JPH02190489A - 金属表面の清浄化方法 - Google Patents
金属表面の清浄化方法Info
- Publication number
- JPH02190489A JPH02190489A JP1312256A JP31225689A JPH02190489A JP H02190489 A JPH02190489 A JP H02190489A JP 1312256 A JP1312256 A JP 1312256A JP 31225689 A JP31225689 A JP 31225689A JP H02190489 A JPH02190489 A JP H02190489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- plasma
- solder
- dry
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000746 purification Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100268548 Caenorhabditis elegans apl-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019017 PtRh Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
- B23K1/206—Cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、金属表面酸化物の除去により金属表面を清浄
化する方法に関するものであるが、専らこれに制限され
るものではなく、乾鑞リフロー方法(dry 5old
er reflow process )にて金属表面
を清浄化することに応用可能なものである。乾壜リフロ
ー方法は、使用される液体フラックスが真空処理技術と
両立しないで、鑞のりフローの後で望ましくない残留物
を残す恐れのあるような湿式処理の欠点を回避するもの
である。
化する方法に関するものであるが、専らこれに制限され
るものではなく、乾鑞リフロー方法(dry 5old
er reflow process )にて金属表面
を清浄化することに応用可能なものである。乾壜リフロ
ー方法は、使用される液体フラックスが真空処理技術と
両立しないで、鑞のりフローの後で望ましくない残留物
を残す恐れのあるような湿式処理の欠点を回避するもの
である。
[従来の技術、および発明が解決しようとする課題]
乾鑞リフロー方法はフリップチップ接合に応用出来る。
フリップチップ鑞接合はマイクロ電子工学の応用面に使
用される真の「面積接合」技術である。接合位置がチッ
プの縁部に制限されるワイヤー接合及びテープ自動化接
合技術とは対照的に、鑞接部(solder bond
)はフリップチップ構成素子の何れの部分にも位置さ
せることが出来る。螺接方法は表面取付は印刷回路基板
技術を使用して製造される同じ型式の回路よりも遥かに
小さい寸法を有するシリコン対シリコンのマルチチップ
モジュールに応用されており、文具なる材料の検出器の
大なる配列体が緊密に接合されている熱検出器配列体の
ような種々のへテロ構造にも応用されている。通常、鑞
リフロー及び壜接合の両者に対して液体フラックスが必
要とされ、その為に潜在的に腐蝕性のフラックス残留物
を除去する為に接合の後で厳重な清浄化が必要とされる
のである。
用される真の「面積接合」技術である。接合位置がチッ
プの縁部に制限されるワイヤー接合及びテープ自動化接
合技術とは対照的に、鑞接部(solder bond
)はフリップチップ構成素子の何れの部分にも位置さ
せることが出来る。螺接方法は表面取付は印刷回路基板
技術を使用して製造される同じ型式の回路よりも遥かに
小さい寸法を有するシリコン対シリコンのマルチチップ
モジュールに応用されており、文具なる材料の検出器の
大なる配列体が緊密に接合されている熱検出器配列体の
ような種々のへテロ構造にも応用されている。通常、鑞
リフロー及び壜接合の両者に対して液体フラックスが必
要とされ、その為に潜在的に腐蝕性のフラックス残留物
を除去する為に接合の後で厳重な清浄化が必要とされる
のである。
信頼性のあるフランクス無しの鑞リフロー法及び鑞接合
方法の開発は、鑞接合組立体及び接合作業の後で残され
る恐れのある腐蝕性残留物を清浄化する必要を回避させ
る。
方法の開発は、鑞接合組立体及び接合作業の後で残され
る恐れのある腐蝕性残留物を清浄化する必要を回避させ
る。
乾式処理鑞接合(dry process 5oldc
rina )は、鑞表面を被う通常IQnmの厚さの自
然酸化物(native oxide)に対する複数種
のガス相(Species )の相互作用に依存するも
のである。
rina )は、鑞表面を被う通常IQnmの厚さの自
然酸化物(native oxide)に対する複数種
のガス相(Species )の相互作用に依存するも
のである。
この相互作用の結果として酸化物はガス流によって除去
される蒸発性生成物に変換される。鉛−錫鑞の乾式処理
に関する最近の研究し1〕は、CF CI 、CF
及びSF6のようなハロゲン含有ガスの使用を中心
にして行われて来た。しかし、これらのガスの1つの欠
点は、酸化物は効率よく除去されるけれども残留ハロゲ
ン化物が処理された試料の露出面に残されることである
。これらの残留物は大気中の湿気に暴露されると、鑞表
面及びその他の露出された薄い金属フィルムを腐蝕さV
る。表面酸化物に対する腐蝕作用は又、鑞接合高さの精
密な制御に悪影響を与え、このことは若干の応用面に於
て臨界的な要因になり得るのである。ハロゲン化された
ガスに於けるこれらの望ましくない作用は鑞リフローに
対する異なる乾式フラックスの現在の研究に於ける調査
に導かれたのである。
される蒸発性生成物に変換される。鉛−錫鑞の乾式処理
に関する最近の研究し1〕は、CF CI 、CF
及びSF6のようなハロゲン含有ガスの使用を中心
にして行われて来た。しかし、これらのガスの1つの欠
点は、酸化物は効率よく除去されるけれども残留ハロゲ
ン化物が処理された試料の露出面に残されることである
。これらの残留物は大気中の湿気に暴露されると、鑞表
面及びその他の露出された薄い金属フィルムを腐蝕さV
る。表面酸化物に対する腐蝕作用は又、鑞接合高さの精
密な制御に悪影響を与え、このことは若干の応用面に於
て臨界的な要因になり得るのである。ハロゲン化された
ガスに於けるこれらの望ましくない作用は鑞リフローに
対する異なる乾式フラックスの現在の研究に於ける調査
に導かれたのである。
本発明は、上述の従来技術の鑞接作業に於ける欠点を排
除した性能の良好な金属面清浄化方法を提供することで
ある。
除した性能の良好な金属面清浄化方法を提供することで
ある。
[課題を解決する為の手段及び作用]
広範に述べられた本発明により、金属表面を清浄化する
方法が提供されるが、この方法に於ては、水素を含むガ
スの強力なマイクロ波周波数プラズマ内で生ずる原子水
素により、酸素が金属酸化物から抽出されることによっ
て金属表面から金属酸化物が除去される。
方法が提供されるが、この方法に於ては、水素を含むガ
スの強力なマイクロ波周波数プラズマ内で生ずる原子水
素により、酸素が金属酸化物から抽出されることによっ
て金属表面から金属酸化物が除去される。
本発明によって又、フリップチップ鑞接合の応用面に使
用するのに著しく適した乾鑞リフロー方法が提供される
が、この乾鑞リフロー方法に於ては水素を含むガス(例
えば不活性ガスと水素の混合物)の強力なマイクロ波周
波数プラズマ内で生ずる原子水素により酸素が金fil
!II化物から抽出されることによって鑞接面から金属
表面酸化物が除去される。
用するのに著しく適した乾鑞リフロー方法が提供される
が、この乾鑞リフロー方法に於ては水素を含むガス(例
えば不活性ガスと水素の混合物)の強力なマイクロ波周
波数プラズマ内で生ずる原子水素により酸素が金fil
!II化物から抽出されることによって鑞接面から金属
