JPH02199892A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH02199892A JPH02199892A JP1914289A JP1914289A JPH02199892A JP H02199892 A JPH02199892 A JP H02199892A JP 1914289 A JP1914289 A JP 1914289A JP 1914289 A JP1914289 A JP 1914289A JP H02199892 A JPH02199892 A JP H02199892A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザの製造方法に関し、特にレーザ光
出射端面を透明媒質で埋め込んだウィンドウ構造の半導
体レーザの製造方法に関する。
出射端面を透明媒質で埋め込んだウィンドウ構造の半導
体レーザの製造方法に関する。
半導体レーザの出射端面の劣化を防ぎ、高出力を得るた
めに、共振器端面部を活性層より禁制帯幅の大きい透明
媒質で埋め込み、光の非吸収領域としたウィンドウ型半
導体レーザが提案されている（例えば、特開昭５６−８
８８９号公報参照）。
めに、共振器端面部を活性層より禁制帯幅の大きい透明
媒質で埋め込み、光の非吸収領域としたウィンドウ型半
導体レーザが提案されている（例えば、特開昭５６−８
８８９号公報参照）。
第３図Ａ、Ｂはそれぞれ概略を示す斜視図及び断面図で
ある。第４図はその製造工程を示す図である。まず、第
４図Ａに示すｎ型ＧａＡｓで成る半導体基板１上に第１
の液相エピタキシャル成長工程によって順次ｎ型Ａ１．
）、３ＧａＯ，７Ａｓクラッド層２、ｐ型ＧａＡｓ活性
層３、ｐ型Ａｌ（１，３Ｇａｇ、７Ａｓクラッド層４、
ｐ型ＧａＡｓ層５を成長させる〈第４図Ｂ）。ここで、
−旦成長をやめ、ｐ型Ｇｔｋｓ層５の表面より選択エツ
チング処理によりｎ型ＧａＡｓ基板１に達するストライ
ブ状のメサ形状を形成する（第４図Ｃ）、しかる後、第
２の液相エピタキシャル成長工程によってｎ聖人１０．
３Ｇａｏ−７＾Ｓ窓層６、ｎ型ＧａＡｓ活性層７を順次
成長せしめる（第４図Ｄ）。次にｎ型ＧａＡｓキャップ
層７の表面にストライブ状の窓を開けた５ｉ０２マスク
８を窓のストライブ方向が前記エツチング処理により形
成されたメサ形状のストライブ方向に垂直になるように
取り付けて、この窓を通してＺａをｐ型Ａ１．）、３Ｇ
ａＯ，フＡｓクラッド層４に達するように拡散してから
５ｉ０２マスク８の上から電極９を取る付け、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の側にも電極１０を取り付ける。最後に、５
ｉ０２マスクの窓のない部分で第４図Ｃに示されたメサ
のストライブに平行に襞開し、ファブリ・ベロ共振器と
して働くレーザ反射面を得て、従来型のウィンドウ型半
導体レーザ（第３図Ａ、Ｂ）が製作される。
ある。第４図はその製造工程を示す図である。まず、第
４図Ａに示すｎ型ＧａＡｓで成る半導体基板１上に第１
の液相エピタキシャル成長工程によって順次ｎ型Ａ１．
）、３ＧａＯ，７Ａｓクラッド層２、ｐ型ＧａＡｓ活性
層３、ｐ型Ａｌ（１，３Ｇａｇ、７Ａｓクラッド層４、
ｐ型ＧａＡｓ層５を成長させる〈第４図Ｂ）。ここで、
−旦成長をやめ、ｐ型Ｇｔｋｓ層５の表面より選択エツ
チング処理によりｎ型ＧａＡｓ基板１に達するストライ
ブ状のメサ形状を形成する（第４図Ｃ）、しかる後、第
２の液相エピタキシャル成長工程によってｎ聖人１０．
３Ｇａｏ−７＾Ｓ窓層６、ｎ型ＧａＡｓ活性層７を順次
成長せしめる（第４図Ｄ）。次にｎ型ＧａＡｓキャップ
層７の表面にストライブ状の窓を開けた５ｉ０２マスク
８を窓のストライブ方向が前記エツチング処理により形
成されたメサ形状のストライブ方向に垂直になるように
取り付けて、この窓を通してＺａをｐ型Ａ１．）、３Ｇ
