JPH02198139A - 真空処理装置の内壁汚染防止方法 - Google Patents
真空処理装置の内壁汚染防止方法Info
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- JPH02198139A JPH02198139A JP1842089A JP1842089A JPH02198139A JP H02198139 A JPH02198139 A JP H02198139A JP 1842089 A JP1842089 A JP 1842089A JP 1842089 A JP1842089 A JP 1842089A JP H02198139 A JPH02198139 A JP H02198139A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
真空状態でウェーハに各種処理を施す真空処理装置、特
に被処理ウェーハに付着する塵埃を低減させる方法に関
し、 被処理ウェーハに付着する塵埃を低減させる真空処理装
置の内壁汚染防止方法を提供を目的とし、張り替えるこ
とにより更新可能なプラスチックフィルムで、真空処理
室に連接された予備真空室の内壁を被覆するように構成
する。
に被処理ウェーハに付着する塵埃を低減させる方法に関
し、 被処理ウェーハに付着する塵埃を低減させる真空処理装
置の内壁汚染防止方法を提供を目的とし、張り替えるこ
とにより更新可能なプラスチックフィルムで、真空処理
室に連接された予備真空室の内壁を被覆するように構成
する。
本発明は真空状態でウェーハに各種処理を施す真空処理
装置に係り、特に被処理ウェーハに付着する塵埃を低減
させる方法に関する。
装置に係り、特に被処理ウェーハに付着する塵埃を低減
させる方法に関する。
半導体装置の製造では真空状態でウェーハに各種処理を
施す真空処理装置、例えば各種の薄膜を生成する手段と
して蒸着装置や気相成長装置等が、また生成された薄膜
を除去する手段としてエツチング装置等が多く用いられ
ている。
施す真空処理装置、例えば各種の薄膜を生成する手段と
して蒸着装置や気相成長装置等が、また生成された薄膜
を除去する手段としてエツチング装置等が多く用いられ
ている。
しかし半導体装置の高集積度化に伴って各層に形成され
るパターンが微細化され、真空状態でウェーハに各種処
理を施す際に表面に付着する塵埃の数が、被処理ウェー
ハの歩留りを左右する因子になってきている。そこでか
かる塵埃の発生を低減する方法の確立が要望されている
。
るパターンが微細化され、真空状態でウェーハに各種処
理を施す際に表面に付着する塵埃の数が、被処理ウェー
ハの歩留りを左右する因子になってきている。そこでか
かる塵埃の発生を低減する方法の確立が要望されている
。
第３図は従来の真空処理装置の主要部を示す模式図、第
４図は各部の動作を示すタイムチャートである。
４図は各部の動作を示すタイムチャートである。
半導体装置の製造に用いられる真空処理装置は第３図に
示ず如く、ウェーハ１に薄膜生成やパターン形成等の処
理を施す真空処理室２と、被処理ウェーへの供給や処理
済ウェーハの収納を行うウェーハカセット部３と、真空
処理室２と大気中に置されたウェーハカセット部３を接
続し、ウェーハ１の人出時に真空処理室２の大幅な真空
度低下を無くす予備真空室４を具えている。
示ず如く、ウェーハ１に薄膜生成やパターン形成等の処
理を施す真空処理室２と、被処理ウェーへの供給や処理
済ウェーハの収納を行うウェーハカセット部３と、真空
処理室２と大気中に置されたウェーハカセット部３を接
続し、ウェーハ１の人出時に真空処理室２の大幅な真空
度低下を無くす予備真空室４を具えている。
予備真空室４はウェーハカセット部３との間に設けられ
た第１のゲート４１と、真空室２との間に設けられた第
２のゲート４２を具えており、ウェーハ１の移動に伴っ
て第１のゲート４１または第２のゲート４２を開閉する
と共に、第１のゲート４１を開閉する際は予備真空室４
の内部を大気圧にし、第２のゲート４２を開閉する際は
予備真空室４の内部を真空にする等の操作を行っている
。
た第１のゲート４１と、真空室２との間に設けられた第
２のゲート４２を具えており、ウェーハ１の移動に伴っ
て第１のゲート４１または第２のゲート４２を開閉する
と共に、第１のゲート４１を開閉する際は予備真空室４
の内部を大気圧にし、第２のゲート４２を開閉する際は
予備真空室４の内部を真空にする等の操作を行っている
。
即ち、予備真空室４に開口する気体導入系配管４３は第
１のコック４４を介して窒素（Ｎ、）ガスの供給源に、
予備真空室４に開口する気体排出系配管４５は第２のコ
