JPH0224012B2 - - Google Patents
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- JPH0224012B2 JPH0224012B2 JP61231087A JP23108786A JPH0224012B2 JP H0224012 B2 JPH0224012 B2 JP H0224012B2 JP 61231087 A JP61231087 A JP 61231087A JP 23108786 A JP23108786 A JP 23108786A JP H0224012 B2 JPH0224012 B2 JP H0224012B2
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- Japan
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- stage
- wafer
- frame
- mask
- exposure
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体生産用露光装置に係り、特に、
半導体ウエハー等の試料が載置されたステージを
高精度に位置決め移動するためのステージ移動装
置に関する。
半導体ウエハー等の試料が載置されたステージを
高精度に位置決め移動するためのステージ移動装
置に関する。
(従来の技術)
近年、半導体集積回路の微細化により、高精度
の露光装置が要求されている。この露光装置に不
可欠のものが高精度の移動、位置決め装置であ
る。
の露光装置が要求されている。この露光装置に不
可欠のものが高精度の移動、位置決め装置であ
る。
ここで、第5図を参照して、従来のX線露光装
置の一例について概説する。
置の一例について概説する。
露光装置ハウジング12には可動状態にステー
ジ13が配設され、このステージ13にはウエハ
ー14が載置されて、エアーロツク手段121に
よつてロツクされる。ウエハー14と露光用マス
ク15との位置決めを行う際、マスク15とウエ
ハー14に設けられたアライメントマークを用い
てマスク15とウエハー14とのアライメント
(位置決め)が行われる。まず、マイクロスコー
プ16が破線で示す位置から実線で示すに移動す
る。ここで、光源17からの光によつてマスク1
5とウエハー14とのアライメントマークの像が
マイクロスコープ16を介してモニタ18に映し
出される。さらにこのアライメントマーク信号は
アライメントマーク検出装置19に入力され、ア
ライメント誤差が検出される。そして、この誤差
に基づいてスキヤナー20によりステージ13が
移動される。上記のアライメント誤差が許容値以
内となると、マイクロスコープ16が実線で示す
位置から破線で示す位置に移動し、SOR光21
によつてウエハー14が露光される。
ジ13が配設され、このステージ13にはウエハ
ー14が載置されて、エアーロツク手段121に
よつてロツクされる。ウエハー14と露光用マス
ク15との位置決めを行う際、マスク15とウエ
ハー14に設けられたアライメントマークを用い
てマスク15とウエハー14とのアライメント
(位置決め)が行われる。まず、マイクロスコー
プ16が破線で示す位置から実線で示すに移動す
る。ここで、光源17からの光によつてマスク1
5とウエハー14とのアライメントマークの像が
マイクロスコープ16を介してモニタ18に映し
出される。さらにこのアライメントマーク信号は
アライメントマーク検出装置19に入力され、ア
ライメント誤差が検出される。そして、この誤差
に基づいてスキヤナー20によりステージ13が
移動される。上記のアライメント誤差が許容値以
内となると、マイクロスコープ16が実線で示す
位置から破線で示す位置に移動し、SOR光21
によつてウエハー14が露光される。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、従来の露光装置の場合、マスクとウ
エハーとのアライメントの際、その都度マイクロ
スコープ、即ち位置決め検出装置SOR光通路を
塞ぐように移動して、アライメントを行い、アラ
イメントが終了すると、位置決め検出装置を移動
してSOR光通路を実質的にあけ、その後SOR光
によつて露光を行つている。このようにアライメ
ントの都度、位置決め検出装置を移動させなけれ
ばらないから、スループツト(単位時間当りの生
産量)が低くなるという問題点がある。
エハーとのアライメントの際、その都度マイクロ
スコープ、即ち位置決め検出装置SOR光通路を
塞ぐように移動して、アライメントを行い、アラ