ａＯ，フＡｓクラッド層４に達するように拡散してから
５ｉ０２マスク８の上から電極９を取る付け、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の側にも電極１０を取り付ける。最後に、５
ｉ０２マスクの窓のない部分で第４図Ｃに示されたメサ
のストライブに平行に襞開し、ファブリ・ベロ共振器と
して働くレーザ反射面を得て、従来型のウィンドウ型半
導体レーザ（第３図Ａ、Ｂ）が製作される。
この従来型の半導体レーザでは、共振器端面がｐ型Ｇａ
Ａｓ活性層３より禁制帯幅の大きいｎ型ＡｔＯ，３Ｇａ
、）、７ＡＳ窓層６で構成されている。その結果、端面
でのレーザ光の吸収が少なく、窓層を用いない半導体レ
ーザに比べて、共振器端面の劣化が生じにくい。また、
端面の光学損傷も生じにくいので高出力のレーザ光を取
り出すことができる。
Ａｓ活性層３より禁制帯幅の大きいｎ型ＡｔＯ，３Ｇａ
、）、７ＡＳ窓層６で構成されている。その結果、端面
でのレーザ光の吸収が少なく、窓層を用いない半導体レ
ーザに比べて、共振器端面の劣化が生じにくい。また、
端面の光学損傷も生じにくいので高出力のレーザ光を取
り出すことができる。
上に説明した従来のウィンドウ型半導体レーザの製法は
以下に述べるように素子の集積化に対処できないという
欠点がある。即ち、単一のＧａＡｓ基板上に複数のウィ
ンドウ型半導体レーザを集積しようとすると最早ファブ
リ・ペロ共振器端面を形成するなめに襞間という手段を
用いることができない、襞間によらないで共振器端面を
形成する手段としては、塩素のような反応性ガスを用い
た反応性イオンエツチング法（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏ
ｎ ＢｅａｍＥｆｃｈｉｎｇ、ＲＩ Ｂ Ｅ ）が良く
用いられている。ＲＩＢＥ法による場合には、上述の従
来例に即して述べれば、結晶を襞開する替りに、第４図
Ｃに示されたメサのストライブに平行にフォトレジスト
のエツチングマスクをストライブ状に形成し、その上か
らエツチングを行なうことになる。従ってフォトレジス
トによりエツチングマスクを形成する工程と実際にエツ
チングを行なう工程が余分に必要となる。これは、工程
が増えるだけでなく素子の歩留りにも影響し、量産コス
トが高くなってしまう問題がある。更に、ＲＩＢＥ法で
光学的に平滑な共振器端面を得るのは技術的に難しく、
現状では必ずしも工業的に確立されているわけではない
。
以下に述べるように素子の集積化に対処できないという
欠点がある。即ち、単一のＧａＡｓ基板上に複数のウィ
ンドウ型半導体レーザを集積しようとすると最早ファブ
リ・ペロ共振器端面を形成するなめに襞間という手段を
用いることができない、襞間によらないで共振器端面を
形成する手段としては、塩素のような反応性ガスを用い
た反応性イオンエツチング法（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏ
ｎ ＢｅａｍＥｆｃｈｉｎｇ、ＲＩ Ｂ Ｅ ）が良く
用いられている。ＲＩＢＥ法による場合には、上述の従
来例に即して述べれば、結晶を襞開する替りに、第４図
Ｃに示されたメサのストライブに平行にフォトレジスト
のエツチングマスクをストライブ状に形成し、その上か
らエツチングを行なうことになる。従ってフォトレジス
トによりエツチングマスクを形成する工程と実際にエツ
チングを行なう工程が余分に必要となる。これは、工程
が増えるだけでなく素子の歩留りにも影響し、量産コス
トが高くなってしまう問題がある。更に、ＲＩＢＥ法で
光学的に平滑な共振器端面を得るのは技術的に難しく、
現状では必ずしも工業的に確立されているわけではない
。
このように、従来のウィンドウ型半導体レーザの製法で
は集積化に対処できず、またＲＩＢＥ法により共振器端
面を形成するのも良い方法とは言えないのである。
は集積化に対処できず、またＲＩＢＥ法により共振器端