表面酸化物が除去される。
プラズマ励起周波数>5QQHIIzがこの方法に対し
て必要な著しい員の原子水素のスペシーズを得るのに必
要である。主な利点は(i)この技術が真空と両立出来
ること、(11)フラックス・ガスが安価で毒性がない
こと、(iii)リフローの後で酸性の残留物が残され
ないこと、(iV)iM素が腐蝕を生じないで抽出され
、従って金属鑞との反応を生じないこと、(V)試料が
著しい電荷(即ちプラズマに対する電位差)を得ること
がなく、従って鋭敏な電子回路処理(5ensitiv
e electronicsprocess i ng
)の間にイオン衝撃(攻撃)による損傷が回避される
ことである。
て必要な著しい員の原子水素のスペシーズを得るのに必
要である。主な利点は(i)この技術が真空と両立出来
ること、(11)フラックス・ガスが安価で毒性がない
こと、(iii)リフローの後で酸性の残留物が残され
ないこと、(iV)iM素が腐蝕を生じないで抽出され
、従って金属鑞との反応を生じないこと、(V)試料が
著しい電荷(即ちプラズマに対する電位差)を得ること
がなく、従って鋭敏な電子回路処理(5ensitiv
e electronicsprocess i ng
)の間にイオン衝撃(攻撃)による損傷が回避される
ことである。
原子水素が酸化された表面と相互作用する時に興味のあ
る2つの作用が生ずる。第1に、酸素の抽出が生じて、
これにより水素が化学的に表面酸化物を減少させ、自身
を水蒸気に変換させ、これがポンプにより排除される。
る2つの作用が生ずる。第1に、酸素の抽出が生じて、
これにより水素が化学的に表面酸化物を減少させ、自身
を水蒸気に変換させ、これがポンプにより排除される。
この機構は5n−Pb鑞の場合に適用されるが、これに
於ては錫及び鉛の自然酸化物が原子水素によって金属の
状態に還元されるのである。第2の場合はシリコン酸化
物面に適用され、この場合水素は酸素及びシリコンの両
者と反応して揮発性生成物(H2O及び5iH4)を形
成する。この場合、単なる化学的還元でなく、表面rm
蝕が生ずるのである。
於ては錫及び鉛の自然酸化物が原子水素によって金属の
状態に還元されるのである。第2の場合はシリコン酸化
物面に適用され、この場合水素は酸素及びシリコンの両
者と反応して揮発性生成物(H2O及び5iH4)を形
成する。この場合、単なる化学的還元でなく、表面rm
蝕が生ずるのである。
本発明の詳細な説明する為に、ここでは通常水素が、ガ
スとしてこの場合問題になる鑞接方法に関連する低温で
、僅かであるけれども還元作用を有する2原子の分子で
あることを述べなければならない。水素の反応性は、分
子が分解されて原子水素が生ずる場合に著しく増大する
。原子水素は酸素を鑞の表面酸化物から抽出してOH又
はH2Oを形成し、これらのものは揮発性で鑞接部分か
ら除去出来る。反応生成物は酸性でないから、挽面又は
真空装置の腐蝕を生じないのである。
スとしてこの場合問題になる鑞接方法に関連する低温で
、僅かであるけれども還元作用を有する2原子の分子で
あることを述べなければならない。水素の反応性は、分
子が分解されて原子水素が生ずる場合に著しく増大する
。原子水素は酸素を鑞の表面酸化物から抽出してOH又
はH2Oを形成し、これらのものは揮発性で鑞接部分か
ら除去出来る。反応生成物は酸性でないから、挽面又は
真空装置の腐蝕を生じないのである。
分子水素は若干の技術によって原子水素に分解され得る
。即ち @ Wフィラメント (ハ) 光分解 (へ) 放電 (2) 2000℃のWフィラメントが〜7%(7%以
下)の効率によってH2を2H”に分解するが、しかし
、Wフィラメントは又熱イオン的に大量の電子及び熱を
放出し、これがSi回路をahし、従って乾燥処理技術
に対して不適当である。
。即ち @ Wフィラメント (ハ) 光分解 (へ) 放電 (2) 2000℃のWフィラメントが〜7%(7%以
下)の効率によってH2を2H”に分解するが、しかし
、Wフィラメントは又熱イオン的に大量の電子及び熱を
放出し、これがSi回路をahし、従って乾燥処理技術
に対して不適当である。
(へ) H2の光分解はスペクトルの真空UV範囲の波
長にて生ずる。エフサイマー・レーザーが使用されて来
たが、この装置の設備経費は採用し難いほど高価である
。
長にて生ずる。エフサイマー・レーザーが使用されて来
たが、この装置の設備経費は採用し難いほど高価である
。
(へ) 特に強力なプラズマ内の電気放電は、プラズマ
密度が著しい分解を生じさせるのに充分である場合には
大なる濃度の原子水素を発生さぼる。
密度が著しい分解を生じさせるのに充分である場合には
大なる濃度の原子水素を発生さぼる。
電子に対する非弾性的衝突による水素の分解は8.8e
vのエネルギーを必要とする。この方法に対する衝突断
面は〜1×10−1512である。
vのエネルギーを必要とする。この方法に対する衝突断
面は〜1×10−1512である。
本発明によるマイクロ波周波数プラズマの使用は、高い
程度のイオン化(10%まで)及び電子密度(1012
−1013ctx−3)を生じさせルコトが出来、従っ
てH2分解速度を向上させるのである。
程度のイオン化(10%まで)及び電子密度(1012
−1013ctx−3)を生じさせルコトが出来、従っ
てH2分解速度を向上させるのである。
マイクロ波プラズマはHo [2,3]の発生の為のP
ECVD法に正式に使用されている。高いプラズマ密度
は高い濃度の原子スペシーズ(複数種の原子)を発生さ
せ、これが又高い酸化物除去速度を生じさせ、従って処
理時間の短縮を与えるのである。
ECVD法に正式に使用されている。高いプラズマ密度
は高い濃度の原子スペシーズ(複数種の原子)を発生さ
せ、これが又高い酸化物除去速度を生じさせ、従って処
理時間の短縮を与えるのである。
従って、水素プラズマに基づく乾式処理装置の設計を考
える場合、重要な規範はHoの過平衡濃度を効率よく生
じさせることである。水素プラズマ内にArを添加する
ことは次の鏝構でHoの温度を増加させることが期待さ
れる。
える場合、重要な規範はHoの過平衡濃度を効率よく生
じさせることである。水素プラズマ内にArを添加する
ことは次の鏝構でHoの温度を増加させることが期待さ
れる。
へr+プラズマ→Δr −’ + e
+
Ar +l−12−+[Apl−1]+l−1
’[ArH] +e −+Ar” +)l’Ar”
+H−+ArO+H,,” H2→2H’ 上述の作用に加えて、アルゴンはプラズマ密度を増加さ
せて低圧に於ける放電を保持するのを助ける。
’[ArH] +e −+Ar” +)l’Ar”
+H−+ArO+H,,” H2→2H’ 上述の作用に加えて、アルゴンはプラズマ密度を増加さ
せて低圧に於ける放電を保持するのを助ける。
原子水素は第3物体衝突過程[4]によって安定なH2
分子を形成するように再結合されるだけである。この第
3物体は一般に反応装置壁部であって、プラズマ容器の
設計は効率よく乾式処理を行い得る為の重要な因子と考
えられるのである。
分子を形成するように再結合されるだけである。この第
3物体は一般に反応装置壁部であって、プラズマ容器の
設計は効率よく乾式処理を行い得る為の重要な因子と考
えられるのである。
プラズマ内の酸素不純物を最小限に保持する為に乾式処
理装置は乾式処理の前に1.36X10 5J/as2
(10−”torr)の基本室圧力にて1 、35x
10−2g/cta2(101torr)を超過する圧
力にて作動するように設計されていた。
理装置は乾式処理の前に1.36X10 5J/as2
(10−”torr)の基本室圧力にて1 、35x
10−2g/cta2(101torr)を超過する圧
力にて作動するように設計されていた。
[実施例]
例として、本発明の乾式リフロー鑞接方法を実部する装
置を示す添付図面が参照される。
置を示す添付図面が参照される。
さて図面を参照し、図示の装置は回転ポンプと油拡散ポ
ンプの組合せ11及び10によって推進されるように配
置された直径5.08a+(2″)の円筒形の溶融シリ
カ真空室1から成っている。
