JPH02181974A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH02181974A JPH02181974A JP1002419A JP241989A JPH02181974A JP H02181974 A JPH02181974 A JP H02181974A JP 1002419 A JP1002419 A JP 1002419A JP 241989 A JP241989 A JP 241989A JP H02181974 A JPH02181974 A JP H02181974A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ａＳｉ＋−８Ｃｘ：Ｈ薄膜中を電荷移動させ
ることにより動作する半導体装置に関するものであり、
例えば、薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体
、撮像素子９発光ダイオードなどが挙げられる。
ることにより動作する半導体装置に関するものであり、
例えば、薄膜トランジスタ、太陽電池、電子写真感光体
、撮像素子９発光ダイオードなどが挙げられる。
従来の技術
ａ −Ｓ Ｌ Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ薄膜は表面硬度およ
び疎水性に優れることから、一般に多湿あるいは表面を
摩擦する環境下で使用される素子の保護層あるいは表面
層として使用されている。さらにａ−８ｔｒ−ｘＣｘ：
Ｈ薄膜は耐熱性にも優れているため高温下でも安定に
動作する機能素子への応用も試みられている。また、ａ
−Ｓｉ１−ｘＣｘ： Ｈ薄膜はａ−８ｉ：Ｈ薄膜に比
べて禁止帯幅が大きいため大面積の可視発光ダイオード
への適用が試みられている。
び疎水性に優れることから、一般に多湿あるいは表面を
摩擦する環境下で使用される素子の保護層あるいは表面
層として使用されている。さらにａ−８ｔｒ−ｘＣｘ：
Ｈ薄膜は耐熱性にも優れているため高温下でも安定に
動作する機能素子への応用も試みられている。また、ａ
−Ｓｉ１−ｘＣｘ： Ｈ薄膜はａ−８ｉ：Ｈ薄膜に比
べて禁止帯幅が大きいため大面積の可視発光ダイオード
への適用が試みられている。
上記の効果は膜中の炭素量すなわちＸを大きくすること
により、より一層向上させることができるが、Ｘの増加
にしたがい、ａ−Ｓｉ１−３Ｃ，：Ｈ薄膜の光導電性が
著しく減少することが報告されている。。このため、ａ
−８ｉし、Ｃ，：Ｈ薄膜の光導電性は炭素含有量Ｘが０
．４以下の小さい場合でもａ−８ｉ：Ｈに比べて小さく
、ａ −Ｓ ｉ＋−ｘＣｘ：Ｈ薄膜を使った半導体装置
の電気的特性を悪化させており、ａ −Ｓ １１−ＸＣ
Ｘ： Ｈ薄膜の応用も電気的特性にあまり影響を与え
ない、例えば電子写真感光体の表面保護層やキャリヤ注
入阻止層のような膜厚の薄いものでしかなかった。
により、より一層向上させることができるが、Ｘの増加
にしたがい、ａ−Ｓｉ１−３Ｃ，：Ｈ薄膜の光導電性が
著しく減少することが報告されている。。このため、ａ
−８ｉし、Ｃ，：Ｈ薄膜の光導電性は炭素含有量Ｘが０
．４以下の小さい場合でもａ−８ｉ：Ｈに比べて小さく
、ａ −Ｓ ｉ＋−ｘＣｘ：Ｈ薄膜を使った半導体装置
の電気的特性を悪化させており、ａ −Ｓ １１−ＸＣ
Ｘ： Ｈ薄膜の応用も電気的特性にあまり影響を与え
ない、例えば電子写真感光体の表面保護層やキャリヤ注
入阻止層のような膜厚の薄いものでしかなかった。
最近、モノシランガス（以下、Ｓ ｒ Ｈａと記す）と
ＣＨ４の混合ガスを大量の水素で希釈したプラズマＣＶ
Ｄ法によりａ Ｓ １Ｉ−ｘ Ｃｘ ： Ｈ（ｘ−
０，１［ｉ）薄膜を製作すると、赤外吸収スペクトルに
おける２９００ｃｍ−’付近の吸収係数が小さく、すな
わちＣＨｅ、ＣＨ３結合を少なくすることができ、光導
電性が向上することが報告されている（松１）彰久他、
ジャーナル オブ アプライド フィジックス、１９８
１３年６０巻、４０２５〜４０２７頁ロＪ 、Ａｐｐ
Ｉ 、Ｐｈｙｓ 、ＧＯ（１９８Ｂ）ｐり４０２５−４
０２７．コ ）。
ＣＨ４の混合ガスを大量の水素で希釈したプラズマＣＶ
Ｄ法によりａ Ｓ １Ｉ−ｘ Ｃｘ ： Ｈ（ｘ−
０，１［ｉ）薄膜を製作すると、赤外吸収スペクトルに
おける２９００ｃｍ−’付近の吸収係数が小さく、すな
わちＣＨｅ、ＣＨ３結合を少なくすることができ、光導
電性が向上することが報告されている（松１）彰久他、
ジャーナル オブ アプライド フィジックス、１９８
１３年６０巻、４０２５〜４０２７頁ロＪ 、Ａｐｐ
Ｉ 、Ｐｈｙｓ 、ＧＯ（１９８Ｂ）ｐり４０２５−４
０２７．コ ）。
発明が解決しようとする課題
我々が作製したａ Ｓ ｓ Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜を評
価したところ、赤外吸収スペクトルにおける２９００ｃ
ｍ−’付近の吸収の小さくして、ＣＨ２，ＣＨ３結合の
発生を抑制しても、必ずしも光導電性の優れた膜が得ら
れない事実が明らかになった。従って、高次の水素結合
であるＣＨ２結合、ＣＨａ結合だけでなく、ａ −Ｓ
ｉ ＋−ｘＣｘ： Ｈ薄膜の光導電性を高め、キャリヤ
移動度およびキャリヤ寿命を一層向上させるパラメータ
が存在するものと思われる。
価したところ、赤外吸収スペクトルにおける２９００ｃ
ｍ−’付近の吸収の小さくして、ＣＨ２，ＣＨ３結合の
発生を抑制しても、必ずしも光導電性の優れた膜が得ら
