JPH0622220B2 - レジスト灰化方法 - Google Patents
レジスト灰化方法Info
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- JPH0622220B2 JPH0622220B2 JP59243827A JP24382784A JPH0622220B2 JP H0622220 B2 JPH0622220 B2 JP H0622220B2 JP 59243827 A JP59243827 A JP 59243827A JP 24382784 A JP24382784 A JP 24382784A JP H0622220 B2 JPH0622220 B2 JP H0622220B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば半導体装置製造のウェーハプロセスな
どにおいて、被処理体表面のレジスト膜を灰化して除去
するレジスト灰化方法およびその装置に関する。
どにおいて、被処理体表面のレジスト膜を灰化して除去
するレジスト灰化方法およびその装置に関する。
半導体装置製造におけるウェーハプロセスでイオン注入
やエッチングを行う際それがウェーハの局所的な部分に
限定される場合、ウェーハ上にレジストを塗布しパター
ニングして形成されたレジスト膜をマスクにして行うこ
とが多い。
やエッチングを行う際それがウェーハの局所的な部分に
限定される場合、ウェーハ上にレジストを塗布しパター
ニングして形成されたレジスト膜をマスクにして行うこ
とが多い。
この場合、イオン注入やエッチングの後、マスクにした
レジスト膜を除去する必要がある。
レジスト膜を除去する必要がある。
このレジスト膜の除去には、従来、液体化学薬品を使用
するウエットプロセスが適用されていたが、パターンの
微細化に伴い、ウェーハに対する汚染が少なく且つ工程
がウエットプロセスより単純なドライプロセス、即ちレ
ジストを灰化（ガス化）して除去する方法が採用される
ようになってきた。
するウエットプロセスが適用されていたが、パターンの
微細化に伴い、ウェーハに対する汚染が少なく且つ工程
がウエットプロセスより単純なドライプロセス、即ちレ
ジストを灰化（ガス化）して除去する方法が採用される
ようになってきた。
然し、現状のレジスト灰化方法で未だレジスト膜の充分
な除去が出来ない場合があるので、その方法の改良が望
まれる。
な除去が出来ない場合があるので、その方法の改良が望
まれる。
従来のレジスト灰化方法は、被処理対表面のレジスト膜
に酸素プラズマを作用させ、レジスト膜を灰化（ガス
化）するものである。即ち、高分子樹脂のレジストが酸
素プラズマ中に生じた原子状酸素と化学反応して低分子
化し、更に酸化によって炭素ガスおよび水蒸気へ分解、
ガス化する作用を用いたものである。
に酸素プラズマを作用させ、レジスト膜を灰化（ガス
化）するものである。即ち、高分子樹脂のレジストが酸
素プラズマ中に生じた原子状酸素と化学反応して低分子
化し、更に酸化によって炭素ガスおよび水蒸気へ分解、
ガス化する作用を用いたものである。
この方法を実施するための装置の構成は、例えば側断面
図で示した第３図(b)図示の如くである。
図で示した第３図(b)図示の如くである。
同図において、１は密閉構造になる処理室、２は処理室
１に酸素を導入するガス導入口、３は処理室１内のガス
を排出するガス排出口、４は処理室１内の酸素をプラズ
マ化する高周波コイルである。
１に酸素を導入するガス導入口、３は処理室１内のガス
を排出するガス排出口、４は処理室１内の酸素をプラズ
マ化する高周波コイルである。
ウェーハなど被処理体Ｓの表面にあるレジスト膜を灰化
して除去するのは、被処理体Ｓをボート５に載せて処理
室１内に入れ、処理室１内を酸素雰囲気（例えば約１To
rr程度）にし、高周波コイル４の作動により該酸素をプ
ラズマ化して行う。そして、酸素プラズマを作用させて
いる間は、酸素の供給とレジストが分解したガスを含む
ガスの排出とを継続して行う。
して除去するのは、被処理体Ｓをボート５に載せて処理
室１内に入れ、処理室１内を酸素雰囲気（例えば約１To
rr程度）にし、高周波コイル４の作動により該酸素をプ
ラズマ化して行う。そして、酸素プラズマを作用させて