面を形成するのも良い方法とは言えないのである。
本発明は、（１００）面を主表面とする半導体基板上に
ウィンドウ型半導体レーザを集積化するのに適し、上述
の問題点を解消した製造方法を提供するものである。
ウィンドウ型半導体レーザを集積化するのに適し、上述
の問題点を解消した製造方法を提供するものである。
本発明は、（１００）面を主表面とする第１の導電型の
半導体基板上に少くとも第１導電型の第１クラッド層と
該第１クラッド層より禁制帯幅の小さい活性層と該活性
層より禁制帯幅の大きい第２導電型の第２クラッド層と
該第２クラッド層より禁制帯幅の小さいキャップ層とを
順次成長する第１のエピタキシャル成長工程と、前記第
１クラッド層まで達する深さまで前記キャップ層と前記
第２クラッド層と前記活性層と前記第１クラッド層を除
去して側面が（１３３）または（１３３）面である溝を
形成するエツチング工程と、前記溝内に（１１０）面を
表面とし禁制帯幅が前記活性層よりも小さいウィンドウ
層を成長して前記（１３３）またはく１丁３）側面を覆
う第２のエピタキシャル成長工程とを含むことを要件と
するものである。
半導体基板上に少くとも第１導電型の第１クラッド層と
該第１クラッド層より禁制帯幅の小さい活性層と該活性
層より禁制帯幅の大きい第２導電型の第２クラッド層と
該第２クラッド層より禁制帯幅の小さいキャップ層とを
順次成長する第１のエピタキシャル成長工程と、前記第
１クラッド層まで達する深さまで前記キャップ層と前記
第２クラッド層と前記活性層と前記第１クラッド層を除
去して側面が（１３３）または（１３３）面である溝を
形成するエツチング工程と、前記溝内に（１１０）面を
表面とし禁制帯幅が前記活性層よりも小さいウィンドウ
層を成長して前記（１３３）またはく１丁３）側面を覆
う第２のエピタキシャル成長工程とを含むことを要件と
するものである。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は、本発明の製造方法により製造されるウィ
ンドウ型半導体レーザの斜視図である。第２図は、本発
明の製造方法を説明するために、その主要な工程を示し
た工程図であり、各段階での結晶ウェハーの断面を示し
ている。
る。第１図は、本発明の製造方法により製造されるウィ
ンドウ型半導体レーザの斜視図である。第２図は、本発
明の製造方法を説明するために、その主要な工程を示し
た工程図であり、各段階での結晶ウェハーの断面を示し
ている。
本実施例では、（１００）面を主面とするｎ型ＧａＡｓ
基板１の上にレーザ構造を形成する。まず、通常行なわ
れるようにこのＧａＡｓ基板１を有機溶剤で洗浄した後
、化学的にエツチングし、表面を清浄にする（第２図Ａ
）。次に第１のエピタキシャル成長工程に入り有機金属
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型＾１Ｏ−３ＧａＯ
，７ＡＳ （第１）クラッド層２．アンドープのＧａＡ
ｓ活性層３．ｐ聖人１０．３ｃａｏ、７＾Ｓ第２クラッ
ド層４．ｐ型ＧａＡｓキーｙ ’ｙブ層５を順次成長す
る（第２図Ｂ）、ここで各層の不純物濃度は、キャリア
濃度にしてそれぞれクラッド層２．４が３×１０１７Ｃ
Ｉｌ＋−’、キャップ層５が１ Ｘ １０１８ｃｍ−３
とするのが適当であろう。次いで、エツチング工程に入
り、まずｐ型［１ａＡｓキヤツプＮＪ５の表面にフォト
レジストを塗布し、これにフォトリソグラフィーにより
（０１１）方向に延伸したストライブ状の窓を設けてエ
ツチングマスク１１を得る。しかる後、Ｎ１（４０Ｈ：
Ｈ２０□：Ｈ２０＝１：１：５なる体積比のエツチング
液によって深さがｎ型クラッド層２に達する溝を形成す
る（第２図Ｃ）、このエツチング工程により形成される
溝の側面は、（１３百）または（１３Ｂ）となる。
基板１の上にレーザ構造を形成する。まず、通常行なわ
れるようにこのＧａＡｓ基板１を有機溶剤で洗浄した後
、化学的にエツチングし、表面を清浄にする（第２図Ａ