れない事実が明らかになった。従って、高次の水素結合
であるＣＨ２結合、ＣＨａ結合だけでなく、ａ −Ｓ
ｉ ＋−ｘＣｘ： Ｈ薄膜の光導電性を高め、キャリヤ
移動度およびキャリヤ寿命を一層向上させるパラメータ
が存在するものと思われる。
本発明は、上記パラメータを見いだし、ａ−８１＋−ｘ
Ｃｘ： Ｈ膜を用いた半導体装置の応答速度、光感度
または電流値などの特性を向上させるものである。
Ｃｘ： Ｈ膜を用いた半導体装置の応答速度、光感度
または電流値などの特性を向上させるものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の半導体装置は、少な
くとも水素原子を含有し、かつシリコン原子および炭素
原子を主成分とする非晶質の薄膜（ａ−Ｓ ｔ ＋−ｘ
Ｃｘ ： Ｈ薄膜と略記する。但し、０＜Ｘ≦０．
４）を構成要素に含み、ａ Ｓ ｉ ＋−ｘＣｘ’
Ｈ薄膜の赤外吸収スペクトルにおいて２０９０ｃｍ−
’の吸収係数が２０００ｃｒ ’の吸収係数の３倍以下
であり、ａ−８１＋−ｘＣｘ： Ｈ薄膜を電荷を移動
させる機能を有することを特徴とするものである。
くとも水素原子を含有し、かつシリコン原子および炭素
原子を主成分とする非晶質の薄膜（ａ−Ｓ ｔ ＋−ｘ
Ｃｘ ： Ｈ薄膜と略記する。但し、０＜Ｘ≦０．
４）を構成要素に含み、ａ Ｓ ｉ ＋−ｘＣｘ’
Ｈ薄膜の赤外吸収スペクトルにおいて２０９０ｃｍ−
’の吸収係数が２０００ｃｒ ’の吸収係数の３倍以下
であり、ａ−８１＋−ｘＣｘ： Ｈ薄膜を電荷を移動
させる機能を有することを特徴とするものである。
そして、この半導体装置の製造方法のａ−８ｉツー、Ｃ
，： Ｈ薄膜を形成する工程において、原料ガスとして
シリコン原子および水素原子を分子内に含むガスと炭素
原子を分子内に含むガスを真空容器内に導入し、原料ガ
スに減圧下で電界を印加して放電によりプラズマを発生
させ、プラズマからの波長Ｅｉ５Ｇ、３ｎｍの発光強度
が波長４１４．２ｎｍの発光強度に比べて０．８倍以上
となる条件下でａ−Ｓｉ１−−Ｃｘ： Ｈ薄膜を形成
することを特徴とするものである。
，： Ｈ薄膜を形成する工程において、原料ガスとして
シリコン原子および水素原子を分子内に含むガスと炭素
原子を分子内に含むガスを真空容器内に導入し、原料ガ
スに減圧下で電界を印加して放電によりプラズマを発生
させ、プラズマからの波長Ｅｉ５Ｇ、３ｎｍの発光強度
が波長４１４．２ｎｍの発光強度に比べて０．８倍以上
となる条件下でａ−Ｓｉ１−−Ｃｘ： Ｈ薄膜を形成
することを特徴とするものである。
作用
ａ −Ｓ １ ＋−ｘＣｘ： Ｈ薄膜の赤外吸収スペ
クトルにおいて、２０００ｃｍ−’の吸収ピークはＳｉ
Ｈ結合によるもの、２０９０ｃ＋ｒ’の吸収ピークはＳ
ｉＨ２結合によるものであることが知られている。以下
では、２０００ｃｒ ’の吸収係数を（Ｘ （２０００
）、２０９０ｃｍ−１の吸収係数をα（２０９０）のよ
うに記述し、ＳｉＨ結合、ＳｉＨ結合のいずれの水素結
合が多いか、つまり膜の水素結合状態を表すパラメータ
として、α（２０９０）／α（２０００）を用いる。
クトルにおいて、２０００ｃｍ−’の吸収ピークはＳｉ
Ｈ結合によるもの、２０９０ｃ＋ｒ’の吸収ピークはＳ
ｉＨ２結合によるものであることが知られている。以下
では、２０００ｃｒ ’の吸収係数を（Ｘ （２０００
）、２０９０ｃｍ−１の吸収係数をα（２０９０）のよ
うに記述し、ＳｉＨ結合、ＳｉＨ結合のいずれの水素結
合が多いか、つまり膜の水素結合状態を表すパラメータ
として、α（２０９０）／α（２０００）を用いる。
ａ −Ｓ ｔ ＋−ｘＣｘ： Ｈ薄膜の密度を低下さ
せ、光導電性を悪化させる原子結合は、原子結合ネット
ワークの骨格を形成しないＣＨ２結合、ＣＨ３結合のよ
うな高次結合であることが従来例で報告されていた。し
かし、本発明者は上記のＣＨ２結合、ＣＨ３結合を発生
を抑制した状態では、ａ−３！＋−ｘＣつ： Ｈ薄膜の
光導電性を低下させる要因はＳｉＨ２結合であることを
見いだした。また、この傾向は炭素含有量Ｘが０．４以
下の場合により顕著であることを判明した。さらに、Ｓ
ｉＨ２結合はａ Ｓｉ＋−、Ｃ，： Ｈ膜作製時にａ
−８ｉ：Ｈ膜にくらべて非常に発生し易＜Ｎａ−８ｔ：
Ｈ膜ではＳｉＨ２結合が発生し難いような作製条件下に
おいても、α（２０９０）／α（２０００）はａ−８ｔ
：Ｈ膜の場合の３倍以上になってしまうことが確認でき
た。従って、α（２０９０）／α（２０００）を小さく
する製作条件を明らかにすることは、非常に重要である
。
せ、光導電性を悪化させる原子結合は、原子結合ネット
ワークの骨格を形成しないＣＨ２結合、ＣＨ３結合のよ
うな高次結合であることが従来例で報告されていた。し
かし、本発明者は上記のＣＨ２結合、ＣＨ３結合を発生
を抑制した状態では、ａ−３！＋−ｘＣつ： Ｈ薄膜の
光導電性を低下させる要因はＳｉＨ２結合であることを
見いだした。また、この傾向は炭素含有量Ｘが０．４以
下の場合により顕著であることを判明した。さらに、Ｓ
ｉＨ２結合はａ Ｓｉ＋−、Ｃ，： Ｈ膜作製時にａ
−８ｉ：Ｈ膜にくらべて非常に発生し易＜Ｎａ−８ｔ：
Ｈ膜ではＳｉＨ２結合が発生し難いような作製条件下に
おいても、α（２０９０）／α（２０００）はａ−８ｔ
：Ｈ膜の場合の３倍以上になってしまうことが確認でき
た。従って、α（２０９０）／α（２０００）を小さく
する製作条件を明らかにすることは、非常に重要である
。
一般的に非晶質薄膜の作製に用いられているプラズマＣ
