JPH02188020A - ホトカプラ回路および電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路 - Google Patents
ホトカプラ回路および電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路Info
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- JPH02188020A JPH02188020A JP1008312A JP831289A JPH02188020A JP H02188020 A JPH02188020 A JP H02188020A JP 1008312 A JP1008312 A JP 1008312A JP 831289 A JP831289 A JP 831289A JP H02188020 A JPH02188020 A JP H02188020A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ホトカプラで絶縁した信号を高速で伝達す
るホトカプラ回路に関し、特に電力用半導体素子を高速
で駆動できる電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路
に関する。
るホトカプラ回路に関し、特に電力用半導体素子を高速
で駆動できる電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路
に関する。
半導体素子のオン・オフ動作により電力変換を行う場合
に、この半導体素子に与えるオン・オフ信号は、ホトカ
プラなどで絶縁して伝達する。ところで、パルス幅変調
制御などによる電力変換では、このオン・オフ信号の伝
達は高速であることが要求されるので、この要求を満足
できるように、ホトカプラ回路を構成する必要がある。
に、この半導体素子に与えるオン・オフ信号は、ホトカ
プラなどで絶縁して伝達する。ところで、パルス幅変調
制御などによる電力変換では、このオン・オフ信号の伝
達は高速であることが要求されるので、この要求を満足
できるように、ホトカプラ回路を構成する必要がある。
第１２図はホトカプラを用いて信号を伝達するホトカプ
ラ回路の第１従来例を示した回路図である。
ラ回路の第１従来例を示した回路図である。
この第１２図において、電力用半導体素子としてのパワ
トランジスタ２０にオン・オフ信号を絶縁して伝送する
べく、汎用のホトカプラ２を２個使用している。なぜな
らば、汎用のホトカプラは、受光用としてホトトランジ
スタを使用しているが、このホトトランジスタは、特に
オンからオフへの時間が長いために、この時間を短縮す
るためである。ここでホトトランジスタのオンリ１フ時
間が長いのは、このホトトランジスタに蓄積された余剰
キャリヤの消滅に時間を要するためである。
トランジスタ２０にオン・オフ信号を絶縁して伝送する
べく、汎用のホトカプラ２を２個使用している。なぜな
らば、汎用のホトカプラは、受光用としてホトトランジ
スタを使用しているが、このホトトランジスタは、特に
オンからオフへの時間が長いために、この時間を短縮す
るためである。ここでホトトランジスタのオンリ１フ時
間が長いのは、このホトトランジスタに蓄積された余剰
キャリヤの消滅に時間を要するためである。
第１３図はホトカプラを用いて信号を伝達するホトカプ
ラ回路の第２従来例を示した回路図である。
ラ回路の第２従来例を示した回路図である。
この第１３図に示す第２従来例回路では、信号を絶縁し
て伝達するのに、高速ホトカプラ２Ａを使用して、第１
従来例では２個使用していたホトカプラを１個にしてい
る。
て伝達するのに、高速ホトカプラ２Ａを使用して、第１
従来例では２個使用していたホトカプラを１個にしてい
る。
上述した第１と第２の従来例回路であきらかなように、
■汎用の、すなわち低速のホトカプラを使用すると、高
速での信号伝達を可能にするために、ホトカプラを２個
（スタート用とストップ用）使用せねばならないので、
ホトカプラ回路が複雑になり、部品点数が増大する、■
このホトカプラを導通させるのに、比較的大きな駆動電
流が必要であること、などの欠点を有する。
■汎用の、すなわち低速のホトカプラを使用すると、高
速での信号伝達を可能にするために、ホトカプラを２個
