JPH02230641A - イオンビーム発生装置 - Google Patents
イオンビーム発生装置Info
- Publication number
- JPH02230641A JPH02230641A JP1049913A JP4991389A JPH02230641A JP H02230641 A JPH02230641 A JP H02230641A JP 1049913 A JP1049913 A JP 1049913A JP 4991389 A JP4991389 A JP 4991389A JP H02230641 A JPH02230641 A JP H02230641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- ion source
- source
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005592 electrolytic dissociation Effects 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 58
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はイオンビーム発生装置に関し、さらに詳しくは
パルス状のイオンビームを発生することのできる液体金
属イオン源または電界電離型ガスイオン源をイオン源と
するイオンヒーム発生装置に関する。
パルス状のイオンビームを発生することのできる液体金
属イオン源または電界電離型ガスイオン源をイオン源と
するイオンヒーム発生装置に関する。
［従来の技術１
従来、集束イオンビームを用いた微細加工は、集束イオ
ンヒームを照射して行う物理的エッチング、反応性ガス
雰囲気中で集束イオンヒームを照＠−１１−る化学的効
果を用いたエッチングに分けられる。しかしながら、こ
れらの方法ではすべて連続的に発生したイオンピームを
照則するものである。
ンヒームを照射して行う物理的エッチング、反応性ガス
雰囲気中で集束イオンヒームを照＠−１１−る化学的効
果を用いたエッチングに分けられる。しかしながら、こ
れらの方法ではすべて連続的に発生したイオンピームを
照則するものである。
イオン源とイオン光学系を用いて形成される集束イオン
ビーム技術は、その微Ｉｔ｝ｆ ７Ｍ３王性、清浄雰囲
気中で加工が行えること、ビームを電気的に偏向Ｃきる
ためパターン形成が容易であるなどから、将来の微細加
工技術の１つとして注目されている。
ビーム技術は、その微Ｉｔ｝ｆ ７Ｍ３王性、清浄雰囲
気中で加工が行えること、ビームを電気的に偏向Ｃきる
ためパターン形成が容易であるなどから、将来の微細加
工技術の１つとして注目されている。
この技術のためのイオン源どしては、０．１ｍ−Ａダの
集束イオンビームが形成できる液体金属イオン源と、０
．０１＃径の集束イオンビームか形成できる、より高輝
度なイオン源としての電界電離型ガスイオン源がある。
集束イオンビームが形成できる液体金属イオン源と、０
．０１＃径の集束イオンビームか形成できる、より高輝
度なイオン源としての電界電離型ガスイオン源がある。
液体金属イオン源は、液体状の金属で覆われた針状電極
と引き出し電極との間に高電圧を印加することによって
、高電界を誘起し、その結果生じたテイラーコ−ンと叶
ばれる円錐か形成ざれ、その先端から金属かイオンもし
くはクラスターとして生成するものである。通常このイ
オン源では直流の高電圧を印加して一定電流のイオンビ
ームを允牛さぜている。
と引き出し電極との間に高電圧を印加することによって
、高電界を誘起し、その結果生じたテイラーコ−ンと叶
ばれる円錐か形成ざれ、その先端から金属かイオンもし
くはクラスターとして生成するものである。通常このイ
オン源では直流の高電圧を印加して一定電流のイオンビ
ームを允牛さぜている。
一方、電界電離型ガスイオン源は、鋭く尖らＶた導電性
針状電極（主に金属）の周囲にイオン化さける気体を供
給しつつ針状電極先端に０、１Ｖ／ｎｌｎ程度の高電界
を印加し、その先端付近で気体分子を電界電離させるも
のである。この原理により［−１、ｌ−１０，Ａｒなど
の液体金属イオン源ではイオン化でさない元素をイオン
化することができる。このイオン源では、イオン電流を
多ク１ｑるために、針状電種，ｂよび供給ずる気体を４
〜低温に冷却し、気体分子の針状電極先端での密度を増
して供給量を増すとともｋ− ，電｛〜先端での気体の
運動エネルギーを下げで針先喘の前面約１ｎｍにあるイ
オン化領域内での滞在時間を延ばしてイオン化効率を上
げ、イオン電流を増加させている。通常、このイオン源
