JPH02186525A - 貯蔵形ディスペンサー陰極及びその製造方法 - Google Patents
貯蔵形ディスペンサー陰極及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
- H01J9/042—Manufacture, activation of the emissive part
-
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- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/28—Dispenser-type cathodes, e.g. L-cathode
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- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の利用分野)
本発明はブラウン管及び撮像管等の電子管に使用される
ディスペンサー陰極、特に貯蔵形ディスベンザー陰極及
びその製造方法に係るものである。
ディスペンサー陰極、特に貯蔵形ディスベンザー陰極及
びその製造方法に係るものである。
(発明の背景)
ディスペンサー陰極は含浸形と多貯蔵形とで大別され、
含浸形陰極は多孔性の金属基体の空孔部にアルカリ稀1
−類化合物等の電子放出物質が含浸されであるものであ
り、貯蔵形陰極は多孔性基体と電子放出物質が貯蔵槽(
カップ)に積層内蔵されであるものである。これらのデ
ィスベンザ−陰極に使用される電子放出物質としてはB
aO,Cao、Al2O3を焼結処理してなるバリウム
。
含浸形陰極は多孔性の金属基体の空孔部にアルカリ稀1
−類化合物等の電子放出物質が含浸されであるものであ
り、貯蔵形陰極は多孔性基体と電子放出物質が貯蔵槽(
カップ)に積層内蔵されであるものである。これらのデ
ィスベンザ−陰極に使用される電子放出物質としてはB
aO,Cao、Al2O3を焼結処理してなるバリウム
。
カルンウム、アルミン酸塩又はBaOを主成分としてM
gO,SrO,Sc203及び稀1.類金属酸化物を混
合した化合物が主に使用され、1′、記多孔性金属基体
の月料としては、融点が高く、耐イオン性及び耐衝撃性
が強いW、 Mo、 I r、 Re。
gO,SrO,Sc203及び稀1.類金属酸化物を混
合した化合物が主に使用され、1′、記多孔性金属基体
の月料としては、融点が高く、耐イオン性及び耐衝撃性
が強いW、 Mo、 I r、 Re。
Os、Ru等の金属粉末及びこれらの合金粉末が使用さ
れる。かかるディスペンサー陰極の多孔性の金属基体は
ブレスジグによる成形段階と、水素又は真空雰囲気での
焼結段階と、電子放出物質の含浸段階等を介して製作さ
れる。
れる。かかるディスペンサー陰極の多孔性の金属基体は
ブレスジグによる成形段階と、水素又は真空雰囲気での
焼結段階と、電子放出物質の含浸段階等を介して製作さ
れる。
このようなディスベンザ−陰極は高い熱電r放出性質を
長時間の間維持しうる長所をイイし、多様な用途の電r
−管用の陰極として継続的な研究開発がされている。
長時間の間維持しうる長所をイイし、多様な用途の電r
−管用の陰極として継続的な研究開発がされている。
しかし、かかる従来のディスベンザ−陰極は1050〜
1200℃程度の高い温度でのみ動作されるので、これ
の部品設計1ユの各種の制限がある。
1200℃程度の高い温度でのみ動作されるので、これ
の部品設計1ユの各種の制限がある。
即ち、一般的な酸化物陰極に使用されるヒータより多い
熱量のヒーターが提供されなければならないし、それに
ともない周辺部品としてカップ。
熱量のヒーターが提供されなければならないし、それに
ともない周辺部品としてカップ。
スリーブ等の祠料も耐熱性金属に変更されなければなら
ない。更に、この問題点としては高温動作時に高温加熱
された多孔性金属基体から電子放出物質が容易に蒸発さ
れ、寿命が短縮される点と、蒸発された電子放出物質が
周辺部品等に(=J着されることによって、電子管の性
能を低下させるという点を挙げることができる。
ない。更に、この問題点としては高温動作時に高温加熱
された多孔性金属基体から電子放出物質が容易に蒸発さ
れ、寿命が短縮される点と、蒸発された電子放出物質が
周辺部品等に(=J着されることによって、電子管の性
能を低下させるという点を挙げることができる。
一方、陰極の動作温度を低くすることができるように改
良されたものとして、多孔性金属基体の熱電子放出面に
Os、Os合金又はIr等からなった薄いコーティング
層が形成された含浸形ディスペンサー陰極があるが、動
作温度が約150℃稈低められた反面、コーティング層
がイオン衝撃に弱くなり寿命が短い問題点がある(末国
特許第4.417,173号参照)。
良されたものとして、多孔性金属基体の熱電子放出面に
