JPH02232925A - アモルファスシリコンの選択エッチング方法 - Google Patents
アモルファスシリコンの選択エッチング方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコンの選択エッチング方法、
特にこの選択エッチング方法を用いた薄膜トランジスタ
の製造方法に関するものである。
特にこの選択エッチング方法を用いた薄膜トランジスタ
の製造方法に関するものである。
従来、この種のアモルファスシリコン薄膜｝９ンジスタ
の製造方法においては、大量生産の必要性からスループ
ットの高いウェットエッチング法が用いられていた。従
来のアモルファスシリコンのウェットエッチング方法に
は、弗酸と硝酸の混合水溶液を用いる方法（例えばアプ
ライド・フィジックス・レター４８巻２６号１９８６年
６月３０日号１７８３〜１７８４ページ， Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｌｖｏ１４８，ｎｏ２６，３０Ｊｕ
ｎｅ １９８６ Ｐ１７８３ 〜１７８４）や、弗．酸
，硝酸，燐酸の混合液を用いる方法（例えばジャーナル
オブバキュームサイエンステクノロジイＡ４巻２号，
１９８６年３・４月号２３９〜２４１ページ，Ｊ．Ｖａ
ｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ４（２），ｍｏｎ／Ａ
ｐｒ １９８６．Ｐ２３９〜２４１）がある。
の製造方法においては、大量生産の必要性からスループ
ットの高いウェットエッチング法が用いられていた。従
来のアモルファスシリコンのウェットエッチング方法に
は、弗酸と硝酸の混合水溶液を用いる方法（例えばアプ
ライド・フィジックス・レター４８巻２６号１９８６年
６月３０日号１７８３〜１７８４ページ， Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｌｖｏ１４８，ｎｏ２６，３０Ｊｕ
ｎｅ １９８６ Ｐ１７８３ 〜１７８４）や、弗．酸
，硝酸，燐酸の混合液を用いる方法（例えばジャーナル
オブバキュームサイエンステクノロジイＡ４巻２号，
１９８６年３・４月号２３９〜２４１ページ，Ｊ．Ｖａ
ｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ４（２），ｍｏｎ／Ａ
ｐｒ １９８６．Ｐ２３９〜２４１）がある。
上述した従来の技術によれば、アモルファスシリコンの
エッチングに弗酸系の混合溶液を用いているため、アモ
ルファスシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜であ
るプラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜およびガラス基板のエッチングスピードが早く層間絶
縁不良や、ガラス基板やゲート絶縁膜の表面あれが発生
し歩留りが低いという欠点があった。また弗酸系の混合
溶液は排水設備にも特別な処理設備が必要なため設備費
が高いという欠点がある。
エッチングに弗酸系の混合溶液を用いているため、アモ
ルファスシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜であ
るプラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜や酸化シリコン
膜およびガラス基板のエッチングスピードが早く層間絶
縁不良や、ガラス基板やゲート絶縁膜の表面あれが発生
し歩留りが低いという欠点があった。また弗酸系の混合
溶液は排水設備にも特別な処理設備が必要なため設備費
が高いという欠点がある。
本発明によれば、アモルファスシリコンのエッチングに
水酸化第４級アンモニウムないしは第４級アンモニウム
塩を主成分とする有機アルカリ溶液を用いるアモルファ
スシリコンの選択エッチング方法を得る。
水酸化第４級アンモニウムないしは第４級アンモニウム
塩を主成分とする有機アルカリ溶液を用いるアモルファ
スシリコンの選択エッチング方法を得る。
本発明のアモルファスシリコンの選択エッチング方法に
よれば、ガラス基板やゲート絶縁膜をエッチングするス
ピードが遅いため、層間絶縁不良や表面あれが全く発生
せず，歩留りが高いという利点を有する。またエッチン
グ液の排水も特別な設備を必要としないという利点を有
する。
よれば、ガラス基板やゲート絶縁膜をエッチングするス
ピードが遅いため、層間絶縁不良や表面あれが全く発生
せず，歩留りが高いという利点を有する。またエッチン
グ液の排水も特別な設備を必要としないという利点を有
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の製造工程途中における薄膜
トランジスタの断面図である。ガラス基板１にＩＴＯ（
酸化インジウムスズ）ｌＪ８００人をアルゴンスパッタ
法により成膜し続いてプラズマＣｖＤ法によりリンドー
プアモルファスシリコン膜を４００人成膜しフォトレジ
スト法によりパターニンクシリンドーフ゜アモルファス
シリコン膜はドライエッチング法によりエッチングしＩ