）。次に第１のエピタキシャル成長工程に入り有機金属
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ型＾１Ｏ−３ＧａＯ
，７ＡＳ （第１）クラッド層２．アンドープのＧａＡ
ｓ活性層３．ｐ聖人１０．３ｃａｏ、７＾Ｓ第２クラッ
ド層４．ｐ型ＧａＡｓキーｙ ’ｙブ層５を順次成長す
る（第２図Ｂ）、ここで各層の不純物濃度は、キャリア
濃度にしてそれぞれクラッド層２．４が３×１０１７Ｃ
Ｉｌ＋−’、キャップ層５が１ Ｘ １０１８ｃｍ−３
とするのが適当であろう。次いで、エツチング工程に入
り、まずｐ型［１ａＡｓキヤツプＮＪ５の表面にフォト
レジストを塗布し、これにフォトリソグラフィーにより
（０１１）方向に延伸したストライブ状の窓を設けてエ
ツチングマスク１１を得る。しかる後、Ｎ１（４０Ｈ：
Ｈ２０□：Ｈ２０＝１：１：５なる体積比のエツチング
液によって深さがｎ型クラッド層２に達する溝を形成す
る（第２図Ｃ）、このエツチング工程により形成される
溝の側面は、（１３百）または（１３Ｂ）となる。
次に、第２のエピタキシャル成長工程に移り、まず、エ
ツチングマスクを除去し、基板結晶を洗浄して清浄な表
面を得る。そして、常圧ＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ａｌ（
、，１５Ｇａ（、、ｇ５Ａｓ窓Ｎ６．ｎ型ＧａＡｓコン
タクト層７を成長する。それぞれの層のキャリア濃度は
３ Ｘ １０１７ｃｔａ−’、 Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ−’が適当であろう。このＭＯＣＶＤ成長の条件とし
て基板温度６３０℃、Ｖ／Ｉ比を２００とすると第２図
りに示すように、ｎ型Ａｌ（１，１５Ｇａ０４５Ａｓ窓
層６とｎ型ＧａＡｓコンタクト層７は溝内では（０１１
）または（０１１）面を形成する。ｎ型＾１Ｏ−１５Ｇ
ａ０．８５＾Ｓ窓層６は、ＧａＡｓ活性層３を共振器方
向に伸したとき窓層６の（０１１）又は（ＯＴＩ）面と
交錯するのに充分な量成長する。こうして溝側面に得ら
れた窓層６の成長面（端面）は襞開によって得られる面
（１１０）と同一の結晶面方位を有しておりそのまま共
振器端面として用いることができるのである。次に、Ｃ
ＶＤ法により（１００）面上に成長されたｎ型ＧａＡｓ
コンタクト層７に５ｉ０２膜８を付着させ、フォトリソ
グラフィーにより共振器長方向に延伸したストライブ状
の窓を形成する。この上からＩｎを拡散し、この窓を通
してＺｎをｐ型＾１（１，３Ｇａ（１，７Ａｓクラッド
層（第２クラッド層）に達する深さまでストライブ状に
導入する。最後にこの上から人ｕＺｎ等のｐ型電極９を
蒸着してオーミック性接触を得る。ｎ型ＧａＡｓ基板１
の裏面にもＡｕ （ｉｅ等のｎ型電極１０を蒸着し、オ
ーミック性接触を得る（第２図Ｅ）、この後、溝の部分
及びストライブ状のＺｎ拡散領域の両側で個々に分離し
て第１図の如き半導体レーザを得る。
ツチングマスクを除去し、基板結晶を洗浄して清浄な表
面を得る。そして、常圧ＭＯＣＶＤ法によりｎ型Ａｌ（
、，１５Ｇａ（、、ｇ５Ａｓ窓Ｎ６．ｎ型ＧａＡｓコン
タクト層７を成長する。それぞれの層のキャリア濃度は
３ Ｘ １０１７ｃｔａ−’、 Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ−’が適当であろう。このＭＯＣＶＤ成長の条件とし
て基板温度６３０℃、Ｖ／Ｉ比を２００とすると第２図
りに示すように、ｎ型Ａｌ（１，１５Ｇａ０４５Ａｓ窓
層６とｎ型ＧａＡｓコンタクト層７は溝内では（０１１
）または（０１１）面を形成する。ｎ型＾１Ｏ−１５Ｇ
ａ０．８５＾Ｓ窓層６は、ＧａＡｓ活性層３を共振器方
向に伸したとき窓層６の（０１１）又は（ＯＴＩ）面と
交錯するのに充分な量成長する。こうして溝側面に得ら
れた窓層６の成長面（端面）は襞開によって得られる面