（スタート用とストップ用）使用せねばならないので、
ホトカプラ回路が複雑になり、部品点数が増大する、■
このホトカプラを導通させるのに、比較的大きな駆動電
流が必要であること、などの欠点を有する。
また高速ホトカプラを使用すれば１個でよいけれども、
■高速ホトカプラは高価である、■汎用のホトカプラに
くらべて大形になる、■導通には比較的大きな駆動電流
を必要とする、などの欠点を有している。
■高速ホトカプラは高価である、■汎用のホトカプラに
くらべて大形になる、■導通には比較的大きな駆動電流
を必要とする、などの欠点を有している。
そこでこの発明の目的は、汎用の、すなわち低速のホト
カプラを用いながら、その使用個数を凍らして高速の信
号伝達を可能にするとともに、駆動電流も減少させよう
とするものである。
カプラを用いながら、その使用個数を凍らして高速の信
号伝達を可能にするとともに、駆動電流も減少させよう
とするものである。
上記の目的を達成するために、この発明のホトカプラ回
路は、発光素子に入力した信号を、受光用トランジスタ
から取出すホトカプラにおいて、前記受光用トランジス
タに、スイッチ用トランジスタのベース・エミッタ間を
直列接続し、この直列回路に第１直流電源を接続し、前
記スイッチ用トランジスタのコレクタを前記第１直流電
源、または別途の第２直流電源に接続し、当該スイッチ
用トランジスタのコレクタから出力信号を取出すものと
する。
路は、発光素子に入力した信号を、受光用トランジスタ
から取出すホトカプラにおいて、前記受光用トランジス
タに、スイッチ用トランジスタのベース・エミッタ間を
直列接続し、この直列回路に第１直流電源を接続し、前
記スイッチ用トランジスタのコレクタを前記第１直流電
源、または別途の第２直流電源に接続し、当該スイッチ
用トランジスタのコレクタから出力信号を取出すものと
する。
〔作用］
この発明は、ホトカプラの受光用トランジスタ（ホトト
ランジスタ）のコレクタ・エミッタ間に、別のスイッチ
用トランジスタのベース・エミッタ間を直列に接続して
、この回路に電圧を印加する構成にして、受光用トラン
ジスタを活性領域で動作させることにより、。当該受光
用トランジスタはオン状態にあっても余剰キャリヤは蓄
積されず、従ってオンからオフへの移行時間も短縮でき
る。
ランジスタ）のコレクタ・エミッタ間に、別のスイッチ
用トランジスタのベース・エミッタ間を直列に接続して
、この回路に電圧を印加する構成にして、受光用トラン
ジスタを活性領域で動作させることにより、。当該受光
用トランジスタはオン状態にあっても余剰キャリヤは蓄
積されず、従ってオンからオフへの移行時間も短縮でき
る。
さらにこの受光用トランジスタのコレクタ・エミッタ間
電圧は、当該ホトカプラのオンまたはオフのいずれであ
っても印加する電源の電圧にほぼ等しく、１′ｆ流出力
形のスイッチとして動作し、その駆動電流を低減できる
ものである。
電圧は、当該ホトカプラのオンまたはオフのいずれであ
っても印加する電源の電圧にほぼ等しく、１′ｆ流出力
形のスイッチとして動作し、その駆動電流を低減できる
ものである。
第１図は本発明の第１実施例をあられした回路図である
。
。
この第１図において、汎用の、あるいは低速のホトカプ
ラ（以下では単にホトカプラと称する）２の入力側には
入力抵抗１が設けてあり、入力端に印加される電圧と、
この入力抵抗１の抵抗値とから、ホトカプラ２の駆動型
ａ Ｉ ｙの値が決まる。
ラ（以下では単にホトカプラと称する）２の入力側には
入力抵抗１が設けてあり、入力端に印加される電圧と、
この入力抵抗１の抵抗値とから、ホトカプラ２の駆動型
ａ Ｉ ｙの値が決まる。
駆動電流ＩＦが流れると、ホトカプラ２の出力側にある
受光用トランジスタがオンになるが、この受光用トラン
ジスタには、ＮＰＮトランジスタを使用したスイッチ用
トランジスタ４のベース・エミッタ間が直列接続され、
これに第１直流電源６を接続している。この第１直流電
ａ６の電圧を■１ スイッチ用トランジスタ４のベー
ス・エミッタ間電圧を■、 とすると、受光用トランジ
スタのコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥは下記の（１１
式％式％（１） ここでＶ、は０．６〜０．７ボルト程度の低い値である
ことから、ｖｃ！はほぼ第１電流電源６の電圧■、に近
い値となる。従って受光用トランジスタは活性領域で使
