p−InP層
14を順次形成する。液用成長法によると、メサストラ
イプ上のエピタキシャル層の厚さは平坦部よシ薄く、か
つメサストライプの幅に大きく依存する。第6図にMQ
W活性層の井戸層Lzおよび実効屈折率のメサストライ
プ幅S依存性を示す。メサストライプ幅の減少とともに
井戸層厚および実効屈折率はともに減少する。
に示す↓うに、InGaAsP光導波層11 、InG
aAsP MQW活性層(31゜32)、p−InP層
14を順次形成する。液用成長法によると、メサストラ
イプ上のエピタキシャル層の厚さは平坦部よシ薄く、か
つメサストライプの幅に大きく依存する。第6図にMQ
W活性層の井戸層Lzおよび実効屈折率のメサストライ
プ幅S依存性を示す。メサストライプ幅の減少とともに
井戸層厚および実効屈折率はともに減少する。
S を10μm、S2を20μm とすると第1図り。
Eに示すMQW層31,3≧における井戸層厚33.3
5はそれぞれ60人および100人となり、活性層の実
効屈折率n。ffはそれぞれ3.1B。
5はそれぞれ60人および100人となり、活性層の実
効屈折率n。ffはそれぞれ3.1B。
3.26と異なる。第2図、第3図に従い、この実効屈
折率差による発振波長シフトと、井戸層厚差によるゲイ
ンピークシフトは同様の挙動を示すので、発振波長とゲ
インビークのずれの小さい良好な特性の多波長DFB−
LDアレイを得ることができる。
折率差による発振波長シフトと、井戸層厚差によるゲイ
ンピークシフトは同様の挙動を示すので、発振波長とゲ
インビークのずれの小さい良好な特性の多波長DFB−
LDアレイを得ることができる。
このように本作製法においては一回の回折格子形成プロ
セスと基本的に一回のエピタキシャル成長という非常に
簡単なプロセスにより、特性のばらつきの小さい集積化
多波長DFB−LDアレイを得ることができる。
セスと基本的に一回のエピタキシャル成長という非常に
簡単なプロセスにより、特性のばらつきの小さい集積化
多波長DFB−LDアレイを得ることができる。
ところで本実施例においては簡単のだめ、2波長集積素
子を例にとって説明したが、3波長以上の多波長LDア
レイの場合も全く同様である。またDFB−LDの構造
は活性層の下に回折格子が存在する構造であったが、活
性層上に回折格子を有するDFB−4D構造においても
全く同じである。またエピタキシャル成長法としては液
相法について説明したが、MOVPE法やMBE法等の
他の方法においても条件を選べば同様の効果を得ること
ができる。さらに材料としてInGaAsP/InP系
について説明したがAlGaAs/GaAs、1%等の
他の■−v族半導体についても同様に適用できるもので
ある。
子を例にとって説明したが、3波長以上の多波長LDア
レイの場合も全く同様である。またDFB−LDの構造
は活性層の下に回折格子が存在する構造であったが、活
性層上に回折格子を有するDFB−4D構造においても
全く同じである。またエピタキシャル成長法としては液
相法について説明したが、MOVPE法やMBE法等の
他の方法においても条件を選べば同様の効果を得ること
ができる。さらに材料としてInGaAsP/InP系
について説明したがAlGaAs/GaAs、1%等の
他の■−v族半導体についても同様に適用できるもので
ある。
発明の効果
以上、本発明は第1の導電型の同一半導体基板主面上の
アレイ状の複数領域に、各領域で層厚が異なる量子井戸
層を含む活性層、回折格子および第2の導電型のクラッ
ド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レーザア
レイであり、各I、Dテ発振波長のゲインピークのずれ
が小さいことによる特性のばらつきの小さい、良好な単
一軸モード発振を有する集積化多波長LDアレイを提供
できるものである。また半導体基板上に回折格子を形成
する工程と、基板上の複数の領域にそれぞれ幅の異なる
メサストライプをアレイ状、に形成したのち液相エピタ
キシャル成長法によfiMQW層を含む成長層を形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザアレイの製
造方法であり、基本的に一回の回折格子形成と一回のエ
ピタキシャル成長という非常に簡単な製造プロセスによ
り前述の集積化素子を得ることができるものである。
アレイ状の複数領域に、各領域で層厚が異なる量子井戸
層を含む活性層、回折格子および第2の導電型のクラッ
ド層をそれぞれ有することを特徴とする半導体レーザア
レイであり、各I、Dテ発振波長のゲインピークのずれ
が小さいことによる特性のばらつきの小さい、良好な単
一軸モード発振を有する集積化多波長LDアレイを提供
できるものである。また半導体基板上に回折格子を形成
する工程と、基板上の複数の領域にそれぞれ幅の異なる
メサストライプをアレイ状、に形成したのち液相エピタ
キシャル成長法によfiMQW層を含む成長層を形成す
る工程を含むことを特徴とする半導体レーザアレイの製
造方法であり、基本的に一回の回折格子形成と一回のエ
ピタキシャル成長という非常に簡単な製造プロセスによ
り前述の集積化素子を得ることができるものである。
第1図は本発明の一実施例のDFB−LDアレイの構造
を示し、同図Aはその平面図、同図B。 Cはその光軸方向a−a’、b−b’ 線での断面図、
同図り、Eはそれぞれ同図B、CにおけるMQW層の拡
大断面図である。第2図Aは発振波長の実効屈折率依存
性、Bはゲインピークの井戸層厚依存性を示す図、第3
図A、Bは本発明のアレイの代表的な2つのLDの発振
スペクトルを示す図、第4図A、B、Cは本発明による
DFB−LDアレイの製造プロセヌを示す斜視図、断面
図、第5図は実効屈折率および井戸層厚のメサストライ
プ幅依存性を示す図である。第6図は従来例のレーザに
おける構造を示し、同図Aはその平面図、同図B、Cは
同図Aのa−a’、b−b’ 線断面図、第7図A、B
は第6図の発振スペクトルを示す図である。 1・・・・・・LDl、2・・・・・・LD2.11・
・・・・・n型InP基板、12−・・−InGaAa
P光導波層、14・・・・・・p型InPクラッド層、
100・・・・・・回折格子、31.32・・・・・・
MQW活性層、33 ; 35・・・・・・井戸層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はか1名l−