ンプの組合せ11及び10によって推進されるように配
置された直径5.08a+(2″)の円筒形の溶融シリ
カ真空室1から成っている。
この室内には温度監視制御を行う為の熱電対(図示Vず
)を有する電気加熱台2がある。この台2は基板内のオ
ーリング・シール13を通る棒12を動かすことによっ
て室内を上下に動かされることが出来る。この室の頂部
には小さい同調可能のマイクロ波空所4に連通する円錐
形部分3があり、200W、2.45GHzのマイクロ
波発生器6によってこのマイクロ波空所内にプラズマ5
が発生され得るようになっている。アルゴン・水素ガス
混合物7がマイクロ波空所の頂部内に導入され、これの
流速が精密ニードル弁によって制御されるようになって
いる。ガス流はプラズマ5内に発生された原子水素のス
ペシーズ(種類のこと)を下方に、加熱された台2上の
試料チップ9のような鑞被覆試料に向って掃き流すよう
になされる。
)を有する電気加熱台2がある。この台2は基板内のオ
ーリング・シール13を通る棒12を動かすことによっ
て室内を上下に動かされることが出来る。この室の頂部
には小さい同調可能のマイクロ波空所4に連通する円錐
形部分3があり、200W、2.45GHzのマイクロ
波発生器6によってこのマイクロ波空所内にプラズマ5
が発生され得るようになっている。アルゴン・水素ガス
混合物7がマイクロ波空所の頂部内に導入され、これの
流速が精密ニードル弁によって制御されるようになって
いる。ガス流はプラズマ5内に発生された原子水素のス
ペシーズ(種類のこと)を下方に、加熱された台2上の
試料チップ9のような鑞被覆試料に向って掃き流すよう
になされる。
穿孔された板8の形状の接地されたマイクロ波シールド
がマイクロ波周波数の電場からチップの鑞接面を濾波す
るのに使用され、鑞の表面荷電(及びその下にある電子
回路)が生じないのを確実になしている。
がマイクロ波周波数の電場からチップの鑞接面を濾波す
るのに使用され、鑞の表面荷電(及びその下にある電子
回路)が生じないのを確実になしている。
図示された装置を使用して乾式鑞リフロー方法を実施す
るに際して、試料チップ9のような試料が基層加熱台2
(例えば、直径が5.08cR(2″))上に載置され
、反応容器1が1O−5torrの基準圧力まで真空排
気される。これは、液体窒素捕捉拡散ポンプ10と回転
ポンプ11によって行われる。配管17を含む推進循環
路内の弁14.15及び16が作動され、弁15及び1
6が■1じられる時に弁14が最初に作動される。この
ようにして、室1が回転ポンプ11によって相対的に低
圧に排気される。次に、弁14が開じられて開放された
弁15及び16を経てポンプ10及び11により室1が
低圧に排気される。
るに際して、試料チップ9のような試料が基層加熱台2
(例えば、直径が5.08cR(2″))上に載置され
、反応容器1が1O−5torrの基準圧力まで真空排
気される。これは、液体窒素捕捉拡散ポンプ10と回転
ポンプ11によって行われる。配管17を含む推進循環
路内の弁14.15及び16が作動され、弁15及び1
6が■1じられる時に弁14が最初に作動される。この
ようにして、室1が回転ポンプ11によって相対的に低
圧に排気される。次に、弁14が開じられて開放された
弁15及び16を経てポンプ10及び11により室1が
低圧に排気される。
H2およびAr雰囲気1O−100storrノ間の圧
力で導入されて試料がPt/PtRh熱電対によって監
視された通りに63:37共晶pb−8nl&の溶融点
(例えば、150−160℃)以下の温度に加熱される
。この温度で、2.45GHzのプラズマが反応容器内
で200Wの最大出力電力を有するマイクロ波発生器6
によって衝突される。これによって水素プラズマ5が何
れの与えられた試験的条件に対しても試料台2の上方の
反応容器内の最大容積を占めるように同調されるのであ
る。次に鑞のりフロー温度まで加熱が続番プられ、ここ
で酸化物の除去及びリフロー鑞接が行われるのを可能に
するように保持される。−度このことが行われると(6
0秒よりも短い期間の後で)、プラズマが遮断されて試
料がH2およびAr雰囲気内で励起されるのを許される
。
力で導入されて試料がPt/PtRh熱電対によって監
視された通りに63:37共晶pb−8nl&の溶融点
(例えば、150−160℃)以下の温度に加熱される
。この温度で、2.45GHzのプラズマが反応容器内
で200Wの最大出力電力を有するマイクロ波発生器6
によって衝突される。これによって水素プラズマ5が何
れの与えられた試験的条件に対しても試料台2の上方の
反応容器内の最大容積を占めるように同調されるのであ
る。次に鑞のりフロー温度まで加熱が続番プられ、ここ
で酸化物の除去及びリフロー鑞接が行われるのを可能に
するように保持される。−度このことが行われると(6
0秒よりも短い期間の後で)、プラズマが遮断されて試
料がH2およびAr雰囲気内で励起されるのを許される
。
上述の装置は次のように作動する。
供給ガス(Ar+H2)が図示のようにマイクロ波プラ
ズマ空所4の上方で反応装置に流入する。
ズマ空所4の上方で反応装置に流入する。
強力なマイクロ波周波数の電場がこれらのガスの分解を
生じさせて、これらのガスがグロー放電(即ち、プラズ
マ)5になる。励起周波数(2、45Gll、z )は
プラズマ振動周波数と同様の大きさであるから、高度の
原子スペシーズが放電中にある。これらの原子スペシー
ズ(Ar’及び1」゛)は真空ポンプ10及び11の作
用によって下流に掃き流され、ここで鑞接台される試料
の表面に衝突する。原子水素は鑞及び鑞接台される表面
の両者の表面酸化物から酸素を抽出し、これによって清
浄化された金属面を生ずるのである。試料9は次に鑞の
溶解点まで加熱されてリフローが上述の条件で行われる
のである。
生じさせて、これらのガスがグロー放電(即ち、プラズ
マ)5になる。励起周波数(2、45Gll、z )は
プラズマ振動周波数と同様の大きさであるから、高度の
原子スペシーズが放電中にある。これらの原子スペシー
ズ(Ar’及び1」゛)は真空ポンプ10及び11の作
用によって下流に掃き流され、ここで鑞接台される試料
の表面に衝突する。原子水素は鑞及び鑞接台される表面
の両者の表面酸化物から酸素を抽出し、これによって清
浄化された金属面を生ずるのである。試料9は次に鑞の
溶解点まで加熱されてリフローが上述の条件で行われる
のである。
本発明による変形方法に於ては、
(1) 供給ガス7は純粋水素又は不活性ガス及び水
素の混合物になし得る。
素の混合物になし得る。
(2) 電圧(プラズマに対して+ve)が+veイ
オンを追出す為に同じシールド上に与えられることが出
来る。
オンを追出す為に同じシールド上に与えられることが出
来る。
(3) 磁場がプラズマに与えられてエレクトロンサ
イクロトロン共鳴(εOR)条件を与えて、更にプラズ
マW!度を増大させることが出来る。
イクロトロン共鳴(εOR)条件を与えて、更にプラズ
マW!度を増大させることが出来る。
(4) 鑞接台される試料がガス流の方向に対して何
れの角度にもなし得る。
れの角度にもなし得る。
前述の説明から、鑞リフロー法が例として説明されたが
、使用された清浄化方法が乾式鑞接方法より他の応用面
にも使用出来ることが理解されるところである。
、使用された清浄化方法が乾式鑞接方法より他の応用面
にも使用出来ることが理解されるところである。
参照文献
1、 ビー・エイ・モスコヴイッツ、エッチ・エル・イ
エ−及びニス・ケイ・レイ、ジャーナル・オブ・ヴアキ
ュウム・サイエンス・テクノロジ、A4 (3) 、1
986年5月/り月、第838頁(P、A、 Hosk
owitz、 H,L、 Yeh and S、に、
Ray。
エ−及びニス・ケイ・レイ、ジャーナル・オブ・ヴアキ
ュウム・サイエンス・テクノロジ、A4 (3) 、1
986年5月/り月、第838頁(P、A、 Hosk
owitz、 H,L、 Yeh and S、に、
Ray。
J、 Vac、 Sci、 Technol 、A4
(3)、 Hay/June 1986゜1)、 83