用されることになる。それ故、ホトカプラ２のスイッチ
ング速度は大幅に向上する。
受光用トランジスタがオンになるが、この受光用トラン
ジスタには、ＮＰＮトランジスタを使用したスイッチ用
トランジスタ４のベース・エミッタ間が直列接続され、
これに第１直流電源６を接続している。この第１直流電
ａ６の電圧を■１ スイッチ用トランジスタ４のベー
ス・エミッタ間電圧を■、 とすると、受光用トランジ
スタのコレクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥは下記の（１１
式％式％（１） ここでＶ、は０．６〜０．７ボルト程度の低い値である
ことから、ｖｃ！はほぼ第１電流電源６の電圧■、に近
い値となる。従って受光用トランジスタは活性領域で使
用されることになる。それ故、ホトカプラ２のスイッチ
ング速度は大幅に向上する。
第２図は第１図に示す第１実施例回路の動作をあられし
たタイムチャートであって、第２図（イ）はホトカプラ
２を駆動する電流■、の変化、第２図（ロ）はホトカプ
ラ２の出力電圧ｖｃ！の変化、第２図（ハ）はホトカプ
ラ回路の出力電圧■。の変化を、それぞれがあられして
いる。
たタイムチャートであって、第２図（イ）はホトカプラ
２を駆動する電流■、の変化、第２図（ロ）はホトカプ
ラ２の出力電圧ｖｃ！の変化、第２図（ハ）はホトカプ
ラ回路の出力電圧■。の変化を、それぞれがあられして
いる。
この第１図と第２図とであきらかなように、ホトカプラ
駆動ｉｉ１ ｉ！ＩｉＩ Ｆが立上ると、受光側トラン
ジスタには、第１直流電源６→受光用トランジスタのコ
レクタ→同エミッタ→スイッチ用トランジスタ４のベー
ス→同エミッタ→第１直流電源６の経路で、当該受光用
トランジスタの特性で定まる電流が、ごく僅かの遅れ時
間経過後に流れる。その結果、スイッチ用トランジスタ
４が導通して、回路の出力電圧は低しヘルになる。
駆動ｉｉ１ ｉ！ＩｉＩ Ｆが立上ると、受光側トラン
ジスタには、第１直流電源６→受光用トランジスタのコ
レクタ→同エミッタ→スイッチ用トランジスタ４のベー
ス→同エミッタ→第１直流電源６の経路で、当該受光用
トランジスタの特性で定まる電流が、ごく僅かの遅れ時
間経過後に流れる。その結果、スイッチ用トランジスタ
４が導通して、回路の出力電圧は低しヘルになる。
ホトカプラ駆動電流１．が低゛レベルに立下るとき、ス
イッチ用トランジスタ４に蓄積されたキャリヤは、抵抗
３を介してはき出されて、このスイッチ用トランジスタ
４はオフとなり、回路の出力ｉｔ 圧Ｖ ｏは高レベル
、すなわち第２直流電源７の電圧と等しい値となる。こ
こでスイッチ用トランジスタ４のキャリヤ消滅時間がご
く短時間の場合には、抵抗３を省略することもできる。
イッチ用トランジスタ４に蓄積されたキャリヤは、抵抗
３を介してはき出されて、このスイッチ用トランジスタ
４はオフとなり、回路の出力ｉｔ 圧Ｖ ｏは高レベル
、すなわち第２直流電源７の電圧と等しい値となる。こ
こでスイッチ用トランジスタ４のキャリヤ消滅時間がご
く短時間の場合には、抵抗３を省略することもできる。
第３図は本発明の第２実施例をあられした回路図であっ
て、スイッチ用トランジスタ４ＡがＰＮＰトランジスタ
であって、そのために第１図に示す第１実施例回路とは
接続がやや異なっているのを除けば、入力抵抗１１ホト
カプラ２）抵抗３と５、第１直流電源６および第２直流
電源７の機能は、前述の第１実施例の場合と同じである
。
て、スイッチ用トランジスタ４ＡがＰＮＰトランジスタ
であって、そのために第１図に示す第１実施例回路とは
接続がやや異なっているのを除けば、入力抵抗１１ホト
カプラ２）抵抗３と５、第１直流電源６および第２直流
電源７の機能は、前述の第１実施例の場合と同じである
。
第４図は本発明の第３実施例をあられした回路図であっ
て、ホトカプラ２の受光用トランジスタの電源と、スイ
ッチ用トランジスタ４の電源とを、共通の第１直流電［
６を使用するようにして、第２直流電源７を省略してい
るが、それ以外の回路構成は第１図に示した第１実施例
回路と同じである。
て、ホトカプラ２の受光用トランジスタの電源と、スイ
ッチ用トランジスタ４の電源とを、共通の第１直流電［
６を使用するようにして、第２直流電源７を省略してい
るが、それ以外の回路構成は第１図に示した第１実施例
回路と同じである。
第５図は本発明の第４実施例をあられした回路図であっ
