JPH0223670A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0223670A JPH0223670A JP63174128A JP17412888A JPH0223670A JP H0223670 A JPH0223670 A JP H0223670A JP 63174128 A JP63174128 A JP 63174128A JP 17412888 A JP17412888 A JP 17412888A JP H0223670 A JPH0223670 A JP H0223670A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42364—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
- H01L29/42368—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity the thickness being non-uniform
-
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- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
-
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明はトレンチ−ゲートMOS
−ト酸化膜構造に関する。
IP]!l!Tのゲ
すなわち、Si基板21の表面に形成されたトレンチ部
にはゲート酸化膜22とゲート電極24が形成され、前
記ゲート酸化膜22のソースあるいはドレイン拡散層2
5.25’の表面に於てゲート電極24との重ね合わせ
部酸化膜23.23’は同一の厚みを有しているのが通
例であった。
にはゲート酸化膜22とゲート電極24が形成され、前
記ゲート酸化膜22のソースあるいはドレイン拡散層2
5.25’の表面に於てゲート電極24との重ね合わせ
部酸化膜23.23’は同一の厚みを有しているのが通
例であった。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来技術によると、ゲート電極と拡散層と
の重ね合わせ部での電気容量が増大し、トレンチ・ゲー
)MOS FF1T素子のスイッチング速度を低下さ
せると云う課題があった。
の重ね合わせ部での電気容量が増大し、トレンチ・ゲー
)MOS FF1T素子のスイッチング速度を低下さ
せると云う課題があった。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決するためのトレ
ンチ・ゲー)MOS FF1Tの新らしいゲート酸化
膜構造を提供する事を目的とする。
ンチ・ゲー)MOS FF1Tの新らしいゲート酸化
膜構造を提供する事を目的とする。
[従来の技術功
従来のトレンチ愉ゲー)MOS FETは第3図に要
部の断面図として示す如きゲート酸化膜構造を取るのが
通例であった。
部の断面図として示す如きゲート酸化膜構造を取るのが
通例であった。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決し、上記目的を達成するために本発明は
半導体装置に関し、トレンチ・ゲートMO3FETのゲ
ート酸化膜を拡散層とゲート電極との重ね合わせ部に於
て、他のゲート酸化膜厚より厚く形成する手段を取る。
半導体装置に関し、トレンチ・ゲートMO3FETのゲ
ート酸化膜を拡散層とゲート電極との重ね合わせ部に於
て、他のゲート酸化膜厚より厚く形成する手段を取る。
[実施例コ
以下、実施例により本発明を詳述する。
第1図及び第2図は本発明の実施例を示すトレンチ・ゲ
ー)MO3FITの要部の断面図である。
ー)MO3FITの要部の断面図である。
第1図では、Si基板1の表面からまずソース及びドレ
インの拡散層5,5′となる拡散層を全面にイオン打込
み等により形成後、トレンチを形成し、該トレンチの側
壁にゲート酸化膜2を形成すると、拡散層5,5′と接
するゲートz化膜6.3′は図示の如く、熱酸化による
と他のゲート醸化膜領域より厚く形成される。この場合
、拡散層5,5′の表面にも厚い酸化膜が形成されるこ
とになるが、図では省略されている。次でトレンチ内に
OVD法により多結晶S1やTiNあるいはw、wsi
等から成るゲート電極4′を埋め込んで形成されて成る
。
インの拡散層5,5′となる拡散層を全面にイオン打込
み等により形成後、トレンチを形成し、該トレンチの側
壁にゲート酸化膜2を形成すると、拡散層5,5′と接
するゲートz化膜6.3′は図示の如く、熱酸化による
と他のゲート醸化膜領域より厚く形成される。この場合
、拡散層5,5′の表面にも厚い酸化膜が形成されるこ
とになるが、図では省略されている。次でトレンチ内に
OVD法により多結晶S1やTiNあるいはw、wsi
等から成るゲート電極4′を埋め込んで形成されて成る
。
第2図では、81基板11の表面にル+po 1ySi
から成る拡散層15 、15’を全面に形成後、該拡散
層15 、15’をトレンチ・エッチすると共に、Si
基板11もトレンチ・エッチし、前記拡散層15 、1
5’のトレンチ巾を少し広くエツチング後、ゲート酸化
膜12と、拡散層15゜15′の表面を含む側面に厚い
ゲート酸化膜13.16′を同時に熱酸化により形成後
、ゲート電極14をOVD法によりトレンチを埋め込ん
で形成する。
から成る拡散層15 、15’を全面に形成後、該拡散
層15 、15’をトレンチ・エッチすると共に、Si
基板11もトレンチ・エッチし、前記拡散層15 、1
5’のトレンチ巾を少し広くエツチング後、ゲート酸化
膜12と、拡散層15゜15′の表面を含む側面に厚い
ゲート酸化膜13.16′を同時に熱酸化により形成後
、ゲート電極14をOVD法によりトレンチを埋め込ん
で形成する。
第1図及び第2図及び第6図共、ゲート電極4.14.