いる間は、酸素の供給とレジストが分解したガスを含む
ガスの排出とを継続して行う。
然し、灰化するレジスト膜は、マスクとして使用される
イオン注入の際に表層が変質するため、上記灰化方法で
は該表面部分が感ぜに分解しきれず、残渣や、分解途上
のものが別の場所で異物膜となる所謂デポ膜が灰化後の
表面に発生して、レジスト膜の除去が充分に行われない
場合がある。
イオン注入の際に表層が変質するため、上記灰化方法で
は該表面部分が感ぜに分解しきれず、残渣や、分解途上
のものが別の場所で異物膜となる所謂デポ膜が灰化後の
表面に発生して、レジスト膜の除去が充分に行われない
場合がある。
このような場合には、通常、第３図(a)に示した工程図
の破線で示したようにウエットプロセスによる処理を追
加することになって被処理体Ｓに対する汚染が増え、ド
ライプロセスに切り替えた効果が充分に発揮出来なくな
り工程も複雑になる問題がある。
の破線で示したようにウエットプロセスによる処理を追
加することになって被処理体Ｓに対する汚染が増え、ド
ライプロセスに切り替えた効果が充分に発揮出来なくな
り工程も複雑になる問題がある。
それでも、上記レジスト灰化方法の採用は、最初からウ
エットプロセスで行うよりは液体化学薬品の汚れが少な
いので、被処理体Ｓに対する汚染の度合を少なくするこ
とが出来る利点がある。
エットプロセスで行うよりは液体化学薬品の汚れが少な
いので、被処理体Ｓに対する汚染の度合を少なくするこ
とが出来る利点がある。
また、レジスト膜をエッチングのマスクに使用する場
合、パターンの微細化のためエッチングがドライエッチ
ングに移行してきており、やはりレジスト膜の表層が変
質する。この場合のレジスト膜の灰化では、通常上記の
ような残渣やデポ膜の発生は見らず、ドライプロセスで
レジスト膜の除去を完了するが、灰化に要する時間が長
くなって生産性を低下させる問題がある。
合、パターンの微細化のためエッチングがドライエッチ
ングに移行してきており、やはりレジスト膜の表層が変
質する。この場合のレジスト膜の灰化では、通常上記の
ような残渣やデポ膜の発生は見らず、ドライプロセスで
レジスト膜の除去を完了するが、灰化に要する時間が長
くなって生産性を低下させる問題がある。
上記問題点は、オゾン含有酸素雰囲気下に、荷電粒子照
射によりできる表面変質層を有するレジスト膜が表面に
被着形成されてなる被処理体を置き、該レジスト膜表面
に短波長紫外線をを照射しつつオゾンを作用させ、該レ
ジスト膜の少なくとも表面変質層をガス化して除去する
工程と、 次いで、該被処理体に酸素含有プラズマを作用させ、残
余の前記レジスト膜をガス化して除去する工程とを有す
る本発明のレジスト灰化方法によって解決される。
射によりできる表面変質層を有するレジスト膜が表面に
被着形成されてなる被処理体を置き、該レジスト膜表面
に短波長紫外線をを照射しつつオゾンを作用させ、該レ
ジスト膜の少なくとも表面変質層をガス化して除去する
工程と、 次いで、該被処理体に酸素含有プラズマを作用させ、残
余の前記レジスト膜をガス化して除去する工程とを有す
る本発明のレジスト灰化方法によって解決される。
またこの方法の実施に際しては、被処理体を収容し酸素
を導入する処理室と、該処理室内の被処理体に短波長紫
外線を照射する機構と、該処理室内の酸素をプラズマ化
する機構とを具えた本発明のレジスト灰化装置を使用す
るのが望ましい。
を導入する処理室と、該処理室内の被処理体に短波長紫
外線を照射する機構と、該処理室内の酸素をプラズマ化
する機構とを具えた本発明のレジスト灰化装置を使用す
るのが望ましい。
酸素を有する雰囲気に置かれた有機物に短波長紫外線を
照射すると、該有機物は、該紫外線により発生するオゾ
ンに覆われ然も該紫外線のエネルギーで化学結合が切断
されるため、分解、ガス化することが知られている。
（例えば、文献、洗浄設計，1984 Summer,P.21）。
照射すると、該有機物は、該紫外線により発生するオゾ
ンに覆われ然も該紫外線のエネルギーで化学結合が切断
されるため、分解、ガス化することが知られている。
（例えば、文献、洗浄設計，1984 Summer,P.21）。
この作用は、有機物に対して選択的に作用し、然も酸素