て、ホトカプラ２の受光側トランジスタ用として第１直
流電源６を、またスイッチ用トランジスタ４には第１直
流電源６と第２直流電源７との直列接続回路を用意して
おり、それ以外の回路構成は、第１図に示した第１実施
例回路と同じである。
て、ホトカプラ２の受光側トランジスタ用として第１直
流電源６を、またスイッチ用トランジスタ４には第１直
流電源６と第２直流電源７との直列接続回路を用意して
おり、それ以外の回路構成は、第１図に示した第１実施
例回路と同じである。
第６図は本発明の第１応用例をあられした回路図であっ
て、ホトカプラ２以降の回路は第１図に示した第１実施
例回路と同じであるが、ホトカプラ２への信号入力回路
が異なっている。
て、ホトカプラ２以降の回路は第１図に示した第１実施
例回路と同じであるが、ホトカプラ２への信号入力回路
が異なっている。
すなわち、ホトカプラ２の入力端に設置している入力抵
抗ｌに並列に、抵抗とコンデンサとで構成した微分回路
８を接続して、ホトカプラ駆動電流ＩＦの変化を強調し
ているので、当該ホトカプラ２をオンさせる場合の信号
伝達時間の短縮を図ることができる。
抗ｌに並列に、抵抗とコンデンサとで構成した微分回路
８を接続して、ホトカプラ駆動電流ＩＦの変化を強調し
ているので、当該ホトカプラ２をオンさせる場合の信号
伝達時間の短縮を図ることができる。
第７図は本発明の第２応用例をあられした回路図であっ
て、第６図に示した第１応用例回路と同様に、ホトカプ
ラをオンさせる際の信号伝達時間の短縮を図るものであ
る。
て、第６図に示した第１応用例回路と同様に、ホトカプ
ラをオンさせる際の信号伝達時間の短縮を図るものであ
る。
すなわちホトカプラ２の入力端に設けた入力抵抗１に流
れる駆動電流１ｒ＋に、入力抵抗９を流れる駆動電流１
１ｚを重畳させるようにしている。
れる駆動電流１ｒ＋に、入力抵抗９を流れる駆動電流１
１ｚを重畳させるようにしている。
第８図は電力用半導体素子を駆動する本発明の第５実施
例を示した回路図である。
例を示した回路図である。
この第８図は、電力用半導体素子としてのパワトランジ
スタ２０をオン・オフ動作させるべく、その動作信号を
ホトカプラ２で絶縁し、かつ高速で信号伝達を行わせる
ものである。そのために、ホトカプラ２の受光用トラン
ジスタに、スイッチ用トランジスタ４のゲート・エミッ
タ間を直列に接続して、パワトランジスタ２０の逆バイ
アス電′ａ１６をこの直列回路に接続する。さらに逆バ
イイアス電源１６ と順バイアス電ａ １５ との直列
回路をスイッチ用トランジスタ４のコレクタ・エミッタ
間に接続し、このスイッチ用トランジスタ４の動作を順
バイアストランジスタ１１ と逆バイアストランジスタ
１２のゲートに与える。
スタ２０をオン・オフ動作させるべく、その動作信号を
ホトカプラ２で絶縁し、かつ高速で信号伝達を行わせる
ものである。そのために、ホトカプラ２の受光用トラン
ジスタに、スイッチ用トランジスタ４のゲート・エミッ
タ間を直列に接続して、パワトランジスタ２０の逆バイ
アス電′ａ１６をこの直列回路に接続する。さらに逆バ
イイアス電源１６ と順バイアス電ａ １５ との直列
回路をスイッチ用トランジスタ４のコレクタ・エミッタ
間に接続し、このスイッチ用トランジスタ４の動作を順
バイアストランジスタ１１ と逆バイアストランジスタ
１２のゲートに与える。
このような回路構成により、受光用トランジスタは余剰
キャリヤの蓄積がないので、ホトカプラ２に入力する駆
動電流１．が零になったときの信号伝達の遅れ時間を、
極めて僅かな値に短縮でき、パワトランジスタ２０を使
用する電力変換装置の性能を大幅に向上できる。
キャリヤの蓄積がないので、ホトカプラ２に入力する駆
動電流１．が零になったときの信号伝達の遅れ時間を、
極めて僅かな値に短縮でき、パワトランジスタ２０を使
用する電力変換装置の性能を大幅に向上できる。
また、スイッチ用トランジスタ４の駆動に必要な電流が
僅かでよいことと、活性領域で使用することから、ホト
カプラ２の電流伝達比が大となる。
僅かでよいことと、活性領域で使用することから、ホト
カプラ２の電流伝達比が大となる。
すなわち、ホトカプラ２の駆動電流ＩＦの値を従来に比
して低減することができる。
して低減することができる。
第９図は電力用半導体素子を駆動する本発明の第６実施
例を示した回路図であって、スイッチ用トランジスタ４