Os、Os合金又はIr等からなった薄いコーティング
層が形成された含浸形ディスペンサー陰極があるが、動
作温度が約150℃稈低められた反面、コーティング層
がイオン衝撃に弱くなり寿命が短い問題点がある(末国
特許第4.417,173号参照)。
また、Wを主相とする多孔性基体にSc成分を添加する
とか、多孔性基体の表面にWとSc203からなったコ
ーティング層を形成した含浸形ディスペンサー電極もあ
るが、まだ、満足し得る状態には至っていない(米国特
許第4,783.613−じ゛参照)。
とか、多孔性基体の表面にWとSc203からなったコ
ーティング層を形成した含浸形ディスペンサー電極もあ
るが、まだ、満足し得る状態には至っていない(米国特
許第4,783.613−じ゛参照)。
そして、貯蔵形ディスペンサー陰極としては第1図に図
示されているように、バリウム、カルシウム、アルミン
酸塩及びWを混合した第1ペレット1をスリーブ4の上
端部に固定された貯蔵槽2に蔵入した後にタングステン
またはタングステンの混合体からなる第2ペレット3を
もって密封したものが米国特許第4,823.o44−
;に開示されている。この動作温度は850〜1000
9Cで酸化物陰極動作温度(今750℃)に比べて、1
50℃以上高いので、程度の差異はあるが、前記のよう
な設旧の制限とこれによる問題点もやはり有する。
示されているように、バリウム、カルシウム、アルミン
酸塩及びWを混合した第1ペレット1をスリーブ4の上
端部に固定された貯蔵槽2に蔵入した後にタングステン
またはタングステンの混合体からなる第2ペレット3を
もって密封したものが米国特許第4,823.o44−
;に開示されている。この動作温度は850〜1000
9Cで酸化物陰極動作温度(今750℃)に比べて、1
50℃以上高いので、程度の差異はあるが、前記のよう
な設旧の制限とこれによる問題点もやはり有する。
(発明の目的)
本発明は製造が簡便し、寿命長久するのはもちろん酸化
陰極の動作温度帯においても動作可能な貯蔵形ディスペ
ンサー陰極を提供することにその目的がある。
陰極の動作温度帯においても動作可能な貯蔵形ディスペ
ンサー陰極を提供することにその目的がある。
また、本発明は上記の1」的を達成するディスペンサー
陰極を製造するのに一番適合する貯蔵形ディスペンサー
陰極の製造り法を提(JIGすることにまた他の目的が
ある。
陰極を製造するのに一番適合する貯蔵形ディスペンサー
陰極の製造り法を提(JIGすることにまた他の目的が
ある。
(発明の概要)
」−記の第1の目的を達成するために、本発明による貯
蔵形ディスペンサー陰極は、W、 Mo、 Ta及びこ
れらの合金からなるグループ中から選択される少なくと
も1種以上の金属粉末と、Os。
蔵形ディスペンサー陰極は、W、 Mo、 Ta及びこ
れらの合金からなるグループ中から選択される少なくと
も1種以上の金属粉末と、Os。
I r、 Ru、 Re及びこれらの合金からなるグル
ブ中から選択される少なくとも1挿具)−の金属粉末と
、Sc2O3を混合して成形、焼結した第1ペレットと
、バリウム、カルシウム、アルミン酸塩及びIn2O3
を混合して成形した第2ペレットと、1−記第1ペレッ
ト及び第2ペレットが嵌め込まれて固定されるカップ及
びこれを支持するスリーブを具備してなることを特徴と
する。
ブ中から選択される少なくとも1挿具)−の金属粉末と
、Sc2O3を混合して成形、焼結した第1ペレットと
、バリウム、カルシウム、アルミン酸塩及びIn2O3
を混合して成形した第2ペレットと、1−記第1ペレッ
ト及び第2ペレットが嵌め込まれて固定されるカップ及
びこれを支持するスリーブを具備してなることを特徴と
する。
そして、1−記の第2の1」的を達成するために本発明
の製造り法は、Os、 I r、 Ru、 Re及び
これらの合金からなるグループ中から選択される少なく
とも1挿具1″、の金属を粒径が2〜31tmの粉末状
に加下し、W、Mo、Ta及びこれらの合金からなるグ
ループ中から選択される少なくとも1押具−1−の金属
を粒径が3〜8μmの粉末状に加工して前記粉末等をS
c2O3と一緒に混合してプレス成形した後に真空雰囲
気で加焼し、水素雰囲気又は真空雰囲気で加熱しながら
焼結して多孔性第1ペレットを得、 バリウム、カルノウ11.アルミネートとIn2O3を
混合し非水溶性バインダーで圧縮成形して第2ベレツ1
〜を得、 −1−記第1ペレット及び第2ペレットをカップに嵌め
込んで溶接した後にスリーブの1.端部にカップを溶接
して製造することを特徴とする。
の製造り法は、Os、 I r、 Ru、 Re及び
これらの合金からなるグループ中から選択される少なく
とも1挿具1″、の金属を粒径が2〜31tmの粉末状
に加下し、W、Mo、Ta及びこれらの合金からなるグ
ループ中から選択される少なくとも1押具−1−の金属
を粒径が3〜8μmの粉末状に加工して前記粉末等をS