プラズマの作用より強力で、従来のレジスト灰化方法で
は完全に分解しきれなかった例えばイオン注入によるレ
ジスト膜の変質層や、先に述べた残渣およびデポ膜を充
分に分解しガス化するものである。然し、レジスト膜の
全てをガス化するのには長時間を要する作用である。
プラズマの作用より強力で、従来のレジスト灰化方法で
は完全に分解しきれなかった例えばイオン注入によるレ
ジスト膜の変質層や、先に述べた残渣およびデポ膜を充
分に分解しガス化するものである。然し、レジスト膜の
全てをガス化するのには長時間を要する作用である。
そこで、上記変質層または残渣およびデポ膜のガス化
（灰化）を上記短波長紫外線の照射により、また、レジ
スト膜の大部分の灰化を酸素プラズマによる従来方法に
よって行うことにより、灰化時間を大幅に延長すること
なくレジスト膜の完全な除去が可能になる。
（灰化）を上記短波長紫外線の照射により、また、レジ
スト膜の大部分の灰化を酸素プラズマによる従来方法に
よって行うことにより、灰化時間を大幅に延長すること
なくレジスト膜の完全な除去が可能になる。
そして、かくすることにより、従来のレジスト灰化方法
では残渣やデポ膜が発生する場合であっても、その後の
ウエットプロセスによる処理が不要になり、ドライプロ
セスに切り替えた効果を充分に発揮する、即ち、被処理
体に対する汚染を低減し且つ工程を単純化することが可
能になる。
では残渣やデポ膜が発生する場合であっても、その後の
ウエットプロセスによる処理が不要になり、ドライプロ
セスに切り替えた効果を充分に発揮する、即ち、被処理
体に対する汚染を低減し且つ工程を単純化することが可
能になる。
このレジスト灰化方法を実施するには、短波長紫外線の
照射工程と酸素プラズマを作用させる工程とを別の装置
によって行ってもよいが、上記本発明の装置を使用する
ことにより、両工程を同一装置で処理出来るので、被処
理体の手作業による取扱い頻度が減少して、被処理体に
対する汚染を低減させる効果が一層増大する。
照射工程と酸素プラズマを作用させる工程とを別の装置
によって行ってもよいが、上記本発明の装置を使用する
ことにより、両工程を同一装置で処理出来るので、被処
理体の手作業による取扱い頻度が減少して、被処理体に
対する汚染を低減させる効果が一層増大する。
以下本発明の実施例を図により説明する。全図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第１図(a)は本発明のレジスト灰化方法の一実施例によ
るレジスト膜除去の工程図、第１図(b)はその方法に使
用するレジスト灰化装置の一実施例の構成を示した側断
面図、第２図は同方法の他の実施例によるレジスト膜除
去の工程図である。
るレジスト膜除去の工程図、第１図(b)はその方法に使
用するレジスト灰化装置の一実施例の構成を示した側断
面図、第２図は同方法の他の実施例によるレジスト膜除
去の工程図である。
第１図(a)と(b)は、それぞれ従来の工程と装置とを示し
た第３図(a)と(b)に対応した図である。
た第３図(a)と(b)に対応した図である。
第１図(a)図示の工程は、全ての工程がドライプロセス
であり、本発明のレジスト灰化方法に含まれるものであ
る。
であり、本発明のレジスト灰化方法に含まれるものであ
る。
即ち、第一工程は、酸素を有する雰囲気に被処理体を置
き、被処理体に短波長紫外線を照射しながら紫外線によ
って発生するオゾンを作用させ、イオン注入やドライエ
ッチングに使用した被処理体表面のレジスト膜の変質層
を灰化する工程であり、第二工程は、従来のレジスト灰
化方法により該変質層が除去された後のレジスト膜を灰
化する工程である。
き、被処理体に短波長紫外線を照射しながら紫外線によ
って発生するオゾンを作用させ、イオン注入やドライエ
ッチングに使用した被処理体表面のレジスト膜の変質層
を灰化する工程であり、第二工程は、従来のレジスト灰
化方法により該変質層が除去された後のレジスト膜を灰
化する工程である。
この方法によれば、各工程でレジスト膜が確実にガス化
して、イオン注入のマスクに使用したレジスト膜におけ
る残渣やデポ膜の発生がなく、従ってその後のウェット
プロセスによる処理の必要がなくなる。
して、イオン注入のマスクに使用したレジスト膜におけ