イメントが終了すると、位置決め検出装置を移動
してSOR光通路を実質的にあけ、その後SOR光
によつて露光を行つている。このようにアライメ
ントの都度、位置決め検出装置を移動させなけれ
ばらないから、スループツト(単位時間当りの生
産量)が低くなるという問題点がある。
さらに、位置決め検出装置の移動による誤差に
よつて、マスクとウエハーとのアライメント検出
が影響されるという問題点がある。
よつて、マスクとウエハーとのアライメント検出
が影響されるという問題点がある。
本発明の目的はスループツトが高く、しかも位
置決め精度のよいステージ移動機構を提供するこ
とにある。
置決め精度のよいステージ移動機構を提供するこ
とにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、直線軸案内に移動可能に支持
されるとともにこの直線軸案内に直角な方向に移
動可能に支持され、それぞれ露光用マスクが配置
される第1及び第2の枠体と、この第1及び第2
の枠体内で、それぞれ上記の直線軸案内方向及び
上記の直角方向に移動可能に支持され、ウエハー
が載置される第1及び第2のステージと、予め定
められた第1及び第2の待機位置でそれぞれ第1
及び第2のステージに対応して設けられ、ウエハ
ーと露光用マスクとの位置決めを行う第1及び第
2のアライメント手段と、第1の枠体と第1のス
テージとを一体として、第2の枠体と第2のステ
ージとを一体として露光位置へ移動する移動手段
とを有し、第1及び第2の待機位置における位置
決めと露光位置への移動を交互に行うようにした
ことを特徴とするステージ移動装置が得られる。
されるとともにこの直線軸案内に直角な方向に移
動可能に支持され、それぞれ露光用マスクが配置
される第1及び第2の枠体と、この第1及び第2
の枠体内で、それぞれ上記の直線軸案内方向及び
上記の直角方向に移動可能に支持され、ウエハー
が載置される第1及び第2のステージと、予め定
められた第1及び第2の待機位置でそれぞれ第1
及び第2のステージに対応して設けられ、ウエハ
ーと露光用マスクとの位置決めを行う第1及び第
2のアライメント手段と、第1の枠体と第1のス
テージとを一体として、第2の枠体と第2のステ
ージとを一体として露光位置へ移動する移動手段
とを有し、第1及び第2の待機位置における位置
決めと露光位置への移動を交互に行うようにした
ことを特徴とするステージ移動装置が得られる。
(作用)
本発明のステージ移動装置では第1の待機位置
において、第1のステージに載置されたウエハー
と第1の枠体に配置されたマスクとが第1のアラ
イメント手段によつて位置決めされている際、第
2のステージに載置されたウエハーと第2の枠体
のマスクとは第2のアライメント手段によつて位
置決めされて、露光位置に移動し、露光されてい
る。このように本発明では第1及び第2の待機位
置でのウエハーとマスクとの位置決めと露光位置
への移動とを交互に行つている。
において、第1のステージに載置されたウエハー
と第1の枠体に配置されたマスクとが第1のアラ
イメント手段によつて位置決めされている際、第
2のステージに載置されたウエハーと第2の枠体
のマスクとは第2のアライメント手段によつて位
置決めされて、露光位置に移動し、露光されてい
る。このように本発明では第1及び第2の待機位
置でのウエハーとマスクとの位置決めと露光位置
への移動とを交互に行つている。
(実施例)
以下本発明について実施例により説明する。
まず、第1図を参照して、長方形状の支持枠体
1には長手方向にスライダー1bを介して直線案
内ロツド1aが所定の間隔をおいて複数本(第1
図では4本)取り付けられている。一方、支持枠
体1の左端近傍において直線案内ロツド1aに直
交して複数のガイドロツド1cが所定の間隔をお
いてスライダー1dを介して支持枠体1に取り付
けられている。上述の直線案内ロツド1aには後
述するように露光用マスクが配置される第1の枠
体2が長手方向(以下X軸方向という)に移動可
能に支持されている。また、枠体2はガイドロツ
ド1cに沿つて、即ち、第1図に示すY軸に沿つ
て移動可能である。
1には長手方向にスライダー1bを介して直線案
内ロツド1aが所定の間隔をおいて複数本(第1
図では4本)取り付けられている。一方、支持枠
体1の左端近傍において直線案内ロツド1aに直
交して複数のガイドロツド1cが所定の間隔をお
いてスライダー1dを介して支持枠体1に取り付
けられている。上述の直線案内ロツド1aには後
述するように露光用マスクが配置される第1の枠
体2が長手方向(以下X軸方向という)に移動可
能に支持されている。また、枠体2はガイドロツ