の次段に増幅用トランジスタ １７を設け、この増幅用
トランジスタ１７により順バイアストランジスタ１１
と逆バイアストランジスタ １２とを作動させるように
していることを除けば、その他の回路は第８図で既述の
第５実施例回路と同じである。
例を示した回路図であって、スイッチ用トランジスタ４
の次段に増幅用トランジスタ １７を設け、この増幅用
トランジスタ１７により順バイアストランジスタ１１
と逆バイアストランジスタ １２とを作動させるように
していることを除けば、その他の回路は第８図で既述の
第５実施例回路と同じである。
第１０図は電力用半導体素子を駆°動する本発明の第７
実施例を示した回路図であるが、この第７実施例ではＰ
ＮＰ ）ランジスタを順バイアストランジスタ２１ と
し、ＮＰＮ ）ランジスタを逆バイアストランジスタ２
２ としているのが、第８図の第５実施例回路と異なる
ところであり、これ以外はすべて同じである。
実施例を示した回路図であるが、この第７実施例ではＰ
ＮＰ ）ランジスタを順バイアストランジスタ２１ と
し、ＮＰＮ ）ランジスタを逆バイアストランジスタ２
２ としているのが、第８図の第５実施例回路と異なる
ところであり、これ以外はすべて同じである。
第１１図は電力用半導体素子を駆動する本発明の第８実
施例を示した回路図である。
施例を示した回路図である。
この第１１図においては、抵抗２４ と定電圧ダイオー
ド２３との直列回路を順バイアス電源１５に接続するこ
とで、この定電圧ダイオード２３が逆バイアス電源とし
ての機能を果たしているので、一方の直流電源が省略で
きる。さらにホトカプラ２への信号入力回路が第８図に
示した第５実施例回路と異なっている。
ド２３との直列回路を順バイアス電源１５に接続するこ
とで、この定電圧ダイオード２３が逆バイアス電源とし
ての機能を果たしているので、一方の直流電源が省略で
きる。さらにホトカプラ２への信号入力回路が第８図に
示した第５実施例回路と異なっている。
すなわち、ホトカプラ２の入力側に設置している入力抵
抗１に並列に、抵抗とコンデンサとで構成した微分回路
８を接続して、ホトカプラ駆動電流■、の変化を強調し
ているので、当該ホトカプラ２をオンさせる場合の信号
伝達時間の短縮を図ることができる。
抗１に並列に、抵抗とコンデンサとで構成した微分回路
８を接続して、ホトカプラ駆動電流■、の変化を強調し
ているので、当該ホトカプラ２をオンさせる場合の信号
伝達時間の短縮を図ることができる。
上述した第７図におけるホトカプラ駆動電流を大にする
ために抵抗１と９とを使用する方式、あるいは第６図と
第１１図における微分回路８を使用する方式、さらに第
１１図における定電圧ダイオード２３を直流電源に代用
する方式は、これらを採用していない他の実施例回路や
応用例回路に適用できることは勿論である。
ために抵抗１と９とを使用する方式、あるいは第６図と
第１１図における微分回路８を使用する方式、さらに第
１１図における定電圧ダイオード２３を直流電源に代用
する方式は、これらを採用していない他の実施例回路や
応用例回路に適用できることは勿論である。
この発明によれば、ホトカプラの受光用トランジスタと
スイッチ用トランジスタのベース・エミッタ間、および
第１直流電源とを直列に接続し、ホトカプラを活性領域
で動作する電流出力スイッチとして使用し、スイッチ用
トランジスタのコレクタから出力信号を取出す構成にし
ているので、特にオフ信号に伝達遅れがある汎用のホト
カプラを使用しても、高速度で信号を伝達することがで
きることになり、大形で高価な高速ホトカプラを使用す
る必要がなくなった。そのために特に高速動作を要求す
る電力変換装置に°汎用ホトカプラを適用できて、装置
を小形・低コストにすることができる効果がある。さら
に電流出力スイッチとして使用し、電流伝達比が大であ
るこ、とから、ホトカプラ駆動電流を低減でき、この面
でも装置の小形化と低コスト化に寄与することができる
。
スイッチ用トランジスタのベース・エミッタ間、および
第１直流電源とを直列に接続し、ホトカプラを活性領域
で動作する電流出力スイッチとして使用し、スイッチ用
トランジスタのコレクタから出力信号を取出す構成にし
ているので、特にオフ信号に伝達遅れがある汎用のホト
カプラを使用しても、高速度で信号を伝達することがで
きることになり、大形で高価な高速ホトカプラを使用す
る必要がなくなった。そのために特に高速動作を要求す