る残渣やデポ膜の発生がなく、従ってその後のウェット
プロセスによる処理の必要がなくなる。
また、ドライエッチングのマスクに使用したレジスト膜
においては、灰化に要する時間が従来方法の場合の約1/
2 に短縮する。
においては、灰化に要する時間が従来方法の場合の約1/
2 に短縮する。
この方法を実施する装置は、さきに述べた理由により、
第一工程も第二工程も行うことが可能であるものが望ま
しく、第１図(b)図示の装置がその一実施例である。
第一工程も第二工程も行うことが可能であるものが望ま
しく、第１図(b)図示の装置がその一実施例である。
この装置は、基本的には、被処理体Ｓに短波長紫外線を
照射する紫外線発光管６を第３図(b)図示の装置に付加
したものである。
照射する紫外線発光管６を第３図(b)図示の装置に付加
したものである。
発光管６は、処理室１の外側に、酸素をオゾン化する短
波長紫外線の発光に適した管状の発光管例えば低圧水銀
灯をコイル状に巻回したものである。また、処理室１は
この紫外線を透過させるため例えば石英ガラスで形成し
てある。
波長紫外線の発光に適した管状の発光管例えば低圧水銀
灯をコイル状に巻回したものである。また、処理室１は
この紫外線を透過させるため例えば石英ガラスで形成し
てある。
この装置でウェーハなど被処理体Ｓの表面にあるレジス
ト膜を灰化する際、図示のように被処理体Ｓをボート５
上に平行に立てて並べ処理室１内に入れることにより、
発光管６からの紫外線をレジスト膜の全面に照射するこ
とが出来る。処理室１内の酸素圧力は、従来どおり例え
ば約１Torr程度でよい。そして、第一工程の際には発光
管６を点灯すればよく、第二工程の際には高周波コイル
４を作動させればよい。従って、この装置においては第
一、第二工程の間で被処理体Ｓに手を触れる必要がな
い。
ト膜を灰化する際、図示のように被処理体Ｓをボート５
上に平行に立てて並べ処理室１内に入れることにより、
発光管６からの紫外線をレジスト膜の全面に照射するこ
とが出来る。処理室１内の酸素圧力は、従来どおり例え
ば約１Torr程度でよい。そして、第一工程の際には発光
管６を点灯すればよく、第二工程の際には高周波コイル
４を作動させればよい。従って、この装置においては第
一、第二工程の間で被処理体Ｓに手を触れる必要がな
い。
第２図図示の工程は、第１図(a)図示の工程と同様に、
全ての工程がドライプロセスであり、本発明のレジスト
灰化方法に含まれるものである。
全ての工程がドライプロセスであり、本発明のレジスト
灰化方法に含まれるものである。
即ち、この工程は、第１図(a)図示の第一、第二工程の
順序を逆にしたもので、従来のレジスト灰化方法を行っ
た後に短波長紫外線の照射を行っている。この場合の紫
外線照射は、イオン注入のマスクに使用したレジスト膜
における残渣やデポ膜の除去のため行うもので、従来の
ウエットプロセスによる処理に代わり残渣やデポ膜を完
全にガス代して該ウエットプロセスによる処理を不要に
する。
順序を逆にしたもので、従来のレジスト灰化方法を行っ
た後に短波長紫外線の照射を行っている。この場合の紫
外線照射は、イオン注入のマスクに使用したレジスト膜
における残渣やデポ膜の除去のため行うもので、従来の
ウエットプロセスによる処理に代わり残渣やデポ膜を完
全にガス代して該ウエットプロセスによる処理を不要に
する。
第１図(b)図示の装置でこの方法を実施することが可能
であることは、説明は省略しても容易に理解出来る。
であることは、説明は省略しても容易に理解出来る。
以上説明したように、本発明の構成によれば、イオンエ
ッチングに使用したレジスト膜に対して完全にドライプ
ロセス化させ、またドライエッチングに使用したレジス
ト膜に対して灰化時間を短縮させるレジスト灰化方法
と、該方法を実施するのに適した装置とが提供出来て、
例えば半導体装置製造のウェーハプロセスにおけるレジ
スト膜除去の品質向上と生産性向上を可能にさせる効果
がある。
ッチングに使用したレジスト膜に対して完全にドライプ
ロセス化させ、またドライエッチングに使用したレジス
ト膜に対して灰化時間を短縮させるレジスト灰化方法
と、該方法を実施するのに適した装置とが提供出来て、
例えば半導体装置製造のウェーハプロセスにおけるレジ
