JPH02187725A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH02187725A JPH02187725A JP1285054A JP28505489A JPH02187725A JP H02187725 A JPH02187725 A JP H02187725A JP 1285054 A JP1285054 A JP 1285054A JP 28505489 A JP28505489 A JP 28505489A JP H02187725 A JPH02187725 A JP H02187725A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液晶表示素子の製造方法に関するものであ
って、より詳しくは液晶表示素子の液晶分子を一定方向
に配向させる配向膜が均一な厚さを有するようにするこ
とができる液晶表示素子の製造方法に関する。
って、より詳しくは液晶表示素子の液晶分子を一定方向
に配向させる配向膜が均一な厚さを有するようにするこ
とができる液晶表示素子の製造方法に関する。
電気光学効果を利用した液晶表示素子の一種類が、第1
図に示しである。この図面に示した液晶表示素子は、透
明なガラスから成る第一基板(1a)と第二基板(1b
)とがスペーサーの役割をするシーリング材(4)によ
って所定の間隔で平行に結合されている。この場合、上
記シーリング材(4)は一般にフリットガラスや有機接
着剤が使用されるが、図面にはその高さが誇張し°ζ表
現されている。一方、上記第一基板(1a)と第二基板
(1b)によって形成される空間部には、液晶(5)が
充填され、第一基板と第二基板の内側面には上記液晶(
5)を所定の方向に配向させる配向膜(3a)、(3b
)と、配向膜(3a)と(3b)の間に電界を形成する
電極(2a)。
図に示しである。この図面に示した液晶表示素子は、透
明なガラスから成る第一基板(1a)と第二基板(1b
)とがスペーサーの役割をするシーリング材(4)によ
って所定の間隔で平行に結合されている。この場合、上
記シーリング材(4)は一般にフリットガラスや有機接
着剤が使用されるが、図面にはその高さが誇張し°ζ表
現されている。一方、上記第一基板(1a)と第二基板
(1b)によって形成される空間部には、液晶(5)が
充填され、第一基板と第二基板の内側面には上記液晶(
5)を所定の方向に配向させる配向膜(3a)、(3b
)と、配向膜(3a)と(3b)の間に電界を形成する
電極(2a)。
(2b)がそれぞれ形成される。
このような構造の液晶表示素子の製造方法は、次の通り
である。
である。
先ず、透明導電膜が塗布された第−及び第二基板(la
)、 (lb)の内側面にリソグラフィー(Li t
hography)法を利用して所定パターンの透明電
極(2a)、(2b)を形成する。そして、第−及び第
二基板(Ia)、(lb)の電極(2a)、(2b)の
上部層にスピンナー(Spinner)やオフセット印
刷方式を利用して配向膜(3a)(3b)を積層形成す
る。次いで、積層された配向膜を180〜250℃で高
温熱処理して硬化させたあと、液晶分子を一定方向に配
向させるそれぞれの配向膜(3a)、 (3b)を所
定の角度でラビイング処理(rubbing)する。そ
して、第−及び第二基板(la)、(lb)をシーリン
グ材(4)を用いて所定間隔を有するように結合したあ
と、第−及び第二基板(la)、(lb)によって生成
された内部空間に液晶(5)を注入して密封させる。最
終的に上記の第−及び第二基板(la)。
)、 (lb)の内側面にリソグラフィー(Li t
hography)法を利用して所定パターンの透明電
極(2a)、(2b)を形成する。そして、第−及び第
二基板(Ia)、(lb)の電極(2a)、(2b)の
上部層にスピンナー(Spinner)やオフセット印
刷方式を利用して配向膜(3a)(3b)を積層形成す
る。次いで、積層された配向膜を180〜250℃で高
温熱処理して硬化させたあと、液晶分子を一定方向に配
向させるそれぞれの配向膜(3a)、 (3b)を所
定の角度でラビイング処理(rubbing)する。そ
して、第−及び第二基板(la)、(lb)をシーリン
グ材(4)を用いて所定間隔を有するように結合したあ
と、第−及び第二基板(la)、(lb)によって生成
された内部空間に液晶(5)を注入して密封させる。最
終的に上記の第−及び第二基板(la)。
(lb)の外イリリ面に偏光板(6a)、 (6b)
を取り(Jけることにより液晶素子を完成する。
を取り(Jけることにより液晶素子を完成する。
ところが、上記の配向膜(3a)、 (3b)の製造
工程中180〜250℃の高温熱処理工程が遂行させる
ようになるが、配向膜の素材に含有された有機溶剤が急
激に揮発されるようになることにより、第2図に示した
ように、配向11fJ(aa)(3b)の厚さが不均一
になり、表面にむらが発生ずるようになる。
工程中180〜250℃の高温熱処理工程が遂行させる
ようになるが、配向膜の素材に含有された有機溶剤が急