8) 2、 シー・ジエー・エッチ・ヴオルト、アールビー9
−314アニユアル・リサーチ・リポート、1987年
11月−1988年10月(C,J。
(3)、 Hay/June 1986゜1)、 83
8) 2、 シー・ジエー・エッチ・ヴオルト、アールビー9
−314アニユアル・リサーチ・リポート、1987年
11月−1988年10月(C,J。
It、 Wort、 RP9−314^nnual R
e5earch Report、 Nov。
e5earch Report、 Nov。
1987−Oct、 1988)
3、 ジエー・ムシル、ヴ7キュアム、第36巻、第1
−3号(161−169> 、1986年(J、 1
4usil、 Vacuum 3B、 h、1−3
(161−169)、 1986)4. エッチ・ヴ
イ・ホエーニブ、「プラズマ化学及び技術の基vji]
、第V1章、テクノミンク・パブリジング・カンパニー
・インコーホレーテッド、4988年(H−V −Bo
ein。
−3号(161−169> 、1986年(J、 1
4usil、 Vacuum 3B、 h、1−3
(161−169)、 1986)4. エッチ・ヴ
イ・ホエーニブ、「プラズマ化学及び技術の基vji]
、第V1章、テクノミンク・パブリジング・カンパニー
・インコーホレーテッド、4988年(H−V −Bo
ein。
“Fundamentals of Plasma C
hemistry andTechnology″、
Chapter Vl、 TechnonicPubl
ishing Company Inc、 198B
)[発明の効果] 本発明は上述のように構成されているから、水素を含む
ガスの強力なマイクロ波周波数プラズマ内で生ずる原子
水素により酸素が金属酸化物から抽出されることによっ
て金属面から金R酸化物が除去されるようになされて従
来技術の鑞接作業に於ける欠点を排除した性能の良好な
金属表面清浄化方法が提供されるのである。
hemistry andTechnology″、
Chapter Vl、 TechnonicPubl
ishing Company Inc、 198B
)[発明の効果] 本発明は上述のように構成されているから、水素を含む
ガスの強力なマイクロ波周波数プラズマ内で生ずる原子
水素により酸素が金属酸化物から抽出されることによっ
て金属面から金R酸化物が除去されるようになされて従
来技術の鑞接作業に於ける欠点を排除した性能の良好な
金属表面清浄化方法が提供されるのである。
第1図は本発明の乾式リフロー鑞接方法を実施する為の
装置を示す概略図。 1・・・溶融シリカ真空空部ち反応容器2 ・ ・ 3 ・ ・ 4 ・ ・ 5 ・ ・ 6 ・ ・ 7 ・ ・ 8 ・ ・ 9 ・ ・ 10゜ 12 ・ 13 ・ 14゜ 17 ・ ・電気加熱台 ・円錐形部分 ・マイクロ波空所 ・プラズマ ・マイクロ波発生器 ・アルゴン・水素ガス混合物 ・穿孔された板 ・試料チップ 11・・・真空ポンプ ・・ステム ・・オーリング・シール 15.16・・・弁 ・・配管。
装置を示す概略図。 1・・・溶融シリカ真空空部ち反応容器2 ・ ・ 3 ・ ・ 4 ・ ・ 5 ・ ・ 6 ・ ・ 7 ・ ・ 8 ・ ・ 9 ・ ・ 10゜ 12 ・ 13 ・ 14゜ 17 ・ ・電気加熱台 ・円錐形部分 ・マイクロ波空所 ・プラズマ ・マイクロ波発生器 ・アルゴン・水素ガス混合物 ・穿孔された板 ・試料チップ 11・・・真空ポンプ ・・ステム ・・オーリング・シール 15.16・・・弁 ・・配管。
Claims (5)
- (1)水素を含むガスの強力なマイクロ波周波数プラズ
マ内に生ずる原子水素によつて金属酸化物から酸素を抽
出することにより金属面から金属酸化物を除去する金属
表面の清浄化方法。 - (2)水素を含むガスの強力なマイクロ波周波数プラズ
マ内に生ずる原子水素によつて金属酸化物から酸素を抽
出することにより鑞接面から金属表面酸化物を除去する
乾鑞リフロー方法。 - (3)前記ガスが不活性ガス及び水素の混合物を含んで
いる請求項1又は2に記載の方法。 - (4)前記不活性ガスがアルゴンである請求項2に記載
の乾鑞リフロー方法。 - (5)フリップチップ接合に応用された請求項2に記載
の乾鑞リフロー方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8827933.6 | 1988-11-30 | ||
GB888827933A GB8827933D0 (en) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | Improvements relating to soldering processes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02190489A true JPH02190489A (ja) | 1990-07-26 |
Family
ID=10647701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1312256A Pending JPH02190489A (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-30 | 金属表面の清浄化方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5000819A (ja) |
EP (1) | EP0371693B1 (ja) |
JP (1) | JPH02190489A (ja) |
AT (1) | ATE101414T1 (ja) |
DE (1) | DE68913013D1 (ja) |
GB (2) | GB8827933D0 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06246478A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-06 | Techno Oote:Kk | イオン洗浄によるろう付け装置及びろう付け方法 |
WO1994022628A1 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-13 | Seiko Epson Corporation | Combining method and apparatus using solder |
WO1995015832A1 (fr) * | 1993-12-09 | 1995-06-15 | Seiko Epson Corporation | Procede et dispositif d'assemblage par brasage |
WO1997019204A1 (fr) * | 1995-11-07 | 1997-05-29 | Seiko Epson Corporation | Procede et appareil de traitement de surface |
US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
US6004631A (en) * | 1995-02-07 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method of removing unnecessary matter and coating process using such method |
US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
US6086710A (en) * | 1995-04-07 | 2000-07-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
JP2001058259A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Shinko Seiki Co Ltd | 半田付け方法及び半田付け装置 |