ＶＤ法において、プラズマ発光分光法は発光性のラジカ
ルしか観測できないという欠点を持っているが、プラズ
マの診断法として最も簡便でプラズマに影響を与えずに
行うことができる特長がある。本発明者は、プラズマＣ
ＶＤ法においてＳｉ原子および水素原子を分子内に含む
ガスと炭素原子を分子内に含むガスの混合ガスを用いて
ａ Ｓ １１−Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜の作製を行い、プ
ラズマ発光スペクトルと膜の水素結合状態並びに光導電
性について詳細に調べた。その結果、波長Ｂ５Ｇ 、３
ｉｍの水素のバルマー系列の発光（Ｈαと略記する）強
度と波長４１４．２ｉｍの活性種ＳｉＨの発光強度との
強度比と膜の水素結合状態α（２０９０）／α（２００
０）との間には強い相関がみられ、Ｈαの発光強度がＳ
ｉＨの発光強度に比べて大きくなるように、放電条件を
設定するとα（２０９０）／α（２０００）が小さくな
り、光導電性が向上することを見いだした。
ＶＤ法において、プラズマ発光分光法は発光性のラジカ
ルしか観測できないという欠点を持っているが、プラズ
マの診断法として最も簡便でプラズマに影響を与えずに
行うことができる特長がある。本発明者は、プラズマＣ
ＶＤ法においてＳｉ原子および水素原子を分子内に含む
ガスと炭素原子を分子内に含むガスの混合ガスを用いて
ａ Ｓ １１−Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜の作製を行い、プ
ラズマ発光スペクトルと膜の水素結合状態並びに光導電
性について詳細に調べた。その結果、波長Ｂ５Ｇ 、３
ｉｍの水素のバルマー系列の発光（Ｈαと略記する）強
度と波長４１４．２ｉｍの活性種ＳｉＨの発光強度との
強度比と膜の水素結合状態α（２０９０）／α（２００
０）との間には強い相関がみられ、Ｈαの発光強度がＳ
ｉＨの発光強度に比べて大きくなるように、放電条件を
設定するとα（２０９０）／α（２０００）が小さくな
り、光導電性が向上することを見いだした。
上記のような結果が得られた原因について、正確なこと
はわからないが、活性種ＳｉＨの発光強度は、プラズマ
中の成膜に寄与すると思われるＳｉｎ Ｈｍラジカル（
但し、ｍｌ ｎは整数でＯ≦ｍ≦２ｎ＋２）の密度を
、Ｈαの発光強度はＨラジカルの密度を反映していると
思われていることから、現在では以下のようなことが考
えられる。Ｈαの発光強度がＳｉＨの発光強度より大き
い状態は、Ｈラジカルの密度が大きい状態であり、Ｓｉ
原子およびＨ原子を含む分子の解離が進んでＨ原子の少
ない５ｉｎＨ＊ラジカルによる成膜が行われている、あ
るいはＨラジカルによる膜成長表面に結合しているＨ原
子の引き抜き反応が促進されているなどの現象により、
α（２０９０）／α（２０００）が減少していると思わ
れる。
はわからないが、活性種ＳｉＨの発光強度は、プラズマ
中の成膜に寄与すると思われるＳｉｎ Ｈｍラジカル（
但し、ｍｌ ｎは整数でＯ≦ｍ≦２ｎ＋２）の密度を
、Ｈαの発光強度はＨラジカルの密度を反映していると
思われていることから、現在では以下のようなことが考
えられる。Ｈαの発光強度がＳｉＨの発光強度より大き
い状態は、Ｈラジカルの密度が大きい状態であり、Ｓｉ
原子およびＨ原子を含む分子の解離が進んでＨ原子の少
ない５ｉｎＨ＊ラジカルによる成膜が行われている、あ
るいはＨラジカルによる膜成長表面に結合しているＨ原
子の引き抜き反応が促進されているなどの現象により、
α（２０９０）／α（２０００）が減少していると思わ
れる。
従って、Ｓｉ原子およびＨ原子を含む分子のガスと炭素
原子を含む分子のガスの混合ガスを用いタプラスマＣＶ
Ｄ法において、プラズマ発光スペクトルのＨαの発光強
度ＳｉＨの発光強度を制御することにより、ａ−Ｓｉ１
−ｘＣｘ： Ｈ膜の水素結合状態α（２０９０）／α
（２０００）を制御でき、光導電性の向上を図ることが
できる。よって、従来では、光導電性およびキャリヤ移
動度が小さくてａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ： Ｈ膜を用いる
ことのできなかった半導体装置においてもａ Ｓ １
Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜を使用できるようになる。
原子を含む分子のガスの混合ガスを用いタプラスマＣＶ
Ｄ法において、プラズマ発光スペクトルのＨαの発光強
度ＳｉＨの発光強度を制御することにより、ａ−Ｓｉ１
−ｘＣｘ： Ｈ膜の水素結合状態α（２０９０）／α
（２０００）を制御でき、光導電性の向上を図ることが
できる。よって、従来では、光導電性およびキャリヤ移
動度が小さくてａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ： Ｈ膜を用いる
ことのできなかった半導体装置においてもａ Ｓ １
Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜を使用できるようになる。
実施例
第１図にａ −Ｓ ｉ＋−ｗｃｘ： Ｈ薄膜の代表的な
赤外吸収スペクトルの一例を示す。このサンプルは、２
９００ｃｍ−１のＣＨ２，ＣＨａ結合による吸収はほと
んど見られていない。２０９０ｃｍ−１のＳｉＨ２結合
、２０００ｃ「１のＳｉＨ結合Ｑ他にＩｏｏｏｃｍ−’
のＣＨ結合、７ＧＯｃｍ−１のＳｉＣ結合、 Ｇ４０