では直流高電圧を印／ＪＩＪ Ｌて安定なイオンビーム
か得られるよう【こしている。
針状電極（主に金属）の周囲にイオン化さける気体を供
給しつつ針状電極先端に０、１Ｖ／ｎｌｎ程度の高電界
を印加し、その先端付近で気体分子を電界電離させるも
のである。この原理により［−１、ｌ−１０，Ａｒなど
の液体金属イオン源ではイオン化でさない元素をイオン
化することができる。このイオン源では、イオン電流を
多ク１ｑるために、針状電種，ｂよび供給ずる気体を４
〜低温に冷却し、気体分子の針状電極先端での密度を増
して供給量を増すとともｋ− ，電｛〜先端での気体の
運動エネルギーを下げで針先喘の前面約１ｎｍにあるイ
オン化領域内での滞在時間を延ばしてイオン化効率を上
げ、イオン電流を増加させている。通常、このイオン源
では直流高電圧を印／ＪＩＪ Ｌて安定なイオンビーム
か得られるよう【こしている。
［発明か解決しようとする課題１
従来の集束イオンビームを用いたエッチング方法では、
−Ｌ記したようなイオン源とイオン光学系を用い、連続
的にイオンを照射して物理的なスパツタＴツチング、雰
囲気ガスの化学反応を利用したイオンビームアシストエ
ッチングなどを行っている。
−Ｌ記したようなイオン源とイオン光学系を用い、連続
的にイオンを照射して物理的なスパツタＴツチング、雰
囲気ガスの化学反応を利用したイオンビームアシストエ
ッチングなどを行っている。
しかしながら、これらの方法では一定電流の連続イオン
ビームのみを利用しでおり、微細性を要求される超ＬＳ
Ｉの加工では、間口か狭くアスペク［〜比の大きい溝の
加工などではエッチングされたタ−ゲッ１〜材料か側壁
に再イ」看して良好な形状をｊｑることか鈍しい。また
１ツヂング速度を向トさけるためにイオンヒーム電流を
多くとると、連続的に人ｑ４するイオンビームのために
、再イ・」肴か生じ易くなるとともに、試料を加熱させ
、半導体材料の特性を悪化させるなどの不都合か生じる
。集束イオンビームの場合はビーム径か小さく（＜０．
１ｌＪＩｎφ）、高電流密度であるため（〉１Ａ／Ｃｍ
２）、局所的な発熱が問題となってくる。
ビームのみを利用しでおり、微細性を要求される超ＬＳ
Ｉの加工では、間口か狭くアスペク［〜比の大きい溝の
加工などではエッチングされたタ−ゲッ１〜材料か側壁
に再イ」看して良好な形状をｊｑることか鈍しい。また
１ツヂング速度を向トさけるためにイオンヒーム電流を
多くとると、連続的に人ｑ４するイオンビームのために
、再イ・」肴か生じ易くなるとともに、試料を加熱させ
、半導体材料の特性を悪化させるなどの不都合か生じる
。集束イオンビームの場合はビーム径か小さく（＜０．
１ｌＪＩｎφ）、高電流密度であるため（〉１Ａ／Ｃｍ
２）、局所的な発熱が問題となってくる。
これに対し、パルス状のイオンヒームを用いてイオンヒ
ームエッチングを行うと、上記のような再付着効果にＪ
；る加工形状の悪化や、高電流イオンヒーム照則時の試
料温度のト脊か抑えられ、微細加工を良好に行うことが
できるが、今までのところ、液体金属イオン源や電界電
離型ガスイオン源を用いてパルス状のイオンビームを発
生寸るイオンヒーム発生装置は間発されていない。
ームエッチングを行うと、上記のような再付着効果にＪ
；る加工形状の悪化や、高電流イオンヒーム照則時の試
料温度のト脊か抑えられ、微細加工を良好に行うことが
できるが、今までのところ、液体金属イオン源や電界電
離型ガスイオン源を用いてパルス状のイオンビームを発
生寸るイオンヒーム発生装置は間発されていない。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたもので、液体企属イＡ−ン源もしくは電界
電離型カス、イオン源を用いるイオンヒーム発生装置に
あいで、パルス状のイオンビームを１ｑる装置を捉供す
ることを目的と覆る。
めになされたもので、液体企属イＡ−ン源もしくは電界
電離型カス、イオン源を用いるイオンヒーム発生装置に
あいで、パルス状のイオンビームを１ｑる装置を捉供す
ることを目的と覆る。
［課題を解決するための手段］
本発明は、液体金属イオン源もしくは電界電離型ガスイ
オン腺をイオン源と覆るイオンじー八発生装置において
、イオン源の引き出し電極にイオン源のスレツショルド
レベルの前後のパルス状の引き出し電圧を印加してパル
ス状のイオンヒームを発生してなることを持微とリるイ
オンヒーム発生装置である。
オン腺をイオン源と覆るイオンじー八発生装置において
、イオン源の引き出し電極にイオン源のスレツショルド
レベルの前後のパルス状の引き出し電圧を印加してパル
ス状のイオンヒームを発生してなることを持微とリるイ
オンヒーム発生装置である。
［作用］