スト膜除去の品質向上と生産性向上を可能にさせる効果
がある。
図面において、 第１図(a)は本発明のレジスト灰化方法の一実施例によ
るレジスト膜除去の工程図、 第１図(b)はその方法に使用するレジスト灰化装置の一
実施例の構成を示した側断面図、 第２図は同方法の他の実施例によるレジスト膜除去の工
程図、 第３図(a)は従来のレジスト灰化方法によるレジスト膜
除去の工程図、 第３図(b)はその方法に使用するレジスト灰化装置例の
構成を示した側断面図である。 また、図中において、 １は処理室、２はガス導入口、 ３はガス排出口、４は高周波コイル、 ５はボート、６は紫外線発光管、 Ｓは被処理体、 をそれぞれ示す。
るレジスト膜除去の工程図、 第１図(b)はその方法に使用するレジスト灰化装置の一
実施例の構成を示した側断面図、 第２図は同方法の他の実施例によるレジスト膜除去の工
程図、 第３図(a)は従来のレジスト灰化方法によるレジスト膜
除去の工程図、 第３図(b)はその方法に使用するレジスト灰化装置例の
構成を示した側断面図である。 また、図中において、 １は処理室、２はガス導入口、 ３はガス排出口、４は高周波コイル、 ５はボート、６は紫外線発光管、 Ｓは被処理体、 をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】オゾン含有酸素雰囲気下に、荷電粒子照射
によりできる表面変質層を有するレジスト膜が表面に被
着形成されてなる被処理体を置き、該レジスト膜表面に
短波長紫外線を照射しつつオゾンを作用させ、該レジス
ト膜の少なくとも表面変質層をガス化して除去する工程
と、 次いで、該被処理体に酸素含有プラズマを作用させ、残
余の前記レジスト膜をガス化して除去する工程と を有するレジスト灰化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243827A JPH0622220B2 (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | レジスト灰化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243827A JPH0622220B2 (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | レジスト灰化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123143A JPS61123143A (ja) | 1986-06-11 |
| JPH0622220B2 true JPH0622220B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=17109517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59243827A Expired - Lifetime JPH0622220B2 (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | レジスト灰化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622220B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0626201B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1994-04-06 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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-
1984
- 1984-11-19 JP JP59243827A patent/JPH0622220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61123143A (ja) | 1986-06-11 |
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