ド1cに沿つて、即ち、第1図に示すY軸に沿つ
て移動可能である。
枠体2内にはX軸方向に複数のガイドロツド2
aが所定の間隔をおいてスライダー2bを介して
取り付けられており、さらにガイドロツド2aに
直交して複数のガイドロツド2cが所定の間隔を
おいてスライダー2dを介して枠体2に取り付け
られている。ガイドロツド2aには後述するよう
に半導体用ウエハーが載置される第1のステージ
3がX軸方向に移動可能に支持されている。ま
た、この第1のステージ3はガイドロツド2cに
沿つてY軸方向に移動可能である。
aが所定の間隔をおいてスライダー2bを介して
取り付けられており、さらにガイドロツド2aに
直交して複数のガイドロツド2cが所定の間隔を
おいてスライダー2dを介して枠体2に取り付け
られている。ガイドロツド2aには後述するよう
に半導体用ウエハーが載置される第1のステージ
3がX軸方向に移動可能に支持されている。ま
た、この第1のステージ3はガイドロツド2cに
沿つてY軸方向に移動可能である。
同様にして、支持枠体の右端近傍には第2の枠
体4が直線案内ロツド1aにX軸方向に移動可能
に支持されており、この第2の枠体4はガイドロ
ツド1eに沿つてY軸方向へ移動可能である。な
お、ガイドロツド1eはスライダー1fを介して
支持枠体1に取り付けられている。スライダー4
bを介して枠体4に取り付けられたガイドロツド
4aには第2のステージ5がX軸方向に移動可能
に支持され、この第2のステージ5はガイドロツ
ド4cに沿つてY軸方向に移動可能である。なお
ガイドロツド4bはスライダー4dを介して第2
の枠体4に取り付けられている。そして、第1の
枠体2と第2の枠体4との高さは異つており、X
軸方向の駆動が干渉しないようにしている。
体4が直線案内ロツド1aにX軸方向に移動可能
に支持されており、この第2の枠体4はガイドロ
ツド1eに沿つてY軸方向へ移動可能である。な
お、ガイドロツド1eはスライダー1fを介して
支持枠体1に取り付けられている。スライダー4
bを介して枠体4に取り付けられたガイドロツド
4aには第2のステージ5がX軸方向に移動可能
に支持され、この第2のステージ5はガイドロツ
ド4cに沿つてY軸方向に移動可能である。なお
ガイドロツド4bはスライダー4dを介して第2
の枠体4に取り付けられている。そして、第1の
枠体2と第2の枠体4との高さは異つており、X
軸方向の駆動が干渉しないようにしている。
第2図も参照して(なお、第2図では、第1図
において、左側の第1の枠体2及び第1のステー
ジ3のみを示している。)、第1のステージ3上に
はピエゾ素子6aを介してウエハチヤツク機構6
が備えられており、このウエハチヤツク機構6は
第1のステージ3上で回転可能である。そして、
ウエハー7がチヤツク機構6に保持される。一
方、枠体2にはマスクステージ8が連結されてお
りマスク9が配置支持されている。
において、左側の第1の枠体2及び第1のステー
ジ3のみを示している。)、第1のステージ3上に
はピエゾ素子6aを介してウエハチヤツク機構6
が備えられており、このウエハチヤツク機構6は
第1のステージ3上で回転可能である。そして、
ウエハー7がチヤツク機構6に保持される。一
方、枠体2にはマスクステージ8が連結されてお
りマスク9が配置支持されている。
ところで、第1図に示すように第1の枠体2及
び第1のステージ3が支持枠体1の左端近傍にあ
を状態(以下第1の待機位置という)で第1のス
テージ3に対応して第1のアライメント機構が備
えられている。また第2の枠体4及び第2のステ
ージ5が枠体1の右端近傍にある状態(以下第2
の待機位置という)で第2のステージ5に対応し
て第2のアライメント機構が備えられている(な
お、第1図には第1及び第2のアライメント機構
を示さず)。
び第1のステージ3が支持枠体1の左端近傍にあ
を状態(以下第1の待機位置という)で第1のス
テージ3に対応して第1のアライメント機構が備
えられている。また第2の枠体4及び第2のステ
ージ5が枠体1の右端近傍にある状態(以下第2
の待機位置という)で第2のステージ5に対応し
て第2のアライメント機構が備えられている(な
お、第1図には第1及び第2のアライメント機構
を示さず)。
アライメント機構はレベリング機構と位置決め
機構とを備えている。第2図に示すようにレベリ
ング機構はレーザ発振器10a、レンズ系10
b、ビームスプリツター10c、ミラー10d〜
10g、及び光検出器10hを備えており、ミラ
ー10d〜10gはマスクステージ8に支持され
ている。
機構とを備えている。第2図に示すようにレベリ
ング機構はレーザ発振器10a、レンズ系10