US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
JP2005002468A (ja) * | 2003-04-28 | 2005-01-06 | Air Products & Chemicals Inc | 基材表面から金属酸化物を除去する方法及び装置 |
WO2005077583A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Shinko Seiki Company, Limited | はんだ付け方法 |
JP2006307255A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Micro Denshi Kk | マイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置 |
KR100686792B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-02-26 | 한국전력공사 | 가스 터빈용 니켈계 초합금 부품의 건식세정방법 |
JP2007329309A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5188280A (en) * | 1989-04-28 | 1993-02-23 | Hitachi Ltd. | Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals |
DE4032328A1 (de) * | 1989-11-06 | 1991-09-19 | Wls Karl Heinz Grasmann Weichl | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von zu verloetenden fuegepartnern |
US5341980A (en) * | 1990-02-19 | 1994-08-30 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating electronic circuit device and apparatus for performing the same method |
DE4041270A1 (de) * | 1990-12-21 | 1992-06-25 | Grasmann Karl Heinz Wls | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von elektronischen flachbaugruppen, insbesondere mit bauelementen bestueckten leiterplatten |
EP0510340B1 (de) * | 1991-04-23 | 1995-05-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Abtragung von Material von einer Oberfläche in einer Vakuumkammer |
US5223691A (en) * | 1991-06-03 | 1993-06-29 | Motorola, Inc. | Plasma based soldering method requiring no additional heat sources or flux |
DE4132559A1 (de) * | 1991-09-30 | 1993-04-08 | Siemens Ag | Verfahren zur in-situ-reinigung von abscheidekammern durch plasmaaetzen |
DE4206103A1 (de) * | 1992-02-27 | 1993-09-02 | Linde Ag | Verfahren zum verloeten von leiterplatten |
DE4228551C2 (de) * | 1992-08-27 | 1996-02-22 | Linde Ag | Verfahren und Anwendung des Verfahrens zur reinigenden Behandlung von Oberflächen mit einem Niederdruckplasma |
JP3231426B2 (ja) * | 1992-10-28 | 2001-11-19 | 富士通株式会社 | 水素プラズマダウンフロー処理方法及び水素プラズマダウンフロー処理装置 |
FR2697456B1 (fr) * | 1992-10-30 | 1994-12-23 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche. |
US5269878A (en) * | 1992-12-10 | 1993-12-14 | Vlsi Technology, Inc. | Metal patterning with dechlorinization in integrated circuit manufacture |
US5409543A (en) * | 1992-12-22 | 1995-04-25 | Sandia Corporation | Dry soldering with hot filament produced atomic hydrogen |
GB2274286B (en) * | 1993-01-13 | 1996-11-06 | Singapore Asahi Chemical & Solder Ind Pte Ltd | Method of and apparatus for preparing an electric circuit board for a flow or wave soldering process |
DE4308990A1 (de) * | 1993-03-20 | 1994-09-22 | Bosch Gmbh Robert | Ätzverfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Halbleiterelementen, insbesondere Leistungsdioden |
US5499754A (en) * | 1993-11-19 | 1996-03-19 | Mcnc | Fluxless soldering sample pretreating system |
US6021940A (en) * | 1993-12-15 | 2000-02-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method and apparatus for reflow soldering metallic surfaces |
FR2713528B1 (fr) * | 1993-12-15 | 1996-01-12 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche de surfaces métalliques avant brasage ou étamage. |
US5603892A (en) * | 1994-06-09 | 1997-02-18 | Fujitsu Limited | System for maintaining a controlled atmosphere in an electronic circuit package |
US6006763A (en) * | 1995-01-11 | 1999-12-28 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment method |