る電力変換装置に°汎用ホトカプラを適用できて、装置
を小形・低コストにすることができる効果がある。さら
に電流出力スイッチとして使用し、電流伝達比が大であ
るこ、とから、ホトカプラ駆動電流を低減でき、この面
でも装置の小形化と低コスト化に寄与することができる
。
第１図は本発明の第１実施例をあられした回路図、第２
図は第１図に示す第１実施例回路の動作をあられしたタ
イムチャート、第３図は本発明の第２実施例をあられし
た回路図、第４図は本発明の第３実施例をあられした回
路図、第５図は本発明の第４実施例をあられした回路図
、第６図は本発明の第１応用例をあられした回路図、第
７図は本発明の第２応用例をあられした回路図、第８図
は電力用半導体素子を駆動する本発明の第５実施例を示
した回路図、第９図は電力用半導体素子を駆動する本発
明の第６実施例を示した回路図、第１θ図は電力用半導
体素子を駆動する本発明の第７実施例を示した回路図、
第１１図は電力用半導体素子を駆動する本発明の第８実
施例を示した回路図であり、第１２図はホトカプラを用
いて信号を伝達するホトカプラ回路の第１従来例を示し
た回路図、第１３図はホトカプラを用いて信号を伝達す
るホトカプラ回路の第２従来例を示した回路図である。 １．９・・・入力抵抗、２・・・ホトカプラ、２Ａ・・
・高速ホトカプラ、３． ５．１３．１４．１８．２４
・・・抵抗、４・・・スイッチ用トランジスタ、６・・
・第１直流電源、７・・・第２直流電源、８・・・微分
回路、１１．２１・・・順バイアストランジスタ、 １
２．２２・・・逆バイアストランジスタ、１５・・・順
バイアス電源、１６・・・逆バイアス電源、１７・・・
増幅トランジスタ、２０・・・電力用半導体素子として
のパワトランジスタ、２３・・・定電圧グイオ暮 図 ４又インチ用トラ〕しスタ あ 図 ′！５１０ 図
図は第１図に示す第１実施例回路の動作をあられしたタ
イムチャート、第３図は本発明の第２実施例をあられし
た回路図、第４図は本発明の第３実施例をあられした回
路図、第５図は本発明の第４実施例をあられした回路図
、第６図は本発明の第１応用例をあられした回路図、第
７図は本発明の第２応用例をあられした回路図、第８図
は電力用半導体素子を駆動する本発明の第５実施例を示
した回路図、第９図は電力用半導体素子を駆動する本発
明の第６実施例を示した回路図、第１θ図は電力用半導
体素子を駆動する本発明の第７実施例を示した回路図、
第１１図は電力用半導体素子を駆動する本発明の第８実
施例を示した回路図であり、第１２図はホトカプラを用
いて信号を伝達するホトカプラ回路の第１従来例を示し
た回路図、第１３図はホトカプラを用いて信号を伝達す
るホトカプラ回路の第２従来例を示した回路図である。 １．９・・・入力抵抗、２・・・ホトカプラ、２Ａ・・
・高速ホトカプラ、３． ５．１３．１４．１８．２４
・・・抵抗、４・・・スイッチ用トランジスタ、６・・
・第１直流電源、７・・・第２直流電源、８・・・微分
回路、１１．２１・・・順バイアストランジスタ、 １
２．２２・・・逆バイアストランジスタ、１５・・・順
バイアス電源、１６・・・逆バイアス電源、１７・・・
増幅トランジスタ、２０・・・電力用半導体素子として
のパワトランジスタ、２３・・・定電圧グイオ暮 図 ４又インチ用トラ〕しスタ あ 図 ′！５１０ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）発光素子に入力した信号を、受光用トランジスタか
ら取出すホトカプラにおいて、前記受光用トランジスタ
に、スイッチ用トランジスタのベース・エミッタ間を直
列接続し、この直列回路に第１直流電源を接続し、前記
スイッチ用トランジスタのコレクタに抵抗を介して前記
第１直流電源、または別途の第２直流電源に接続し、当
該スイッチ用トランジスタのコレクタから出力信号を取
出すことを特徴とするホトカプラ回路。 ２）特許請求の範囲第１項記載のホトカプラ回路におい
て、電力用半導体素子の逆バイアス用電圧源の正負極間
に、前記受光用トランジスタとスイッチ用トランジスタ
のベース・エミッタ間との直列回路を接続し、当該スイ
ッチ用トランジスタのコレクタからの出力信号を、前記
電力用半導体素子の動作信号に使用することを特徴とす