ｃｍ−１のＳｆＨ，ＳｉＨ２゜５ｉＨａ結合による吸収
ピークが顕著にみられる。
赤外吸収スペクトルの一例を示す。このサンプルは、２
９００ｃｍ−１のＣＨ２，ＣＨａ結合による吸収はほと
んど見られていない。２０９０ｃｍ−１のＳｉＨ２結合
、２０００ｃ「１のＳｉＨ結合Ｑ他にＩｏｏｏｃｍ−’
のＣＨ結合、７ＧＯｃｍ−１のＳｉＣ結合、 Ｇ４０
ｃｍ−１のＳｆＨ，ＳｉＨ２゜５ｉＨａ結合による吸収
ピークが顕著にみられる。
このような赤外吸収スペクトルとａ −Ｓ Ｌ Ｉ−Ｘ
ＣＸ：Ｈ膜の光導電性との関連を調べた。その結果、ａ
−Ｓ １Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜中を電荷を移動させるこ
とにより機能する半導体装置、例えば、太陽電池。
ＣＸ：Ｈ膜の光導電性との関連を調べた。その結果、ａ
−Ｓ １Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜中を電荷を移動させるこ
とにより機能する半導体装置、例えば、太陽電池。
電子写真感光体、撮像素子、光センサ、発光ダイオード
、薄膜トランジスタあるいは薄膜ダイオードなどに使用
されるべきａ−Ｓｉ１□Ｃ，：Ｈ薄膜の水素結合状態の
満たすべき条件は、α（２０９０）／α（２０００）≦
３であることを、この時キャリヤ移動度（μ）とキャリ
ヤ寿命（τ）との積（以下μτ積と表す。）が１０−”
（ｃ ｍ２／ Ｖ ）以上にすることができることを見
いだした。また、好適にはα（２０９０）／α（２００
０）≦２でμτ≧１０−” （ｃ ｍ２／ Ｖ ）、最
適にはα（２０９Ｇ）／α（２０００）≦１．５でμτ
≧１０−７ （Ｃｍ’／Ｖ）である。但し、第１図のａ
（２０９０）／ （ｘ （２θ００）は１．２である
。
、薄膜トランジスタあるいは薄膜ダイオードなどに使用
されるべきａ−Ｓｉ１□Ｃ，：Ｈ薄膜の水素結合状態の
満たすべき条件は、α（２０９０）／α（２０００）≦
３であることを、この時キャリヤ移動度（μ）とキャリ
ヤ寿命（τ）との積（以下μτ積と表す。）が１０−”
（ｃ ｍ２／ Ｖ ）以上にすることができることを見
いだした。また、好適にはα（２０９０）／α（２００
０）≦２でμτ≧１０−” （ｃ ｍ２／ Ｖ ）、最
適にはα（２０９Ｇ）／α（２０００）≦１．５でμτ
≧１０−７ （Ｃｍ’／Ｖ）である。但し、第１図のａ
（２０９０）／ （ｘ （２θ００）は１．２である
。
ａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ： Ｈ薄膜のＸ値は、Ｘ値が０．
４を超えると膜中に２９００ｃｒ ’のＣＨ２，ＣＨａ
結合による吸収係数が急増し、著しくキャリヤ移動度お
よびキャリヤ寿命が減少することから０＜Ｘ≦０．４が
望ましく、好適には０．０１≦Ｘ≦０．３５、最適には
０゜Ｏｌ：ａ×≦０．３である。
４を超えると膜中に２９００ｃｒ ’のＣＨ２，ＣＨａ
結合による吸収係数が急増し、著しくキャリヤ移動度お
よびキャリヤ寿命が減少することから０＜Ｘ≦０．４が
望ましく、好適には０．０１≦Ｘ≦０．３５、最適には
０゜Ｏｌ：ａ×≦０．３である。
第２図に平行平板型容量結合方式プラズマＣＶＤ装置に
おいて、Ｈ２希釈したＳ ｉ Ｈ４とＣ２Ｈ’２のプラ
ズマ発光スペクトルの一例を示す。２８８．２ｎｍの活
性種Ｓｉ 、４１４．２ｎｍの活性種Ｓ ｉ Ｈ，４３
１，２ｎｍの活性種ＣＨ，６５８，３ｎｍのＨＪの発光
強度が、顕著にみられている。
おいて、Ｈ２希釈したＳ ｉ Ｈ４とＣ２Ｈ’２のプラ
ズマ発光スペクトルの一例を示す。２８８．２ｎｍの活
性種Ｓｉ 、４１４．２ｎｍの活性種Ｓ ｉ Ｈ，４３
１，２ｎｍの活性種ＣＨ，６５８，３ｎｍのＨＪの発光
強度が、顕著にみられている。
ａ −Ｓ １１−ＸＣＸ： Ｈ膜のＳｉ原子を与える原
料ガスとしてＳ Ｉ Ｈａｔ Ｓ １２Ｈ６１Ｓ Ｉ
ＨａＦ＋ Ｓ ｔＨ２Ｆ２１ ５ｉＨＦｓ＋ ５
ｉＨｓＣ１＋ ５ｉＨ２Ｃ１２＋５ｉＨＣ１む Ｓ
ｉ （ＣＨａ） ａなどを用い、Ｃ原子を与える原料ガ
スとしてＣＨＪ、 Ｃ２Ｈ６，ＣＩＨＩ。
料ガスとしてＳ Ｉ Ｈａｔ Ｓ １２Ｈ６１Ｓ Ｉ
ＨａＦ＋ Ｓ ｔＨ２Ｆ２１ ５ｉＨＦｓ＋ ５
ｉＨｓＣ１＋ ５ｉＨ２Ｃ１２＋５ｉＨＣ１む Ｓ
ｉ （ＣＨａ） ａなどを用い、Ｃ原子を与える原料ガ
スとしてＣＨＪ、 Ｃ２Ｈ６，ＣＩＨＩ。
Ｃ４Ｈ１１１＋ Ｃ２Ｈ４，Ｃａ Ｈａ、 Ｃｔ
Ｈａ、 Ｃ＊ Ｈａなどを使用し、さまざまのプラズ
マＣＶＤ装置を用いて、さらにさまざまの放電条件で、
ａ −Ｓ ｉ＋ −ｘ Ｃｘ ：Ｈ膜の水素結合状態α
（２０９０）／α（２０００）とプラズマ発光スペクト
ルとの関連を調べた。その結果、ＨＪの発光強度とＳｉ
Ｈの発光強度の比（これを■。
Ｈａ、 Ｃ＊ Ｈａなどを使用し、さまざまのプラズ
マＣＶＤ装置を用いて、さらにさまざまの放電条件で、
ａ −Ｓ ｉ＋ −ｘ Ｃｘ ：Ｈ膜の水素結合状態α
（２０９０）／α（２０００）とプラズマ発光スペクト
ルとの関連を調べた。その結果、ＨＪの発光強度とＳｉ
Ｈの発光強度の比（これを■。
α／Ｉｓｌ、ｌと表す）が０．８以上でα（２０９０）
／α（２０００）≦３となることが見いだされた。好適
には１．α／Ｉｓ＋Ｈ≧１でα（２０９０）／α（２０
００）≦２、最適には、ＩＮα／１１１）１≧１．５で
α（２０９０）／α（２０００）≦１．５である。さら
に、上記のＩ＋＋α／Ｉｓｎ＋の条件を満足した状態で