c2O3と一緒に混合してプレス成形した後に真空雰囲
気で加焼し、水素雰囲気又は真空雰囲気で加熱しながら
焼結して多孔性第1ペレットを得、 バリウム、カルノウ11.アルミネートとIn2O3を
混合し非水溶性バインダーで圧縮成形して第2ベレツ1
〜を得、 −1−記第1ペレット及び第2ペレットをカップに嵌め
込んで溶接した後にスリーブの1.端部にカップを溶接
して製造することを特徴とする。
(発明の実施例)
以下、第2図ないし第4図の図面を参照して本発明の貯
蔵形ディスペンサー陰極及びその製造ノJ′法を詳細に
説明する。
蔵形ディスペンサー陰極及びその製造ノJ′法を詳細に
説明する。
第2図は本発明の貯蔵形ディスペン勺−陰極を示した断
面図である。
面図である。
ここで、符−′、−11は、Os、I r、Ru、Re
及びこれらの合金中から選択される少なくとも1種以上
の金属とW、Mo、Taこれらの合金中から選択される
少なくとも1種以上の金属と、適量のS c 203を
混合して成形、焼結された多孔性第1ペレットである。
及びこれらの合金中から選択される少なくとも1種以上
の金属とW、Mo、Taこれらの合金中から選択される
少なくとも1種以上の金属と、適量のS c 203を
混合して成形、焼結された多孔性第1ペレットである。
そして、符−」12はバリウム、カルシウム、アルミン
酸塩とIn2O3を混合、成形した第2ペレットである
。符シ)13は第1−ペレット11及び第2ペレット1
2を内蔵して固定するW、MoまたはTaからなるカッ
プであり、符号14は第1ペレット11−及び第2ペレ
ツI・12が固定されたカップ1−3を支持するW、
MOまたはTaからなるスリーブであり、符ケ15は第
1ペレット11及び第2ベレツI・12を加熱して熱電
子か放出されるためのAl2O3が被覆されたW−3%
Reからなるヒーターである。
酸塩とIn2O3を混合、成形した第2ペレットである
。符シ)13は第1−ペレット11及び第2ペレット1
2を内蔵して固定するW、MoまたはTaからなるカッ
プであり、符号14は第1ペレット11−及び第2ペレ
ツI・12が固定されたカップ1−3を支持するW、
MOまたはTaからなるスリーブであり、符ケ15は第
1ペレット11及び第2ベレツI・12を加熱して熱電
子か放出されるためのAl2O3が被覆されたW−3%
Reからなるヒーターである。
このような構成を持つ本発明の貯蔵形ディスペンサー陰
極の製造ノブ法を次に説明する。
極の製造ノブ法を次に説明する。
粒径3〜811mのW粉末と粒径2〜311mの5C2
03の粉末を適当量に秤量する。この時、Sc2O3の
粉末はW粉末の1〜]−6w t%になるようにする。
03の粉末を適当量に秤量する。この時、Sc2O3の
粉末はW粉末の1〜]−6w t%になるようにする。
そして、W粉末及びSc2O3の粉末を充分に混合し、
円管状のプレスジグに入れてプレス成形した後に、10
00〜1300°Cの真空雰囲気で加焼し、水素雰囲気
または真空雰囲気で1700〜2000°Cの温度で加
熱しながら30分〜1時間程度焼結して15〜30%の
気孔を持つ多孔性金属基体の第1ペレット11を得る。
円管状のプレスジグに入れてプレス成形した後に、10
00〜1300°Cの真空雰囲気で加焼し、水素雰囲気
または真空雰囲気で1700〜2000°Cの温度で加
熱しながら30分〜1時間程度焼結して15〜30%の
気孔を持つ多孔性金属基体の第1ペレット11を得る。
ここで、Sc2O3の粉末は価格及び特性を考慮する場
合に、多孔性金属基体容積の50%以下である約16w
t9(、以下が望ましく、顕著な効果を得るためには2
0%以1.である約2 W t%以1がよい。一方Sc
2O3にO8,I r、 Ru、 Re及びこれらの合
金中から少なくとも1種以上の金属を混合した混合物を
使用しても、また1−記W粉末の代わりにMOまたはT
a粉末を使用してもよい。この時、Os、 I r、
Ru、 Reまたはこれらの合金の混合比はWに対し
て10〜40wt%である。
合に、多孔性金属基体容積の50%以下である約16w
t9(、以下が望ましく、顕著な効果を得るためには2
0%以1.である約2 W t%以1がよい。一方Sc
2O3にO8,I r、 Ru、 Re及びこれらの合
金中から少なくとも1種以上の金属を混合した混合物を
使用しても、また1−記W粉末の代わりにMOまたはT
a粉末を使用してもよい。この時、Os、 I r、
Ru、 Reまたはこれらの合金の混合比はWに対し
て10〜40wt%である。
第2ペレット12はバリウム、カルシウム、アルミン酸
塩にIn2O3を20〜50%程度混合し、円管状のプ
レスジグに入れた後に1〜10t/cm2の圧力で圧縮
して成形する。ここで、円管状のプレスジグは焼結され
た第1ベレッl−1]。
塩にIn2O3を20〜50%程度混合し、円管状のプ
レスジグに入れた後に1〜10t/cm2の圧力で圧縮