FR2735054B1 (fr) * | 1995-06-09 | 1997-07-25 | Air Liquide | Procede de fluxage par voie seche de surfaces metalliques avant brasage ou etamage utilisant une atmosphere comportant de la vapeur d'eau |
US5660682A (en) * | 1996-03-14 | 1997-08-26 | Lsi Logic Corporation | Plasma clean with hydrogen gas |
CH692446A5 (de) * | 1996-04-15 | 2002-06-28 | Esec Sa | Verfahren zur Herstellung von Werkstücken und von Teilen hierfür |
US5899737A (en) * | 1996-09-20 | 1999-05-04 | Lsi Logic Corporation | Fluxless solder ball attachment process |
FR2775986B1 (fr) * | 1998-03-10 | 2000-05-05 | Air Liquide | Procede et installation de traitement de surface d'une piece metallique |
FR2778190B1 (fr) * | 1998-05-04 | 2000-06-02 | Air Liquide | Procede et appareil de traitement de surfaces metalliques par voie seche |
US6547934B2 (en) * | 1998-05-18 | 2003-04-15 | Applied Materials, Inc. | Reduction of metal oxide in a dual frequency etch chamber |
US6297147B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment for ex-situ contact fill |
US6056831A (en) | 1998-07-10 | 2000-05-02 | International Business Machines Corporation | Process for chemically and mechanically enhancing solder surface properties |
US6250540B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-06-26 | International Business Machines Corporation | Fluxless joining process for enriched solders |
US6607613B2 (en) | 1998-07-10 | 2003-08-19 | International Business Machines Corporation | Solder ball with chemically and mechanically enhanced surface properties |
US6742701B2 (en) * | 1998-09-17 | 2004-06-01 | Kabushiki Kaisha Tamura Seisakusho | Bump forming method, presoldering treatment method, soldering method, bump forming apparatus, presoldering treatment device and soldering apparatus |
US6974766B1 (en) * | 1998-10-01 | 2005-12-13 | Applied Materials, Inc. | In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application |
US7053002B2 (en) | 1998-12-04 | 2006-05-30 | Applied Materials, Inc | Plasma preclean with argon, helium, and hydrogen gases |
US6372301B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of improving adhesion of diffusion layers on fluorinated silicon dioxide |
US6605175B1 (en) | 1999-02-19 | 2003-08-12 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Process for manufacturing component parts, use of same, with air bearing supported workpieces and vacuum processing chamber |
US6821571B2 (en) * | 1999-06-18 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc. | Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers |
EP1076355A2 (en) * | 1999-08-12 | 2001-02-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a chamber configured for copper deposition |
US6794311B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion |
US6537733B2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers |
US6472333B2 (en) | 2001-03-28 | 2002-10-29 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers |
JP4409134B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | 実装システム |
US6656837B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications |
DE10210216A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-10-16 | Behr Gmbh & Co | Verfahren zum Löten von Aluminium |
US6926190B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit assemblies and assembly methods |
US6935553B2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-08-30 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Reflow soldering method |
US6936546B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-08-30 | Accretech Usa, Inc. | Apparatus for shaping thin films in the near-edge regions of in-process semiconductor substrates |