本発明においては、イΔンじームを発生させるために、
イＡン源の引き出し電｛へにパルス状の弓き出し電圧を
印１ノ［１することにより、イオンの発生ぞのちのをパ
ルス状にする。
イＡン源の引き出し電｛へにパルス状の弓き出し電圧を
印１ノ［１することにより、イオンの発生ぞのちのをパ
ルス状にする。
集束イオンビームを形成することかできる液体金属イオ
ン源ならびに電界電離ｆ刀スイ４ン源はイＡ゛ンの弁生
にしきい値電圧がある。持【こ、液体金属イオン源の場
合は高電界によって静電的に液体金属表面が引力を受け
、表而張力とつりあってテイラーコーンと呼ばれるイオ
ンを発生１る突起かできる。このテイラ−コーンを安定
に形成し、よってパルスイオンビームを安定に発生させ
るためには、印加するパルス状の引き出し電圧は、イオ
ンを発生させないとぎは使用覆るイオン源のしきい値電
圧を越えないなるべく高い電圧を印加し、イオンを発生
させるときは必要なイオン電流か発生づる電圧を印加１
る。このようにすることにより安定なパルス状のイオン
電流かｊｑられる。電界電離型ガスイオン源の場合にも
、イオン発生の（ノぎい値電圧を有しているので、引き
出し電極に上記のように電圧を印加することにより、安
定したパルス状のイオンヒームを得ることができる。
ン源ならびに電界電離ｆ刀スイ４ン源はイＡ゛ンの弁生
にしきい値電圧がある。持【こ、液体金属イオン源の場
合は高電界によって静電的に液体金属表面が引力を受け
、表而張力とつりあってテイラーコーンと呼ばれるイオ
ンを発生１る突起かできる。このテイラ−コーンを安定
に形成し、よってパルスイオンビームを安定に発生させ
るためには、印加するパルス状の引き出し電圧は、イオ
ンを発生させないとぎは使用覆るイオン源のしきい値電
圧を越えないなるべく高い電圧を印加し、イオンを発生
させるときは必要なイオン電流か発生づる電圧を印加１
る。このようにすることにより安定なパルス状のイオン
電流かｊｑられる。電界電離型ガスイオン源の場合にも
、イオン発生の（ノぎい値電圧を有しているので、引き
出し電極に上記のように電圧を印加することにより、安
定したパルス状のイオンヒームを得ることができる。
［実施例１
次に本発明の実施例【こついて、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例（こｄ３けるイオン
源の概略構成図で、液体金属イオン源を用いた場合を示
している。
源の概略構成図で、液体金属イオン源を用いた場合を示
している。
液体金属イオン源１は、真空チ℃・ンバ２内に設置され
た試料金属３と、該金属を加熱するヒータ４およびヒ−
タ電源５と、引き出（ノ電極６および該電極６に接続【
ノたパルス高Ｌ［電源７とで構成されている。液体金属
イオン源１はイオン允牛のしきい値（３〜１０ ｋ）を
有しており、パルス高圧電源７により、しきい値前後で
パルス状に高電圧を変化させることによって、パルス状
にイオンヒームを発生させることができる。
た試料金属３と、該金属を加熱するヒータ４およびヒ−
タ電源５と、引き出（ノ電極６および該電極６に接続【
ノたパルス高Ｌ［電源７とで構成されている。液体金属
イオン源１はイオン允牛のしきい値（３〜１０ ｋ）を
有しており、パルス高圧電源７により、しきい値前後で
パルス状に高電圧を変化させることによって、パルス状
にイオンヒームを発生させることができる。
第１図（ｂ）は、十記装置による印加パルス電圧の−例
を示したものである。なお図中、ＶＳＩは液体金属イオ
ン源のしきい値電圧を示づ。安定にイオンヒームを発生
させるために、イオンを発生させない時間帯の電斤ｖ１
は、しきい値電丹ＶＳＩの近くに設定するのがよい。
を示したものである。なお図中、ＶＳＩは液体金属イオ
ン源のしきい値電圧を示づ。安定にイオンヒームを発生
させるために、イオンを発生させない時間帯の電斤ｖ１
は、しきい値電丹ＶＳＩの近くに設定するのがよい。
第２図（ａ）は、イオン源として電界電離型ガスイオン
源を用いた場合を示し、上記実施例と同様に、引き出し
電極６にパルス高斤電源７か接続している。なお図中、
９はイオン化カス導入口、１０は冷却器である。電界電
離型ガスイオン源もイオン発生のしきい値を有しており
、しきい値の前後の電圧を印加することにより、容易に
パルス状のイオンじ−ムを１ｑることがでぎる。
源を用いた場合を示し、上記実施例と同様に、引き出し
電極６にパルス高斤電源７か接続している。なお図中、
９はイオン化カス導入口、１０は冷却器である。電界電
離型ガスイオン源もイオン発生のしきい値を有しており
、しきい値の前後の電圧を印加することにより、容易に
パルス状のイオンじ−ムを１ｑることがでぎる。