して成形する。ここで、円管状のプレスジグは焼結され
た第1ベレッl−1]。
の直径と同一な内径を持つようにし、このプレス成形に
は水を溶媒に使用せず、フェノール樹脂のような非水溶
性バインダーを使用する。
は水を溶媒に使用せず、フェノール樹脂のような非水溶
性バインダーを使用する。
このようにして製造された第1ペレット11−及び第2
ペレット12はW、MoまたはTaからなる略U形のカ
ップ13内に内蔵し、第1ペレット11−の側面部とカ
ップ13の1一部をレーザービム溶接または電気溶接等
で溶接して固定させた後にW、MoまたはTaからなる
スリーブ14の一1部に嵌め込んでレーザービーム溶接
または電気溶接等で溶接し、スリーブ14の内部にはW
−3%ReにAl2O3を被覆したヒーター15を設置
して製造する。
ペレット12はW、MoまたはTaからなる略U形のカ
ップ13内に内蔵し、第1ペレット11−の側面部とカ
ップ13の1一部をレーザービム溶接または電気溶接等
で溶接して固定させた後にW、MoまたはTaからなる
スリーブ14の一1部に嵌め込んでレーザービーム溶接
または電気溶接等で溶接し、スリーブ14の内部にはW
−3%ReにAl2O3を被覆したヒーター15を設置
して製造する。
(発明の効果)
このように製造された本発明の貯蔵形ディスペンサー陰
極において第2ペレット12に混合されているIn2O
3は遊離Baの生成を促進するのに寄り、するものであ
る。
極において第2ペレット12に混合されているIn2O
3は遊離Baの生成を促進するのに寄り、するものであ
る。
これを通じて生成された遊離Baは、第1−ペレッl−
]、 1に空孔部を通じて拡散されて、第]ペレッl−
i−1の表面、即ち電子放出面に至るようになるとBa
−8C−0に表現される単分子−層を形成する。この単
分子層は仕事関数を大幅的に低下させるようになるが、
結論的に低いエネルギーの下でも熱電rの放出が可能に
なる。
]、 1に空孔部を通じて拡散されて、第]ペレッl−
i−1の表面、即ち電子放出面に至るようになるとBa
−8C−0に表現される単分子−層を形成する。この単
分子層は仕事関数を大幅的に低下させるようになるが、
結論的に低いエネルギーの下でも熱電rの放出が可能に
なる。
以下、本発明の貯蔵形ディスペンサー陰極と従来の含浸
形陰極及びOsを被覆した従来含浸形陰極の飽和電流密
度の特性を2極管バルス力゛式で測定して第3図のグラ
フのような結果を得た。
形陰極及びOsを被覆した従来含浸形陰極の飽和電流密
度の特性を2極管バルス力゛式で測定して第3図のグラ
フのような結果を得た。
第3図のグラフで知ることができるように本発明のディ
スペンサー陰極は750〜800°Cの温度範囲でIO
A/crn2の飽和電流密度特性を持つもので従来のO
8を被覆した含浸形陰極に比べて約1.50〜200°
Cの低い温度で動作される。
スペンサー陰極は750〜800°Cの温度範囲でIO
A/crn2の飽和電流密度特性を持つもので従来のO
8を被覆した含浸形陰極に比べて約1.50〜200°
Cの低い温度で動作される。
そして、本発明の貯蔵形ディスベンザー陰極と1承来の
含浸形陰極のBa蒸発比を/11す定して第4図のグラ
フのような結果を得た。
含浸形陰極のBa蒸発比を/11す定して第4図のグラ
フのような結果を得た。
第4図のグラフで知ることができるように、本発明のデ
ィスベンザ−陰極はBa蒸発比が均一であり、非常に安
定する。
ィスベンザ−陰極はBa蒸発比が均一であり、非常に安
定する。
以ヒのように本発明に係る陰極は、約750〜800℃
の低い温度で、約10A/cm2以1−の高い飽和電流
密度特性を持つので、高温動作によって発生される周辺
部品の変形及びヒーターの寿命の短縮を除去することが
でき、酸化物陰極に使用されるヒーターをそのまま採用
して使用し得るのはもちろん、超人型ブラウン管及びH
Dテレビジョン受像機においても高輝度及び高解像度を
得ることができるばかりでなく、含浸工程等のような複
雑な工程を経ることなく、簡単に製造し得るので製造原
価を節減し、大量生産する場合に従来の含浸形陰極より
よい品質を持つ効果をaする。
の低い温度で、約10A/cm2以1−の高い飽和電流
密度特性を持つので、高温動作によって発生される周辺
部品の変形及びヒーターの寿命の短縮を除去することが
でき、酸化物陰極に使用されるヒーターをそのまま採用
して使用し得るのはもちろん、超人型ブラウン管及びH
Dテレビジョン受像機においても高輝度及び高解像度を
得ることができるばかりでなく、含浸工程等のような複
雑な工程を経ることなく、簡単に製造し得るので製造原
価を節減し、大量生産する場合に従来の含浸形陰極より
よい品質を持つ効果をaする。
第1図は従来の貯蔵形(Cavity Re5erv
oir Type)のディスペンサー陰極の断面図、
第2図は本発明の一実施例である貯蔵形ディスペンサー
陰極の断面図、第3図は本発明のディスベンザ−陰極と