b、ビームスプリツター10c、ミラー10d〜
10g、及び光検出器10hを備えており、ミラ
ー10d〜10gはマスクステージ8に支持され
ている。
レーザ発振器10aからのレーザ光はレンズ系
10b、ビームスプリツタ10c、レテイクル
(図示せず)及びミラー10d,10eを経てウ
エハー7で焦点を形成し、さらにウエハー7で反
射された光はミラー10gで反射され、再びウエ
ハー7で焦点を形成して、ビームスプリツター1
0cを経て光検出器10hに入力される。上述の
レテイクルはミラー10eを支持する支持材に形
成されているから、レテイクルとウエハー7との
距離が所定の位置(フオーカスの位置)から離れ
ると、即ち、マスク9とウエハー7との距離が所
定の位置から離れると、光検出器10hからの出
力が弱くなる。従つて、光検出器10hからの出
力が最大となるようにピエゾ素子6aによつてチ
ヤツク機構6を調整し、ウエハー7とマスク9と
の平行度及び距離を所定の位置とする。
10b、ビームスプリツタ10c、レテイクル
(図示せず)及びミラー10d,10eを経てウ
エハー7で焦点を形成し、さらにウエハー7で反
射された光はミラー10gで反射され、再びウエ
ハー7で焦点を形成して、ビームスプリツター1
0cを経て光検出器10hに入力される。上述の
レテイクルはミラー10eを支持する支持材に形
成されているから、レテイクルとウエハー7との
距離が所定の位置(フオーカスの位置)から離れ
ると、即ち、マスク9とウエハー7との距離が所
定の位置から離れると、光検出器10hからの出
力が弱くなる。従つて、光検出器10hからの出
力が最大となるようにピエゾ素子6aによつてチ
ヤツク機構6を調整し、ウエハー7とマスク9と
の平行度及び距離を所定の位置とする。
一方、第3図に示すように、位置決め機構はレ
ーザ発振器11a、f−θレンズ11b、プリズ
ム11c、ビームスプリツタ11d,11e,ミ
ラー11f〜11i、レンズ11j,11k、及
び光検出器11l,11m等を備えている。
ーザ発振器11a、f−θレンズ11b、プリズ
ム11c、ビームスプリツタ11d,11e,ミ
ラー11f〜11i、レンズ11j,11k、及
び光検出器11l,11m等を備えている。
レーザ発振器11aからのレーザ光はf−θレ
ンズ11bを経て、プリズム11cで2経路に分
かれる。一方の光はビームスプリツタ11d、ミ
ラー11f,11gを経て、マスク9に形成され
たレテイクル(図示せず)を通過し、ウエハー上
のマーク(回折格子)に当る。ウエハーマークに
より生じた回折光は上述の場合と逆の経路をたど
つてビームスプリツタ11dを経て光検出器11
lに入力される。
ンズ11bを経て、プリズム11cで2経路に分
かれる。一方の光はビームスプリツタ11d、ミ
ラー11f,11gを経て、マスク9に形成され
たレテイクル(図示せず)を通過し、ウエハー上
のマーク(回折格子)に当る。ウエハーマークに
より生じた回折光は上述の場合と逆の経路をたど
つてビームスプリツタ11dを経て光検出器11
lに入力される。
同様に他の光はビームスプリツタ11e、ミラ
ー11h,11iを経てレテイクルを通過し、ウ
エハーマークに当る。ウエハーマークにより生じ
た回折光は逆の経路をたどつてビームスプリツタ
11eを経て光検出器11mに入力される。
ー11h,11iを経てレテイクルを通過し、ウ
エハーマークに当る。ウエハーマークにより生じ
た回折光は逆の経路をたどつてビームスプリツタ
11eを経て光検出器11mに入力される。
光検出器11l,11mでの検出光量によつ
て、レテイクルでの光遮断量を知り、レテイク
ル、即ち、マスク9とウエハー7のマークの位置
関係を知ることができる。従つて、光検出器11
l,11mでの検出光量が最大となるようにステ
ージ5をX軸方向あるいはY軸方向に微調整す
る。
て、レテイクルでの光遮断量を知り、レテイク
ル、即ち、マスク9とウエハー7のマークの位置
関係を知ることができる。従つて、光検出器11
l,11mでの検出光量が最大となるようにステ
ージ5をX軸方向あるいはY軸方向に微調整す
る。
なお、前述のように枠体4上のマスクとステー
ジ5上のウエハーも第2のアライメント機構によ
り位置決めされる。
ジ5上のウエハーも第2のアライメント機構によ
り位置決めされる。
第4図も参照して、第2の枠体4及び第2のス
テージ5は図示しない移動手段によつて一体とし
て第2の待機位置から露光位置に移動して、
SOR光によつてウエハーが露光される。第2の
ステージ5において露光が行われている際、前記
のように第1の枠体2(マスク9)及び第1のス
テージ3におけるアライメントが実施され、第1
