JPH02196416A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPH02196416A JPH02196416A JP1523789A JP1523789A JPH02196416A JP H02196416 A JPH02196416 A JP H02196416A JP 1523789 A JP1523789 A JP 1523789A JP 1523789 A JP1523789 A JP 1523789A JP H02196416 A JPH02196416 A JP H02196416A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 29
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は加熱装置に関する。
（従来の技術）
加熱装置、たとえば半導体製造における加熱処理工程に
おいて用いられる加熱装置では、次のようなものがある
。
おいて用いられる加熱装置では、次のようなものがある
。
すなわち、半導体基板を載置するプレートヒータを有す
る下部ハウジングを、上部ハウジングに当接させて処理
室を構成し、上記半導体基板を加熱処理するものである
。
る下部ハウジングを、上部ハウジングに当接させて処理
室を構成し、上記半導体基板を加熱処理するものである
。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記のような加熱装置では、プレートヒ
ータの温度はそのままで、半導体基板がプレートヒータ
上にあるため輻射熱により半導体基板が加熱条件のまま
となり、オーバーベーク（所定時間以上の加熱）となる
。そのため、半導体基板が、オーバーベークされないよ
うに、加熱処理後は半導体基板を早急に加熱装置から搬
出しなければならなかった。
ータの温度はそのままで、半導体基板がプレートヒータ
上にあるため輻射熱により半導体基板が加熱条件のまま
となり、オーバーベーク（所定時間以上の加熱）となる
。そのため、半導体基板が、オーバーベークされないよ
うに、加熱処理後は半導体基板を早急に加熱装置から搬
出しなければならなかった。
また、プレートヒータの熱により周囲の下部ハウジング
まで高温になってしまうので、他の同様な加熱処理室を
並置すると、相互の加熱処理室間の熱伝導の影響で、適
切な温度で加熱処理できないなどの問題がありだ。
まで高温になってしまうので、他の同様な加熱処理室を
並置すると、相互の加熱処理室間の熱伝導の影響で、適
切な温度で加熱処理できないなどの問題がありだ。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもので、
その目的とするところは、加熱処理後に加熱装置内に半
導体基板などの非処理体を残留させても被処理体がオー
バーベークされることはなく、また、複数の処理室を並
置して同時に複数の被処理体を加熱処理することが可能
な加熱装置を提供することにある。
その目的とするところは、加熱処理後に加熱装置内に半
導体基板などの非処理体を残留させても被処理体がオー
バーベークされることはなく、また、複数の処理室を並
置して同時に複数の被処理体を加熱処理することが可能
な加熱装置を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成するために本発明は、被処理体を排気口
への不活性ガス流通状態で加熱するプレートヒータと、
このプレートヒータによる予め定められ、た加熱期間終
了後上記プレートヒータおよび上記被処理体を相対的に
移動させて離間させてこの被処理体を保持する保持手段
と、この保持手段による被処理体保持状態でクリーンエ
アを流通させ被処理体を冷却する冷却手段とを具備して
なることを特徴とする。
への不活性ガス流通状態で加熱するプレートヒータと、
このプレートヒータによる予め定められ、た加熱期間終
了後上記プレートヒータおよび上記被処理体を相対的に
移動させて離間させてこの被処理体を保持する保持手段
と、この保持手段による被処理体保持状態でクリーンエ
アを流通させ被処理体を冷却する冷却手段とを具備して
なることを特徴とする。
（作 用）
本発明では、加熱処理中は、プレートヒータによって被
処理体は排気口への不活性ガス流通状態で加熱処理され
る。予め定められた加熱期間終了後保持手段によって、
上記プレートヒータおよび上記被処理体は相対的に移動
されて離間されてこの被処理体は保持される。そして、
この保持された状態で冷却手段によってクリーンエアが
流通されて被処理体は冷却されるので、プレートヒータ
の輻射熱によって被処理体がオーバーベークされること
はない。
処理体は排気口への不活性ガス流通状態で加熱処理され
る。予め定められた加熱期間終了後保持手段によって、
上記プレートヒータおよび上記被処理体は相対的に移動
されて離間されてこの被処理体は保持される。そして、
この保持された状態で冷却手段によってクリーンエアが
流通されて被処理体は冷却されるので、プレートヒータ
の輻射熱によって被処理体がオーバーベークされること
はない。
（実施例）
以下図面に基づいて本発明装置を半導体ウェハなどの基