US20080190558A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-08-14 | Accretech Usa, Inc. | Wafer processing apparatus and method |
US20080017316A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-24 | Accretech Usa, Inc. | Clean ignition system for wafer substrate processing |
US20070066076A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Bailey Joel B | Substrate processing method and apparatus using a combustion flame |
US20080011332A1 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-17 | Accretech Usa, Inc. | Method and apparatus for cleaning a wafer substrate |
US6902774B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-06-07 | Inficon Gmbh | Method of manufacturing a device |
KR100521081B1 (ko) * | 2002-10-12 | 2005-10-14 | 삼성전자주식회사 | 플립 칩의 제조 및 실장 방법 |
US20060231207A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Rebinsky Douglas A | System and method for surface treatment |
DE102006054726B4 (de) * | 2006-11-21 | 2014-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen auf optischen Oberflächen und optische Anordnung |
SK51082006A3 (sk) * | 2006-12-05 | 2008-07-07 | Fakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzitfakulta Matematiky, Fyziky A Informatiky Univerzity Komensk�Hoy Komensk�Ho | Zariadenie a spôsob úpravy povrchov kovov a metaloZariadenie a spôsob úpravy povrchov kovov a metaloidov, oxidov kovov a oxidov metaloidov a nitridovidov, oxidov kovov a oxidov metaloidov a nitridovkovov a nitridov metaloidovkovov a nitridov metaloidov |
US20090038636A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method |
JP2011023509A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法、および、これに用いる半導体製造装置 |
JP2013074093A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Renesas Electronics Corp | リフロー前処理装置およびリフロー前処理方法 |
CN104425289B (zh) * | 2013-09-11 | 2017-12-15 | 先进科技新加坡有限公司 | 利用激发的混合气体的晶粒安装装置和方法 |
US20150125621A1 (en) * | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Xerox Corporation | Continuous plasma carrier coating process and apparatus for preparing same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4379218A (en) * | 1981-06-30 | 1983-04-05 | International Business Machines Corporation | Fluxless ion beam soldering process |
GB2120278B (en) * | 1982-05-14 | 1986-03-26 | Rolls Royce | Removing surface oxide layer |
GB2144669B (en) * | 1982-12-07 | 1986-02-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Cleaning electrical contacts |
DE3580055D1 (de) * | 1984-04-05 | 1990-11-15 | Stein Heurtey | Entfettungsverfahren fuer kaltgewalztes stahlband. |
US4711698A (en) * | 1985-07-15 | 1987-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Silicon oxide thin film etching process |
EP0209307B1 (en) * | 1985-07-15 | 1988-09-07 | The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and | Cleaning of metal articles |
-
1988
- 1988-11-30 GB GB888827933A patent/GB8827933D0/en active Pending
-
1989
- 1989-11-22 EP EP89312159A patent/EP0371693B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-22 AT AT89312159T patent/ATE101414T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-11-22 DE DE89312159T patent/DE68913013D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-29 US US07/442,797 patent/US5000819A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-30 JP JP1312256A patent/JPH02190489A/ja active Pending
- 1989-12-14 GB GB898928259A patent/GB8928259D0/en active Pending
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06246478A (ja) * | 1993-03-02 | 1994-09-06 | Techno Oote:Kk | イオン洗浄によるろう付け装置及びろう付け方法 |