従来の含浸形の陰極及びO8を被覆した従来の含浸形陰
極の飽和電流密度を比較して示したグラフ図、第4図は
本発明のディスペンサー陰極と従来の含浸形陰極のBa
蒸発比を比較して示したグラフ図である。 11・・・第1ペレット 12・・第2ペレット 13・・・カップ 14・・・スリーブ 15・・・ヒータ
oir Type)のディスペンサー陰極の断面図、
第2図は本発明の一実施例である貯蔵形ディスペンサー
陰極の断面図、第3図は本発明のディスベンザ−陰極と
従来の含浸形の陰極及びO8を被覆した従来の含浸形陰
極の飽和電流密度を比較して示したグラフ図、第4図は
本発明のディスペンサー陰極と従来の含浸形陰極のBa
蒸発比を比較して示したグラフ図である。 11・・・第1ペレット 12・・第2ペレット 13・・・カップ 14・・・スリーブ 15・・・ヒータ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、W、Mo、Ta及びこれらの合金からなるグループ
中から選択される少なくとも1種以上の金属粉末と、O
s、Ir、Ru、Re及びこれらの合金からなるグルー
プ中から選択される少なくとも1種以上の金属粉末と、
Sc_2O_3を混合して成形、焼結した第1ペレット
と、バリウム、カルシウム、アルミン酸塩及びIn_2
O_3を混合して成形した第2ペレットと、上記第1ペ
レット及び第2ペレットが嵌め込まれて固定されるカッ
プ及びこれを支持するスリーブを具備してなることを特
徴とする貯蔵形ディスペンサー陰極。 2、上記第1ペレットのSc_2O_3が第1ペレット
の総重量の1〜16wt%であることを特徴とする請求
項1記載の貯蔵形ディスペンサー陰極。 3、上記第2ペレットのIn_2O_3がバリウム、カ
ルシウム、アルミン酸塩に対して20〜50wt%混合
されることを特徴とする請求項1記載の貯蔵形ディスペ
ンサー陰極。 4、Os、Ir、Ru、Re及びこれらの合金からなる
グループ中から選択される少なくとも1種以上の金属を
粒径が2〜3μmの粉末状に加工し、W、Mo、Ta及
びこれらの合金からなるグループ中から選択される少な
くとも1種以上の金属を粒径が3〜8μmの粉末状に加
工して前記粉末等をSc_2O_3と一緒に混合してプ
レス成形した後に真空雰囲気で加焼し、水素雰囲気又は
真空雰囲気で加熱しながら焼結して多孔性第1ペレット
を得、 バリウム、カルシウム、アルミネートとIn_2O_3
を混合し非水溶性バインダーで圧縮成形して第2ペレッ
トを得、 上記第1ペレット及び第2ペレットをカップに嵌め込ん
で溶接した後にスリーブの上端部にカップを溶接して製
造することを特徴とする貯蔵形ディスペンサー陰極の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR888814856A KR910003698B1 (en) | 1988-11-11 | 1988-11-11 | Cavity reservoir type dispenser cathode and method of the same |
KR14856 | 1991-08-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02186525A true JPH02186525A (ja) | 1990-07-20 |
JPH0787073B2 JPH0787073B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=19279189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29094089A Expired - Fee Related JPH0787073B2 (ja) | 1988-11-11 | 1989-11-08 | 貯蔵形ディスペンサー陰極及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4982133A (ja) |
JP (1) | JPH0787073B2 (ja) |
KR (1) | KR910003698B1 (ja) |
GB (1) | GB2226694B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0170221B1 (ko) * | 1989-12-30 | 1999-02-01 | 김정배 | 디스펜서 음극 |
KR920004900B1 (ko) * | 1990-03-13 | 1992-06-22 | 삼성전관 주식회사 | 함침형 음극구조체와 그 제조방법 |
KR930003229Y1 (ko) * | 1991-04-30 | 1993-06-03 | 주식회사 금성사 | 방열형 음극선관용 전자총의 히터 구조 |