ック４６を介して、ロータリーポンプ等の真空ポンプ５
に接続されており、コック４４またはコック４６の開閉
を行うことによって予備真空室４の内部を、真空状態か
ら大気圧に、或いは大気圧から真空状態に変換すること
ができる。
１のコック４４を介して窒素（Ｎ、）ガスの供給源に、
予備真空室４に開口する気体排出系配管４５は第２のコ
ック４６を介して、ロータリーポンプ等の真空ポンプ５
に接続されており、コック４４またはコック４６の開閉
を行うことによって予備真空室４の内部を、真空状態か
ら大気圧に、或いは大気圧から真空状態に変換すること
ができる。
第４図において被処理ウェーハをウェーハカセット部か
ら真空処理室に移す際は、まず第１のコックを開いて予
備真空室にＮｚガスを導入し、大気圧に近くなった時点
で第１のゲートを開き被処理ウェーハを予備真空室に移
す。第１のゲートは被処理ウェーハが予備真空室に移る
と直らに閉鎖される。次いで第２のコックを開いて予備
真空室内のＮ！ガスを排出し、真空状態に近くなった時
点で第２のゲートを開き被処理ウェーハを真空処理室に
移す。第２のゲートは被処理ウェーハが真空処理室に移
ると直ちに閉鎖される。
ら真空処理室に移す際は、まず第１のコックを開いて予
備真空室にＮｚガスを導入し、大気圧に近くなった時点
で第１のゲートを開き被処理ウェーハを予備真空室に移
す。第１のゲートは被処理ウェーハが予備真空室に移る
と直らに閉鎖される。次いで第２のコックを開いて予備
真空室内のＮ！ガスを排出し、真空状態に近くなった時
点で第２のゲートを開き被処理ウェーハを真空処理室に
移す。第２のゲートは被処理ウェーハが真空処理室に移
ると直ちに閉鎖される。
また処理済ウェーハを真空処理室からウェーハカセット
部に移す際は、まず第２のコックを開いて予備真空室内
のＮ２ガスを排出し、真空状態に近くなった時点で第２
のゲートを開き被処理ウェーハを予備真空室に移す。第
２のゲートは被処理ウェーハが予備真空室に移ると直ち
に閉鎖される。
部に移す際は、まず第２のコックを開いて予備真空室内
のＮ２ガスを排出し、真空状態に近くなった時点で第２
のゲートを開き被処理ウェーハを予備真空室に移す。第
２のゲートは被処理ウェーハが予備真空室に移ると直ち
に閉鎖される。
次いで第１のコックを開いて予備真空室にＮ２ガスを導
入し、大気圧に近くなった時点で第１のゲートを開き被
処理ウェーハをウェーハかセット部に移す。第１のゲー
トは被処理ウェーハがウェーハカセット部に移ると直ち
に閉鎖される。
入し、大気圧に近くなった時点で第１のゲートを開き被
処理ウェーハをウェーハかセット部に移す。第１のゲー
トは被処理ウェーハがウェーハカセット部に移ると直ち
に閉鎖される。
第４図に示す如＜Ｎｚガスの導入と排出が平行して行わ
れる時期は極く短いが、気体導入系配管４１と気体排出
系配管４２を別に設けることによって、予備真空室４の
内部における気体の流れが一方向になり、その結果、塵
埃は予備真空室４内に停滞することなくＮｚガスと共に
排出される。
れる時期は極く短いが、気体導入系配管４１と気体排出
系配管４２を別に設けることによって、予備真空室４の
内部における気体の流れが一方向になり、その結果、塵
埃は予備真空室４内に停滞することなくＮｚガスと共に
排出される。
なお塵埃は予備真空室４の内壁に付着したり底に堆積し
たりするが、予備真空室４の内部を大気圧に戻す際のＮ
２ガスの流量を低く押さえ（以下スローベントと称する
）、堆積した塵埃が舞い上がるのを防止して被処理ウェ
ーハへの塵埃の付着を低減している。
たりするが、予備真空室４の内部を大気圧に戻す際のＮ
２ガスの流量を低く押さえ（以下スローベントと称する
）、堆積した塵埃が舞い上がるのを防止して被処理ウェ
ーハへの塵埃の付着を低減している。
しかし予備真空室はアルミニウムやステンレス等の金属
板で形成され、かかる予備真空室の内壁に付着したり底
に堆積する塵埃の大半は、大気中の水分や真空処理室の
残留反応ガス等が侵入し、予備真空室の内壁が汚染され
て発生する“さび″である。したがって内壁の汚染を防
止しない限りウェーハの処理枚数に比例して塵埃の量が
増加し、ウェーハ表面に付着する塵埃をスローベントだ
けでは低減できないという問題があった。
板で形成され、かかる予備真空室の内壁に付着したり底
に堆積する塵埃の大半は、大気中の水分や真空処理室の
残留反応ガス等が侵入し、予備真空室の内壁が汚染され
て発生する“さび″である。したがって内壁の汚染を防
止しない限りウェーハの処理枚数に比例して塵埃の量が
増加し、ウェーハ表面に付着する塵埃をスローベントだ
けでは低減できないという問題があった。
本発明の目的は被処理ウェーハに付着する塵埃を低減さ