第２図（ｂ）は、−ト記装置による印加バルス電圧の一
例を示したもので、この場合も、イオンを発生させない
時間帯の電斤Ｖ２は、電界電離型ガスイオン源のしきい
値電圧ＶＳ２の近くに設定するのがよい。
例を示したもので、この場合も、イオンを発生させない
時間帯の電斤Ｖ２は、電界電離型ガスイオン源のしきい
値電圧ＶＳ２の近くに設定するのがよい。
第３図は、本発明によるイオンヒーム発生装置を用いた
イオンヒームエッチング法の説明図である。同図に示す
ように、パルスイオンヒーム発生装置１１からは、パル
スイオンヒーム１２か断続的に被エッチング試料１３に
照射されるので、高アスペクト比の加工形状においても
被エッチング物の再イ」看を最小限に抑えることかでき
る。またパルス幅と周期を最適に調節することにより、
イＡンビームか高電流においても非イオンヒーム照帽時
に発生した熱を拡散により除去し、加熱による試料の変
性、］７ツチング条イ１の変化などを防ぐことができる
。
イオンヒームエッチング法の説明図である。同図に示す
ように、パルスイオンヒーム発生装置１１からは、パル
スイオンヒーム１２か断続的に被エッチング試料１３に
照射されるので、高アスペクト比の加工形状においても
被エッチング物の再イ」看を最小限に抑えることかでき
る。またパルス幅と周期を最適に調節することにより、
イＡンビームか高電流においても非イオンヒーム照帽時
に発生した熱を拡散により除去し、加熱による試料の変
性、］７ツチング条イ１の変化などを防ぐことができる
。
［発明の効宋１
以上説明したよう（４二、本梵明のイオンビーム発生装
置【こよれば、液体金属イΔン源および電界電因１型ガ
スイオン源を用いたパルスイオンヒームの発生を実現１
ることかできる。
置【こよれば、液体金属イΔン源および電界電因１型ガ
スイオン源を用いたパルスイオンヒームの発生を実現１
ることかできる。
また、本装置を用いてパルスイオンヒームエッチングを
行うことが可能になり、この場合には、再付着効果を最
小限に抑え、またイオン照射による試料の加熱を防ぎ、
良好な加工形状か得られると共に、試料の損傷も抑えら
れる。
行うことが可能になり、この場合には、再付着効果を最
小限に抑え、またイオン照射による試料の加熱を防ぎ、
良好な加工形状か得られると共に、試料の損傷も抑えら
れる。
第１図および第２図は本発明の一実施例にあけるイΔ−
ン源の概略構成図と印加パルス電圧波形の一例を示す図
、第３図は本発明によるイオンヒー八発生装置を用いた
イオンヒーム■ツヂング法の説明図である。 １・・・液体金属イオン源 ２．１１・・・真空チャンバ ３・・・試料金屈 ４・・・ヒータ５・・
・ヒータ電源 ６・・・引き出し電極７・・
・パルス高１電源 ε３・・・電界電離型ガスイオン源 ９・・・イオン化ガス導入Ｄ １０・・・冷却器１
１・・・パルスイオンビーム発生装置１２・・・パルス
イオンビーム １３・・・被エッチング試料
ン源の概略構成図と印加パルス電圧波形の一例を示す図
、第３図は本発明によるイオンヒー八発生装置を用いた
イオンヒーム■ツヂング法の説明図である。 １・・・液体金属イオン源 ２．１１・・・真空チャンバ ３・・・試料金屈 ４・・・ヒータ５・・
・ヒータ電源 ６・・・引き出し電極７・・
・パルス高１電源 ε３・・・電界電離型ガスイオン源 ９・・・イオン化ガス導入Ｄ １０・・・冷却器１
１・・・パルスイオンビーム発生装置１２・・・パルス
イオンビーム １３・・・被エッチング試料
Claims (1)
- （１）液体金属イオン源もしくは電界電離型ガスイオン
源をイオン源とするイオンビーム発生装置において、イ
オン源の引き出し電極にイオン源のスレッショルドレベ
ルの前後のパルス状の引き出し電圧を印加してパルス状
のイオンビームを発生してなることを特徴とするイオン
ビーム発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1049913A JPH02230641A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | イオンビーム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1049913A JPH02230641A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | イオンビーム発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230641A true