板のベーキング処理を行なうベーキング装置に・適用し
た一実施例を詳細に説明する。
板のベーキング処理を行なうベーキング装置に・適用し
た一実施例を詳細に説明する。
このベーキング装置は次のように構成される。
図示しない昇降装置に、表面が例えば硬質アルマイト処
理されたプレートヒータ１が水平に連結され、プレート
ヒータ１の上面周辺部には断熱部材２が設けられる。プ
レートヒータ１の下方で、装置本体に設けられた底板３
には、保持手段たとえば、プレートヒータ１を鉛直方向
に貫通可能な３本１組の載置ピン５が支持面が形成され
る如く立設される。底板３の周囲には、排気量調節用の
ダンパー（図示せず）を有し、排気装置６に連結された
角パイプ状の排気ダクト７が設けられる。
理されたプレートヒータ１が水平に連結され、プレート
ヒータ１の上面周辺部には断熱部材２が設けられる。プ
レートヒータ１の下方で、装置本体に設けられた底板３
には、保持手段たとえば、プレートヒータ１を鉛直方向
に貫通可能な３本１組の載置ピン５が支持面が形成され
る如く立設される。底板３の周囲には、排気量調節用の
ダンパー（図示せず）を有し、排気装置６に連結された
角パイプ状の排気ダクト７が設けられる。
排気ダクト７の内側面には下部通気口９が設けられる。
排気ダクト７上面の、後述するウェハ出入口とは反対側
には、通気口１１が設けられ、さらにその上部に、通気
口１１への気体の流入を促進する整流ガイド板１２が設
けられる。
には、通気口１１が設けられ、さらにその上部に、通気
口１１への気体の流入を促進する整流ガイド板１２が設
けられる。
上記断熱部材２には、排気ダクト７の内側面に鉛直方向
に摺動可能であって、上記下部通気口９を遮蔽可能なシ
ャッタ一部材１３が連結される。
に摺動可能であって、上記下部通気口９を遮蔽可能なシ
ャッタ一部材１３が連結される。
シャッタ、一部材１３の上面には通気口１５が設けられ
る。
る。
プレートヒータ１の上方には、下面に通気口１７を有す
る断熱カバー１９が装置本体（図示せず）に固設される
。断熱カバー１９は排気装置２１に連結される。断熱カ
バー１９の下面には、通気口１７に重なる通気口２３を
有し、断熱部材２と当接可能なシリンダ状の断熱室２５
が、プレートヒータ１に対向されて設けられる。
る断熱カバー１９が装置本体（図示せず）に固設される
。断熱カバー１９は排気装置２１に連結される。断熱カ
バー１９の下面には、通気口１７に重なる通気口２３を
有し、断熱部材２と当接可能なシリンダ状の断熱室２５
が、プレートヒータ１に対向されて設けられる。
これら断熱カバー１９および断熱室２５は、装置本体（
図示せず）に固設された筐体状のカバー２７によって、
カバー２７の下面に断熱室２５が嵌合される状態で包囲
される。カバー２７の上面には通気口２９が設けられる
。カバー２７の下面はシャッタ一部材１３の上面に当接
可能で、通気口１５に重なる通気口３１を有する。カバ
ー２７の下面とシャッタ一部材１３の上面とが隔離され
ると、所定方向（図中左側）に半導体基板を搬入搬出す
る基板出入口３３が形成される。上記通気口２９と上記
基板出入口３３には、冷却手段例えばクリ−、ンエア供
給装置３５から供給されるクリーンエアが選択的に流入
可能である。
図示せず）に固設された筐体状のカバー２７によって、
カバー２７の下面に断熱室２５が嵌合される状態で包囲
される。カバー２７の上面には通気口２９が設けられる
。カバー２７の下面はシャッタ一部材１３の上面に当接
可能で、通気口１５に重なる通気口３１を有する。カバ
ー２７の下面とシャッタ一部材１３の上面とが隔離され
ると、所定方向（図中左側）に半導体基板を搬入搬出す
る基板出入口３３が形成される。上記通気口２９と上記
基板出入口３３には、冷却手段例えばクリ−、ンエア供
給装置３５から供給されるクリーンエアが選択的に流入
可能である。
次にこの加熱装置の動作について説明する。
まず、搬送ロボット（図示せず）によって半導体基板５
１が、基板出入口３３を通って載置ピン５上に搬入され
る（第１図）。続いて、昇降装置（図示せず）によって
プレートヒータ１が上昇され、半導体基板５１はプレー
トヒータ１上に載置される（第２図）。なお、上記半導
体基板５１を必要に応じてヒータ５１面かられずかに離
間することにより半導体基板５１へのゴミの付着を回避
できる。これと同時に断熱部材２が、断熱室２５の下端
面に当接され、処理室が構成される。なお、プレートヒ
ータ１は、あらかじめ図示しない加熱制御装置によって
所定温度たとえば２００℃に保たれている。
１が、基板出入口３３を通って載置ピン５上に搬入され
る（第１図）。続いて、昇降装置（図示せず）によって
プレートヒータ１が上昇され、半導体基板５１はプレー
トヒータ１上に載置される（第２図）。なお、上記半導
体基板５１を必要に応じてヒータ５１面かられずかに離
間することにより半導体基板５１へのゴミの付着を回避
できる。これと同時に断熱部材２が、断熱室２５の下端
面に当接され、処理室が構成される。なお、プレートヒ
ータ１は、あらかじめ図示しない加熱制御装置によって
所定温度たとえば２００℃に保たれている。
その後所定時間、半導体基板５１はプレートヒータ１に
載置された状態で加熱される。なお、加熱処理中は、図