せる、真空処理装置の内壁汚染防止方法を提供すること
にある。
せる、真空処理装置の内壁汚染防止方法を提供すること
にある。
第１図は本発明になる汚染防止方法の一実施例を示す斜
視図である。なお企図を通し同じ対象物は同一記号で表
している。
視図である。なお企図を通し同じ対象物は同一記号で表
している。
上記課題は真空処理室２に連接された予備真空室４の内
壁が、張り替えることにより更新可能なプラスチックフ
ィルム６で被覆される、本発明になる真空処理装置の内
壁汚染防止方法によって達成される。
壁が、張り替えることにより更新可能なプラスチックフ
ィルム６で被覆される、本発明になる真空処理装置の内
壁汚染防止方法によって達成される。
第１図において真空処理室に連接された予備真空室の内
壁が、張り替えることで更新可能なプラスチックフィル
ムで被覆されることによって、大気中の水分や真空処理
室の残留反応ガス等が侵入しても、予備真空室の内壁汚
染に伴う ′さび“の発生が無くなり、被処理ウェーハ
に付着する塵埃を低減させる真空処理装置の内壁汚染防
止方法を実現することができる。
壁が、張り替えることで更新可能なプラスチックフィル
ムで被覆されることによって、大気中の水分や真空処理
室の残留反応ガス等が侵入しても、予備真空室の内壁汚
染に伴う ′さび“の発生が無くなり、被処理ウェーハ
に付着する塵埃を低減させる真空処理装置の内壁汚染防
止方法を実現することができる。
以下添付図により本発明の実施例について説明する。な
お第２図は本発明になる汚染防止方法の効果を示す図で
ある。
お第２図は本発明になる汚染防止方法の効果を示す図で
ある。
本発明になる真空処理装置の内壁汚染防止方法は第１図
に示す如く、ウェーハ１に薄膜生成やパターン形成等の
処理を施す真空処理室２と、被処理ウェーハの供給や処
理済ウェーハの収納を行うウェーハカセット部３を接続
し、ウェーハ１の人出時に真空処理室２の大幅な真空度
低下を無くす予備真空室４の内壁が、張り替えることで
更新可能なプラスチックフィルム６で被覆されている。
に示す如く、ウェーハ１に薄膜生成やパターン形成等の
処理を施す真空処理室２と、被処理ウェーハの供給や処
理済ウェーハの収納を行うウェーハカセット部３を接続
し、ウェーハ１の人出時に真空処理室２の大幅な真空度
低下を無くす予備真空室４の内壁が、張り替えることで
更新可能なプラスチックフィルム６で被覆されている。
このように真空処理室２に連接された予備真空室４の内
壁が、張り替えることで更新可能なプラスチックフィル
ム６で被覆されることによって、大気中の水分や真空処
理室の残留反応ガス等が侵入しても、アルミニウムやス
テンレス等の金属部分が露出していないため、予備真空
室の内壁汚染に伴う °さび゛の発生が無くなる。
壁が、張り替えることで更新可能なプラスチックフィル
ム６で被覆されることによって、大気中の水分や真空処
理室の残留反応ガス等が侵入しても、アルミニウムやス
テンレス等の金属部分が露出していないため、予備真空
室の内壁汚染に伴う °さび゛の発生が無くなる。
因みに発明者らが行った実験によれば従来の真空処理装
置の場合、第２図に破線で示す如く被処理ウェーハに付
着する０、３μｍの塵埃が、処理されるウェーハの増加
に比例して増えているのに対し、本発明になる汚染防止
方法を適用した真空処理装置の場合、同図に実線で示す
如く被処理ウェーハに付着する０、３μｍの塵埃が、処
理されるウェーハの増加に関係なくほぼ一定になる。即
ち、被処理ウェーハに付着する塵埃を低減させる真空処
理装置の内壁汚染防止方法を実現することができる。
置の場合、第２図に破線で示す如く被処理ウェーハに付
着する０、３μｍの塵埃が、処理されるウェーハの増加
に比例して増えているのに対し、本発明になる汚染防止
方法を適用した真空処理装置の場合、同図に実線で示す
如く被処理ウェーハに付着する０、３μｍの塵埃が、処
理されるウェーハの増加に関係なくほぼ一定になる。即
ち、被処理ウェーハに付着する塵埃を低減させる真空処
理装置の内壁汚染防止方法を実現することができる。
なお予備真空室の内壁汚染に伴って発生する′さび゛と
は別の塵埃があり、処理されるウェーハの増加に伴って
それらの塵埃がプラスチックフィルムに堆積して、被処
理ウェーハに付着する塵埃の量を増加させることも考え
られる。しかしかかる場合はプラスチックフィルムを張
り替えることによって、極く短時間で予備真空室の内部
を清浄にすることが可能である。
は別の塵埃があり、処理されるウェーハの増加に伴って
それらの塵埃がプラスチックフィルムに堆積して、被処
理ウェーハに付着する塵埃の量を増加させることも考え