24は81基板1,11.21の表面等から突出し、絶
縁膜を介して延在して形成されるものである。
24は81基板1,11.21の表面等から突出し、絶
縁膜を介して延在して形成されるものである。
[発明の効果コ
本発明により、トレンチ・ゲー)MOS FETのゲ
ート電極ととりわけドレイン拡散層との電気容量低減に
よるスイッチング速度や伝播速度の向上を計ることがで
きる効果がある。
ート電極ととりわけドレイン拡散層との電気容量低減に
よるスイッチング速度や伝播速度の向上を計ることがで
きる効果がある。
第1図及び第2図は本発明の実施例を示す断面図、第3
図は従来技術のトレンチ・ゲー)MO5FETの要部の
断面図である。 1.11.!1・・・・・・Si基板 2.12.22・・・・・・ゲート酸化膜5.5’
、13,13’ 、23,21’・・・・・・・・・・
・・・重ね合わせ部酸化膜 4.14,24・・・・・・ゲート電極5.5’ 、
15,15’ 、25,25’・・・・・・・・・・・
・・・・拡散層 以上
図は従来技術のトレンチ・ゲー)MO5FETの要部の
断面図である。 1.11.!1・・・・・・Si基板 2.12.22・・・・・・ゲート酸化膜5.5’
、13,13’ 、23,21’・・・・・・・・・・
・・・重ね合わせ部酸化膜 4.14,24・・・・・・ゲート電極5.5’ 、
15,15’ 、25,25’・・・・・・・・・・・
・・・・拡散層 以上
Claims (1)
- トレンチ・ゲートMOSFETのゲート酸化膜を拡散層
とゲート電極との重ね合わせ部に於て他のゲート酸化膜
厚より厚く形成されて成る事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63174128A JPH0223670A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置 |
KR1019890007221A KR0173111B1 (ko) | 1988-06-02 | 1989-05-30 | 트렌치 게이트 mos fet |
US07/360,486 US5142640A (en) | 1988-06-02 | 1989-06-02 | Trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63174128A JPH0223670A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0223670A true JPH0223670A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15973147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63174128A Pending JPH0223670A (ja) | 1988-06-02 | 1988-07-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0223670A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078078A (en) * | 1998-10-01 | 2000-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | V-gate transistor |
JP2008135458A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008199027A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Qimonda Ag | 3次元チャネル電界効果トランジスタを備えた集積回路およびその製造方法 |
JP2009054999A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174128A patent/JPH0223670A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078078A (en) * | 1998-10-01 | 2000-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | V-gate transistor |
JP2008135458A (ja) * | 2006-11-27 | 2008-06-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
US7723184B2 (en) | 2006-11-27 | 2010-05-25 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and manufacture method therefor |
JP2008199027A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Qimonda Ag | 3次元チャネル電界効果トランジスタを備えた集積回路およびその製造方法 |
JP2009054999A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013179333A (ja) * | 2007-07-27 | 2013-09-09 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
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