激に揮発されるようになることにより、第2図に示した
ように、配向11fJ(aa)(3b)の厚さが不均一
になり、表面にむらが発生ずるようになる。
このように表面が荒く、厚さが不均一に形成された配向
膜によれば、黒白S T N (Super twis
ted)モードや、ネガティブ駆動方式のブルーモード
(blue mode)の液晶表示素子の場合、画面に
直接悪影響を及ぼずようになるが、画質が顕著に低下す
るようになる。
膜によれば、黒白S T N (Super twis
ted)モードや、ネガティブ駆動方式のブルーモード
(blue mode)の液晶表示素子の場合、画面に
直接悪影響を及ぼずようになるが、画質が顕著に低下す
るようになる。
この発明は、上記の問題点を改善し得るものであって、
加工状態が良い配向膜を有する液晶表示素子の製造方法
を提供するごとにその目的がある。
加工状態が良い配向膜を有する液晶表示素子の製造方法
を提供するごとにその目的がある。
この発明は、液晶表示素子の製造工程中、所定形状の電
極が形成された基板の内面に配向膜を積層したあと、こ
れを熱処理するが、低温予備熱処理一 理段階と高温本熱処理段階を通じて上記配向膜を硬化さ
せるようにする点に特徴がある。
極が形成された基板の内面に配向膜を積層したあと、こ
れを熱処理するが、低温予備熱処理一 理段階と高温本熱処理段階を通じて上記配向膜を硬化さ
せるようにする点に特徴がある。
〔作 用]
上記のように、配向膜を熱処理するとき、低温予備熱処
理が遂行されれば、配向膜の素材に含有されている有機
溶剤が徐々に蒸発する。そして、高温熱処理を行うと、
予備熱処理を通じて有機溶剤が殆ど除去された配向膜が
固く硬化されるようになる。このようにすることにより
、有機溶剤の急激な揮発による配向膜の厚さの不均一・
が排除され、ひいては不良な配向膜による画質の低下が
防止される。
理が遂行されれば、配向膜の素材に含有されている有機
溶剤が徐々に蒸発する。そして、高温熱処理を行うと、
予備熱処理を通じて有機溶剤が殆ど除去された配向膜が
固く硬化されるようになる。このようにすることにより
、有機溶剤の急激な揮発による配向膜の厚さの不均一・
が排除され、ひいては不良な配向膜による画質の低下が
防止される。
第−及び第二基板(la)、(Ib)の内側表面に、ス
パッタリング法で透明な導電性材料を適当な厚さにコー
ティングしたあと、リソグラフィ法を用いて所定のパタ
ーンの電極(2a)、(2b)を形成する。そして、電
極の上部層にオフセット印刷方式やスピン・コーティン
グ法を用いて800〜1200人程度の厚さを有する配
向膜(3a)、(3b)を積層形成する。次いで、上記
第−及び第二基板(la)、(lb)を乾式オーブン(
Dry 0ven)内で80〜120℃の温度に約30
〜60秒間予備加熱する。そして更に180〜250℃
の温度範囲で本熱処理を一定時間の間実行する。
パッタリング法で透明な導電性材料を適当な厚さにコー
ティングしたあと、リソグラフィ法を用いて所定のパタ
ーンの電極(2a)、(2b)を形成する。そして、電
極の上部層にオフセット印刷方式やスピン・コーティン
グ法を用いて800〜1200人程度の厚さを有する配
向膜(3a)、(3b)を積層形成する。次いで、上記
第−及び第二基板(la)、(lb)を乾式オーブン(
Dry 0ven)内で80〜120℃の温度に約30
〜60秒間予備加熱する。そして更に180〜250℃
の温度範囲で本熱処理を一定時間の間実行する。
この熱処理が完了したあとには、通常の後続工程を通し
て液晶表示素子を完成する。
て液晶表示素子を完成する。
以上のような液晶表示素子の製造方法r4J、この発明
の特徴的な要素である熱処理方式によれば、配向膜(3
a)、(3b)が硬化する過程のうち、低温の予備熱処
理段階を通じて配向膜に含まれていた有機溶剤が漸次蒸
発(揮発)するため、有機溶剤に不均一な揮発による配
向膜の不均一・化が防止されて第3図に示すように平ら
な表面の配向膜(3a)、 (3b)が得られる。即
ち、この発明は予備熱処理を通じて配向膜の厚さの不均
一を招く有機溶剤の蒸発を導き、本熱処理を通じて配向
膜の硬化を遂行する。
の特徴的な要素である熱処理方式によれば、配向膜(3
a)、(3b)が硬化する過程のうち、低温の予備熱処
理段階を通じて配向膜に含まれていた有機溶剤が漸次蒸
発(揮発)するため、有機溶剤に不均一な揮発による配
向膜の不均一・化が防止されて第3図に示すように平ら
な表面の配向膜(3a)、 (3b)が得られる。即
ち、この発明は予備熱処理を通じて配向膜の厚さの不均
一を招く有機溶剤の蒸発を導き、本熱処理を通じて配向
膜の硬化を遂行する。
以上説明したように、この発明によれば、良質の配向膜
を有する液晶表示素子を製造することができるようにな
るが、それは配向膜の熱処理段階が低温予備加熱段階と
高温本加熱段階とに二分化され、効果的な有ja溶剤の
蒸発と、配向膜の硬化が可能であるからである。このよ
うにして、良質の画質を示す液晶表示素子を製造するこ
とができるようになる。