られる。しかしかかる場合はプラスチックフィルムを張
り替えることによって、極く短時間で予備真空室の内部
を清浄にすることが可能である。
を示す斜視図、
第２図は本発明になる汚染防止方法の効果を示す図、
第３図は従来の真空処理装置の主要部を示す模式図、
第４図は各部の動作を示すタイムチャート、である。図
において ■はウェーハ、 ２は真空処理室、３はウ
ェーハカセット部、 ４は予備真空室、６はプラスチッ
クフィルム、 をそれぞれ表す。
において ■はウェーハ、 ２は真空処理室、３はウ
ェーハカセット部、 ４は予備真空室、６はプラスチッ
クフィルム、 をそれぞれ表す。
上述の如く本発明によれば被処理ウェーハに付着する塵
埃を低減させる、真空処理装置の内壁汚染防止方法を提
供することができる。
埃を低減させる、真空処理装置の内壁汚染防止方法を提
供することができる。
第１図は本発明になる汚染防止方法の一実施例ヤエーハ
処１佼敬（×１０００幻 滲硝畦７ｑろ５う染憾上う５ム々爆８和隠１２ 記
処１佼敬（×１０００幻 滲硝畦７ｑろ５う染憾上う５ム々爆８和隠１２ 記
Claims (1)
- 少なくとも真空処理室（２）に連接された予備真空室（
４）の内壁が、張り替えることにより更新可能なプラス
チックフィルム（６）で、被覆されることを特徴とする
真空処理装置の内壁汚染防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1842089A JPH02198139A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 真空処理装置の内壁汚染防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1842089A JPH02198139A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 真空処理装置の内壁汚染防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198139A true JPH02198139A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11971167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1842089A Pending JPH02198139A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 真空処理装置の内壁汚染防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198139A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114582A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | 真空処理装置 |
| JP2010153681A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227421A (ja) * | 1985-04-05 | 1985-11-12 | Hitachi Ltd | 真空容器 |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1842089A patent/JPH02198139A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227421A (ja) * | 1985-04-05 | 1985-11-12 | Hitachi Ltd | 真空容器 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114582A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | 真空処理装置 |
| JP2010153681A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| KR101044426B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2011-06-27 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 진공처리장치 |
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