、２８８．２ｎｍのＳｉの発光強度と４１４．２ｎｍの
ＳｉＨの発光強度の比（以下、Ｉｓ＋／ｌ５１ｓと略記
する）を０．８以上にすることにより、より一層α（２
０９０）／α（２０００）を小さくできることも確認し
た。
／α（２０００）≦３となることが見いだされた。好適
には１．α／Ｉｓ＋Ｈ≧１でα（２０９０）／α（２０
００）≦２、最適には、ＩＮα／１１１）１≧１．５で
α（２０９０）／α（２０００）≦１．５である。さら
に、上記のＩ＋＋α／Ｉｓｎ＋の条件を満足した状態で
、２８８．２ｎｍのＳｉの発光強度と４１４．２ｎｍの
ＳｉＨの発光強度の比（以下、Ｉｓ＋／ｌ５１ｓと略記
する）を０．８以上にすることにより、より一層α（２
０９０）／α（２０００）を小さくできることも確認し
た。
また、上記の原料ガスを用いた場合、これを水素または
ヘリウムで希釈すると容易に上記のＩＮα／Ｉｓ＋Ｈの
状態を得ることも確認できた。
ヘリウムで希釈すると容易に上記のＩＮα／Ｉｓ＋Ｈの
状態を得ることも確認できた。
ａ Ｓ １１−ＸＣＸ： Ｈ薄膜の水素台を量も、５
ｉＨａ、 ＣＨ２，ＣＨ３結合などの高次結合数の増
加を抑制するために１原子％以上５０原子％以下が望ま
しく、品温下での膜中からの水素の離脱を防ぎ耐熱性を
向上させるために、好適には１原子％以上４０原子％以
下、最適には１原子％以上３５原子％以下が望まれる。
ｉＨａ、 ＣＨ２，ＣＨ３結合などの高次結合数の増
加を抑制するために１原子％以上５０原子％以下が望ま
しく、品温下での膜中からの水素の離脱を防ぎ耐熱性を
向上させるために、好適には１原子％以上４０原子％以
下、最適には１原子％以上３５原子％以下が望まれる。
さらにａ−８ｉＣ：Ｈ薄膜のキャリヤの伝導性を制御す
るために不純物を添加してもよい。ｐ型伝導性を与える
ｐ型不純物として周期表第士族に属するＢ＋ Ａ Ｌ
Ｇ ａ、 Ｉ ｎ等があり、好適にはＢ、Ａ１．
Ｇａが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物として
周期表第 族に属するＰ＋Ａｓ＋ｓｂ等があり、好適に
はＰ＊ Ａｓが用いられる。
るために不純物を添加してもよい。ｐ型伝導性を与える
ｐ型不純物として周期表第士族に属するＢ＋ Ａ Ｌ
Ｇ ａ、 Ｉ ｎ等があり、好適にはＢ、Ａ１．
Ｇａが用いられ、ｎ型伝導性を与えるｎ型不純物として
周期表第 族に属するＰ＋Ａｓ＋ｓｂ等があり、好適に
はＰ＊ Ａｓが用いられる。
以下、具体的な実施例について述べる。
実施例１
透明絶縁性基板上に０．１μｍの厚さのＣｒによるゲー
ト電極３０１を直流スパッタ法により形成し、透明絶縁
性基板３０２を高周波プラズマＣＶＤ装置の反応容器内
の接地電極に配置した。反応容器内部を５ＸＩＰ’Ｔ
ｏ ｒ ｒ以下に排気した後、Ｎ２：ＩＯ〜！００ＳＣ
ｅｌ＋ Ｓ ｉ Ｈ４： １０〜５０ｓｃｃｍ導入
した。次に反応容器内の圧力を０．２〜１．ＯＴ Ｏｒ
ｒに調節した後、！Ｏ〜［００Ｗ、 １３．５６Ｍ
ＨＺの高周波電力を印加して放電を開始し、基板上に
ゲート絶縁膜用の０．４μｍのＳｉ＋−ウＮ８膜３０３
を形成した後放電を止めた。次に反応容器内を５ｘｌＯ
−”Ｔ ｏ ｒ ｒ以下に排気した後、Ｃ２Ｈ２： ０
．５〜５ｓｅｃｍ、 Ｓ ｉ Ｈｉ： ５〜ｌＯ１０
５ｃ、 Ｈ２：５０〜２００ｓｃｃｍ導入し、圧カニ
０．１−１．０Ｔ Ｏｒ ｒｌ 高周波電カニｌＯ
〜５０Ｗで０．０８μｍのａ −Ｓ Ｉ Ｉ−＊ ＣＸ
：Ｈ膜３０４を形成した。この時、Ｉ＋４α／ｌ５Ｉ
Ｈは０．８〜３であった。続いて、ＰＨａを添加してｎ
型ａ −８１＋−ｘＣｘ： Ｈ膜３０５を０，０２μ
ｍ形成し、パターニングした。つぎに、ソース電極３０
６． ドレイン電極３０７としてＡＩＩＯ２７μｍを
電子ビーム蒸着法により堆積して第３図の構造断面図で
表わされるような薄膜トランジスタ（Ａ）を製作した。
ト電極３０１を直流スパッタ法により形成し、透明絶縁
性基板３０２を高周波プラズマＣＶＤ装置の反応容器内
の接地電極に配置した。反応容器内部を５ＸＩＰ’Ｔ
ｏ ｒ ｒ以下に排気した後、Ｎ２：ＩＯ〜！００ＳＣ
ｅｌ＋ Ｓ ｉ Ｈ４： １０〜５０ｓｃｃｍ導入
した。次に反応容器内の圧力を０．２〜１．ＯＴ Ｏｒ
ｒに調節した後、！Ｏ〜［００Ｗ、 １３．５６Ｍ
ＨＺの高周波電力を印加して放電を開始し、基板上に
ゲート絶縁膜用の０．４μｍのＳｉ＋−ウＮ８膜３０３
を形成した後放電を止めた。次に反応容器内を５ｘｌＯ
−”Ｔ ｏ ｒ ｒ以下に排気した後、Ｃ２Ｈ２： ０
．５〜５ｓｅｃｍ、 Ｓ ｉ Ｈｉ： ５〜ｌＯ１０
５ｃ、 Ｈ２：５０〜２００ｓｃｃｍ導入し、圧カニ
０．１−１．０Ｔ Ｏｒ ｒｌ 高周波電カニｌＯ
〜５０Ｗで０．０８μｍのａ −Ｓ Ｉ Ｉ−＊ ＣＸ
：Ｈ膜３０４を形成した。この時、Ｉ＋４α／ｌ５Ｉ
Ｈは０．８〜３であった。続いて、ＰＨａを添加してｎ
型ａ −８１＋−ｘＣｘ： Ｈ膜３０５を０，０２μ
ｍ形成し、パターニングした。つぎに、ソース電極３０
６． ドレイン電極３０７としてＡＩＩＯ２７μｍを
電子ビーム蒸着法により堆積して第３図の構造断面図で
表わされるような薄膜トランジスタ（Ａ）を製作した。
またこれとは別に上記ａ Ｓ Ｉ Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ
膜成膜時における形成条件をＣ２Ｈ２： ０．５〜５ｓ
ｅｃｍ、 Ｓ ｉ ＨＪ： ５〜ｌＯ１０５ｃ、
圧カニ ｏ、ａ〜ｉ、ｏ’ｒ Ｏｒ ｒｔ 高周波電
カニ５〜３０Ｗとした薄膜トランジスタＣＢ）も製作し