る電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008312A JPH02188020A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | ホトカプラ回路および電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路 |
| EP90300392A EP0379320A1 (en) | 1989-01-17 | 1990-01-15 | Photocoupler circuit |
| US07/466,492 US5043587A (en) | 1989-01-17 | 1990-01-17 | Photocoupler circuit having DC power source in series with detection and switching means |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1008312A JPH02188020A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | ホトカプラ回路および電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188020A true JPH02188020A (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=11689636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1008312A Pending JPH02188020A (ja) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | ホトカプラ回路および電力用半導体素子の駆動用ホトカプラ回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5043587A (ja) |
| EP (1) | EP0379320A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02188020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003529945A (ja) * | 2000-03-31 | 2003-10-07 | マイクロ・モーション・インコーポレーテッド | 本質的に安全でない回路のための光結合器 |
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|---|---|---|---|---|
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| US5182456A (en) * | 1992-02-25 | 1993-01-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Noise attenuating circuit for mechanical relay including optical isolation |
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1989
- 1989-01-17 JP JP1008312A patent/JPH02188020A/ja active Pending
-
1990
- 1990-01-15 EP EP90300392A patent/EP0379320A1/en not_active Withdrawn
- 1990-01-17 US US07/466,492 patent/US5043587A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JPS4919751A (ja) * | 1972-04-04 | 1974-02-21 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5043587A (en) | 1991-08-27 |
| EP0379320A1 (en) | 1990-07-25 |
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