ＴＯ膜はウェットエッチング法によりエッチングしてド
レイン電極２，透明電極３，パターン化したリンドープ
アモルファスシリコン膜４を形成した。
トランジスタの断面図である。ガラス基板１にＩＴＯ（
酸化インジウムスズ）ｌＪ８００人をアルゴンスパッタ
法により成膜し続いてプラズマＣｖＤ法によりリンドー
プアモルファスシリコン膜を４００人成膜しフォトレジ
スト法によりパターニンクシリンドーフ゜アモルファス
シリコン膜はドライエッチング法によりエッチングしＩ
ＴＯ膜はウェットエッチング法によりエッチングしてド
レイン電極２，透明電極３，パターン化したリンドープ
アモルファスシリコン膜４を形成した。
次に、アモルファスシリコン膜２０００人と窒化シリコ
ン膜３０００人とプラズマＣＶＤ法により連続して成膜
した後、クロム膜１０００人をアルゴンスパッタ法によ
り成膜し、フォトレジスト法によりパターニングし、ク
ロム膜をウェットエッチング法によりエッチングし、窒
化シリコン膜をドライエッチング法によりエッチングし
てアモルファスシリコン膜５，ゲート電極７，ゲート絶
縁腺６を形成したのが第１図で示す製造工程途中におけ
る薄膜トランジスタである。ここでゲート電極７とゲー
ト絶縁膜６とをマスクにしてアモルファスシリコン膜５
とリンドープアモルファスシリコン膜４の一部を水酸化
テトラメチルアンモニウム１重量％水溶液５０℃の条件
でエッチングした。アモルファスシリコン，リンドープ
アモルファスシリコンのエッチングスピードは１０００
人／ｍｉｎ窒化シリコン膜，ガラス基板，ＩＴＯ！，ク
ロム膜のエッチングスピードはともに２０人／ｍｉｎ以
下であった。このようにして製造したアモルファスシリ
コン薄膜トランジスタは、層間絶縁不良がなくかつガラ
ス基板の表面あれが全くなかった。これはアモルファス
シリコンのエッチングに水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用したために、ゲート絶縁膜やガラス基板
のエッチングがほとんどないためと考えられる。
ン膜３０００人とプラズマＣＶＤ法により連続して成膜
した後、クロム膜１０００人をアルゴンスパッタ法によ
り成膜し、フォトレジスト法によりパターニングし、ク
ロム膜をウェットエッチング法によりエッチングし、窒
化シリコン膜をドライエッチング法によりエッチングし
てアモルファスシリコン膜５，ゲート電極７，ゲート絶
縁腺６を形成したのが第１図で示す製造工程途中におけ
る薄膜トランジスタである。ここでゲート電極７とゲー
ト絶縁膜６とをマスクにしてアモルファスシリコン膜５
とリンドープアモルファスシリコン膜４の一部を水酸化
テトラメチルアンモニウム１重量％水溶液５０℃の条件
でエッチングした。アモルファスシリコン，リンドープ
アモルファスシリコンのエッチングスピードは１０００
人／ｍｉｎ窒化シリコン膜，ガラス基板，ＩＴＯ！，ク
ロム膜のエッチングスピードはともに２０人／ｍｉｎ以
下であった。このようにして製造したアモルファスシリ
コン薄膜トランジスタは、層間絶縁不良がなくかつガラ
ス基板の表面あれが全くなかった。これはアモルファス
シリコンのエッチングに水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用したために、ゲート絶縁膜やガラス基板
のエッチングがほとんどないためと考えられる。
第２図は本発明の他の実施例の製造工程途中における薄
膜トランジスタの断面図である。ガラス基板１１にクロ
ム膜１０００人をアルゴンスパッタ法により成膜しフォ
トレジスト法によりパターニングし、ウェットエッチン
グ法によりエッチングしてゲート電極１７を形成した。
膜トランジスタの断面図である。ガラス基板１１にクロ
ム膜１０００人をアルゴンスパッタ法により成膜しフォ
トレジスト法によりパターニングし、ウェットエッチン
グ法によりエッチングしてゲート電極１７を形成した。
次に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜３０００
人，アモルフ７スシリコン膜３０００人，リンドープア
モルファスシリコン膜３００人を連続して形成しフォト
レジスト法によりパターニングし、ドライエッチング法
によりリンドーブアモルファスシリコン膜，アモルファ
スシリコン膜をドライエッチング法によりエッチングし
て、ゲート絶縁膜１６，アモルファスシリコン膜１５，
リンドープアモルファスシリコン膜ｌ４を形成した．次
に、グロム膜３ ０ ０ ０人をアルゴンスパッタ法に
より製膜し、フォトレジスト法によりパターニングしウ
ェットエッチング法によりエッチングしてドレイン電極
１２，ソース電極１８を形成した。さらにＩＴＯ（酸化
インジウムスズ）膜１０００人をアルゴンスパッタ法に
より製膜しフォトレジスト法によりパターニングしウェ
ット法によりエッチングして透明電極１３を形成したの
が第２図に示す製造工程途中における薄膜トランジスタ
である。ここでドレイン電稼１２とソース電極１８とを
マスクとしてリンドープアモルファスシリコン膜１４を
第４級アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液