（１１０）と同一の結晶面方位を有しておりそのまま共
振器端面として用いることができるのである。次に、Ｃ
ＶＤ法により（１００）面上に成長されたｎ型ＧａＡｓ
コンタクト層７に５ｉ０２膜８を付着させ、フォトリソ
グラフィーにより共振器長方向に延伸したストライブ状
の窓を形成する。この上からＩｎを拡散し、この窓を通
してＺｎをｐ型＾１（１，３Ｇａ（１，７Ａｓクラッド
層（第２クラッド層）に達する深さまでストライブ状に
導入する。最後にこの上から人ｕＺｎ等のｐ型電極９を
蒸着してオーミック性接触を得る。ｎ型ＧａＡｓ基板１
の裏面にもＡｕ （ｉｅ等のｎ型電極１０を蒸着し、オ
ーミック性接触を得る（第２図Ｅ）、この後、溝の部分
及びストライブ状のＺｎ拡散領域の両側で個々に分離し
て第１図の如き半導体レーザを得る。
以上の工程により、第１図に示した共振器端面に光吸収
のない、窓層を有したウィンドウ型半導体レーザが得ら
れる。ｐ型電極９とｎ型電極１０に順方向に通電して電
流を流すことによりこのレーザは発振する。
のない、窓層を有したウィンドウ型半導体レーザが得ら
れる。ｐ型電極９とｎ型電極１０に順方向に通電して電
流を流すことによりこのレーザは発振する。
上の実施例で説明したように、本発明によれば、レーザ
共振器の端面を活性層３より禁制帯幅の大きい、換言す
ればレーザ光に対し透明な物質としたウィンドウ型半導
体レーザが従来より簡単な工程により得られる。即ち、
従来からの襞間により共振器端面を得る方法では不可能
だった。レーザの集積化を技術的に問題のあるＲＩＢＥ
法によらないで行なうことができる。ＲＩＢＥ法によら
ない結果、工程が減るだけでなく、高い歩留りで高信頼
性のウィンドウ型半導体レーザを得ることができる。
共振器の端面を活性層３より禁制帯幅の大きい、換言す
ればレーザ光に対し透明な物質としたウィンドウ型半導
体レーザが従来より簡単な工程により得られる。即ち、
従来からの襞間により共振器端面を得る方法では不可能
だった。レーザの集積化を技術的に問題のあるＲＩＢＥ
法によらないで行なうことができる。ＲＩＢＥ法によら
ない結果、工程が減るだけでなく、高い歩留りで高信頼
性のウィンドウ型半導体レーザを得ることができる。
尚、実施例では、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にレーザ構造を
設ける場合を述べたが、ｐ型ＧａＡｓ基板上にしても、
実施例中の各層のｐ型とｎ型を入れ替え、オーミック接
触を得るためのＺｎ拡散をＳｉ拡散に替えれば良い。ま
た、半絶縁性のＧａＡｓ基板を用い、第１クラッド層へ
の電極を上方から取る構造としても本発明の要件は満す
ことができる。更に、Ｇａ＾ＳとＡｌＧａＡｓではなく
他の化合物半導体材料、例えばＩｏＧａＡｓとｒｎＰや
Ｇａ１ｎＰと＾ｌＧａ１ｎＰのような組み合せでも本発
明を実施できるということは言うまでもない。
設ける場合を述べたが、ｐ型ＧａＡｓ基板上にしても、
実施例中の各層のｐ型とｎ型を入れ替え、オーミック接
触を得るためのＺｎ拡散をＳｉ拡散に替えれば良い。ま
た、半絶縁性のＧａＡｓ基板を用い、第１クラッド層へ
の電極を上方から取る構造としても本発明の要件は満す
ことができる。更に、Ｇａ＾ＳとＡｌＧａＡｓではなく
他の化合物半導体材料、例えばＩｏＧａＡｓとｒｎＰや
Ｇａ１ｎＰと＾ｌＧａ１ｎＰのような組み合せでも本発
明を実施できるということは言うまでもない。
第１図は本発明の製造方法により得られる半導体レーザ
の斜視図、第２図は本発明の一実施例の主要な工程を説
明した断面図、第３図Ａ、Ｂは従来の半導体レーザの斜
視図及び断面図、第４図は従来の製造方法を示す図であ
る。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・第１導電型クラッド層
、３・・・活性層、４・・・第２導電型クラッド層、５
・・・キャップ層、６・・・窓層、７・・・コンタクト
層、８・・・５ｉ０２マスク、９・・・ｐ型電極、１０
