JPH02244719A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH02244719A JPH02244719A JP6386589A JP6386589A JPH02244719A JP H02244719 A JPH02244719 A JP H02244719A JP 6386589 A JP6386589 A JP 6386589A JP 6386589 A JP6386589 A JP 6386589A JP H02244719 A JPH02244719 A JP H02244719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- arrow
- chamber
- processing chamber
- dry etching
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 13
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
処理室内に上部電極と下部電極とを収納したドライエツ
チング装置に関し、 処理室内のセルフクリーニング機構を具備せしめること
を目的とし、 上部電極のほぼ全面と下部電極の少なくとも上面とから
処理室内を洗浄するためのオゾンを導入するように構成
する。
チング装置に関し、 処理室内のセルフクリーニング機構を具備せしめること
を目的とし、 上部電極のほぼ全面と下部電極の少なくとも上面とから
処理室内を洗浄するためのオゾンを導入するように構成
する。
本発明は、ドライエツチング装置、特にセルフクリーニ
ング機構を備えたドライエツチング装置に関する。
ング機構を備えたドライエツチング装置に関する。
近年の高密度電子デバイスの製造においては、コンタミ
ネーションの防止対策は極めて重要な課題であり、装置
内汚染を未然に防ぐためのセルフクリーニング機構を備
えるドライエツチング装置が必要となる。
ネーションの防止対策は極めて重要な課題であり、装置
内汚染を未然に防ぐためのセルフクリーニング機構を備
えるドライエツチング装置が必要となる。
従来のドライエツチング装置においては、保守担当者が
、フッ酸処理などの方法により、処理室内をクリーニン
グすることが行われていた。しかしながら、かかる方法
では、有機物の除去が不十分となることがあり、またク
リーニングを人手によって行うことは装置の保守管理上
も問題である。
、フッ酸処理などの方法により、処理室内をクリーニン
グすることが行われていた。しかしながら、かかる方法
では、有機物の除去が不十分となることがあり、またク
リーニングを人手によって行うことは装置の保守管理上
も問題である。
しかして、有機物をオゾンによって除去し得ることは知
られており、かかる目的のために処理室内にオゾンを導
入する手段を備えたドライエツチング装置が提案されて
いる(例えば、特開昭60−32315.61−494
13.61−75515など)。
られており、かかる目的のために処理室内にオゾンを導
入する手段を備えたドライエツチング装置が提案されて
いる(例えば、特開昭60−32315.61−494
13.61−75515など)。
ニング効果を得ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかるにかかる促案の装置によっても、未だ装置内の洗
浄効果は上置とはいえず、従ってさらに十分な洗浄を行
うことのできるセルフクリーニング機構を備える装置が
要望されるところである。
浄効果は上置とはいえず、従ってさらに十分な洗浄を行
うことのできるセルフクリーニング機構を備える装置が
要望されるところである。
本発明によれば、上記課題を解決するため、処理室内に
上部電極と下部電極とを収納したドライエツチング装置
であって、前記り部電極のほぼ全面と前記下部電極の少
なくとも上面とから前記処理室内を洗浄するためのオゾ
ンを導入するようにしたことを特徴とする装置が提供さ
れる。
上部電極と下部電極とを収納したドライエツチング装置
であって、前記り部電極のほぼ全面と前記下部電極の少
なくとも上面とから前記処理室内を洗浄するためのオゾ
ンを導入するようにしたことを特徴とする装置が提供さ
れる。
本発明の装置においては、処理室内にオゾンを十分に配
分させることができるため、処理室内において均一なオ
ゾン濃度が得られ、均一なりリー〔実施例〕 本発明のドライエツチング装置の一例を、第1図を参照
しながら、さらに説明する。
分させることができるため、処理室内において均一なオ
ゾン濃度が得られ、均一なりリー〔実施例〕 本発明のドライエツチング装置の一例を、第1図を参照
しながら、さらに説明する。
第1図は、本発明装置の好ましい実施例を模式的に示し
た断面図である。排気装置(図示せず)を備えた処理室
1には上部電極2と下部電極3どが配置されている。ド
ライエツチングの操作時には、反応ガスは矢印Aの方向
に反応ガス導入管4を介して処理室l内へ導入され、そ
して矢印Cの方向に排気される。操作が終了すれば、処
理室内のクリーニングのために、オゾン発生装置(図示
せず)から矢印Bの方向にオゾン導入管5を介し、さら
に上部電極2のほぼ全面に設けられた開1]を介して、
オゾンが処理室内に導入される。一方、下部電極3にも
矢印りの方向にオゾン導入管6を介してオゾンが送給さ
れ、その少なくとも上面に設けられた開口を介して処理
室内へ導入される。
た断面図である。排気装置(図示せず)を備えた処理室
1には上部電極2と下部電極3どが配置されている。ド
ライエツチングの操作時には、反応ガスは矢印Aの方向
に反応ガス導入管4を介して処理室l内へ導入され、そ
して矢印Cの方向に排気される。操作が終了すれば、処
理室内のクリーニングのために、オゾン発生装置(図示
せず)から矢印Bの方向にオゾン導入管5を介し、さら
に上部電極2のほぼ全面に設けられた開1]を介して、
オゾンが処理室内に導入される。一方、下部電極3にも
矢印りの方向にオゾン導入管6を介してオゾンが送給さ
れ、その少なくとも上面に設けられた開口を介して処理
室内へ導入される。
このようにして、オゾンは処理室1内に均等に分配され
、処理室を洗浄し、矢印Cの方向に排出される。図にお
いて、矢印Eは処理室内へのオゾンの導入方向を示すも
のである。
、処理室を洗浄し、矢印Cの方向に排出される。図にお
いて、矢印Eは処理室内へのオゾンの導入方向を示すも
のである。
以上の如き本発明の装置によれば、オゾンにより有機物
が極めて均一かつ効率的に除去されるため、処理室内は
常に清澄に維持され、コンタミネーションが極めて有効
に防止される。
が極めて均一かつ効率的に除去されるため、処理室内は
常に清澄に維持され、コンタミネーションが極めて有効
に防止される。
第1図は本発明の装置の一例を模式的に示す断面図であ
る。 ■・・・処理室、 2・・・L部電極、3・・
・下部電極、 4・・・反応ガス導入管、5.6・
・・オゾン導入管。 第1図 5.6・・・オゾン導入管
る。 ■・・・処理室、 2・・・L部電極、3・・
・下部電極、 4・・・反応ガス導入管、5.6・
・・オゾン導入管。 第1図 5.6・・・オゾン導入管
Claims (1)
- 1、処理室内に上部電極と下部電極とを収納したドライ
エッチング装置であって、前記上部電極のほぼ全面と前
記下部電極の少なくとも上面とから前記処理室内を洗浄
するためのオゾンを導入するようにしたことを特徴とす
る装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6386589A JPH02244719A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6386589A JPH02244719A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02244719A true JPH02244719A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13241634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6386589A Pending JPH02244719A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02244719A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5981960A (en) * | 1996-03-19 | 1999-11-09 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method and apparatus therefor |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP6386589A patent/JPH02244719A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5981960A (en) * | 1996-03-19 | 1999-11-09 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method and apparatus therefor |
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