DE4114856A1 (de) * | 1991-05-07 | 1992-11-12 | Licentia Gmbh | Vorratskathode und verfahren zu deren herstellung |
KR950012511A (ko) * | 1993-10-05 | 1995-05-16 | 이헌조 | 음극선관용 함침형 음극 |
BE1007677A3 (nl) * | 1993-10-28 | 1995-09-12 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een naleveringskathode. |
EP0651419B1 (en) * | 1993-10-28 | 1998-06-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispenser cathode and method of manufacturing a dispenser cathode |
DE4408941A1 (de) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Licentia Gmbh | Vorratskathode |
US20030025435A1 (en) * | 1999-11-24 | 2003-02-06 | Vancil Bernard K. | Reservoir dispenser cathode and method of manufacture |
DE10121445A1 (de) * | 2001-05-02 | 2002-11-07 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zur Herstellung einer Vorratskathode für eine Kathodenstrahlröhre |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4310603A (en) * | 1978-11-30 | 1982-01-12 | Varian Associates, Inc. | Dispenser cathode |
NL8403032A (nl) * | 1984-10-05 | 1986-05-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een scandaatnaleveringskathode, naleveringskathode vervaardigd met deze werkwijze. |
JPS61183838A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Hitachi Ltd | 含浸形カソ−ド |
NL8501257A (nl) * | 1985-05-03 | 1986-12-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een naleveringskathode en toepassing van de werkwijze. |
US4823044A (en) * | 1988-02-10 | 1989-04-18 | Ceradyne, Inc. | Dispenser cathode and method of manufacture therefor |
-
1988
- 1988-11-11 KR KR888814856A patent/KR910003698B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-11-03 US US07/431,248 patent/US4982133A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-08 JP JP29094089A patent/JPH0787073B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-10 GB GB8925406A patent/GB2226694B/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8925406D0 (en) | 1989-12-28 |
JPH0787073B2 (ja) | 1995-09-20 |
US4982133A (en) | 1991-01-01 |
GB2226694A (en) | 1990-07-04 |
KR910003698B1 (en) | 1991-06-08 |
GB2226694B (en) | 1992-10-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |