JPH02239641A - 半導体ウエーハ用プロービング装置 - Google Patents
半導体ウエーハ用プロービング装置Info
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- JPH02239641A JPH02239641A JP1061292A JP6129289A JPH02239641A JP H02239641 A JPH02239641 A JP H02239641A JP 1061292 A JP1061292 A JP 1061292A JP 6129289 A JP6129289 A JP 6129289A JP H02239641 A JPH02239641 A JP H02239641A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- performance board
- fixed card
- fixed
- semiconductor wafer
- board
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は． ＴＶ． ＶＴＲまたは通信機用ＩＣまたは
ＬＳＩを，ウェーハ状態におけるテストを高精度で行う
プロービング（Ｐｒｏｂｉｎｇ）装置に関する．（従来
の技術） 最近の半導体素子は、［１−ＲＡＭに代表されるように
集積度が大幅に向上しているのに加えて，多機能を備え
ているので、その特性測定にも従来にない要求がでてい
る。
ＬＳＩを，ウェーハ状態におけるテストを高精度で行う
プロービング（Ｐｒｏｂｉｎｇ）装置に関する．（従来
の技術） 最近の半導体素子は、［１−ＲＡＭに代表されるように
集積度が大幅に向上しているのに加えて，多機能を備え
ているので、その特性測定にも従来にない要求がでてい
る。
先ず、この特定測定を行うプロービング装置の概要を第
２図により説明すると、各種の特性を備えた半導体ウェ
ーハを試験するために、プロービング装置のテストヘッ
ド（Ｔｅｓｔ Ｈｅａｄ）５０内には、測定を可能にす
る回路（図示せず）が設置されており、その形状は図に
あるように中央部分が空いて直方体状のテストヘッド２
個から成っている６この両テストヘッド５０． ５０に
は，頂面に被測定半導体ウェーハの特性用回路を設けた
パフォーマンスボード（Ｐｅｒｆｏｒ＋ｓａｎｃｅ Ｂ
ｏａｒｄ）５２を設け、これはテストヘッド５０に形成
したコネクタ（Ｃｏｎｅｃｔｓｒ）５１により内臓した
回路と接続する． 一方、固定カード５３をパフォーマンスボード５２に電
気的に接続して配置し、また、この固定力一ド５３に取
付けた固定針５４を介して被測定半導体ウェーハ５５を
設置して、プロービング装置が構成されるが，固定カー
ド５３に設置する固定針５４からパフォーマンスボード
５２までの配線長はほぼ１５０ｎ＋ｍとかなり長くなる
。
２図により説明すると、各種の特性を備えた半導体ウェ
ーハを試験するために、プロービング装置のテストヘッ
ド（Ｔｅｓｔ Ｈｅａｄ）５０内には、測定を可能にす
る回路（図示せず）が設置されており、その形状は図に
あるように中央部分が空いて直方体状のテストヘッド２
個から成っている６この両テストヘッド５０． ５０に
は，頂面に被測定半導体ウェーハの特性用回路を設けた
パフォーマンスボード（Ｐｅｒｆｏｒ＋ｓａｎｃｅ Ｂ
ｏａｒｄ）５２を設け、これはテストヘッド５０に形成
したコネクタ（Ｃｏｎｅｃｔｓｒ）５１により内臓した
回路と接続する． 一方、固定カード５３をパフォーマンスボード５２に電
気的に接続して配置し、また、この固定力一ド５３に取
付けた固定針５４を介して被測定半導体ウェーハ５５を
設置して、プロービング装置が構成されるが，固定カー
ド５３に設置する固定針５４からパフォーマンスボード
５２までの配線長はほぼ１５０ｎ＋ｍとかなり長くなる
。
図には、長方形状の箱体５６が固定カード５３とパフォ
ーマンスボード５２間に書かれているが、実際には、固
定カード５３とパフォーマンスボード５２を電気的に接
続する部品であり、中央部に設置したソケットに挿入し
た固定カードに連結した金属製細線（図示ぜず）は、周
囲に向けて延長し，箱体５６内を経てパフォーマンスボ
ード５２に接続するものであり，公知の構造である．ま
た，固定カード５３、箱体５６及びパフォーマンスボー