た。但し、ａ−８１Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜成膜時のＩＨ
ａ／Ｉｓ＋＋は０゜６〜０．８であった。
膜成膜時における形成条件をＣ２Ｈ２： ０．５〜５ｓ
ｅｃｍ、 Ｓ ｉ ＨＪ： ５〜ｌＯ１０５ｃ、
圧カニ ｏ、ａ〜ｉ、ｏ’ｒ Ｏｒ ｒｔ 高周波電
カニ５〜３０Ｗとした薄膜トランジスタＣＢ）も製作し
た。但し、ａ−８１Ｉ−ＸＣＸ： Ｈ膜成膜時のＩＨ
ａ／Ｉｓ＋＋は０゜６〜０．８であった。
また、上記と同じ条件でａ −Ｓ ｉ ＋ −＊ ＣＸ
： Ｈ膜を単結晶Ｓｉウェーハ上に堆積し、赤外吸
収スペクトルを測定したところ、 （Ａ）の場合、α（
２０９０）／α（２０００）は１．０〜２．８であるの
に対し、 （Ｂ）の場合、α（２０９０）／α（２００
０）は３．０〜４．０であった。
： Ｈ膜を単結晶Ｓｉウェーハ上に堆積し、赤外吸
収スペクトルを測定したところ、 （Ａ）の場合、α（
２０９０）／α（２０００）は１．０〜２．８であるの
に対し、 （Ｂ）の場合、α（２０９０）／α（２００
０）は３．０〜４．０であった。
薄膜トランジスタ（Ａ）、および（Ｂ）のドレイン電流
−ゲート電圧特性は、（Ｂ）の方が（Ａ）に比べてＯＮ
Ｉ流立ち上がり特性が悪く、最大ＯＮ電流も、２桁以上
小さかった。これは、（Ｂ）のａ−３１１−ＸＣ＊：
Ｈ膜中のＳｉＨ２結合が多いため膜の密度が小さく、
（Ａ）のａ −８１１−Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜に比べて
キャリヤトラップとして働く禁止帯内の局在準位が増加
し、キャリヤ移動度およびキャリヤ寿命の減少したため
である。
−ゲート電圧特性は、（Ｂ）の方が（Ａ）に比べてＯＮ
Ｉ流立ち上がり特性が悪く、最大ＯＮ電流も、２桁以上
小さかった。これは、（Ｂ）のａ−３１１−ＸＣ＊：
Ｈ膜中のＳｉＨ２結合が多いため膜の密度が小さく、
（Ａ）のａ −８１１−Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜に比べて
キャリヤトラップとして働く禁止帯内の局在準位が増加
し、キャリヤ移動度およびキャリヤ寿命の減少したため
である。
実施例２
ＩＴＯ膜を蒸着した透明絶縁性基板を高周波プラズマＣ
ＶＤ装置内に配置し、Ｈ希釈した５０ｐｐｍｌ１度のＢ
２Ｈｅ ： ５０〜２００ｓｃｃｍｔ ＣＨａ ：
２〜ｌＯ１０５ｃ、 ＳｉＨ４：２〜１Ｏｓｃｃｉ
を導入し、圧カニ０．２〜１．ＯＴ 。
ＶＤ装置内に配置し、Ｈ希釈した５０ｐｐｍｌ１度のＢ
２Ｈｅ ： ５０〜２００ｓｃｃｍｔ ＣＨａ ：
２〜ｌＯ１０５ｃ、 ＳｉＨ４：２〜１Ｏｓｃｃｉ
を導入し、圧カニ０．２〜１．ＯＴ 。
ｒ ｒＸ 高周波型カニ２０〜５０Ｗでｐ型ａ −Ｓ
１１−ＸＣｘ：Ｈ膜を０．０５〜０．３μｍ形成し、
次に、上記のＢ２Ｈ６をＨ２希釈したＩｐｐｍｍ度のＢ
ｅ Ｈｅ ： ２〜ＩＯｓｃｃｍに置換し、かつ、Ｃ
Ｈａを遮断してｉ型ａ−ｓｉ：）（膜を０．３〜０．７
μｍ形成した。さらに上記のＢ ２ ＨｓをＨ２希釈し
たｌＯｐｐｍ濃度のＰ Ｈｓ ： ２〜１０１０５ｃに
置換してｎ型ａ−８ｉ：Ｈ膜を０．０７〜０．３ μｍ
積層し、続いてＡ１電極を直流スパッタ法により形成し
て太陽電池（Ａ）を製作した。
１１−ＸＣｘ：Ｈ膜を０．０５〜０．３μｍ形成し、
次に、上記のＢ２Ｈ６をＨ２希釈したＩｐｐｍｍ度のＢ
ｅ Ｈｅ ： ２〜ＩＯｓｃｃｍに置換し、かつ、Ｃ
Ｈａを遮断してｉ型ａ−ｓｉ：）（膜を０．３〜０．７
μｍ形成した。さらに上記のＢ ２ ＨｓをＨ２希釈し
たｌＯｐｐｍ濃度のＰ Ｈｓ ： ２〜１０１０５ｃに
置換してｎ型ａ−８ｉ：Ｈ膜を０．０７〜０．３ μｍ
積層し、続いてＡ１電極を直流スパッタ法により形成し
て太陽電池（Ａ）を製作した。
上記のｐ型ａ −Ｓ Ｉ Ｉ−ｘ ＣＸ ： Ｈ膜は
、実施例１と同様の方法により、Ｉ、ｌα／ Ｉｓ＋＋
： １〜３．２、α（２０９０）／α（２０００）：
０．８〜２であることを確認した。
、実施例１と同様の方法により、Ｉ、ｌα／ Ｉｓ＋＋
： １〜３．２、α（２０９０）／α（２０００）：
０．８〜２であることを確認した。
また、（Ａ）とは別に太陽電池（Ｂ）として、Ｉｎα／
ｌ５ＩＨ： ０．［ｉ〜０．８、α（２０９０）／α
（２０００）： ３〜３．３であるｐ型ａ Ｓ Ｉ＋
−ｘＣｘ： Ｈ膜を用いたものも製作した。
ｌ５ＩＨ： ０．［ｉ〜０．８、α（２０９０）／α
（２０００）： ３〜３．３であるｐ型ａ Ｓ Ｉ＋
−ｘＣｘ： Ｈ膜を用いたものも製作した。
ＡＭ−１，１００ｍＷ／ｃｍ２の光をＩＴＯ電極側から
照射したときの短絡電流および変換効率は、（Ｂ）に比
べて（Ａ）の太陽電池の方が優れていた。
照射したときの短絡電流および変換効率は、（Ｂ）に比
べて（Ａ）の太陽電池の方が優れていた。
これは窓層として用いているｐ型ａ −Ｓ ｉ Ｉ−Ｘ
ｃＸ：Ｈ膜が、（Ｂ）に比べて（Ａ）の方がち密であり
キャリヤのμτ積が大きいためである。
ｃＸ：Ｈ膜が、（Ｂ）に比べて（Ａ）の方がち密であり
キャリヤのμτ積が大きいためである。
実施例３
鏡面研磨したＡＩドラム上にＳ ｉ Ｈ４１Ｃ２Ｈ２１
Ｂ ａ ＨａをＨｅで希釈した高周波プラズマＣＶＤ法
により、ＩＨα／ Ｉ ｓｌｓ： １〜２、Ｉｓ＋／Ｉ
ｓ＋Ｈ： ０．９〜１．４、α（２０９０）／α（２０
００）： １．０−１．８である電荷輸送層用ｐ型ａ
−Ｓ ｓ ＋−ｘＣｘ： Ｈ膜を１５μＩｎ形成し、