WO1994022628A1 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-13 | Seiko Epson Corporation | Combining method and apparatus using solder |
WO1995015832A1 (fr) * | 1993-12-09 | 1995-06-15 | Seiko Epson Corporation | Procede et dispositif d'assemblage par brasage |
US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
US6004631A (en) * | 1995-02-07 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method of removing unnecessary matter and coating process using such method |
US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
US6086710A (en) * | 1995-04-07 | 2000-07-11 | Seiko Epson Corporation | Surface treatment apparatus |
US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
WO1997019204A1 (fr) * | 1995-11-07 | 1997-05-29 | Seiko Epson Corporation | Procede et appareil de traitement de surface |
US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
JP2001058259A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Shinko Seiki Co Ltd | 半田付け方法及び半田付け装置 |
JP2005002468A (ja) * | 2003-04-28 | 2005-01-06 | Air Products & Chemicals Inc | 基材表面から金属酸化物を除去する方法及び装置 |
WO2005077583A1 (ja) * | 2004-02-17 | 2005-08-25 | Shinko Seiki Company, Limited | はんだ付け方法 |
JP2005230830A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Shinko Seiki Co Ltd | はんだ付け方法 |
CN100455394C (zh) * | 2004-02-17 | 2009-01-28 | 神港精机株式会社 | 焊接方法 |
JP4732699B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-07-27 | 神港精機株式会社 | はんだ付け方法 |
JP2006307255A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Micro Denshi Kk | マイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置 |
JP4702680B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2011-06-15 | 株式会社エスイー | マイクロ波を利用した処理装置 |
KR100686792B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-02-26 | 한국전력공사 | 가스 터빈용 니켈계 초합금 부품의 건식세정방법 |
JP2007329309A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68913013D1 (de) | 1994-03-24 |
GB8827933D0 (en) | 1989-01-05 |
US5000819A (en) | 1991-03-19 |
GB8928259D0 (en) | 1990-02-21 |
EP0371693B1 (en) | 1994-02-09 |
ATE101414T1 (de) | 1994-02-15 |
EP0371693A1 (en) | 1990-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02190489A (ja) | 金属表面の清浄化方法 | |
JP5596319B2 (ja) | 電子付着及び遠隔イオン発生を伴うフラックスレス技術によって表面酸化物を除去するための装置及び方法 | |
US5609290A (en) | Fluxless soldering method | |
JP3992315B2 (ja) | 基板処理装置排出物からパーフルオロ化合物ガスを低減する装置 | |
US5556714A (en) | Method of treating samples | |
US5345056A (en) | Plasma based soldering by indirect heating | |
JP4084020B2 (ja) | フォトレジスト物質の除去方法 | |
JP3229504B2 (ja) | はんだ付けまたはスズメッキの前の金属表面の乾式フラックス処理のための方法および装置 | |
JPH10144669A (ja) | 基板処理設備のための現場真空ライン清浄用平行平板装置 | |
US20110094679A1 (en) | Electrode assembly for the removal of surface oxides by electron attachment | |
KR100824889B1 (ko) | 금속 표면의 건식 플럭싱 방법, 금속 표면을 건식 플럭싱하는 장치 및 표면 처리 방법 | |
TW201110214A (en) | Method for the removal of surface oxides by electron attachment | |
EP0517430B1 (en) | Plasma based soldering | |
WO2007148470A1 (ja) | 処理装置、処理方法及びプラズマ源 | |
JP2533834B2 (ja) | 基板表面から金属含有汚染物質を除去する方法及びこれに用いるガス状清浄剤 | |
JP2009280914A (ja) | 電子付着による表面酸化物の除去 | |
JP4846987B2 (ja) | 電子付着及び遠隔イオン発生を伴うフラックスレス技術によって表面酸化物を除去するための装置及び方法 | |
TWI240765B (en) | Electrode assembly for the removal of surface oxides by electron attachment | |
US5776551A (en) | Use of plasma activated NF3 to clean solder bumps on a device | |
TW201309136A (zh) | 通過牽渉電子附著的無助焊劑技術來移除表面氧化物的設備及方法 | |
SG183626A1 (en) | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment | |
JPH0629264A (ja) | 表面処理方法 | |
JPH04318171A (ja) | 金属薄膜の形成方法 |