ド５２の接続は夫々接続ビン５７． ５８により接続す
るが、通常は而接触ピンが利用される． 〔発明が解決しようとする課題〕 パフォーマンスボード５２は、被測定半導体ウェーハ５
５の機種に応じて交換されるが、上記のように固定針５
４とパフォーマンスボード５２間の配線長はかなりある
ので， ＤＣ電圧の測定限界は１ｓ＋ｖ程度であって要
求測定値０．１■Ｖを到底満足できない。
ーマンスボード５２間に書かれているが、実際には、固
定カード５３とパフォーマンスボード５２を電気的に接
続する部品であり、中央部に設置したソケットに挿入し
た固定カードに連結した金属製細線（図示ぜず）は、周
囲に向けて延長し，箱体５６内を経てパフォーマンスボ
ード５２に接続するものであり，公知の構造である．ま
た，固定カード５３、箱体５６及びパフォーマンスボー
ド５２の接続は夫々接続ビン５７． ５８により接続す
るが、通常は而接触ピンが利用される． 〔発明が解決しようとする課題〕 パフォーマンスボード５２は、被測定半導体ウェーハ５
５の機種に応じて交換されるが、上記のように固定針５
４とパフォーマンスボード５２間の配線長はかなりある
ので， ＤＣ電圧の測定限界は１ｓ＋ｖ程度であって要
求測定値０．１■Ｖを到底満足できない。
しかも，被測定半導体ウェーハ５５には，約３０メガヘ
ルツで動作するＡＤ， Ｄ＾コンバーター（Ｃｏｎｖｅ
ｒｔｅｒ）も対象品である．従って、上記配線長は各種
半導体ウェーハの特性測定にあって，ノイズ、浮遊容量
の発生及び増大更には、抵抗の増大をもたらして、高精
度の測定が難しかった。
ルツで動作するＡＤ， Ｄ＾コンバーター（Ｃｏｎｖｅ
ｒｔｅｒ）も対象品である．従って、上記配線長は各種
半導体ウェーハの特性測定にあって，ノイズ、浮遊容量
の発生及び増大更には、抵抗の増大をもたらして、高精
度の測定が難しかった。
本発明は，このような事情により成されたもので、高精
度の半導体ウェーハ用自動プロービング装置を提供する
ことを目的とするものである。
度の半導体ウェーハ用自動プロービング装置を提供する
ことを目的とするものである。
（課題を解決する゛ための手段）
測定用回路を内臓した箱状のテストヘッドと、このテス
トヘッドの頂面に配置するパフォーマンスボードと、前
記測定用回路とこのパフォーマンスボード間を結び前記
テストヘッドに取付けられたコネクターと、前記パフォ
ーマンスボードに電気的に接続して設置する固定カード
と，この固定カードに配置する固定針に接続する被測定
半導体チップを具備する半導体ウェーハ用プロービング
装置において，前記パフォーマンスボードと前記固定カ
ード間で半導体ベレット特性測定用の信号処理を実施す
る点に本発明に係わる半導体ウェーハ用プロービング装
置の特徴がある． （作 用） 本発明に関する半導体ウェーハ用プロービング装置では
，測定をパフォーマンスボードと固定カード間で行うの
で，配線長さを従来装置より著しく短縮したために，浮
遊容量、抵抗及びノイズを低減できるために８１’ｌ定
精度も従来装置に比べて約一桁向上することが可能にな
り，最近ＡＤコンバータなどのバイポーラ素子に要求さ
れているベヤーチップ特性即ちＡＣ特性をほぼ補償する
のに役立たせることができる。
トヘッドの頂面に配置するパフォーマンスボードと、前
記測定用回路とこのパフォーマンスボード間を結び前記
テストヘッドに取付けられたコネクターと、前記パフォ
ーマンスボードに電気的に接続して設置する固定カード
と，この固定カードに配置する固定針に接続する被測定
半導体チップを具備する半導体ウェーハ用プロービング
装置において，前記パフォーマンスボードと前記固定カ
ード間で半導体ベレット特性測定用の信号処理を実施す
る点に本発明に係わる半導体ウェーハ用プロービング装
置の特徴がある． （作 用） 本発明に関する半導体ウェーハ用プロービング装置では
，測定をパフォーマンスボードと固定カード間で行うの
で，配線長さを従来装置より著しく短縮したために，浮
遊容量、抵抗及びノイズを低減できるために８１’ｌ定
精度も従来装置に比べて約一桁向上することが可能にな
り，最近ＡＤコンバータなどのバイポーラ素子に要求さ
れているベヤーチップ特性即ちＡＣ特性をほぼ補償する
のに役立たせることができる。
（実施例）
第１図を参照して本発明に係わる一実施例を説明する．
即ち，通常プロービング装置のフロントエンド（Ｆｒｏ
ｎｔ Ｅｎｄ）で構成される箱状テストヘツド１を用意
し、ここには、半導体ウェーハ特性を測定するのに必要
な回路を内臓させ、この頂面には，被測定半導体ウェー
ハの機種に応じた回路を設置したパフォーマンスボード
２を配置する。
即ち，通常プロービング装置のフロントエンド（Ｆｒｏ
ｎｔ Ｅｎｄ）で構成される箱状テストヘツド１を用意
し、ここには、半導体ウェーハ特性を測定するのに必要
な回路を内臓させ、この頂面には，被測定半導体ウェー
ハの機種に応じた回路を設置したパフォーマンスボード
２を配置する。
このパフォーマンスボード２には，発振防止用コンデン
サーや電源バイパスコンデンサーの外に，バツファーア
ンプを実装する。
サーや電源バイパスコンデンサーの外に，バツファーア
ンプを実装する。
一方，被測定半導体ウェーハ３とパフォーマンスボード
２間には，従来技術と同様に固定カード４及びこれに接
続する固定針５を配置するが，この固定カード４とパフ
ォーマンスボード２間の比較的近い位置に信号処理ボー
ド（Ｂｏａｒｄ） ６ を設置し，固定針５とパフォ
ーマンスボード２間の距離をほぼ５０醜履と大幅に短縮
した。
２間には，従来技術と同様に固定カード４及びこれに接
続する固定針５を配置するが，この固定カード４とパフ
ォーマンスボード２間の比較的近い位置に信号処理ボー
ド（Ｂｏａｒｄ） ６ を設置し，固定針５とパフォ
ーマンスボード２間の距離をほぼ５０醜履と大幅に短縮
した。
この信号処理ボード６は、当然固定カード４及び固定針
５に電気的に接続し更に、固定カード４に形成するソケ
ットに被測定半導体ウェーハ３が固定されると共に、固
定針５と電気的に接触する。
５に電気的に接続し更に、固定カード４に形成するソケ
ットに被測定半導体ウェーハ３が固定されると共に、固
定針５と電気的に接触する。
固定カード４，パフォーマンスボード２及び信号処理ボ
ード６間の電圧的な接続は導電性ピン７による。
ード６間の電圧的な接続は導電性ピン７による。
このような接続状態のもとで、被謂定半導体ウェーハ３
の直流パラメータ（Ｐａｒａｍｅｔａｒ）が測定される
。即ち、電圧を印加後電流測定、電流印加後電圧測定，
ＡＣパラメータとしては． ＡＤコンバータでは実動作
特性としてＳｉｎ波を入力して２０〜３０メガにおける
Ｓ／Ｎ比測定、ダイナミックリニアリテイ（Ｄｉｎａｍ
ｉｃ Ｌｉｎｅａｌｉｔｙ）測定及び周波数特性などの
測定を行った。
の直流パラメータ（Ｐａｒａｍｅｔａｒ）が測定される
。即ち、電圧を印加後電流測定、電流印加後電圧測定，
ＡＣパラメータとしては． ＡＤコンバータでは実動作
特性としてＳｉｎ波を入力して２０〜３０メガにおける
Ｓ／Ｎ比測定、ダイナミックリニアリテイ（Ｄｉｎａｍ
ｉｃ Ｌｉｎｅａｌｉｔｙ）測定及び周波数特性などの
測定を行った。
その結果、電圧ｉ１＋１１定では、希望されている０．
１ｍｖの測定が可能になった外． Ｓ／Ｎ比？ｌｌ！
定では、従来４０デシベルであった値が６０〜７０デシ
ベルとなり、ダイナミックリニアリテイの測定にあって
は、従来の６ビットに対してｌＯビットが得られた。
１ｍｖの測定が可能になった外． Ｓ／Ｎ比？ｌｌ！
定では、従来４０デシベルであった値が６０〜７０デシ
ベルとなり、ダイナミックリニアリテイの測定にあって
は、従来の６ビットに対してｌＯビットが得られた。
このように、本発明に係わる半導体ウェーハプロービン
グ装置は、従来の装置に比べて一桁程度測定精度が向上
した． 〔発明の効果〕 本発明では、固定針先からパフォーマンスボード２間の
距離をほぼ５０ｍｓ＋と大幅に短縮したことにより半導
体ウェーハのＡＣパラメータ高精度測定が可能になった
。
グ装置は、従来の装置に比べて一桁程度測定精度が向上
した． 〔発明の効果〕 本発明では、固定針先からパフォーマンスボード２間の
距離をほぼ５０ｍｓ＋と大幅に短縮したことにより半導
体ウェーハのＡＣパラメータ高精度測定が可能になった
。
更に、同じパフォーマンスボードでしかも被測定半導体
ウェーハを同じレベル（ｌｅｖｅｌ）のＡＣパラメータ
の測定が可能になった。
ウェーハを同じレベル（ｌｅｖｅｌ）のＡＣパラメータ
の測定が可能になった。
第１図は，本発明に係わる実施例の要部を示す断面図、
第２図は、従来装置の要部を示す断面図である。 １：箱状テストヘット ２：パフォーマンスボード３
：半導体ウェーハ ４：固定カード５：固定針