さらに電荷発生層用ｐ型ａ−３ｔ：Ｈ膜を１〜３μｍを
積層して電子写真感光体（Ａ）を作製した。また、電荷
輸送層用ｐ型ａ −Ｓ ｓ Ｉ−Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜が
Ｉｎα／Ｉ ＳＩＨ： ０．４〜０．８、Ｉｎα／ｌ５
ＩＨ，ｌ： ０．Ｇ＝０．８、α（２０９０）／α（２
０００）： ３．１〜３．５である電子写真感光体（Ｂ
）も作製し、これらの感光体を＋６．３ｋＶでコロナ帯
電したところ、（Ａ）は表面電位＋６００〜９００ｖを
得、３１ｘの白色光の露光に対して残留電位は＋５０Ｖ
以下であったが、（Ｂ）は表面電位＋７００〜１０５０
Ｖを得たが、残留電位は＋１００〜３００Ｖと大きかっ
た。（Ｂ）の大きな残留電位の原因は、電荷輸送層用の
ｐ型ａ Ｓ １ ＋−ＸＣＸ： Ｈ膜のキャリヤのμ
τ積が小さいためである。
Ｂ ａ ＨａをＨｅで希釈した高周波プラズマＣＶＤ法
により、ＩＨα／ Ｉ ｓｌｓ： １〜２、Ｉｓ＋／Ｉ
ｓ＋Ｈ： ０．９〜１．４、α（２０９０）／α（２０
００）： １．０−１．８である電荷輸送層用ｐ型ａ
−Ｓ ｓ ＋−ｘＣｘ： Ｈ膜を１５μＩｎ形成し、
さらに電荷発生層用ｐ型ａ−３ｔ：Ｈ膜を１〜３μｍを
積層して電子写真感光体（Ａ）を作製した。また、電荷
輸送層用ｐ型ａ −Ｓ ｓ Ｉ−Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜が
Ｉｎα／Ｉ ＳＩＨ： ０．４〜０．８、Ｉｎα／ｌ５
ＩＨ，ｌ： ０．Ｇ＝０．８、α（２０９０）／α（２
０００）： ３．１〜３．５である電子写真感光体（Ｂ
）も作製し、これらの感光体を＋６．３ｋＶでコロナ帯
電したところ、（Ａ）は表面電位＋６００〜９００ｖを
得、３１ｘの白色光の露光に対して残留電位は＋５０Ｖ
以下であったが、（Ｂ）は表面電位＋７００〜１０５０
Ｖを得たが、残留電位は＋１００〜３００Ｖと大きかっ
た。（Ｂ）の大きな残留電位の原因は、電荷輸送層用の
ｐ型ａ Ｓ １ ＋−ＸＣＸ： Ｈ膜のキャリヤのμ
τ積が小さいためである。
実施例４
鏡面研磨したＡ１ドラム上にプラズマＣＶＤ法により、
電荷注入阻止層としてｐ型ａ−８ｉ：Ｈ膜を０．１−１
．０μｓ、 ｉ型ａ−ｓｉ：Ｈ膜を１５〜２０μｍ１
表面保護層として第１図に示した赤外吸収スペクトルを
示すａ −Ｓ Ｌ −Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜を０．０５
〜０．２μｓ順次積層して電子写真感光体（Ａ）を製作
した。また（Ａ）と同様にａ （２０９０）／（！ （
２０００）： ３．１５であるａＳ １１−−ＣＸ：
Ｈ膜を表面保護層とした電子写真感光体（Ｂ）も製作し
た。
電荷注入阻止層としてｐ型ａ−８ｉ：Ｈ膜を０．１−１
．０μｓ、 ｉ型ａ−ｓｉ：Ｈ膜を１５〜２０μｍ１
表面保護層として第１図に示した赤外吸収スペクトルを
示すａ −Ｓ Ｌ −Ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜を０．０５
〜０．２μｓ順次積層して電子写真感光体（Ａ）を製作
した。また（Ａ）と同様にａ （２０９０）／（！ （
２０００）： ３．１５であるａＳ １１−−ＣＸ：
Ｈ膜を表面保護層とした電子写真感光体（Ｂ）も製作し
た。
これらの感光体を市販の複写機に実装し繰り返し帯電お
よび露光をおこなったところ、（Ｂ）は帯電露光を繰り
返すうちに残留電位の増加がみられたが（Ａ）では変化
がみられなかった。これは（Ｂ）の表面保護層のａ −
Ｓ ｒ ＋−ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜のキャリヤのμτ積が
小さいためである。
よび露光をおこなったところ、（Ｂ）は帯電露光を繰り
返すうちに残留電位の増加がみられたが（Ａ）では変化
がみられなかった。これは（Ｂ）の表面保護層のａ −
Ｓ ｒ ＋−ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜のキャリヤのμτ積が
小さいためである。
発明の効果
本発明によれば、半導体装置の応答速度、光感度および
動作電流などの動作特性が向上する。
動作電流などの動作特性が向上する。
第１図は、本発明の一実施例において作製したａ−Ｓｉ
１〜、Ｃ，： Ｈ薄膜の赤外吸収スペクトルを示す図
、第２図は本発明の実施例において得られたプラズマ発
光スペクトルの一例を示す図、第３図は本発明の一実施
例における薄膜トランジスタの構造を示す断面図である
。 ３０４”・ａ −Ｓ １ ＋−ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜、
３０５・ｎ型ａ−３ｉ＋−ｘＣｘ： Ｈ膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１８泗 発 光 強 攬 圀 第３図 ０及 ｑ文 係 敗 囚 Ｘ１ｌ−・ ？０４ ！ｏ５ ｉヒートを石ｉ 遺 ｉ＠ＴｄＡ 礒 往 暮 板 ５１１−χＮχ順 Ｑ−５１ｒ−ｘ Ｃｚ： ＨＨ ｎ ％ Ｑ −５Ｎ−ｘＣｘ ： Ｈｍソースを極 ト し イ ン ｔ 号
１〜、Ｃ，： Ｈ薄膜の赤外吸収スペクトルを示す図
、第２図は本発明の実施例において得られたプラズマ発
光スペクトルの一例を示す図、第３図は本発明の一実施
例における薄膜トランジスタの構造を示す断面図である
。 ３０４”・ａ −Ｓ １ ＋−ｘ Ｃｘ ： Ｈ膜、