としてセミコクリーン２３（フルウチ化学製）６０℃の
条件で２分間エッチングした。リンドープアモルファス
シリコン膜，アモルファスシリコン膜のエッチングスピ
ードはともに５００人／ｍｉｎで選択性はないがエッチ
ングスピードの均一性が良いため問題とはならない。窒
化シリコン膜，ガラス基板，ＩＴＯ膜，クロム膜のエッ
チングスピードは測定できないほど少なかった。このよ
うにして製造したアモルファスシリコン薄膜トランジス
タも層間絶縁不良がなくかつゲート絶縁膜やガラス基板
の表面あれが全くなかった。これはアモルファスシリコ
ンのエッチングに第４級アンモニウム塩を主成分とする
有機アルカリ溶液を用いたために、ゲート絶縁膜やガラ
ス基板のエッチングがほとんどないためと考えられる。
人，アモルフ７スシリコン膜３０００人，リンドープア
モルファスシリコン膜３００人を連続して形成しフォト
レジスト法によりパターニングし、ドライエッチング法
によりリンドーブアモルファスシリコン膜，アモルファ
スシリコン膜をドライエッチング法によりエッチングし
て、ゲート絶縁膜１６，アモルファスシリコン膜１５，
リンドープアモルファスシリコン膜ｌ４を形成した．次
に、グロム膜３ ０ ０ ０人をアルゴンスパッタ法に
より製膜し、フォトレジスト法によりパターニングしウ
ェットエッチング法によりエッチングしてドレイン電極
１２，ソース電極１８を形成した。さらにＩＴＯ（酸化
インジウムスズ）膜１０００人をアルゴンスパッタ法に
より製膜しフォトレジスト法によりパターニングしウェ
ット法によりエッチングして透明電極１３を形成したの
が第２図に示す製造工程途中における薄膜トランジスタ
である。ここでドレイン電稼１２とソース電極１８とを
マスクとしてリンドープアモルファスシリコン膜１４を
第４級アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液
としてセミコクリーン２３（フルウチ化学製）６０℃の
条件で２分間エッチングした。リンドープアモルファス
シリコン膜，アモルファスシリコン膜のエッチングスピ
ードはともに５００人／ｍｉｎで選択性はないがエッチ
ングスピードの均一性が良いため問題とはならない。窒
化シリコン膜，ガラス基板，ＩＴＯ膜，クロム膜のエッ
チングスピードは測定できないほど少なかった。このよ
うにして製造したアモルファスシリコン薄膜トランジス
タも層間絶縁不良がなくかつゲート絶縁膜やガラス基板
の表面あれが全くなかった。これはアモルファスシリコ
ンのエッチングに第４級アンモニウム塩を主成分とする
有機アルカリ溶液を用いたために、ゲート絶縁膜やガラ
ス基板のエッチングがほとんどないためと考えられる。
なお、本実施例ではアモルファスシリコン成膜直後のア
モルファスシリコンの外形エッチングにドライエッチン
グ法を用いたがこの工程でも上部に薄いクロム膜等の金
属膜を形成しておいてこの金属膜をマスクとして第４級
アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液を用い
てエッチングを行なえるのは言うまでもない。
モルファスシリコンの外形エッチングにドライエッチン
グ法を用いたがこの工程でも上部に薄いクロム膜等の金
属膜を形成しておいてこの金属膜をマスクとして第４級
アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液を用い
てエッチングを行なえるのは言うまでもない。
以上説明したように、本発明はアモルファスシリコンの
エッチングに水酸化第４級アンモニウムないしは第４級
アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液を用い
ることにより、スループットが高くかつ歩留りの高いア
モルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供
できる効果がある。
エッチングに水酸化第４級アンモニウムないしは第４級
アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液を用い
ることにより、スループットが高くかつ歩留りの高いア
モルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による製造工程途中における
薄膜トランジスタの断面図、第２図は本発明の他の実施
例による製造工程途中における薄膜トランジスタの断面
図である。 １，１１・・・・・・ガラス基板、２，１２・・・・・
・ドレイン電極、３，１３・・・・・・透明電極、４，
１４・・・・・・リントーフアモルファスシリコン膜、
５．１５・・・・・・アモルファスシリコン膜、６．１
６・・・・・・ゲート絶綴膜、７，１７・・・・・・ゲ
ート電極、８，１８・・・・・・ソース電極。 第１図
薄膜トランジスタの断面図、第２図は本発明の他の実施
例による製造工程途中における薄膜トランジスタの断面
図である。 １，１１・・・・・・ガラス基板、２，１２・・・・・
・ドレイン電極、３，１３・・・・・・透明電極、４，
１４・・・・・・リントーフアモルファスシリコン膜、