６：信号処理ボード７：ピン 代理人 弁理士 大 胡 典 夫
第２図は、従来装置の要部を示す断面図である。 １：箱状テストヘット ２：パフォーマンスボード３
：半導体ウェーハ ４：固定カード５：固定針
６：信号処理ボード７：ピン 代理人 弁理士 大 胡 典 夫
Claims (1)
- 測定用回路を内臓した箱状のテストヘッドと、このテス
トヘッドの頂面に配置するパフォーマンスボードと、前
記測定用回路とこのパフォーマンスボード間を結び前記
テストヘッドに取付けられたコネクターと、前記パフォ
ーマンスボードに電気的に接続して設置する固定カード
と、この固定カードに配置する固定針に接続する被測定
半導体チップを具備する半導体ウェーハ用プロービング
装置において、前記パフォーマンスボードと前記固定カ
ード間で半導体ペレット特性測定用の信号処理を実施す
ることを特徴とする半導体ウェーハ用プロービング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061292A JPH02239641A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体ウエーハ用プロービング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061292A JPH02239641A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体ウエーハ用プロービング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02239641A true JPH02239641A (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=13166973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061292A Pending JPH02239641A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 半導体ウエーハ用プロービング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02239641A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031382A (en) * | 1994-10-31 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Functional tester for integrated circuits |
| US6133744A (en) * | 1995-04-28 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Apparatus for testing semiconductor wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178135A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP1061292A patent/JPH02239641A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178135A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの測定装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6031382A (en) * | 1994-10-31 | 2000-02-29 | Nec Corporation | Functional tester for integrated circuits |
| US6133744A (en) * | 1995-04-28 | 2000-10-17 | Nec Corporation | Apparatus for testing semiconductor wafer |
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