の枠体2及び第1のステージ3はアライメント終
了の状態で待機している。第2のステージ5にお
ける露光が終了すると、第2の枠体4及び第2の
ステージ5が第2の待機位置に戻るとともに、第
1の枠体2及び第1のステージ3が第1の待機位
置から露光位置に移動し、露光が開始される。こ
の際第2の枠体4及び第2のステージ5における
アライメントが行われる。このようにして、第1
及び第2のステージにおけるアライメントと露光
位置への移動、露光が交互に行われる。
テージ5は図示しない移動手段によつて一体とし
て第2の待機位置から露光位置に移動して、
SOR光によつてウエハーが露光される。第2の
ステージ5において露光が行われている際、前記
のように第1の枠体2(マスク9)及び第1のス
テージ3におけるアライメントが実施され、第1
の枠体2及び第1のステージ3はアライメント終
了の状態で待機している。第2のステージ5にお
ける露光が終了すると、第2の枠体4及び第2の
ステージ5が第2の待機位置に戻るとともに、第
1の枠体2及び第1のステージ3が第1の待機位
置から露光位置に移動し、露光が開始される。こ
の際第2の枠体4及び第2のステージ5における
アライメントが行われる。このようにして、第1
及び第2のステージにおけるアライメントと露光
位置への移動、露光が交互に行われる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明では、マスクが配
置される第1の枠体と、この第1の枠体に対応し
て、ウエハーが載置される第1のステージを備え
るとともに、別にマスクが配置される第2の枠体
と、この枠体に対応して、ウエハーが載置される
第2のステージを備えており、しかも第1及び第
2のステージに対応してそれぞれウエハーとマス
クとのアライメントを行う第1及び第2のアライ
メント機構を備えており、第1及び第2のステー
ジでのアライメントと露光位置での露光とを交互
に行うようにしたから、アライメント機構の位置
決め精度に起因するウエハーとマスクとのアライ
メント誤差が生ずることがなく、また、第1のス
テージにおいて露光が行われている際、第2のス
テージでアライメントが行われているのでスルー
プツトが向上するという利点がある。
置される第1の枠体と、この第1の枠体に対応し
て、ウエハーが載置される第1のステージを備え
るとともに、別にマスクが配置される第2の枠体
と、この枠体に対応して、ウエハーが載置される
第2のステージを備えており、しかも第1及び第
2のステージに対応してそれぞれウエハーとマス
クとのアライメントを行う第1及び第2のアライ
メント機構を備えており、第1及び第2のステー
ジでのアライメントと露光位置での露光とを交互
に行うようにしたから、アライメント機構の位置
決め精度に起因するウエハーとマスクとのアライ
メント誤差が生ずることがなく、また、第1のス
テージにおいて露光が行われている際、第2のス
テージでアライメントが行われているのでスルー
プツトが向上するという利点がある。
第1図は本発明に用いられるステージ移動機構
の要部を示す斜視図、第2図は本発明に用いられ
るアライメント機構のレベリング機構の動作を説
明するための図、第3図は本発明に用いられるア
ライメント機構の位置決め機構の動作を説明する
ための図、第4図はアライメント動作と露光動作
とを説明するための図、第5図は従来の露光装置
を示す図である。 1……支持枠体、2……第1の枠体、3……第
1のステージ、4……第2の枠体、5……第2の
ステージ、6……ウエハチヤツク機構、7……ウ
エハー、8……マスクステージ、9……マスク。
の要部を示す斜視図、第2図は本発明に用いられ
るアライメント機構のレベリング機構の動作を説
明するための図、第3図は本発明に用いられるア
ライメント機構の位置決め機構の動作を説明する
ための図、第4図はアライメント動作と露光動作
とを説明するための図、第5図は従来の露光装置
を示す図である。 1……支持枠体、2……第1の枠体、3……第
1のステージ、4……第2の枠体、5……第2の
ステージ、6……ウエハチヤツク機構、7……ウ
エハー、8……マスクステージ、9……マスク。
Claims (1)
- 1 直線軸案内に移動可能に支持されるとともに
該直線軸案内に直角な方向に移動可能に支持さ
れ、それぞれ露光用マスクが配置される第1及び
第2の枠体と、該第1及び第2の枠体内で、それ
ぞれ前記直線軸案内方向及び前記直角方向に移動
可能に支持され、ウエハーが載置される第1及び
第2のステージと、予め定められた第1及び第2
の待機位置でそれぞれ前記第1及び第2のステー
ジに対応して設けられ、前記ウエハーと露光用マ