・・・ｎ型電極。 図中矢印はレーザ光の出射方向を示している。
の斜視図、第２図は本発明の一実施例の主要な工程を説
明した断面図、第３図Ａ、Ｂは従来の半導体レーザの斜
視図及び断面図、第４図は従来の製造方法を示す図であ
る。 １・・・ＧａＡｓ基板、２・・・第１導電型クラッド層
、３・・・活性層、４・・・第２導電型クラッド層、５
・・・キャップ層、６・・・窓層、７・・・コンタクト
層、８・・・５ｉ０２マスク、９・・・ｐ型電極、１０
・・・ｎ型電極。 図中矢印はレーザ光の出射方向を示している。
Claims (1)
- 第１導電型の（１００）面を主表面とする半導体基板上
に少くとも第１導電型の第１クラッド層と該第１クラッ
ド層より禁制帯幅の小さい活性層と該活性層より禁制帯
幅の大きい第２導電型の第２クラッド層と該第２クラッ
ド層より禁制帯幅の小さいキャップ層とを順次成長する
第１のエピタキシャル成長工程と、前記第１クラッド層
まで達する深さまで前記キャップ層と前記第２クラッド
層と前記活性層と前記第１クラッド層を除去して側面が
（１３＠３＠）または（１＠３＠３）面である溝を形成
するエッチング工程と、前記溝内に（１１０）面を表面
とし禁制帯幅が前記活性層よりも小さいウィンドウ層を
成長して前記（１３＠３＠）または（１＠３＠３）側面
を覆う第２のエピタキシャル成長工程とを含む半導体レ
ーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1914289A JPH02199892A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1914289A JPH02199892A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199892A true JPH02199892A (ja) | 1990-08-08 |
Family
ID=11991203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1914289A Pending JPH02199892A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02199892A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143082A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-08 | Philips Nv | Method of fabricating electroluminescent semiconductor device |
| JPH02191388A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-27 | Sony Corp | 半導体レーザーの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1914289A patent/JPH02199892A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143082A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-08 | Philips Nv | Method of fabricating electroluminescent semiconductor device |
| JPH02191388A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-27 | Sony Corp | 半導体レーザーの製造方法 |
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