５．１５・・・・・・アモルファスシリコン膜、６．１
６・・・・・・ゲート絶綴膜、７，１７・・・・・・ゲ
ート電極、８，１８・・・・・・ソース電極。 第１図
Claims (1)
- アモルファスシリコンの選択エッチングに水酸化第４級
アンモニウムないしは第４級アンモニウム塩を主成分と
する有機アルカリ溶液を用いることを特徴とするアモル
ファスシリコンの選択エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5429389A JPH02232925A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | アモルファスシリコンの選択エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5429389A JPH02232925A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | アモルファスシリコンの選択エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02232925A true JPH02232925A (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=12966522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5429389A Pending JPH02232925A (ja) | 1989-03-06 | 1989-03-06 | アモルファスシリコンの選択エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02232925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211535B1 (en) | 1994-11-26 | 2001-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US6281131B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming electrical contacts |
| JP2002158361A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Kagoshima Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2013175719A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-09-05 | Fujifilm Corp | キャパシタ形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS552474A (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-09 | Nippon Electric Co | Simulated detecting body for ct skiana |
| JPS6436029A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of pattern of polycrystalline semiconductor thin film |
-
1989
- 1989-03-06 JP JP5429389A patent/JPH02232925A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS552474A (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-09 | Nippon Electric Co | Simulated detecting body for ct skiana |
| JPS6436029A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of pattern of polycrystalline semiconductor thin film |
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| JP2002158361A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-05-31 | Nec Kagoshima Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2013175719A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-09-05 | Fujifilm Corp | キャパシタ形成方法 |
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