スクとの位置決めを行う第1及び第2のアライメ
ント手段と、前記第1の枠体と前記第1のステー
ジとを一体として、前記第2の枠体と前記第2の
ステージとを一体として露光位置へ移動する移動
手段とを有し、前記第1及び第2の待機位置にお
ける前記位置決めと前記露光位置への移動を交互
に行うようにしたことを特徴とするステージ移動
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61231087A JPS6387725A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | ステ−ジ移動機構 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61231087A JPS6387725A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | ステ−ジ移動機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6387725A JPS6387725A (ja) | 1988-04-19 |
JPH0224012B2 true JPH0224012B2 (ja) | 1990-05-28 |
Family
ID=16918081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61231087A Granted JPS6387725A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | ステ−ジ移動機構 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6387725A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5374147A (en) * | 1982-07-29 | 1994-12-20 | Tokyo Electron Limited | Transfer device for transferring a substrate |
KR20030096435A (ko) | 1996-11-28 | 2003-12-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법 |
JP4078683B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-04-23 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法並びに走査露光方法 |
JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
US7289212B2 (en) | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
TW527526B (en) | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4932330B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-05-16 | Nskテクノロジー株式会社 | 露光装置 |
JP4886719B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2012-02-29 | 日立ビアメカニクス株式会社 | 加工装置 |
JP5298157B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2013-09-25 | 西進商事株式会社 | レーザー加工装置、レーザー加工方法及びレーザー加工物 |
JP6353487B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-07-04 | 株式会社サーマプレシジョン | 投影露光装置及びその投影露光方法 |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61231087A patent/JPS6387725A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6387725A (ja) | 1988-04-19 |
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