３０５・ｎ型ａ−３ｉ＋−ｘＣｘ： Ｈ膜。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１８泗 発 光 強 攬 圀 第３図 ０及 ｑ文 係 敗 囚 Ｘ１ｌ−・ ？０４ ！ｏ５ ｉヒートを石ｉ 遺 ｉ＠ＴｄＡ 礒 往 暮 板 ５１１−χＮχ順 Ｑ−５１ｒ−ｘ Ｃｚ： ＨＨ ｎ ％ Ｑ −５Ｎ−ｘＣｘ ： Ｈｍソースを極 ト し イ ン ｔ 号
Claims (5)
- （１）少なくとも水素原子を含有し、かつシリコン原子
および炭素原子を主成分とする非晶質の薄膜（以下ａ−
Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ：Ｈ薄膜と略記する。 但し、０＜Ｘ≦０．４）を備え、前記ａ−Ｓｉ＿１＿−
＿ｘＣ＿ｘ：Ｈ薄膜の赤外吸収スペクトルにおいて２０
９０ｃｍ＾−＾１の吸収係数が２０００ｃｍ＾−＾１の
吸収係数の３倍以下であり、前記ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘ
Ｃ＿ｘ：Ｈ薄膜中を電荷を移動させるよう構成したこと
を特徴とする半導体装置。 - （２）ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ：Ｈ薄膜の水素含有
量が１原子％以上５０原子％以下であることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置。 - （３）請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって
、原料ガスとしてシリコン原子および水素原子を分子内
に含むガスと炭素原子を分子内に含むガスを真空容器内
に導入し、前記原料ガスに減圧下で電界を印加して放電
によりプラズマを発生させ、前記プラズマの発光からの
波長６５６．３ｎｍの発光強度が波長４１４．２ｎｍの
発光強度に比べて０．８倍以上となる条件下でａ−Ｓｉ
＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ：Ｈ薄膜を形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （４）プラズマの発光からの波長２８８．２ｎｍの発光
強度が波長４１４．２ｎｍの発光強度に比べて、０．８
倍以上であることを特徴とする請求項３に記載の半導体
装置の製造方法。 - （５）原料ガスに少なくとも水素ガスまたはヘリウムガ
スを混合することを特徴とする請求項３に記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002419A JPH02181974A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002419A JPH02181974A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181974A true JPH02181974A (ja) | 1990-07-16 |
Family
ID=11528731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002419A Pending JPH02181974A (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02181974A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176871A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-24 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
| WO1997022141A1 (fr) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et dispositif obtenu par ce procede |
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1002419A patent/JPH02181974A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176871A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-24 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
| WO1997022141A1 (fr) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et dispositif obtenu par ce procede |
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| US6660572B2 (en) | 1995-12-14 | 2003-12-09 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
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