JPH02230641A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12844252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1049913A Pending JPH02230641A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | イオンビーム発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230641A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009517844A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| CN103094028A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 日新离子机器株式会社 | 离子源电极的清洁装置 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1049913A patent/JPH02230641A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009517844A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| CN103094028A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | 日新离子机器株式会社 | 离子源电极的清洁装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4013271B2 (ja) | 物品表面処理方法及び装置 | |
| US5818040A (en) | Neutral particle beam irradiation apparatus | |
| US20040222367A1 (en) | Beam source and beam processing apparatus | |
| JPH06260461A (ja) | プラズマによる基板表面の洗浄方法 | |
| JP2000054125A (ja) | 表面処理方法および装置 | |
| JPH02230641A (ja) | イオンビーム発生装置 | |
| JP6371712B2 (ja) | プラズマ生成方法及び内包フラーレンの生成方法 | |
| JPS61177728A (ja) | 低エネルギイオン化粒子照射装置 | |
| JPH06290723A (ja) | イオンビーム装置 | |
| JPH08165563A (ja) | 電子ビームアニール装置 | |
| JP2001011622A (ja) | 絶縁物の表面処理方法、プリンタヘッド及び記録媒体用基材 | |
| JPH05279844A (ja) | レーザーアブレーション装置 | |
| JPH11195397A (ja) | 低エネルギー重イオン立体照射法 | |
| JPS61288069A (ja) | ダイヤモンド様カ−ボン成膜装置 | |
| JPH02230646A (ja) | イオンビーム発生装置 | |
| JPH04191364A (ja) | イオンプレーティング方法および装置 | |
| JP2000340556A (ja) | 絶縁物の表面処理方法 | |
| Ohzu et al. | Enhancement of ion extraction from a cold plasma with radio-frequency plasma heating | |
| JPH0598429A (ja) | 透明導電膜作製方法及び透明導電膜作製装置 | |
| TWI433611B (zh) | A plasma source, an ion manufacturing method, a plasma manufacturing method, and a method of manufacturing the inner package carbon cluster | |
| JPS5842769A (ja) | 光ビ−ムを用いたイオンプレ−ティング装置 | |
| JPH02230731A (ja) | イオンビーム加工方法 | |
| JPH09209128A (ja) | 蒸発源にレーザを用いたイオンプレーティング装置 | |
| JPH07197259A (ja) | イオンビームスパッタリング装置 | |
| JPS61238954A (ja) | 多結晶薄膜の形成方法 |