を有する液晶表示素子を製造することができるようにな
るが、それは配向膜の熱処理段階が低温予備加熱段階と
高温本加熱段階とに二分化され、効果的な有ja溶剤の
蒸発と、配向膜の硬化が可能であるからである。このよ
うにして、良質の画質を示す液晶表示素子を製造するこ
とができるようになる。
第1図は、−i的な液晶表示素子の断面図である。
第2図は、従来の液晶素子の製造方法による基板上面の
配向膜の形成状態を誇張して示した断面図である。 第3図は、この発明の液晶表示素子の製造方法による基
板上面の配向膜の形成状態を誇張して示した断面図であ
る。 図中参照符号: la、lb・・・第一、第二基板、 2a、2b・・・透明電極、 3a、3b・・・配向膜、 4・・・シーリング材、 5・・・液晶、 6a、6b・・・偏光板。
配向膜の形成状態を誇張して示した断面図である。 第3図は、この発明の液晶表示素子の製造方法による基
板上面の配向膜の形成状態を誇張して示した断面図であ
る。 図中参照符号: la、lb・・・第一、第二基板、 2a、2b・・・透明電極、 3a、3b・・・配向膜、 4・・・シーリング材、 5・・・液晶、 6a、6b・・・偏光板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定形状の電極が形成された基板の内側面に配向膜
を積層したあと、これを熱処理し、低温予備熱処理段階
と、高温本熱処理段階とを通じて上記配向膜に含まれて
いる有機溶剤を蒸発させた後、上記配向膜を硬化させる
ようにすることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 2、上記低温予備熱処理段階が、80〜120℃の温度
範囲で30〜60秒間遂行されるようにすることを特徴
とする請求項1記載の液晶表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR88-14455 | 1988-11-03 | ||
KR1019880014455A KR920003350B1 (ko) | 1988-11-03 | 1988-11-03 | 액정표시소자의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02187725A true JPH02187725A (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=19278991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1285054A Pending JPH02187725A (ja) | 1988-11-03 | 1989-11-02 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02187725A (ja) |
KR (1) | KR920003350B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100576113B1 (ko) * | 1999-01-22 | 2006-05-03 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정표시기용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58129416A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-02 | Canon Inc | 電極板の製造法 |
JPS58130325A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Canon Inc | 電極板の製造法 |
-
1988
- 1988-11-03 KR KR1019880014455A patent/KR920003350B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1285054A patent/JPH02187725A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58129416A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-02 | Canon Inc | 電極板の製造法 |
JPS58130325A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Canon Inc | 電極板の製造法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR900008308A (ko) | 1990-06-03 |
KR920003350B1 (ko) | 1992-04-30 |
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