示しない不活性ガス例えば窒素ガス供給装置から処理室
内に窒素ガスが吹き込まれることに、より、半導体基板
は不活性ガス雰囲気におかれるとともに、処理中に半導
体基板上のレジストなどから生じるアウトガスや余分の
窒素ガスは、断熱カバー１９から排出される。
載置された状態で加熱される。なお、加熱処理中は、図
示しない不活性ガス例えば窒素ガス供給装置から処理室
内に窒素ガスが吹き込まれることに、より、半導体基板
は不活性ガス雰囲気におかれるとともに、処理中に半導
体基板上のレジストなどから生じるアウトガスや余分の
窒素ガスは、断熱カバー１９から排出される。
上記の加熱処理中は、クリーンエア供給装置３５から供
給されるクリーンエアが、通気口２９からカバー２７内
に流入される。流入されたクリーンエアは、通気口３１
．１５を通って、さらに下部通気口９を通って排気ダク
ト７から外部へ排出される。このクリーンエアの流通に
より、処理室の周辺は空冷されるので、処理室の周辺た
とえば底板３、カバー２７などがプレートヒータ１から
の熱によって高温たとえば５０℃以上になることはない
。
給されるクリーンエアが、通気口２９からカバー２７内
に流入される。流入されたクリーンエアは、通気口３１
．１５を通って、さらに下部通気口９を通って排気ダク
ト７から外部へ排出される。このクリーンエアの流通に
より、処理室の周辺は空冷されるので、処理室の周辺た
とえば底板３、カバー２７などがプレートヒータ１から
の熱によって高温たとえば５０℃以上になることはない
。
次に、加熱処理後は、昇降装置（図示せず）によってプ
レートヒータ１が下降され、半導体基板５１は載置ピン
５上に載置される。このとき断熱部材２が、断熱室２５
の下端面から隔離され、基板出入口３３が形成される。
レートヒータ１が下降され、半導体基板５１は載置ピン
５上に載置される。このとき断熱部材２が、断熱室２５
の下端面から隔離され、基板出入口３３が形成される。
同時にシャッタ一部材１３も下降されることにより、下
部通気口９は遮蔽され７、一方、通気口１１は外部に解
放される。
部通気口９は遮蔽され７、一方、通気口１１は外部に解
放される。
そして、クリーンエア供給装置３５から供給されるクリ
ーンエアは基板出入口３３から流入され、載置ピン５に
保持された半導体基板５１の雰囲気を通って通気口１１
へ流入し、排気ダクト７から外部へ排出される。したが
って、加熱処理後は半導体基板５１はクリーンエアの流
通によってすみやかに空冷され（ちなみに半導体基盤５
１を２００℃に加熱処理した１分後には、半導体基盤５
１の温度を３０℃にまで冷却可能であった。）、大気空
冷より速い速度での冷却効果が認められ、プレートヒー
タ１の輻射熱によってオーバーベークされることはない
ことが実証された。
ーンエアは基板出入口３３から流入され、載置ピン５に
保持された半導体基板５１の雰囲気を通って通気口１１
へ流入し、排気ダクト７から外部へ排出される。したが
って、加熱処理後は半導体基板５１はクリーンエアの流
通によってすみやかに空冷され（ちなみに半導体基盤５
１を２００℃に加熱処理した１分後には、半導体基盤５
１の温度を３０℃にまで冷却可能であった。）、大気空
冷より速い速度での冷却効果が認められ、プレートヒー
タ１の輻射熱によってオーバーベークされることはない
ことが実証された。
以上詳細に説明したように本実施例によれば、加熱処理
後に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留させ
ても被処理体がオーバーベークされることはない。
後に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留させ
ても被処理体がオーバーベークされることはない。
また、加熱処理中はクリーンエア供給装置から供給され
るクリーンエアの気流により、処理室の周辺は空冷され
、処理室の周囲がプレートヒータからの熱によって高温
になることはないので、同様な加熱処理室を複数並置し
ても（図示せず）、相互の加熱処理室間の熱伝導の影響
はなく、いずれの処理室も適切な温度で加熱処理するこ
とができる。すなわち複数の処理室を並置して同時に複
数の被処理体を加熱処理することが可能な加熱装置を提
供することができる。
るクリーンエアの気流により、処理室の周辺は空冷され
、処理室の周囲がプレートヒータからの熱によって高温
になることはないので、同様な加熱処理室を複数並置し
ても（図示せず）、相互の加熱処理室間の熱伝導の影響
はなく、いずれの処理室も適切な温度で加熱処理するこ
とができる。すなわち複数の処理室を並置して同時に複
数の被処理体を加熱処理することが可能な加熱装置を提
供することができる。
上記実施例では半導体基板などのベーキング処理をする
ベーキング装置に適用した例について説明したが、被処
理体を加熱処理する装置であれば何れにも適用可能であ
る。
ベーキング装置に適用した例について説明したが、被処
理体を加熱処理する装置であれば何れにも適用可能であ
る。
［発明の効果コ
以上詳細に説明したように本発明によれば、加熱処理後
に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留させて