・−LDI 2・−LD 2 第1図 1ρ0・−固肪l各子 pθ 31・−#jQV眉 33−井戸層 34−障硫層 32°・−/’iQW’層 35・・−什P7@ 36″−7II M 、71 (β) lρθ 井7−層厚Lz(A) J、f5 大差びト香卑。 rL、eチチ /、2.5 /、3θ /、 3.f 集 図 富 図 pρ 35.3g−−メ丈ストライプ。 / 第 図 メ丈ストライプ°横 δ(P/WL) 第 図 (^ン /、 25 /、36 う皮 長 (I3) 1.35 (μ#L) 隈 長
を示し、同図Aはその平面図、同図B。 Cはその光軸方向a−a’、b−b’ 線での断面図、
同図り、Eはそれぞれ同図B、CにおけるMQW層の拡
大断面図である。第2図Aは発振波長の実効屈折率依存
性、Bはゲインピークの井戸層厚依存性を示す図、第3
図A、Bは本発明のアレイの代表的な2つのLDの発振
スペクトルを示す図、第4図A、B、Cは本発明による
DFB−LDアレイの製造プロセヌを示す斜視図、断面
図、第5図は実効屈折率および井戸層厚のメサストライ
プ幅依存性を示す図である。第6図は従来例のレーザに
おける構造を示し、同図Aはその平面図、同図B、Cは
同図Aのa−a’、b−b’ 線断面図、第7図A、B
は第6図の発振スペクトルを示す図である。 1・・・・・・LDl、2・・・・・・LD2.11・
・・・・・n型InP基板、12−・・−InGaAa
P光導波層、14・・・・・・p型InPクラッド層、
100・・・・・・回折格子、31.32・・・・・・
MQW活性層、33 ; 35・・・・・・井戸層。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はか1名l−
・−LDI 2・−LD 2 第1図 1ρ0・−固肪l各子 pθ 31・−#jQV眉 33−井戸層 34−障硫層 32°・−/’iQW’層 35・・−什P7@ 36″−7II M 、71 (β) lρθ 井7−層厚Lz(A) J、f5 大差びト香卑。 rL、eチチ /、2.5 /、3θ /、 3.f 集 図 富 図 pρ 35.3g−−メ丈ストライプ。 / 第 図 メ丈ストライプ°横 δ(P/WL) 第 図 (^ン /、 25 /、36 う皮 長 (I3) 1.35 (μ#L) 隈 長
Claims (2)
- (1)第1の導電型の同一半導体基板上のアレイ状の複
数領域に、前記各領域で層厚の異なる量子井戸層を含む
活性層、回折格子および第2の導電型のクラッド層をそ
れぞれ有することを特徴とする半導体レーザアレイ。 - (2)半導体基板もしくはエピタキシャル基板上に回折
格子を形成する工程と、前記半導体基板もしくはエピタ
キシャル基板上の複数の領域にそれぞれ幅の異なるメサ
ストライプをアレイ状に形成したのち、前記メサアレイ
基板上にエピタキシャル成長により量子井戸層で構成さ
れる活性層を含むエピタキシャル層を形成する工程を含
むことを特特とする半導体レーザアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1075312A JPH0770781B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体レーザアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP1075312A JPH0770781B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体レーザアレイ |
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JP8153964A Division JP2746262B2 (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 半導体レーザアレイの製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH02252284A true JPH02252284A (ja) | 1990-10-11 |
JPH0770781B2 JPH0770781B2 (ja) | 1995-07-31 |
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ID=13572613
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JP1075312A Expired - Fee Related JPH0770781B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 半導体レーザアレイ |
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JP (1) | JPH0770781B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03225888A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザダイオード |
JP2002223035A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2010123643A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Opnext Japan Inc | 半導体アレイ素子、レーザモジュール、光送信モジュール、および光伝送装置 |
CN114899697A (zh) * | 2022-07-13 | 2022-08-12 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种双波长级联半导体激光器及制备方法 |
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JPS6045084A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
JPS6079787A (ja) * | 1983-10-06 | 1985-05-07 | Nec Corp | 集積型半導体レ−ザ |
JPS6332982A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP1075312A patent/JPH0770781B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0770781B2 (ja) | 1995-07-31 |
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