も被処理体がオーバーベークされることはなく、また、
複数の処理室を並列して同時に複数の被処理体を加熱処
理することが可能な加熱装置を提供することができる。
に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留させて
も被処理体がオーバーベークされることはなく、また、
複数の処理室を並列して同時に複数の被処理体を加熱処
理することが可能な加熱装置を提供することができる。
第１図は本発明装置の実施例のベーキング装置の要部の
加熱処理前後の状態を示す図、第２図は第１図に示すベ
ーキング装置の要部の加熱処理中の状態を示す図である
。 １・・・・・・・・・プレートヒータ ２・・・・・・・・・断熱部材 ５・・・・・・・・・載置ピン ６・・・・・・・・・排気装置 ７・・・・・・・・・断熱カバー ９・・・・・・・・・下部通気口 １１． ２９． ５． １・・・・・・・・・通気口 ３・・・・・・・・・シャッタ一部材 ５・・・・・・・・・クリーンエア供給装置１・・・・
・・・・・半導体基板
加熱処理前後の状態を示す図、第２図は第１図に示すベ
ーキング装置の要部の加熱処理中の状態を示す図である
。 １・・・・・・・・・プレートヒータ ２・・・・・・・・・断熱部材 ５・・・・・・・・・載置ピン ６・・・・・・・・・排気装置 ７・・・・・・・・・断熱カバー ９・・・・・・・・・下部通気口 １１． ２９． ５． １・・・・・・・・・通気口 ３・・・・・・・・・シャッタ一部材 ５・・・・・・・・・クリーンエア供給装置１・・・・
・・・・・半導体基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体を排気口への不活性ガス流通状態で加熱するプ
レートヒータと、 このプレートヒータによる予め定められた加熱期間終了
後上記プレートヒータおよび上記被処理体を相対的に移
動させて離間させてこの被処理体を保持する保持手段と
、 この保持手段による被処理体保持状態でクリーンエアを
流通させ被処理体を冷却する冷却手段とを具備してなる
加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015237A JP2649568B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015237A JP2649568B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196416A true JPH02196416A (ja) | 1990-08-03 |
| JP2649568B2 JP2649568B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=11883263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1015237A Expired - Lifetime JP2649568B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649568B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745044U (ja) * | 1995-05-18 | 1995-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 多段式基板加熱装置 |
| JP2004336076A (ja) * | 1999-09-30 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378528A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | ウエハベ−ク装置 |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1015237A patent/JP2649568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378528A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | ウエハベ−ク装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745044U (ja) * | 1995-05-18 | 1995-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 多段式基板加熱装置 |
| JP2004336076A (ja) * | 1999-09-30 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2649568B2 (ja) | 1997-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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